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Transistor VMOS

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Transistores MOSFET VMOS:

Este dispositivo es un mosfet de acumulación de canal N, pero construido de tal forma que la corriente circula
verticalmente, por lo que se designa VMOS. Esta construcción diferencia el VMOS del MOSFET de baja potencia en el que
los portadores fluyen horizontalmente desde fuente a drenaje. Frente al MOSFET el VMOS presenta propiedades
ventajosas entre las que figuran las siguientes:

 La característica de transferencia Id en función de Vgs es lineal para Id >= 0.4A


 La conmutación es muy rápida ya que no hay almacenamiento de portadores minoritarios.
 No es posible un embalamiento térmico ya que la resistencia drenaje-fuente tiene un coeficiente de temperatura
positivo entre drenaje y fuente aumentando Vds limitando en consecuencia Id.
 No existe un desigual reparto de corrientes cuando trabaja VMOS en paralelo para incrementar la intensidad total.
Si uno de los transistores trata de tomar más corriente de la que le corresponde, el coeficiente de temperatura
positivo entre drenaje y fuente aumenta Vds limitando en consecuencia Id.
 Debido a su gran resistencia de entrada, el VMOS necesita muy poca potencia de entrada, y puede ser exitado por
puertas lógicas CMOS. La ganancia de potencia es extremadamente alta.
 La resistencia en conducción es muy baja.
 Los FET potencia presentan muy poco ruido.
 La tensión umbral Vt varía entre 0.8 y 2V, por lo que los VMOS son compatibles con la lógica TTL.
 Al ser la realimentación capacitiva de salida a entrada es mínima pueden utilizarse los VMOS en circuitos de alta
frecuencia.
 La tensión de ruptura entre drenaje y fuente de un VMOS es alta. Esto es debido al hecho de que la capa epitaxial
absorbe la región de deplexión del diodo PN cuerpo-drenaje, con polarización inversa.

Aplicaciones
Los VMOS pueden emplearse como etapa de salida de un amplificador de potencia de audio o radio frecuencia, o de
alimentación de un regulador de conmutación. Como aplicaciones industriales podemos citar: procesos de control,
regulación de motores, excitación de selenoides y relés, en transductores ultrasónicos, etc.

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