Trabajo hecho por: EDGAR ULISES OLVERA CARVAJAL

Numero de boleta: 2019300184 Numero de lista : #6 Grupo: 3EM4

Numero Pregunta Respuesta

1. Ligaduras Moleculares Dos átomos se combinan para formar
una molécula debido a una fuerza
atractiva neta entre ellos cuando su
separación es mayor que su separación
de equilibrio en la molécula.
2. Como es la energía total de tal ligadura La energía total de la ligadura molecular
estable es menor que la energía total de
los átomos separados.

3. A separaciones muy grandes Las fuerzas dominantes son de

atracción
4. Para separaciones pequeñas Las fuerzas repulsivas entre las cargas
iguales comienzan a dominar
5. Energía total potencial del sistema A B
U 
rn rm
donde r es la separación internuclear,
A y B son las constantes asociadas con
las fuerzas atractivas y repulsivas, y n y
m son enteros pequeños
6. La energía potencial para las Es negativa, correspondiendo a una
separaciones grandes fuerza atractiva neta.
7. Distancia de separación de equilibrio Las fuerzas atractiva y repulsiva se
equilibran y la energía potencial tiene
su valor mínimo.

8. Ligaduras iónicas Se deben sobre todo a la atracción de

Coulomb entre iones cargados en forma
opuesta.
9. Energía liberada por un átomo La energía liberada cuando un átomo
toma un electrón se llama afinidad
electrónica.
10. Energía para separar dos átomos Aesta dse le conoce como energía de
disociación.
11. Que ocurre con los átomos a 0.24mm Cuando los dos iones se acercan a
menos de 0.24 nm, los electrones en las
capas cerradas comienzan a
traslaparse, lo cual resulta en una
repulsión entre las capas cerradas.
12. Que ocurre cuando están muy Cuando los iones están muy separados,
separados los electrones internos de un ion no se
traslapan con los del otro.
12. Ligadura covalente Una ligadura covalente entre dos
átomos puede verse como el compartir
 de electrones suministrados por uno o
ambos átomos que forman la molécula.
Muchas moléculas biatómicas como el
H2, F2 y el CO deben su estabilidad a las
ligaduras covalentes.
13. Ligadura del hidrogeno En algunas moléculas, el hidrógeno
forma un diferente tipo de ligadura
entre dos átomos o iones, llamado una
ligadura de hidrógeno.
14. Ejemplo de ligadura del hidrogeno Es el ion de difluoruro de hidrógeno,
(HF2)-. Los dos iones negativos de
fluoruro se hallan enlazados por el
protón cargado positivamente situado
entre ellos.
16. Ligaduras de Van der Waals Si dos moléculas se hallan separadas
cierta distancia, son atraídas entre sí
por fuerzas electrostáticas. Asimismo,
los átomos que no forman ligaduras
iónicas o covalentes son atraídos entre
sí por las fuerzas electrostáticas.
18. Que otro nombre reciben estas Atracciones electrostáticas débiles
entre las moléculas.
19. Primer tipo de ligadura de Van der El primer tipo, llamado fuerza dipolo-
Waals dipolo, es una interacción entre dos
moléculas, cada una conteniendo un
momento dipolar eléctrico
permanente.
20. Segundo tipo de ligadura de Van der Es una fuerza de inducción de dipolo, en
Waals la cual una molécula polar con un
momento dipolar eléctrico permanente
induce un momento dipolar en una
molécula no polar.
21. Que proporcionalidad siguen estas La fuerza atractiva resulta ser
fuerzas proporcional a l/r7.

22. Tercer tipo de fuerzas de Van der Waals Se llama fuerza de dispersión. La fuerza
de dispersión es una fuerza atractiva
que ocurre entre dos moléculas no
polares. En este caso, la interacción
resulta del hecho de que, aunque el
momento dipolar promedio de una
molécula no polar es cero, el promedio
del cuadrado del momento dipolar es
diferente de cero debido a las
fluctuaciones de carga. En
consecuencia, dos moléculas no polares
cercanas entre si tienden a estar
correlacionadas, de manera tal que
 produzcan una fuerza atractiva, la cual
es la fuerza de van der Waals.

23. Mencione la teoría de bandas de los Si dos átomos idénticos se hallan muy
solidos retirados entre sí, no interactuan y sus
niveles electrónicos de energía pueden
considerarse como pertenecientes a
átomos aislados, a medida que los
átomos se acercan, los varios niveles
atómicos de energía comienzan a
dividirse.
24. Describa matemáticamente esta teoría Si el sólido contiene N átomos, cada
banda de energía tiene N niveles de
energía.

