Amplificación en configuración

Emisor Común

Amplificador Emisor Común

El amplificador Emisor Común (Amp-EC), se llama así porque

las Corrientes de base y de colector se combinan en el emisor.
En la Figura 1.1 se muestra la configuración del amplificador,
donde se selecciono un transistor npn.

C
Q1

B
RL
RB E Salida
Entrada

Figura 1.1 Amplificador configuración Emisor Común con

Transistor npn.

Las características generales de operación en la

configuración de Emisor Común son típicas y tendrá
variaciones para los diferentes tipos de transistor en un rango
como el siguiente:

La impedancia de entrada es de un valor medio, dentro de

un rango de 20 a 5000Ω, lo mismo que la de salida que puede
estar entre 50 y 5000Ω.

La configuración de Emisor Común proporciona la

mayor ganancia de potencia entre las diferentes
configuraciones. Observar la Tabla 1.1

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Emisor Común

Tipo de ZENT ZSAL AV AI Inversión

circuito de Fase
Base Baja Alta Si Menor No
común que 1
Emisor Mediana Mediana Si Si Si
común
Colector Alta Baja Menor Si No
común que 1
Z= Impedancia, AV= Ganancia de Voltaje,
AI= Ganancia de Corriente

Tabla 1.1 Características de las configuraciones para el

transistor.

La ganancia de corriente es la configuración de Emisor Común,

está representada por beta (β) y su fórmula es:

β= IC/IB ec. (3.1)

Puesto que la corriente de Colector es siempre mayor que la de

Base, la ganancia de corriente es siempre mayor que 1.

Análisis en CD (cálculo de las Corrientes y

Voltajes del punto de operación)

Para diseñar un Amplificador Emisor Común en primer lugar se

analiza el circuito de la Figura 1.1 bajo condiciones de cd.

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Emisor Común

La fuente variable Vi, se hace igual a cero, aplicando la ley

de tensiones de Kirchhoff (LTK) en el lazo de Base da como
resultado:

IBRB + VBE – VBB = 0 ec. (3.2)

Recordar que VBE está entre 0.6 y 0.7V para transistores

de silicio y a lo largo del tutorial VBE se tomara de 0.7V, ahora
aplicando LTK a través del lazo de Colector-Emisor como sigue:

VCC = RCIC+VCE

VCC VCE ec. (3.3)

IC
RC

La ecuación 3.3 define la línea de carga, que se dibuja en las

curvas características de la Figura 1.2 (a).

Ahora se puede seleccionar sobre la línea de carga el

punto Q, o punto de operación, que se define como el punto
de señal cero.

Si se supone ahora una entrada de ca:

Vi = V sen ωt

La onda de salida se puede encontrar de manera grafica.

Moviendo el punto de operación hacia arriba y abajo a lo largo
de la línea de carga conforme cambia iB se puede graficar iC; iB
y VCE, como se muestra en la Figura 1.2.

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Emisor Común

iC = (mA)
t
VCC/RC

34 mA
400 μA
300 μA
t 250 μA
18 mA 200 μA
150 μA
100 μA
2 mA 50 μA

5 10 15 20
0 VCE
VCC

(a) Curvas características del transistor

iB (µA) iC (mA)
≈400 34

200 18
t (s) t (s)
≈400 2

Entrada Salida

(b)Curvas de corriente en la entrada y la salida

Figura 1.2 Curvas características para el amplificador EC.

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Emisor Común

Se determinara el cambio en la corriente de

colector para un cambio dado en la corriente de base. Esta
relación es la ganancia de corriente, que se define como:

iC
Ai
iB
32mA
80
400 A
En la Figura 1.2 △iC y △iB se leen como las excursiones
totales en estos parámetros. Tal ganancia es la que hace
importante a este dispositivo para muchas aplicaciones de
ingeniería.

El Amplificador EC con resistor en el emisor.

En la Figura 1.3 se ilustra un Amplificador EC, al cual se añadió

un resistor en el emisor. Se escribirán las ecuaciones de
Kirchhoff en el lazo Emisor-Colector para determinar la línea de
carga en cd.

IC
+ iC (mA)
C VCC/(RC+RE) Linea de carga en cd
B
VCE Rc Punto Q
+ -
E
- ICQ
RB VBE
IB RE
VCC
VBB VCEQ VCE (V)

Figura 1.3 Amplificador EC con resistor en el emisor.

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Con referencia a la Figura 1.3(a), se encuentra que:

VCC = RCIC + VCE + REIE

Como IC es aproximadamente igual a IE, se obtiene;

VCC VCE
IC ec. (3.4)
RE RC
Si IC = 0, entonces

VCE = VCC

Este punto de operación se encuentra en la región de corte. Si

VCE = 0, se obtiene:

VCC
IC
RE RC
Este punto se encuentra en la región de saturación. La línea de
carga resultante está representada en la Figura 1.3 (b).

Al utilizar el transistor en emisor común, se evito la región

no lineal de las curvas características que ocurren en niveles
bajos de iC (corte) y en valores bajos de VCE (saturación). A
menudo, al diseñar un amplificador con transistor se desea una
salida con máxima excursión no distorsionada. Si la señal de
entrada en ca es simétrica alrededor de cero, se puede obtener
una excursión máxima colocando el punto Q en el centro de la
línea de carga. Por tanto;

VCEQ =VCC/2

Esta ecuación establece a VCEQ e ICQ. Además, debido a

que la unión base-emisor actúa como un diodo,

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Emisor Común

VBE = Vd

Escribiendo las ecuaciones de la LTK alrededor del lazo de la

base, se tiene:

VBB = RBiB+VBE+ICRE

Así como;

IC = βiB

Se tiene

RBiC
VBB VBE iCRE

Y el punto de operación

VBB VBE
ICQ ec. (3.5)
RB / B RE

La tensión VBE se considera constante a temperatura ambiente

(25°C) y tiene un valor cercano a 0.7V para transistores de
silicio.

