Lab 02
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INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar de unión o BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido formado por dos
uniones de materiales semiconductores, típicamente silicio. En este dispositivo es posible
controlar el paso de la corriente de salida en función de una señal de entrada. Este elemento es de
gran utilidad en un gran número de aplicaciones, tanto en circuitos analógicos como digitales.
Como se muestra en la Figura 1, un transistor bipolar está conformado por tres terminales: base,
emisor y colector. Los transistores presentados son el 2N2222 y el TIP31C, transistores de tipo
npn, usados en múltiples aplicaciones. En este laboratorio caracterizaremos estos dispositivos e
implementaremos algunos circuitos que contengan este tipo de transistores.
(a) (b)
Figura 1. (a) Transistor BJT npn 2N222 (b) Transistor BJT npn TIP31C
El análisis de pequeña señal del transistor bipolar requiere el estudio de los parámetros híbridos,
analizando el transistor como una caja negra de 2 pares de terminales, lo cual genera un conjunto
de ecuaciones de 4 variables en función de las corrientes y voltajes de entrada y salida. En el caso
del amplificador de emisor común, el modelo híbrido aproximado se presenta en la Figura 2:
Figura 2. Modelo Híbrido de Emisor Común
Los valores de VCESAT (voltaje colector-emisor de saturación), VLED (voltaje de LED) e ILED (corriente
de LED) están determinados en el datasheet de cada uno de estos componentes.
a) Implemente el circuito de la Figura 4 usando un transistor 2N2222. Varíe el valor de VBB entre
0 y 5 V y mida los valores de las corrientes IB e IC, registrando los valores en la Tabla 1.
b) Repita el procedimiento reemplazando el transistor por un TIP31C y complete la Tabla 2.
Tabla 1. Valores Medidos para Extraer el Tabla 2. Valores Medidos para Extraer el
Parámetro hfe del BJT 2N2222 Parámetro hfe del BJT TIP31C
c) Con los datos de la Tabla 1 y Tabla 2 realice las gráficas de IB vs IC para cada transistor y
determine los valores de hfe, recordando que IC = hfe*IB. Es decir que el parámetro hfe
corresponde a la pendiente de dichas curvas.
d) Realice la simulación de los circuitos en LTspice haciendo un DC sweep e incluya las curvas
características obtenidas en el informe de laboratorio.
a) En el circuito de la Figura 5 determine teóricamente los valores de R1 y VCC para tener una
corriente IC = 1.5 mA y un voltaje VCE = 12 V. Incluya el procedimiento de cálculo en el informe
de laboratorio.
b) Implemente el circuito en el laboratorio y realice las medidas del punto de operación del
circuito (IC, VCE) junto con la corriente IB con el fin de verificar los resultados teóricos.
c) Simule el circuito en LTspice e incluya el resultado de las simulaciones en el informe de
laboratorio.
Figura 5. Polarización de Emisor Común
b) Implemente el circuito de la Figura 6. Aplique una señal en la entrada (vin) usando el generador
de señales, con una amplitud pico de 10 mV y frecuencia de 500 Hz y mida la señal de salida
(vout) con el osciloscopio. Determine la ganancia de voltaje del amplificador dividiendo la
amplitud de la señal de salida entre la amplitud de la señal de entrada. Compare los valores
obtenidos con los resultados teóricos.
c) Simule el circuito en LTspice e incluya el resultado de las simulaciones en el informe de
laboratorio.
b) Presente los cálculos, organizados en una tabla, de cada uno de los componentes y las
medidas de voltaje y corriente en cada uno de los elementos del circuito en el informe.
PRUEBA DE CONOCIMIENTOS
a) ¿Por qué a este tipo de dispositivo se le conoce como transistor bipolar? Explique.
b) ¿En cuáles posibles aplicaciones se podrían utilizar transistores 2N2222 y TIP31?
c) Compare los valores medidos de los parámetros hfe de los dos transistores usados con los
valores entregados por el fabricante en el datasheet. ¿Son iguales dichos valores?
d) ¿En cuál región de operación se encuentran los transistores de las Figuras 5, 6 y 7 (región
activa, corte, saturación)?
BIBLIOGRAFÍA
[2] Albert P. Malvino, David J. Bates, “Principios de Electrónica”, Séptima Edición, 2007.