Reporte Ram U2 Skydragons

Subsecretara de Educacin
Superior
Direccin General de Educacin
Superior
Tecnolgica
Instituto Tecnolgico de Pachuca
INSTITUTO TECNOLGICO DE PACHUCA
PRACTICA DE LA MEMORIA RAM
ARQUITECTURA DE COMPUTADORAS
PROFESOR
ING: ERIC LEN OLIVARES
PRESENTAN:
ESCOBAR TLLEZ GIRN JOAQUIN
HERNNDEZ JARILLO ALBERTO
RAMREZ PREYRA DANIEL ENRIQUE
17 DE MARZO DEL 2015
INTRODUCCIN
El circuito integrado 7489 implementa un sumador binario completo de 2 nmeros
de 4 Bits
RAM ms pequea es la 7489/189/289.
Es de 64bit (24 x 4) y es de tecnologa TTL.
Esta memoria puede almacenar hasta 16 palabras de 4 bits.
Es bastante rpida, su t=33ns.
Por su poca capacidad de almacenamiento no tiene mucha utilidad

actualmente y su fabricacin se est descontinuando.
Las operaciones bsicas son:

Operacin de lectura (read): Se habilitan las entradas CS y OE.
Operacin de escritura (write): Se habilitan las entradas CS y WE.
Cada
bit de la memoria SRAM llamado
celda SRAM tiene
mismo comportamiento funcional que el siguiente circuito:
el
DESARROLLO
La memoria RAM 7489 est organizada en 16 palabras de 4 bits. Por tanto, se
necesitarn 4 bits para definir las direcciones de las posiciones de memoria. Para
ello pueden usarse cuatro conmutadores manuales o bien un contador, y para
observar la direccin escogida se usarn cuatro leds. Debe tenerse en cuenta que
la RAM 7489 es de colector abierto y por consiguiente al conectar los leds de
visualizacin debe usarse una resistencia de apoyo a la fuente.
Modo de escritura:
Una
vez
fijada
la
direccin
se
coloca
el
conmutador
de
lectura/escritura en la posicin W. Seguidamente se elige un dato cualquiera de
entrada y se introduce a travs de D0, D1, D2 y D3. Se repite el proceso para
cada una de las posiciones de memoria tomando nota de los datos que se han
grabado para la posterior comprobacin en el modo de lectura.
Modo de lectura:
Colocando el conmutador R/W en R, se observan en leds conectados a las salidas
Q0, Q1, Q2 y Q3 los datos almacenados en la direccin de memoria elegida, el
mtodo de direccionamiento es, lgicamente, el explicado anteriormente.
MATERIAL Y EQUIPO:
1 Multmetro
1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente contina
1 Protoboard
1 Circuito 7489
6 leds
2 DIP switch de 4 interruptores
8 resistencias de 220 ohm
8 resistencias de 10 k
PROCESO
La memoria de acceso aleatorio (RAM) se utiliza como memoria de trabajo para el
sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se
cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de
cmputo. Se denominan de acceso aleatorio porque se puede leer o escribir en
una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin,
no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera
ms rpida posible.
DIAGRAMA LGICO
Esta prctica consiste en comprender el funcionamiento de una memoria RAM y

sus operaciones de lectura y escritura, para esto utilizamos el circuito 74s289 que
tiene la funcin de dar a conocer cmo funciona dicha memoria. Este tipo de
circuito integrado cuenta con 4 direcciones para almacenar datos y 4 de salidas
para que sean mostrados los datos que se introducen, por medio del DIP switch le
indicamos la direccin y los datos que se quieren guardar.
Para poder leer se tiene que habilitar el modo READ y por medio de la entrada
de direcciones le indicamos que posicin queremos que sea mostrada.
Si vamos a guardar un dato en la memoria las entradas CS y WE debern decir

