Semiconductor PDF
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Introduccin. Los semiconductores de Silicio y Germanio: estructura y hechos experimentales. Semiconductores intrnsecos: Electrones y huecos. Estructura de bandas de un semiconductor intrnseco. Generacin de pares electrn-hueco. Dependencia con la temperatura. Semiconductores con impurezas o extrnsecos: Semiconductores tipo p y semiconductores tipo n. Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco. Ley de accin de masas. Concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios.
Introduccin. Concepto. Estudio del equilibrio en la unin sin polarizacin externa. Difusin. Potencial de contacto. Zona de depleccin. Capacidad de la unin. Perturbacin del equilibrio por aplicacin de una diferencia de potencial externa: La unin p-n con polarizacin inversa; corriente inversa de saturacin. La unin p-n con polarizacin directa. Caracterstica corriente-tensin de un diodo semiconductor. Diodo Zener, diodo Schottky, diodos emisores de luz (LED), fotodiodos, clulas solares, Laser, diodo tnel. El diodo de unin en conmutacin. (nocin de retardo) Velocidad de conmutacin.
La teora cuntica de los tomos resulta de la aplicacin de la ecuacin de Schdinger a un sistema formado por un ncleo de carga Ze y Z electrones de carga -e.
La configuracin electrnica de los tomos est gobernada por el principio de exclusin de Pauli. Dos electrones en un mismo tomo no pueden encontrarse en el mismo estado cuntico.
Constituyentes de la materia
O sea las partculas elementales, tales como protones, electrones y neutrones
1s22s22p63s23p63d64s2
Molculas
Valium Agua
Fulereno
Molcula de hidrgeno
+
A
+
B
Gas
Lquido
Slido
Energa Divisin energtica de dos niveles de energa para seis tomos en funcin de su separacin. Nivel 2 Bandas de energa permitida Nivel 1 Separacin de los tomos
Si tenemos N tomos idnticos agrupados, cada nivel del tomo aislado se divide en N niveles energticos distintos pero muy prximos
En un slido macroscpico hay del orden de 1023 tomos, luego cada nivel energtico se divide en un casi continuo de niveles que constituyen lo que se llama una banda.
Energa
- - - - - - - Distancia interatmica
Las bandas de ms baja energa corresponden a los niveles de menor energa de los electrones en el slido o sea a los electrones ligados La banda de energa ms alta que contiene electrones se llama banda de valencia La banda de energa ms baja que contiene estados no ocupados se llama banda de conduccin
Prohibida Permitida, vaca Permitida ocupada Conductor Cobre (Cu) Conductor Magnesio (Mg) Aislante Semiconductor
Solapada Niveles energticos muy prximos entre s
Bosones
T = 0
Fermiones
Electrn
La energa para la cual la probabilidad de que su estado se encuentre ocupado es 1/2 se define como EF
T > 0
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/hph.html#hph
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Cuatro electrones de valencia
Silicio
Germanio
Enlace covalente
No hay enlaces covalentes rotos. Esto equivale a que los electrones de la banda de valencia no pueden saltar a la banda de conduccin.
Ge
Ge
Ge
Ge
Hay 1 enlace roto por cada 1.7109 tomos. Un electrn libre y una carga + por cada enlace roto.
Ge
Ge
Ge
Ge
Imgenes de tomos y escalones en una superficie de silicio barrida por un microscopio de efecto tnel
tomos a mayor altura tomos intermedios tomos de una capa mas baja
Cristal de cuarzo
Obtencin de silicio
cuarzo
silano
300 K
banda de valencia
hueco
Electrn libre
= nqn + pq p
conductividad n nmero de electrones de conduccin por unidad de volumen p nmero de huecos de conduccin por unidad de volumen n movilidad del electrn p movilidad del hueco
Siempre se estn rompiendo (generacin) y reconstruyendo (recombinacin) enlaces. La vida media de un electrn puede ser del orden de milisegundos o microsegundos.
Ge
Ge
Ge
Recombinacin
Generacin
+ Ge
Generacin
Ge
Ge
Ge
Recombinacin Ge
Generacin
ni2=n p
Dopantes tipo p
Dopantes tipo n
SEMICONDUCTORES DOPADOS
Semiconductor tipo n
Electrn extra Se dopan con elementos que tienen 5 electrones de valencia Fsforo, Arsnico y Antimonio Electrn extra Banda de conduccin vaca
Semiconductor tipo p
Se dopan con elementos que tienen 3 electrones de valencia Boro, Aluminio y Galio
Hueco
Niveles aceptores de impurezas
Hueco
Na + n = Nd + p
Semiconductores intrnsecos:
Na = Nd= 0 n = p = ni
Semiconductores extrnsecos: Semiconductor tipo n n>>p
Na = 0
Na concentracin de iones positivos (aceptores) Nd concentracin de iones negativos (donadores) n concentracin de electrones debido al dopado p concentracin de huecos debido al dopado
nn Nd
pn
ni2 ni2 = nn Nd
np
ni2 n2 = i pp Na
Conductividad: = n q
Semiconductores intrnsecos:
Eg n = ne = nh = n0exp 2 kT
= nd q e
= na q h
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