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Lab 02

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UNIVERSIDAD DEL CAUCA

PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES


LABORATORIO I DE ELECTRÓNICA
PRÁCTICA #2 - TRANSISTOR BIPOLAR DE UNION
DOCENTE: STIVENS DIONIZIO SOLARTE, RUBÉN SANTILLÁN MOSQUERA
2019 - II

OBJETIVOS: Implementar circuitos usando transistores bipolares de unión.

MATERIALES: Transformador (Laboratorio), Osciloscopio (Laboratorio), Generador de Señales


(Laboratorio), Fuente DC (Laboratorio), Multímetro, Protoboard, 8 Diodos 1N4148, 10 LEDs de baja
luminosidad, 2 Transistores 2N2222, 2 Transistores TIP31C, Disipador de Calor para TIP31C con
tornillo y tuerca, Resistencias de diferentes valores (realizar procedimiento de cálculo),
Potenciómetro de 10 kΩ, Fotorresistencia, Condensadores Electrolíticos (ver circuitos), Cable UTP,
Pela cable, Pinzas.

INTRODUCCIÓN

El transistor bipolar de unión o BJT es un dispositivo electrónico de estado sólido formado por dos
uniones de materiales semiconductores, típicamente silicio. En este dispositivo es posible
controlar el paso de la corriente de salida en función de una señal de entrada. Este elemento es de
gran utilidad en un gran número de aplicaciones, tanto en circuitos analógicos como digitales.
Como se muestra en la Figura 1, un transistor bipolar está conformado por tres terminales: base,
emisor y colector. Los transistores presentados son el 2N2222 y el TIP31C, transistores de tipo
npn, usados en múltiples aplicaciones. En este laboratorio caracterizaremos estos dispositivos e
implementaremos algunos circuitos que contengan este tipo de transistores.

(a) (b)

Figura 1. (a) Transistor BJT npn 2N222 (b) Transistor BJT npn TIP31C

El análisis de pequeña señal del transistor bipolar requiere el estudio de los parámetros híbridos,
analizando el transistor como una caja negra de 2 pares de terminales, lo cual genera un conjunto
de ecuaciones de 4 variables en función de las corrientes y voltajes de entrada y salida. En el caso
del amplificador de emisor común, el modelo híbrido aproximado se presenta en la Figura 2:
Figura 2. Modelo Híbrido de Emisor Común

En esta figura se tiene que:


𝑉𝑇
ℎ𝑖𝑒 = ; ℎ𝑓𝑒 = 𝛽
𝐼𝐵

En donde VT = kT/q corresponde al voltaje térmico (k es la constante de Botzmann, q la carga del


electrón y T la temperatura en Kelvin), e IB la corriente de base en condición de DC. El análisis del
circuito con los parámetros híbridos permite determinar la ganancia de voltaje, ganancia de
corriente, impedancia de entrada e impedancia de salida de un amplificador.

Una aplicación específica de este tipo de dispositivos se encuentra en la detección de señales de


luz, como es el caso del circuito de la Figura 3. En esta situación el transistor Q1 actúa como una
llave que controla el flujo de corriente por el LED1 dependiendo de la luz que incide en la
fotorresistencia R1, la cual cambia su valor resistivo de acuerdo a la presencia de luz en su
superficie. El potenciómetro R2 se ajusta para determinar el umbral de luz mínimo. En esta
situación en particular el LED1 enciende si incide luz sobre la fotorresistencia. Planteando la
ecuación de la malla de salida en el caso en que el transistor Q1 se encuentra en la región de
saturación es posible determinar el valor de la resistencia R3:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑆𝐴𝑇 − 𝑉𝐿𝐸𝐷


𝑅3 =
𝐼𝐿𝐸𝐷

Los valores de VCESAT (voltaje colector-emisor de saturación), VLED (voltaje de LED) e ILED (corriente
de LED) están determinados en el datasheet de cada uno de estos componentes.

Figura 3. Detector de Luz con Transistor Bipolar y Fotorresistencia


PROCEDIMIENTO

1. Determinación del Parámetro h fe

a) Implemente el circuito de la Figura 4 usando un transistor 2N2222. Varíe el valor de VBB entre
0 y 5 V y mida los valores de las corrientes IB e IC, registrando los valores en la Tabla 1.
b) Repita el procedimiento reemplazando el transistor por un TIP31C y complete la Tabla 2.

