「TFT」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The TFT array inspection device 1 inspects the TFT array 11 formed on a substrate 10.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ検査装置１は、基板１０上に形成されたＴＦＴアレイ１１を検査する。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING LOW-TEMPERATURE POLYSILICON TFT DEVICE例文帳に追加

低温ポリシリコンＴＦＴ装置の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device using a TFT, for obtaining a reliable TFT by reducing contaminating impurities in the TFT.例文帳に追加

ＴＦＴを用いた半導体装置において、ＴＦＴ中の汚染不純物を低減し、信頼性のあるＴＦＴを得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a TFT array substrate with having proper TFT characteristics, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＴＦＴ特性の良好なＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

METHOD FOR TESTING PIXEL FOR LCD TFT DISPLAY例文帳に追加

ＬＣＤ‐ＴＦＴディスプレイの画素テスト方法 - 特許庁

The circuit lamination body 28 is a TFT array.例文帳に追加

回路積層体２８はＴＦＴアレイである。 - 特許庁

TFT DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - 特許庁

HYBRID TFT ARRAY SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

混成ＴＦＴアレー基板とその製造方法 - 特許庁

A complementary circuit having an inorganic n-channel TFT (thin film transitor) and an organic p-channel TFT shows outstanding properties, without suffering from disadvantages of a conventional complementary inorganic TFT or complementary organic TFT.例文帳に追加

無機ｎ−チャネル薄膜ＴＦＴと有機ｐ−チャネルＴＦＴを有する相補型回路は、従来の相補型無機ＴＦＴ又は相補型有機ＴＦＴの欠点を被ることなく、優れた特性を示す。 - 特許庁

CF ON TFT PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＣＦオンＴＦＴパネル及びその製造方法 - 特許庁

TFT ARRAY INSPECTION APPARATUS AND SCANNING BEAM DEVICE例文帳に追加

ＴＦＴアレイ検査装置および走査ビーム装置 - 特許庁

After completion of read of the electric charge, the TFT switch 4 is turned off and the TFT switch 50 is turned on to short-circuit the sensor part 103, and thereby, an electric charge amount Q that is a saturation amount is accumulated in the sensor part 103.例文帳に追加

電荷の読み出し終了後、TFTスイッチ４をオフ状態にし、TFTスイッチ５０をオン状態にし、センサ部１０３を短絡させてセンサ部１０３に飽和量である電荷量Ｑを蓄積させる。 - 特許庁

To provide high performance TFT characteristics by using the interlayer insulation film of a low defect density in a polysilicon TFT substrate, and to shorten the evaluation period of the TFT substrate by measuring the E' center density of the interlayer insulation film beforehand and predicting the TFT characteristics.例文帳に追加

本発明によるポリシリコンＴＦＴ基板においては、欠陥密度の少ない層間絶縁膜を用いることで、高性能なＴＦＴ特性を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the n-type TFT 53 is off, a p-type TFT 52 which is switched on-off complementarily to the n-type TFT 53 is turned on, thus an output current from the n-type TFT 48 passes through a dummy load 51.例文帳に追加

ｎ型ＴＦＴ５３のオフ時には、ｎ型ＴＦＴ５３と相補的にオンオフするｐ型ＴＦＴ５２のオンにより、ｎ型ＴＦＴ４８からの出力電流はダミー負荷５１を通過する。 - 特許庁

A TFT is formed on an insulating board 1.例文帳に追加

絶縁基板１上にＴＦＴを形成する。 - 特許庁

Even when the alignment marks on the TFT substrate are set on optional positions, the positional deviation of the TFT substrate is detected to position the TFT substrate.例文帳に追加

これにより、ＴＦＴ基板上のアライメントマークが任意の位置に設定された場合であっても、ＴＦＴ基板の位置ずれを検出して位置合わせを行う。 - 特許庁

Then, the second TFT M2 and the third TFT M3 are connected to a gate line Gn+1, and the first TFT M1 is connected to a gate line Gn+2.例文帳に追加

そして、第２のＴＦＴ Ｍ２および第３のＴＦＴ Ｍ３をゲート線Ｇｎ＋１に、また第１のＴＦＴ Ｍ１をゲート線Ｇｎ＋２に接続する。 - 特許庁

When a selection TFT 20, a correction TFT 22 are switched on, a data voltage on a data line is stored in a storage capacitor 28 as a gate voltage of a driver TFT 24.例文帳に追加

選択ＴＦＴ２０、補正ＴＦＴ２２がオンすることでデータラインのデータ電圧が駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧として保持容量２８に保持される。 - 特許庁

On a TFT array substrate 10 of a liquid crystal device, an N-channel TFT test pattern 130 and a P-channel TFT test pattern 140 are formed.例文帳に追加

液晶装置のＴＦＴアレイ基板１０上に、ＮチャネルＴＦＴテストパターン１３０とＰチャネルＴＦＴテストパターン１４０とが形成されている。 - 特許庁

In a pixel structure, a TFT for switching and a TFT for current control are formed, and an EL element is electrically connected to the TFT for current control.例文帳に追加

スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用ＴＦＴを形成し、電流制御用ＴＦＴにＥＬ素子が電気的に接続された画素構造とする。 - 特許庁

Gate wirings 5 and source wirings 6 exist by being prolonged in each TFT array chip of the four TFT array chips formed on a sheet of a TFT array substrate 1.例文帳に追加

