UNIVERSIDAD DON BOSCO

FACULTAD DE ESTUDIOS TECNOLGICOS

CICLO I
ELECTRNICA DE POTENCIA
Catedrtico: Ingeniero ngel Moreno

Tema: Trabajo de Investigacin: DIAC, UJT, PUT

Integrantes:

Nmero de Carn:

Herrera Miranda Ricardo Moiss

HM15224

Pablo Beltrn Brandon Alexis

PB152249

Fecha: Viernes 05 de Febrero del 2016

NDICE

INTRODUCCIN................................................................................................... 3
OBJETIVO GENERAL............................................................................................ 4
OBJETIVOS ESPECFICOS.................................................................................... 4
CONTENIDO......................................................................................................... 5
TIRISTORES...................................................................................................... 5
DIAC.................................................................................................................. 11
UJT.................................................................................................................... 13
Funcionamiento de un UJT.................................................................................... 14
Regin de corte................................................................................................ 14
Regin de resistencia negativa............................................................................15
Regin de saturacin......................................................................................... 15
PUT................................................................................................................... 17
Funcionamiento de un PUT Transistor Uniunin Programable...............................18
CONCLUSIONES................................................................................................ 19

INTRODUCCIN

A travs del tiempo la humanidad ha ido evolucionando e innovando en los

diversos campos de la vida cotidiana. Luego de la revolucin industrial el uso de
mquinas para reducir el trabajo del hombre y generar ms ingresos; sin embargo
muchos de estos procesos eran complejos y mientras ms rpido queran ir ms
potencia se necesitaba en el rea de trabajo sumando ms gastos que ganancias
y la balanza no estaba a favor de nadie.
Es por esta y otras razones que se empezaron a buscar otros mtodos que
facilitaran no solo la construccin de las mismas maquinas a una escala apropiada
sino que permitiera reducir el costo de las mismas. A partir de este concepto se
empiezan a crear diversos dispositivos de potencia que vinieron a reemplazar a
otros como es el caso de los tiristores, los cuales permitieron renovar la industria
de potencia y control de la misma por medio de diversas familias que se
construyeron a partir de ese principio de trabajo.
El DIAC, el UJT y el PUT son elementos de potencia que controlan el disparo de
otros elementos tiristores como el TRIAC, surgen ventajas de utilizar unos u otros,
como por ejemplo por parte del PUT su conmutacin es ms alta mientras que el
UJT es ms lento. Veremos que a partir de estos elementos se permite el control
de la potencia funcionando como interruptores a la hora de dar paso al disparo
necesario para que los dems componentes del circuito trabajen en funcin a lo
que se desea

OBJETIVO GENERAL

Investigar los dispositivos de potencia y control: DIAC, UJT y PUT, con el fin de
poder analizar el uso de cada uno de ellos, valorando su importancia dentro del
campo de la industria, indagando sus usos, comparando las ventajas y
desventajas de cada uno de ellos.

OBJETIVOS ESPECFICOS

Identificar las caractersticas de los dispositivos DIAC, UJT y PUT, tanto de

funcionamiento como grfico, para poder analizar su comportamiento con
respecto a una funcin determinada.

Conocer los usos o aplicaciones ms importantes de estos dispositivos en la

industria para poder identificarlos en la vida cotidiana y por medio de su
anlisis resolver problemas de la vida cotidiana.

Valorar la importancia de estos elementos de potencia en la vida cotidiana

como parte fundamental en los dispositivos de control de potencia en las
industrias actuales.

CONTENIDO
TIRISTORES
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores
de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer
que los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores
prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
CARACTERISTICAS DE LOS TIRISTORES:
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con
tres uniones pn tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra
el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se
fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al
ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene
polarizacin inversa, y solo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al
ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en
estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID.
Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente
grande la unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce
como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de
ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa,
habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones que
provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el
dispositivo est en estado de conduccin o activado.

Fig. 1 Smbolo del tiristor y tres uniones pn

La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser

pequea, por lo comn 1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada
por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la fig.
2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de
enganche IL, a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a
travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el
dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, IL, es la
corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de
conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la
seal de la compuerta. En la fig. 2b aparece una grfica caracterstica v-i comn
de un tiristor.

Fig.2 Circuito Tiristor y caracterstica v-i

Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y
ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la
unin J2 no existe una capa de agotamiento de vida a movimientos libres de
portadores. Sin embargo si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de
un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de
agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el
tiristor estar entonces en estado de Esto significa que IL bloqueo. La corriente de
mantenimiento es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de

enganche, IL. >IH. La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo

mnima para mantener el tiristor en estado de rgimen permanente. La corriente
de
mantenimiento
es
menor
que
la
corriente
de
enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2
tiene polarizacin directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa.
Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs
de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga
inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs del dispositivo.
MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSITORES.
La accin regenerativa o de enganche de vida a la retroalimentacin directa se
puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se
puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor PNP, Q1,
y un transistor NPN, Q2, tal y como se demuestra en la figura 3.
La corriente del colector IC de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente
del emisor IE y la corriente de fuga de la unin colector-base ICBO, como
Ic =

