意味 | 例文 (42件) |
upper memory areaとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
「upper memory area」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
The method of manufacturing the asymmetrical area memory cell includes a step of forming a lower electrode 102 having a certain area, a step of forming a CMR memory film 106 having an asymmetrical area on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode 110 having an area narrower than the lower electrode area.例文帳に追加
本発明の方法は、ある面積を有する下部電極102を形成する工程と、下部電極の上に、非対称面積を有するCMRメモリ膜106を形成する工程と、CMR膜の上に、下部電極面積よりも狭い面積を有する上部電極110を形成する工程とを包含する。 - 特許庁
When displaying next following images, it displays the image data read from frame memory #2 at the upper area, with the image data read from the frame memory #1 at the lower area.例文帳に追加
次の次画面においては、フレームメモリ#2からの読み出された画像データを次画面の上側の領域に表示すると共に、次画面の下側の領域には、フレームメモリ#1からの読み出された画像データを表示する。 - 特許庁
It displays the image data read from frame memory #1 at the upper area of the screen, and at the same time displays the image data read from frame memory #3 at the lower area.例文帳に追加
フレームメモリ#1からの読み出された画像データを現画面の上側の領域に表示すると共に、現画面の下側の領域には、前画面のフレームメモリ#3からの読み出された画像データを表示する。 - 特許庁
The address of the memory space of the external memory 3 is used as the address of each of the split storage areas so that the upper area 31 and the lower area 32 can be used for independent ring buffers.例文帳に追加
外部メモリー3のメモリー空間に対するアドレスを、各分割記憶領域のアドレスとして用い、上位領域31と、下位領域32とをそれぞれ独立のリングバッファとして用いることができるようにする。 - 特許庁
By this, a memory cell array area and a predetermined pad can be connected within a shorter distance by using a wiring formed in an upper layer that has lower electrical resistance, and power potential can be stably supplied to the memory cell array area.例文帳に追加
これにより、上層の低抵抗配線を用いてメモリセルアレイ領域と所定のパッドとを短距離で接続できるため、メモリセルアレイ領域に電源電位を安定的に供給することが可能となる。 - 特許庁
The memory space of an external memory 3 is split into two split storage areas to form an upper area 31 and a lower area 32 with predetermined data width.例文帳に追加
1つの外部メモリー3のメモリー空間を分割して、所定のデータ幅の上位領域31、下位領域32という2つの分割記憶領域を形成する。 - 特許庁
To achieve the large-scale mass production of phase change memory devices by suppressing heat discharge from both of upper and lower side metals in a phase change area in a memory cell of a phase change memory device, and minimizing the reduction of heat efficiency.例文帳に追加
相変化メモリ装置のメモリセル部における、相変化領域の上側ならびに下側の金属からの放熱を共に抑制し、熱効率の低下を最小限化して、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。 - 特許庁
-
履歴機能過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断診断回数が
増える! -
マイ単語帳便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳文章で
単語を理解!
「upper memory area」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 42件
Thus, since the memory mat MAT4 is used for both an upper side and a lower side, so to speak, complex of control and increment of area are prevented.例文帳に追加
このように、メモリマットMAT4がいわゆるアッパー側とローワ側を兼用していることから、制御の複雑化や面積増大が防止される。 - 特許庁
A cache area allocation part 44, upon a write request from an upper device, allocates a cache area 48 having a plurality of page areas having the same size as the stripe area on cache memory.例文帳に追加
キャッシュ領域配置部44は、上位装置からライト要求を受けた際に、キャッシュメモリ上に、ストライプ領域と同一サイズとなる複数のページ領域を備えたキャッシュ領域48を配置する。 - 特許庁
The method stores sampling data for preparing monitoring data into the first area of a memory and the operation result of the sampling data into a second area thereof, and prepares an upper-limit waveform and a lower-limit waveform from the data stored in the second area to store them into a third area thereof.例文帳に追加
監視用データを作成するためのサンプリングデータを記憶部の第1のエリアに記憶させ、サンプリングデータの演算結果を第2のエリアに記憶させ、第2のエリアに保存したデータから上限値波形および下限値波形を作成し第3のエリアに記憶させる。 - 特許庁
A ferroelectric thin film 18 is arranged between the lower electrode 17 and the upper electrode 19, the intersection area of both the electrodes is arranged in a matrix shape in a memory cell structure to constitute a memory 20.例文帳に追加
下部電極17と上部電極19の間に強誘電体薄膜18を配しており、両電極の交差領域がマトリクス状に配列されるメモリセル構造となり、メモリ部20を構成する。 - 特許庁
An address of a memory space needed for rectangular access is generated based upon memory mapping information in the setting register 543, a right upper address of a frame area, etc.例文帳に追加
設定レジスタ543内のメモリマッピング情報とフレーム領域の左上のアドレスなどに基づいて,矩形アクセスに必要なメモリ空間のアドレスを生成する。 - 特許庁
From a host CPU 5 disposed outside a touch panel device 1, the upper limit value for the number of touch inputs to be simultaneously detected is stored in a memory 42 (upper-limit key count storage area 424) of a touch panel controller 4.例文帳に追加
タッチパネル装置1の外部に設けられたホストCPU5から、タッチパネルコントローラ4のメモリ部42(上限キー数書込領域424)に同時に複数のタッチ入力数を検出できる上限値を書き込む。 - 特許庁
When system data are written to a flash memory 12, data A is written to a Lower-side area in a page and copy data of the system data are written to an Upper-side area.例文帳に追加
フラッシュメモリ12にシステムデータを書き込む場合、ページ内のLower側の領域にdataAが書き込まれ、Upper側の領域にはシステムデータの複製データが書き込まれる。 - 特許庁
The memory is provided with an n-type impurity area 14 formed in a memory cell array area on the upper surface of a p-type silicon substrate 13 and functioning as the cathode of a diode 10 included in a memory cell 9, and a plurality of p-type impurity areas 15 formed on the surface of the n-type impurity area 14 at prescribed intervals and functioning as the anode of the diode 10.例文帳に追加
このメモリは、p型シリコン基板13の上面のメモリセルアレイ領域に形成され、メモリセル9に含まれるダイオード10のカソードとして機能するn型不純物領域14と、n型不純物領域14の表面に所定の間隔を隔てて複数形成され、ダイオード10のアノードとして機能するp型不純物領域15とを備えている。 - 特許庁
|
意味 | 例文 (42件) |
|
upper memory areaのページの著作権
英和・和英辞典
情報提供元は
参加元一覧
にて確認できます。
Copyright (c) 1995-2024 Kenkyusha Co., Ltd. All rights reserved. | |
Text is available under Creative Commons Attribution-ShareAlike (CC-BY-SA) and/or GNU Free Documentation License (GFDL). Weblio英和・和英辞典に掲載されている「Wiktionary英語版」の記事は、Wiktionaryのupper memory area (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、Creative Commons Attribution-ShareAlike (CC-BY-SA)もしくはGNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。 |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |
-
1a shining star
-
2Pelvic
-
3reluctantly
-
4what ...
-
5メリークリスマス
-
6pitch
-
7present
-
8heaven
-
9fast
-
10rule34
「upper memory area」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
ログイン |
Weblio会員(無料)になると 検索履歴を保存できる! 語彙力診断の実施回数増加! |