Figura 4. Circuito para Extraer el Parámetro hfe

Tabla 1. Valores Medidos para Extraer el Tabla 2. Valores Medidos para Extraer el
Parámetro hfe del BJT 2N2222 Parámetro hfe del BJT TIP31C

VBB (V) IB (µA) IC (mA) VBB (V) IB (µA) IC (mA)


0.5 0.011 0.0026 0.5 0.338 0.014
1 3.54 0.767 1 4.53 0.328
1.5 8.32 1.78 1.5 9.33 0.72
2 13.2 2.79 2 14.22 1.12
2.5 18.12 3.78 2.5 19.14 1.53
3 23.02 4.74 3 24.04 1.94
3.5 27.98 5.70 3.5 28.99 2.35
4 32.94 6.62 4 33.95 2.76
4.5 37.90 7.53 4.5 38.92 3.17
5 42.87 8.41 5 43.89 3.58

c) Con los datos de la Tabla 1 y Tabla 2 realice las gráficas de IB vs IC para cada transistor y
determine los valores de hfe, recordando que IC = hfe*IB. Es decir que el parámetro hfe
corresponde a la pendiente de dichas curvas.
d) Realice la simulación de los circuitos en LTspice haciendo un DC sweep e incluya las curvas
características obtenidas en el informe de laboratorio.

2. Polarización de Emisor Común

a) En el circuito de la Figura 5 determine teóricamente los valores de R1 y VCC para tener una
corriente IC = 1.5 mA y un voltaje VCE = 12 V. Incluya el procedimiento de cálculo en el informe
de laboratorio.
b) Implemente el circuito en el laboratorio y realice las medidas del punto de operación del
circuito (IC, VCE) junto con la corriente IB con el fin de verificar los resultados teóricos.
c) Simule el circuito en LTspice e incluya el resultado de las simulaciones en el informe de
laboratorio.
Figura 5. Polarización de Emisor Común

3. Amplificador de Emisor Común

a) Usando el modelo de parámetros híbridos determine teóricamente la ganancia de voltaje, la


resistencia de entrada y de salida del amplificador de emisor común de la Figura 6. Incluya el
procedimiento teórico en el informe de laboratorio.

Figura 6. Amplificador de Emisor Común

b) Implemente el circuito de la Figura 6. Aplique una señal en la entrada (vin) usando el generador
de señales, con una amplitud pico de 10 mV y frecuencia de 500 Hz y mida la señal de salida
(vout) con el osciloscopio. Determine la ganancia de voltaje del amplificador dividiendo la
amplitud de la señal de salida entre la amplitud de la señal de entrada. Compare los valores
obtenidos con los resultados teóricos.
c) Simule el circuito en LTspice e incluya el resultado de las simulaciones en el informe de
laboratorio.

4. Circuito Detector de Intensidad Lumínica

a) Diseñe e implemente el circuito de la Figura 7 que permita indicar mediante un conjunto de 8


LEDs la intensidad lumínica de un determinado lugar, usando una fuente de alimentación VCC
de 12 V. La fotorresistencia R1 se encargará de sensar la luz y dependiendo de la intensidad
lumínica se encenderán los LEDs de manera secuencial. En el caso en que la intensidad de luz
sea mínima, todos los LEDs deberán estar encendidos, mientras que en la situación en que la
intensidad de luz sea máxima todos los LEDs estarán apagados. Utilice LEDs de baja
luminosidad (LEDs opacos), todos del mismo color, un transistor TIP31C y diodos 1N4148. El
potenciómetro R1 servirá para calibrar el circuito.

Figura 7. Circuito Detector de Intensidad Lumínica

b) Presente los cálculos, organizados en una tabla, de cada uno de los componentes y las
medidas de voltaje y corriente en cada uno de los elementos del circuito en el informe.

PRUEBA DE CONOCIMIENTOS

a) ¿Por qué a este tipo de dispositivo se le conoce como transistor bipolar? Explique.
b) ¿En cuáles posibles aplicaciones se podrían utilizar transistores 2N2222 y TIP31?
c) Compare los valores medidos de los parámetros hfe de los dos transistores usados con los
valores entregados por el fabricante en el datasheet. ¿Son iguales dichos valores?
d) ¿En cuál región de operación se encuentran los transistores de las Figuras 5, 6 y 7 (región
activa, corte, saturación)?

BIBLIOGRAFÍA

[1] Robert L. Boylestad, “Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”, Décima


Edición, Editorial Pearson Education, 2009.

[2] Albert P. Malvino, David J. Bates, “Principios de Electrónica”, Séptima Edición, 2007.

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