１枚のＴＦＴアレイ基板１に形成された４つのＴＦＴアレイチップそれぞれには、ゲート配線５およびソース配線６が延在している。 - 特許庁

A selecting TFT 20 and a correcting TFT 22 are turned on, thereby causing a data voltage on a data line to be held, as a gate voltage of a driving TFT 24, by a hold capacitor 28.例文帳に追加

選択ＴＦＴ２０、補正ＴＦＴ２２がオンし、データラインのデータ電圧が駆動ＴＦＴ２４のゲート電圧として保持容量２８に保持される。 - 特許庁

In an n-channel TFT 304 forming a pixel section, in addition a TFT structure which has a low off current value is realized by arranging Loff areas 217-220 in the TFT 304.例文帳に追加

また、画素部を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０４にはＬoff領域２１７〜２２０が配置され、低オフ電流値のＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

In an n-channel TFT 302, forming a drive circuit of a TFT structure which is resistant to hot carrier injection, is realized by arranging an Lov region 207 in the TFT 302.例文帳に追加

駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはＬov領域２０７が配置され、ホットキャリア注入に強いＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁

Then the current value I_DS of the TFT has a little variation in hte saturaged current value I_DS of the TFT with V _DS, and is only by V_GS.例文帳に追加

すると、該ＴＦＴの電流値Ｉ_DSは、Ｖ_DSによってほとんど変化せず、Ｖ_GSのみによって定まる。 - 特許庁

TFT BOARD, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT for improving productivity and transistor characteristics, and the TFT.例文帳に追加

生産性及びトランジスタ特性が向上するＴＦＴの製造方法及びＴＦＴを提供すること。 - 特許庁

TFT SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ＴＦＴ基板及びＴＦＴ基板の製造方法 - 特許庁

To improve the instability of TFT (Thin Film Transistor) characteristics caused by to water, and to improve initial characteristics of a TFT.例文帳に追加

水によるＴＦＴ特性の不安定性を改善し、且つＴＦＴの初期特性を向上させる。 - 特許庁

In a preferred embodiment of this invention, a p-type or n-type TFT is used as the 2nd TFT.例文帳に追加

本発明の好ましい実施例によると、第２ＴＦＴはｐ型或いはｎ型ＴＦＴとされる。 - 特許庁

Furthermore, the data line 8 is provided with a cancellation TFT 21 having the same characteristic as that of the TFT 14.例文帳に追加

また、データライン８にはＴＦＴ１４と同一特性を有するキャンセル用ＴＦＴ２１が設けられる。 - 特許庁

To reduce an OFF current of a TFT by enhancing flatness to improve the mobility of the TFT.例文帳に追加

平坦性の向上により、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減する。 - 特許庁

To obtain a structure of a pixel TFT (n-channel type TFT) having a sufficiently small off current.例文帳に追加

オフ電流値が十分低い画素ＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）の構造を得ることを課題とする。 - 特許庁

TFT ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板、液晶パネル及び電子機器 - 特許庁

Thus, the threshold voltages of p-type TFT and n-type TFT come to be optimum values, respectively.例文帳に追加

これにより、ｐ型ＴＦＴとｎ型ＴＦＴの閾値電圧がそれぞれ最適値をとることができる。 - 特許庁

Meanwhile, the negative voltage NMOS Tr 50 is formed as a TFT on the first interlayer insulating film 11 of a peripheral region.例文帳に追加

一方、負電圧NMOSTr50は、周辺領域の第1の層間絶縁膜11上にTFTとして形成されている。 - 特許庁

LIQUID CRYSTAL PANEL, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND TFT ARRAY SUBSTRATE例文帳に追加

液晶パネル、電子機器、及びＴＦＴアレイ基板 - 特許庁

As a result, the mobility of the TFT can be improved and the OFF current of the TFT can be reduced.例文帳に追加

その結果、ＴＦＴの移動度を向上させ、ＴＦＴのオフ電流を低減させることができる。 - 特許庁

Thus, the channel length of the p-type channel type TFT is set smaller than that of the n-channel type TFT.例文帳に追加

そのために、ｐチャネル型ＴＦＴのチャネル長はｎチャネル型ＴＦＴのチャネル長より短くなる。 - 特許庁

REFLOW PROCESS METHOD AND MANUFACTURING METHOD OF TFT例文帳に追加

リフロー処理方法およびＴＦＴの製造方法 - 特許庁

Further, a TFT 23 is used as a rewriting means C and a TFT 24 is used as a rewriting means D.例文帳に追加

また書き換え手段ＣとしてＴＦＴ２３、書き換え手段ＤとしてＴＦＴ２４を用いている。 - 特許庁

TFT ARRAY SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME AND PRODUCTION OF TFT ARRAY SUBSTRATE例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板及びこれを用いた液晶表示装置並びにＴＦＴアレイ基板の製造方法 - 特許庁

As a result, a TFT having mobility being roughly 2 times to 2.5 times of the conventional high-temperarure polysilicon TFT is obtained.例文帳に追加

こうして、従来の高温ポリシリコンＴＦＴの約２倍〜２.５倍の移動度を有するＴＦＴを得る。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING TFT ARRAY SUBSTRATE, TFT ARRAY SUBSTRATE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板の製造方法及びＴＦＴアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置 - 特許庁

To intensively accumulate rubbing chips of an alignment film only in the periphery of a TFT on a TFT substrate.例文帳に追加

配向膜の削れカスをＴＦＴ基板のＴＦＴの周囲のみに集中的に蓄積させる。 - 特許庁