IE + ICBO..(1)

La ganancia de corriente de base comn se define como =IC/IE. Para el

transistor Q1 la corriente del emisor es la corriente del nodo IA, y la corriente del
colector IC1 se puede determinar a partir de la ecuacin (1):
IC1 =

1 IA + ICBO1(2)

a) Estructura bsica
b) Circuito equivalente
Fig. 3 Modelo de tiristor de dos terminales.
Donde alfa1 es la ganancia de corriente y ICBO1 es la corriente de fuga para Q1.
En forma similar para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es:
IC2 =

2IK + ICBO2(3)

Donde
2 es la ganancia de corriente y ICBO2 es la corriente de fuga
correspondiente a Q2. Al combinar IC1 e IC2, obtenemos:
IA = IC1 + IC2 =

1IA + ICBO1 +

2IK + ICBO2.(4)

Pero para una corriente d compuerta igual AIG, IK=IA+IG resolviendo la ecuacin
anterior en funcin de IA obtenemos:
IA

IG

ICBO1
1-( 1+

+
2)

ICBO2.(5)

ACTIVACION DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a
cabo mediante una de las siguientes formas.
TRMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero
de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento
en las corrientes har que
1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa

( 1+ 2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de

activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los
pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por
luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una
activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo
que se debe evitar.
dv/dt. Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente
de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un
valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo
debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo
permisible de los tiristores.
CORRIENTE DE COMPUERTA.
Si un tiristor est polarizado en directa, la
inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de
compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor.
Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo
directo.
En corriente continua:

Normalmente el SCR se comporta como un circuito abierto hasta que activa su

compuerta (GATE) con una pequea corriente (se cierra el interruptor S) y as este

conduce y se comporta como un diodo en polarizacin directa. Si no existe

corriente en la compuerta el tiristor no conduce. Lo que sucede despus de ser
activado el SCR, se queda conduciendo y se mantiene as. Si se desea que el
tiristor deje de conducir, el voltaje +V debe ser reducido a 0 Voltios.
Si se disminuye lentamente el voltaje (tensin), el tiristor seguir conduciendo
hasta que por el pase una cantidad de corriente menor a la llamada "corriente de
mantenimiento o de retencin", lo que causar que el SCR deje de conducir
aunque la tensin VG (voltaje de la compuerta con respecto a tierra no sea cero.
Como se puede ver el SCR, tiene dos estados:
1- Estado de conduccin, en donde la resistencia entre nodo y ctodo es muy
baja
2- Estado de corte, donde la resistencia es muy elevada
El SCR y la corriente Alterna:
Se usa principalmente para controlar la potencia que se entrega a una carga. (en
el caso de la figura es un bombillo o foco
La fuente de voltaje puede ser de 110V c.a., 120V c.a., 240V c.a., etc.
El circuito RC produce un corrimiento de la fase entre la tensin de entrada y la
tensin en el condensador que es la que suministra la corriente a la compuerta del
SCR. Puede verse que el voltaje en el condensador (en azul) est atrasado con
respecto al voltaje de alimentacin (en rojo) causando que el tiristor conduzca un
poco despus de que el tiristor tenga la alimentacin necesaria para conducir.
Durante el ciclo negativo el tiristor se abre dejando de conducir. Si se modifica el
valor de la resistencia, por ejemplo si utilizamos un potencimetro, se modifica el
desfase que hay entre las dos tensiones antes mencionadas ocasionando que el
SCR se active en diferentes momentos antes de que se desactive por le ciclo
negativo de la seal y deje de conducir.

TIPOS DE TIRISTORES.
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el
punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar
el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activacin y el tiempo de
desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y
desactivacin, en general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)

DIAC
El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin).
Tiene dos terminales: MT1 y MT2.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados
en forma opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor
de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.
Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control
de potencia, lo que significa que servir para controlar electrnicamente el paso de
corriente elctrica. La palabra diac quiere decir Diodo de Corriente Alterna. Este
componente es simtrico, por lo que se podr conectar indistintamente en
cualquiera de los dos sentidos posibles. Dicho componente cuenta con dos patillas
de conexin. El diac es un componente simtrico porque est formado por dos
diodos conectados en paralelo y en contraposicin, por lo que cada uno de ellos
permitir el paso de corriente de cada uno de los semiciclos de la corriente alterna
a que se le somete. Para que un diac comience a funcionar, necesitar que se le
apliquen entre sus bornes una tensin determinada, momento despus del cual
empezar a trabajar. La tensin mnima necesaria se denomina tensin de
disparo.
Dicha tensin de disparo ser aproximadamente de 30 V. Normalmente, este tipo
de componentes se emplean para controlar el disparo de tipo de componentes,
como lo son los tiristores y, fundamentalmente, para el disparo de Triacs.
Existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con
las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas: Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.

