word-alignedとは 意味・読み方・使い方

To perform the unaligned memory access of a word or a double length word on any byte boundary by the same execution time amount as aligned access without adding so much hardward.例文帳に追加

ハードウェアを余り追加せず整列アクセスと同じ実行時間量でいかなるバイト境界上でも語又は倍長語を非整列メモリ・アクセス可能とする。 - 特許庁

A fixed length code word reads determined available bits and bits associated with a portion of the processor-aligned data, and a variable length code word reads at least some of the available bits.例文帳に追加

固定長コードワードは、決定された利用可能なビットと、プロセッサアライメントされたデータの一部分と関連づけられたビットと読取り、可変長コードワードは、利用可能なビットの少なくとも一部を読み取る。 - 特許庁

The memory cell is defined, at an intersecting point between the bit line and the word line and is provided with a size defined by the widths of the bit line and the word line in a self-aligned process.例文帳に追加

メモリセルは、ビットラインとワードラインとの交差点に画定され、自己整列プロセスにおけるビットライン及びワードラインの幅によって画定された寸法を有する。 - 特許庁

When the current is passed through the word and bit lines (110 and 120), magnetic fields, generated by the word line (110) and the bit line (120) at a coextensive portion, are substantially aligned.例文帳に追加

電流がワードラインおよびビットライン(110,120)に流れると、ワードライン(110)およびビットライン(120)によって同延部分に生じる磁界は、実質的に整列する。 - 特許庁

In a first active region 101, memory gate electrodes 105 are aligned and formed commonly in the word line direction, and impurity-diffused layers 107, to be transistor source regions or drain regions, are aligned and formed commonly in the bit line direction.例文帳に追加

第１の活性領域１０１においては、ワード線方向に並ぶメモリゲート電極１０５がワード線方向に共通に形成され、ビット線方向に並ぶメモリトランジスタのソース領域又はドレイン領域となる不純物拡散層１０７がビット線方向に共通に形成されている。 - 特許庁

A 1-bit self-aligned SONOS cell that improves homogeneity failure between odd and even number SONOS inter-cells stemmed from the differences of oxyniride film lengths caused by misalignment that occurs at the time of the word line etching of the self-aligned 1-bit SONOS cell, and its forming method are provided.例文帳に追加

１ビットＳＯＮＯＳセルのワードラインエッチング時に発生しうるミスアラインによる窒化膜長さの差のために発生する奇数／偶数ＳＯＮＯＳセル間の均一性不良が改善できる自己整列型１ビットＳＯＮＯＳセル及びその形成方法である。 - 特許庁

For this purpose, insulating film patterns to form sidewall word lines for gates on a semiconductor substrate are made, word lines for gates on its sidewalls are formed, and a spacer for self-aligned etching is used, when etching of an ONO film is performed.例文帳に追加

このために本発明は半導体基板上に側壁ワードライン形成用の絶縁膜パターンを作ってその側壁にゲート用ワードラインを形成し、ＯＮＯ膜をエッチングする時に自己整列型エッチング用スペーサを使用する。 - 特許庁

Then, the gate electrode of the transistor of the first cell and the capacitor of the second cell are aligned in the direction of the word line, and the gate electrode of the transistor and the second electrode of the capacitor of the second cell are connected by a common line.例文帳に追加

そして、第１セルのトランジスタのゲート電極と第２セルのキャパシタをワードライン方向に並べ、そのトランジスタのゲート電極と第２セルのキャパシタの第２電極とを共通のラインで結んだ。 - 特許庁