una entrada baja o un 0 o estar conectada a tierra.
El circuito 74s289 est constituido internamente de la siguiente manera (DATA
SHEET).
Para poder realizar el funcionamiento de la memoria RAM por medio del circuito
74s289 utilizamos el programa PROTEUS versin 7 el cual es un paquete de
software para el diseo de circuitos electrnicos que incluye captura (composicin)
de los esquemas, simulacin analgica y digital combinadas y diseo de circuitos
impresos.
Se utiliz una fuente de poder de 5 volts, para los DIP switch de direccin y de
datos colocamos resistencias de 10 k debido a que estas estn conectadas en
paralelo y por consiguiente la resistencia disminuye, nuestro bus de direccin fue
colocada en las entradas A0, A1, A2, A3 porque as est configurado el circuito
siguiendo el Data sheet, y el bus de datos a las entradas D1, D2, D3, D4, en las
salidas Q1, Q2, Q3, Q4 son conectados los leds que son los que indicaran los
datos que se mandan, aqu se conectaron resistencias para cada uno de ellos de
220 ohm adems estos sern conectados a corriente ya que el circuito es de tipo
de colector abierto.
Para lectura y escritura de datos la memoria cuenta con 2 entradas una llamada
CS y otra WE para habilitar el modo escritura ambas entradas tienen que estar a
tierra, de ese modo estarn recibiendo L, L o 0,0 respectivamente. Ya que
terminamos de ingresar datos en las diversas direcciones procedemos a leerlos,
para eso la entrada CS debe estar conectada a corriente y WE debe estar a
Tierra. De ese modo la memoria estar enviando los datos guardados de las
direcciones que indiquemos.
A continuacin se muestra el diagrama de conexin el cual representa el

funcionamiento de nuestro circuito:
Despus de simular en PROTEUS versin 7 el diagrama de conexin y comprobar

su funcionamiento iniciamos la construccin del circuito como se indica
anteriormente e hicimos distintas pruebas en modo lectura/escritura y
comprobamos su funcionamiento.
PRUEBAS
Para la elaboracin del circuito nos basamos en el diagrama lgico mostrado
anteriormente. Comenzamos ensamblando cada una de los componentes sobre la
protoboard, tratando de conservar una buena presentacin para el mismo.
CONCLUSIN:
La memoria 74S289
es un circuito en paralelo, es una conexin donde los
puertos de entrada de todos los dispositivos conectados coincidan entre s, al

mismo modo que sus terminales de salida.
De mismo modo comprendimos con mayor precisin el funcionamiento de una
memoria RAM y como es que los busses del sistema, llevan los datos hasta esta,
guardndolos de manera temporal, y posteriormente como es que los busses
llevan a la lectura de datos.
Opinamos que para poder realizar un buen trabajo y que los resultados sean
satisfactorios requiere leer y entender
la teora y posteriormente llevarlo a
prctica.
BIBLIOGRAFIA:
http://pdf.datasheetarchive.com/datasheetsmain/Datasheets-10/DSA-187829.pdf
http://www.buenastareas.com/ensayos/Memoria-Ram7489/1558512.html
http://books.google.com.mx/books?id=9HWEodKxTCYC&pg=PA118&dq=memoria
+7489&hl=es419&sa=X&ei=p1RLUqKEGoaG9QSzjoHAAg&ved=0CC0Q6AEwAA
#v=onepage&q=memoria%207489&f=false

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17 DE MARZO DEL 2015

Es de 64bit (24 x 4) y es de tecnologa TTL.

Esta memoria puede almacenar hasta 16 palabras de 4 bits.

Es bastante rpida, su t=33ns.

Por su poca capacidad de almacenamiento no tiene mucha utilidad

Las operaciones bsicas son:

bit de la memoria SRAM llamado

celda SRAM tiene

mismo comportamiento funcional que el siguiente circuito:

1 Fuente de poder con salida de 12 a 5 volts de corriente contina

2 DIP switch de 4 interruptores

8 resistencias de 220 ohm

Esta prctica consiste en comprender el funcionamiento de una memoria RAM y

Si vamos a guardar un dato en la memoria las entradas CS y WE debern decir

A continuacin se muestra el diagrama de conexin el cual representa el

Despus de simular en PROTEUS versin 7 el diagrama de conexin y comprobar

es un circuito en paralelo, es una conexin donde los

puertos de entrada de todos los dispositivos conectados coincidan entre s, al

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