Con el fin de evitar la utilización de dos fuentes de cd

separadas, se puede utilizar una red de división de tensión para
suministrar la fuente de cd al circuito de base, como se muestra
en la Figura 1.4. Los valores de R1 y R2 determinan la
ubicación del punto Q.

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Emisor Común
Vcc

Rc
R2

+
+

Vi Vo
RE
R1
-
-

Figura 1.4 Circuito de transistor con una fuente.

De lo anterior, las ecuaciones de diseño están expresadas

como:

I CQ
I BQ
hFE
Tomar en cuenta que la corriente que pasa por R1 y R2 debe
ser de 20 a 40 veces más grande que la corriente que se
desviará hacia la base del transistor por lo tanto.

I B1 I BQ (20)

VCC VBQ
R1
I B1 ec. (3.6)

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Emisor Común

VCC VBQ
I1Q
R1
I 2Q I1Q I BQ
VBQ
R2
I 2Q
ec. (3.7)

VCC VCQ
RC
I CQ
ec. (3.8)

VEQ
RE
I CQ I BQ

Análisis a señal (ca)

Como la constante de diseño del voltaje de Early (VAF) de:

VAF 63.2v
Para calcular la impedancia de la fuente de corriente se tiene
que:

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Emisor Común

VCEQ VAF
Z FC
I CQ
RL' RC // RL // Z FC

25mV
re'
I EQ
R 'L
A vmax = ' = mv/mv
re
ec. (3.9)
Av max Av AVo = mv/mv

De la siguiente expresión despejamos Re1 .

' RL'
r e Re1
Av

RL'
Re1 re'
AVo ec. (3.10)

Re 2 RE Re1
ec. (3.11)

Capacitores de paso y de acoplamiento.

Los capacitores se aproximan a cortocircuitos para señales de

ca y circuitos abiertos para señales de cd. Por tanto, los
capacitores de paso se utilizan para eliminar de manera efectiva
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(poner en corto) a los resistores durante la

operación en ca. Los capacitores de acoplamiento se utilizan
para bloquear la corriente directa y permitir el paso de la señal
de ca.

Capacitores de paso. Los capacitores se pueden utilizar

para poner el resistor de emisor, incrementando así la ganancia
del amplificador. Para lograr esto, se selecciona un capacitor
cuya impedancia en frecuencia de operación sea mucho menor
que la resistencia del resistor de emisor. Como la impedancia
aumenta al disminuir la frecuencia, la impedancia del capacitor
debe ser mucho menor que el valor de la resistencia
equivalente a través de la capacitancia en la frecuencia de
operación más baja del amplificador.

Capacitores de acoplamiento. Cada par de etapas de un

amplificador de varias etapas se puede acoplar por medio de un
capacitor. La impedancia de entrada de la siguiente etapa es la
carga de la etapa anterior. El capacitor de acoplamiento es
necesario para prevenir interacciones de cd entre etapas
adyacentes. Un amplificador de transistor de una sola etapa
tiene la forma mostrada en la Figura 1.5, donde RL es la
resistencia de entrada equivalente de la siguiente etapa.

Los capacitores son circuitos abiertos en cd y cortocircuito para

ca (en la región de operación de frecuencia medias que se trata
aquí). Sin embargo, los capacitores tienen un papel importante
en la determinación de la porción de frecuencias bajas en la
curva de respuesta.

Así

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1 Req RL
fa Donde:
2 Req C C CL

1
CL
2 RL f a ec. (3.13)

1 Req RL RC // Z FC
fb
2 Req C Donde: C C2
1
CL
2 RL RC // Z FC f b
ec. (3.14)

Vcc

Rc
R2

C→∞ C→∞

+
+
Re1 CE RL
Vi Vo
R1
- Re2
-

Figura 1.5 Etapa de amplificación en ca emisor común.

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Análisis de la respuesta en frecuencia del

circuito

En el análisis de la respuesta en frecuencia del circuito,

mostrará la región de la banda de frecuencias medias las
frecuencias de corte alta y baja del amplificador, esto ayuda a
conocer con certeza que frecuencia o rango de frecuencias del
circuito para obtener en el dominio del tiempo la máxima
ganancia del circuito.

Para obtener las frecuencias de corte es necesario saber que

éstas se miden cuando la ganancia máxima se reduce 3dB.

El análisis se realiza por medio de diagramas de Bode por

ejemplo como se observa en la Figura 1.6

Figura 1.6 ejemplo de la respuesta en Frecuencia del Circuito

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Emisor Común

Cuando se desea calcular la ganancia en amplitud

y el valor que tienes está en decibeles, es posible aplicar la
siguiente expresión:

AV (dB)
AV ant log10 ec. (3.15)
20(dB)

Que es lo mismo que:

AV (dB) 20 log10 AV (dB) ec. (3.16)

Análisis del Circuito en el Dominio del Tiempo

Para realizar el análisis en el dominio del tiempo, es necesario

conocer cual es el rango de frecuencias en las cuales la
ganancia del amplificador es máxima, para seleccionar una de
ellas y con esto lograr obtener la grafica

Figura 1.7 ejemplo de Señales de Entrada y Salida del Circuito

Amplificador de Emisor Común

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Emisor Común

Observa que la señal de salida además de presentar

amplificación en voltaje con respecto a la señal de entrada,
muestra un defasamiento de 180° (esto se da en la banda de
frecuencias medias), este defasamiento se debe al efecto que
tiene el transistor sobre el circuito (el tipo de configuración) y
no a los capacitores que intervienen en el mismo.

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