La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando

- +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
circuito abierto
- +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
- Tensin de disparo
- Corriente de disparo
- Tensin de simetra
- Tensin de recuperacin
- Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia
de 0.5 a 1 watt.)
Aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del TRIAC, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.

UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo

con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de
disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN que es utilizado para
hacer osciladores. Muy importante: No es un FET.

Fsicamente el transistor UJT consiste de una barra de material tipo N con

conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con
un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N.
En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as
una unin PN.

Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el

Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1.

Dnde:

n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)

VB2B1 = Voltaje entre las dos bases

La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a

0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura

Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR.
En la grfica de la figura 12.22 se describe las caractersticas elctricas de este
dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de
emisor (IE).

Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (Vp, Ip) y punto de valle
o valley-point (Vv, Iv), ambos verifican la condicin de dVE/dIE = 0.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte, regin
de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

Regin de corte
En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca
mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy
baja y se verifica que VE < VP e IE < IP. Esta tensin de pico en el UJT viene
definida por la siguiente ecuacin:
Donde la VF vara entre 0.35 V a 0.7 V con un valor
tpico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25C. El UJT en esta

regin se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor
RBB.

Regin de resistencia negativa

Si la tensin de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE
= VP entonces el diodo entra en conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo
bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinacin. Desde el
emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un
comportamiento similar a la de una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta
regin, la corriente de emisor est comprendida entre la corriente de pico y de
valle (IP < IE < IV).

Regin de saturacin
Esta es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de
mantenimiento (punto de valle) y una relacin lineal de muy baja resistencia entre
la tensin y la corriente de emisor. En esta regin, la corriente de emisor es mayor
que la corriente de valle (IE > IV). Si no se verifica las condiciones del punto de
valle, el UJT entrar de forma natural a la regin de corte.

En la figura 12.22 tambin se observa una curva de tipo exponencial que relaciona
la VE y la IE cuando la B2 se encuentra al aire (IB2 = 0). Esta curva tiene una
forma similar a la caracterstica elctrica de un diodo y representa el
comportamiento del diodo de emisor.
Aplicaciones del UJT
Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en
diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin V CC al circuito serie R-C,

formado por la resistencia variable R S y el condensador CS, dicho condensador
comienza a cargarse.
Como este condensador est conectado al emisor, cuando se supere la tensin
intrnseca, el UJT entrar en conduccin. Debido a que el valor hmico de la
resistencia R1 es muy pequeo, el condensador se descargar rpidamente, y en
el terminal de B1aparecer un impulso de tensin. Al disminuir la corriente de
descarga del condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de
mantenimiento, ste se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga
del condensador. As, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una
seal pulsante en forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los
tiempos de disparo de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo
es suficiente con modificar el valor hmico de la resistencia variable R S, ya que de
sta depende la constante de tiempo de carga del condensador.

En la figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de

sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR.

Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier

otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente
que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta
con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potencimetro RS.
PUT
El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia
del transistor bipolar comn (que tiene 3 capas: NPN o PNP), tiene 4 capas.
El transistor PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son:
ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se
puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros
de conduccin del PUT son controlados por la terminal G.

Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y
la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es
muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0,

VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]

VG = n x VBB

Dnde: n = RB2 / (RB1+RB2)

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias:
RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que en el PUT estas
resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT
son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de
funcionamiento es menor en el PUT.

Funcionamiento de un PUT Transistor Uniunin Programable

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K
es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que
depende del valor del voltaje en la compuerta G.

Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin
(encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA corriente que atraviesa
el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o
reduciendo el voltaje entre G y K.

Aplicaciones
El uso de los PUTs se encuentra casi limitado a su utilizacin en osciladores de
relajacin para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase.
Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de
temporizacin o pequeos valores de capacidad, en aplicaciones de baja
corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con
bateras. Adicionalmente, por su conmutacin debido a un proceso de
realimentacin positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de
conmutacin que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la
conductividad de la barra de silicio por inyeccin de portadores. En consecuencia

menores valores de capacidad producen pulsos de disparo de la potencia

adecuada.

CONCLUSIONES

El tiristor es un elemento de potencia que constituye parte fundamental en la

industria, posee una gran variedad de sub familias que emplean diversas
aplicaciones permitiendo as ser un elemento de bajo costo y verstil dentro del
campo de la electrnica.

Los dispositivos DIAC pueden ser de 3 o 4 capas, los cuales no son ms que
un control de disparo, utilizados ms comnmente con elementos TRIAC para
control de iluminacin, entre otros.

El uso de los UJT es variado, aunque suelen ser utilizados como control de
disparo para generadores de pulso con TRIAC, adems su funcionamiento es
parecido al de un SCR.

Los elementos PUT suelen ser ms convenientes que los UJT debido a su baja
conmutacin ya que necesitan un menor pulso capacitivo para realizar el
disparo, adems permiten controlar la resistencia RBB y VP que en el UJT son
fijos.