Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en inverso supera el

voltaje de ruptura. Electricmente son similares a los diodos Zener, pero funciona bajo otro
fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo elctrico inverso que atraviesa la unin
p-n produce una onda de ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos
avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se destruya. La
diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa de aproximadamente 6.2V) y
el diodo zener es que el ancho del canal del primero excede la "libre asociacin" de los electrones,
por lo que se producen colisiones entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos
tienen coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.

Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen detectores multicanal
que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los fotomultiplicadores.
Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones).
La radiacin comunica la energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos,
estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.

Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un cable de metal
afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente galena o de una parte de carbn. El
cable forma el nodo y el cristal forma el ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en
los radio a galena. Los diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos
fabricantes.

Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada a la fuente, y

funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al diodo Zener, el cual limita el
voltaje. Ellos permiten una corriente a travs de ellos para alcanzar un valor adecuado y as
estabilizarse en un valor especfico. Tambin suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo
regulador de corriente.

Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia negativa debido al
efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy simples que poseen dos estados. Debido
a la alta concentracin de carga, los diodos tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas
muy bajas, campos magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas
propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.

Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o InP que produce
una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas de dominio del dipolo y
propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de ondas microondas de alta frecuencia.

Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su banda de energa,
tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la unin emiten fotones cuando se
recombinan con los portadores mayoritarios en el otro lado. Dependiendo del material, la longitud de
onda que se pueden producir vara desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al
ultravioleta. El potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos emiten:
2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros LEDs fueron rojos y amarillos. Los LEDs
blancos son en realidad combinaciones de tres LEDs de diferente color o un LED azul revestido con
un centelleador amarillo. Los LEDs tambin pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en
aplicaciones de seales. Un LED puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un
optoacoplador.

Diodo lser: Cuando la estructura de un LED se introduce en una cavidad resonante formada al pulir
las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos lser se usan frecuentemente en
dispositivos de almacenamiento pticos y para la comunicacin ptica de alta velocidad.

Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados para monitorear
la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para refrigeradores termoelctricos para
la refrigeracin termoelctrica. Los refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores,

aunque ellos no tienen ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de

portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.

Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos. Generalmente es
un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores estn empacados en materiales que
bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por
lo que estn empacados en materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de
diodo ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o en
comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo como un arreglo lineal o
como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no deben confundirse con los dispositivos de
carga acoplada.

Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de unin
mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica una seccin de
semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un metal del grupo 3 de manera
que haga contacto con el semiconductor. Algo del metal migra hacia el semiconductor para hacer una
pequea regin de tipo p cerca del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa
en receptores de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos especializados.

Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras una capa
intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como interruptores de alta frecuencia y
atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin ionizante de gran volumen y como
fotodetectores. Los diodos PIN tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede
soportar altos voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos
semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.

Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor.

Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su tensin de ruptura en corrientes de
1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y
prevencin de saturacin en un transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas
prdidas aunque su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky
son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los
portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este tipo
de diodos tiene una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a tener una
capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces y
se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y
detectores.

Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo especial de

diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son extremadamente estables. Estos
dispositivos estn diseados especialmente para aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones
donde se requiera mantener la tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y
temperatura.

Transistor
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin en ingls de transfer resistor
(resistencia de transferencia). Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos electrnicos
de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lmparas
fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, etc.

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por
John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de
germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metlicas que constituyen el emisor y el
colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre
de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es difcil de fabricar (las
puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi
con el transistor de unin (W. Shockley, 1948)zz debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha
desaparecido.

Transistor de unin bipolar

Artculo principal: Transistor de unin bipolar.

El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica bsicamente sobre un monocristal de
Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan
en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas
dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o huecos
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o
Galio (Ga) y donantes N al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia
siempre corresponde a la caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del
mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de dichas contaminaciones, de la
geometra asociada y del tipo de tecnologa de contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del
comportamiento cuntico de la unin.

Transistor de unin unipolar o de efecto de campo

El transistor de unin unipolar, tambin llamado de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo
N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de
campo tipo N de la forma ms bsica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan
externamente entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro
drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor,
estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un
potencial negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la corriente en funcin de una
tensin; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una unin PN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se asla del canal
mediante un dielctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-xido-Semiconductor,

en este caso la compuerta es metlica y est separada del canal semiconductor por una capa de xido.

Fototransistor
Artculo principal: Fototransistor.

Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias cercanas a la de la luz

visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un
fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras
diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.
(IP) (modo de iluminacin).

Tipos de transistores

Transistores de baja potencia

Se le llama transistor de baja potencia, o pequea seal, al transistor que tiene una intensidad pequea (IC
pequea), lo que corresponde a una potencia menor de 0,5 W. En este tipo de transistores interesar obtener
cc grandes (cc = 100 300).

Transistores de potencia
Se le llama transistor de potencia al transistor que tiene una intensidad grande (IC grande), lo que
corresponde a una potencia mayor de 0,5 W. En este tipo de transistores la cc que se puede obtener en su
fabricacin suele ser bastante menor que en los de baja potencia (cc = 20 100).

Tipos de Resistencias

Resistencias de hilo bobinado.- Fueron de los primeros tipos en fabricarse, y an se utilizan cuando se requieren potencias
algo elevadas de disipacin. Estn constituidas por un hilo conductor bobinado en forma de hlice o espiral (a modo de rosca de
tornillo) sobre un sustrato cermico.

Las aleaciones empleadas son las que se dan en la tabla, y se procura la mayor independencia posible de la temperatura, es decir,

que se mantenga el valor en ohmios independientemente de la temperatura.

La resistencia de un conductor es proporcional a su longitud, a su resistividad especfica (rho) e inversamente proporcional a la
seccin recta del mismo. Su expresin es:

En el sistema internacional (SI) rho viene en ohmiosmetro, L en metros y el rea de la seccin recta en metros cuadrados. Dado
que el cobre, aluminio y la plata tienen unas resistividades muy bajas, o lo que es lo mismo, son buenos conductores, no se
emplearn estos metales a no ser que se requieran unas resistencias de valores muy bajos. La dependencia del valor de
resistencia que ofrece un metal con respecto a la temperatura a la que est sometido, lo indica el coeficiente de temperatura, y
viene expresado en grado centgrado elevado a la menos uno. Podemos calcular la resistencia de un material a una temperatura
dada si conocemos la resistencia que tiene a otra temperatura de referencia con la expresin:

Los coeficientes de temperatura de las resistencias bobinadas son extremadamente pequeos. Las resistencias tpicas de carbn
tienen un coeficiente de temperatura del orden de decenas de veces mayor, lo que ocasiona que las resistencias bobinadas sean
empleadas cuando se requiere estabilidad trmica.
Un inconveniente de este tipo de resistencias es que al estar constituida de un arrollamiento de hilo conductor, forma una bobina,
y por tanto tiene cierta induccin, aunque su valor puede ser muy pequeo, pero hay que tenerlo en cuenta si se trabaja con
frecuencias elevadas de seal.
Por tanto, elegiremos este tipo de resistencia cuando 1) necesitemos potencias de algunos watios y resistencias no muy elevadas
2) necesitemos gran estabilidad trmica 3) necesitemos gran estabilidad del valor de la resistencia a lo largo del tiempo, pues
prcticamente permanece inalterado su valor durante mucho tiempo.

Resistencias de carbn prensado.- Estas fueron tambin de las primeras en fabricarse en los albores de la electrnica. Estn
constituidas en su mayor parte por grafito en polvo, el cual se prensa hasta formar un tubo como el de la figura.

Las patas de conexin se implementaban con hilo enrollado en los extremos del tubo de grafito, y posteriormente se mejor el
sistema mediante un tubo hueco cermico (figura inferior) en el que se prensaba el grafito en el interior y finalmente se disponian
unas bornas a presin con patillas de conexin.
Las resistencias de este tipo son muy inestables con la temperatura, tienen unas tolerancias de fabricacin muy elevadas, en el
mejor de los casos se consigue un 10% de tolerancia, incluso su valor hmico puede variar por el mero hecho de la soldadura, en
el que se somete a elevadas temperaturas al componente. Adems tienen ruido trmico tambin elevado, lo que las hace poco
apropiadas para aplicaciones donde el ruido es un factor crtico, tales como amplificadores de micrfono, fono o donde exista
mucha ganancia. Estas resistencias son tambin muy sensibles al paso del tiempo, y variarn ostensiblemente su valor con el
transcurso del mismo.

Resistencias de pelcula de carbn.- Este tipo es muy habitual hoy da, y es utilizado para valores de hasta 2 watios. Se utiliza
un tubo cermico como sustrato sobre el que se deposita una pelcula de carbn tal como se aprecia en la figura.

Para obtener una resistencia ms elevada se practica una hendidura hasta el sustrato en forma de espiral, tal como muestra (b)
con lo que se logra aumentar la longitud del camino elctrico, lo que equivale a aumentar la longitud del elemento resistivo.

Las conexiones externas se hacen mediante crimpado de cazoletas metlicas a las que se une hilos de cobre baados en estao
para facilitar la soldadura. Al conjunto completo se le baa de laca ignfuga y aislante o incluso vitrificada para mejorar el
aislamiento elctrico. Se consiguen as resistencias con una tolerancia del 5% o mejores, adems tienen un ruido trmico inferior
a las de carbn prensado, ofreciendo tambin mayor estabilidad trmica y temporal que stas.

Resistencias de pelcula de xido metlico.- Son muy similares a las de pelcula de carbn en cuanto a su modo de
fabricacin, pero son ms parecidas, elctricamente hablando a las de pelcula metlica. Se hacen igual que las de pelcula de
carbn, pero sustituyendo el carbn por una fina capa de xido metlico (estao o latn). Estas resistencias son ms caras que las
de pelcula metlica, y no son muy habituales. Se utilizan en aplicaciones militares (muy exigentes) o donde se requiera gran
fiabilidad, porque la capa de xido es muy resistente a daos mecnicos y a la corrosin en ambientes hmedos.

Resistencias de pelcula metlica.- Este tipo de resistencia es el que mayoritariamente se fabrica hoy da, con unas
caractersticas de ruido y estabilidad mejoradas con respecto a todas las anteriores. Tienen un coeficiente de temperatura muy
pequeo, del orden de 50 ppm/C (partes por milln y grado Centgrado). Tambin soportan mejor el paso del tiempo,
permaneciendo su valor en ohmios durante un mayor perodo de tiempo. Se fabrican este tipo de resistencias de hasta 2 watios de
potencia, y con tolerancias del 1% como tipo estndar.

Resistencias de metal vidriado.- Son similares a las de pelcula metlica, pero sustituyendo la
pelcula metlica por otra compuesta por vidrio con polvo metlico. Como principal caracterstica
cabe destacar su mejor comportamiento ante sobrecargas de corriente, que puede soportar mejor
por su inercia trmica que le confiere el vidrio que contiene su composicin. Como contrapartida,
tiene un coeficiente trmico peor, del orden de 150 a 250 ppm/C. Se dispone de potencias de
hasta 3 watios.
Se dispone de estas resistencias encapsuladas en chips tipo DIL (dual in line) o SIL (single in line).

Resistencias dependientes de la temperatura.- Aunque todas las resistencias, en mayor o menor grado, dependen de la
temperatura, existen unos dispositivos especficos que se fabrican expresamente para ello, de modo que su valor en ohmios
dependa "fuertemente" de la temperatura. Se les denomina termistores y como caba esperar, poseen unos coeficientes de
temperatura muy elevados, ya sean positivos o negativos. Coeficientes negativos implican que la resistencia del elemento
disminuye segn sube la temperatura, y coeficientes positivos al contrario, aumentan su resistencia con el aumento de la
temperatura. El silicio, un material semiconductor, posee un coeficiente de temperatura negativo. A mayor temperatura, menor
resistencia. Esto ocasiona problemas, como el conocido efecto de "avalancha trmica" que sufren algunos dispositivos
semiconductores cuando se eleva su temperatura lo suficiente, y que puede destruir el componente al aumentar su corriente hasta
sobrepasar la corriente mxima que puede soportar.
A los dispositivos con coeficiente de temperatura negativo se les denomina NTC (negative temperature coefficient).
A los dispositivos con coeficiente de temperatura positivo se les denomina PTC (positive temperature coefficient).
Una aplicacin tpica de un NTC es la proteccin de los filamentos de vlvula, que son muy sensibles al "golpe" de encendido o
turn-on. Conectando un NTC en serie protege del golpe de encendido, puesto que cuando el NTC est a temperatura ambiente
(fro, mayor resistencia) limita la corriente mxima y va aumentando la misma
segn aumenta la temperatura del NTC, que a su vez disminuye su resistencia
hasta
la resistencia de rgimen a la que haya sido diseado. Hay que elegir
correctamente la corriente del dispositivo y la resistencia de rgimen, as como la
tensin que caer en sus bornas para que el diseo funcione correctamente.

NTC