25. Calcule el momentum angular orbital Un nivel cuyo momento angular orbital
es l puede tener 2(2l + 1) electrones.
26. De donde proviene el factor dos E1 factor de 2 proviene de las dos
posibles orientaciones del espín del
electrón.
28. De donde proviene el factor 2l +1 Corresponde al número de
orientaciones posibles del momento
angular orbital.
29. A que se debe la conducción en los Se debe a que contienen una gran
metales densidad de portadores de carga.
30. Que ocurre con las bandas de los Debido a que los electrones obedecen
metales la estadística de Fermi-Dirac, todos los
niveles que se hallan por debajo de la
energía de Fermi, EF, están llenos con
electrones, mientras que todos los
niveles por encima de EF se hallan
vacíos. En el caso del sodio, la energía
de Fermi cae a la mitad de la banda.
Si se aplica un campo eléctrico al metal,
los electrones con energías cercanas a
la energía de Fermi requerirán
solamente una pequeña cantidad de
energía adicional del campo para
alcanzar estados de energía vacíos que
se encuentren cercanos.

31. Como se llama la banda inferior Se llama banda de valencia y cumple

como característica que esta llena de
electrones.
32. Como se llama la banda superior Se llama banda de conducción y
comprende como característica que
esta falta de electrones.
33. De que orden es el hueco de energía en El hueco de energía para un aislador es
un material aislante grande, del orden de 10 eV.
34. Como funciona un material aislante Como el hueco de energía para un
aislador es grande (~ 10 eV) comparado
con kT a temperatura' ambiente (kT =
0.025 eV a 300 K), la distribución de
Fermi-Dirac predice que habrá pocos
electrones térmicamente excitados en
la banda superior a temperaturas
normales.
35. Que materiales tienen un hueco de Los materiales que tienen un hueco de
energía correspondientes a 1 eV energía del orden de 1 eV se llaman
semiconductores.
36. Qué dice la distribución de Fermi-Dirac La distribución de Fermi-Dirac predice
sobre los materiales aislantes. que habrá pocos electrones
térmicamente excitados en la banda
superior a temperaturas normales.
38. Que ocurre en las bandas de un Hay tan pocos electrones ocupando
material aislante. realmente los estados de la banda de
conducción que la contribución general
a la conductividad eléctrica es muy
pequeña, resultando en una
resistividad muy alta para los
aisladores.
39. Que son realmente los Los semiconductores son en realidad
semiconductores conductores pobres a temperaturas
bajas.
40. Que ocurre con los electrones de los Todos los electrones se hallan en la
semiconductores banda de valencia y no hay electrones
en la banda de conducción.
41. La temperatura afecta en la conducción Si
de estos materiales
42. Por qué Como el nivel de Fermi, EF, se halla
localizado a la mitad aproximadamente
del hueco para un semiconductor, y
como Eg es pequeña, números
apreciables de electrones son excitados
térmicamente desde la banda de
valencia hasta la banda de conducción.
43. De que depende la conductividad en los . Debido a que la excitación termal a
semiconductores través de este hueco estrecho es más
probable a temperaturas mayores, la
conductividad de los semiconductores
depende mucho de la temperatura y
aumenta rápido con la misma.
44. Que es un semiconductor intrínseco En un cristal puro que solo contenga un
elemento o compuesto, hay el mismo
 número de electrones de conducción y
huecos. Tales combinaciones de cargas
se llaman pares electrón hueco.
45. Que ocurre en presencia de campos En la presencia de un campo eléctrico,
eléctricos los huecos se mueven en la dirección
del campo y los electrones de
conducción se mueven en la dirección
opuesta al campo.

46. Que ocurre cuando añades impurezas a Cuando se añaden impurezas a los
un semiconductor semiconductores, su estructura de
bandas y resistividades se modifica.
47. Como se llama este proceso El proceso de añadir impurezas,
llamado dopamiento.
48. Como funciona este proceso Se debe a que cuando un átomo se le
agrega un semiconductor como un
electrón extra, lo que hace que los
espacios entre bandas sen muy
pequeños.
49. Que ocurre con la energía termal. Una pequeña parte de la energía termal
causará que un electrón en esos niveles
se mueva hacia la banda de conducción.
50. Que nombre reciben estos Los semiconductores dopados con
semiconductores átomos donadores se llama
semiconductores tipo n debido a que la
mayoría de los portadores de carga son
electrones.
51. Como es la carga en estos Cuya carga es negativa.
semiconductores
52. Que ocurre con el dopaje con 3 Si el semiconductor está dopado con
electrones átomos con tres electrones de valencia,
como el indio y el aluminio, los tres
electrones forman ligaduras covalentes
con átomos vecinos, dejando una
deficiencia de electrón, o hueco, en la
cuarta ligadura.
53. Como actúan los niveles de energía Los niveles de energía de tales
impurezas caen asimismo dentro del
hueco de energía, justo arriba de la
banda de valencia.
54. Que característica tienen los electrones Los electrones de la banda de valencia
en la banda de valencia tienen suficiente energía termal a la
temperatura ambiente para llenar esos
niveles de impureza, dejando un hueco
en la banda de valencia.
55. Como se le conoce a los Un semiconductor dopado con
semiconductores dopados con 3 impurezas trivalentes (aceptores) se
electrones conoce como un semiconductor de tipo
p.
56. A que se debe esto Se debe a que los portadores de carga
son huecos positivamente cargados.
57. Que es un semiconductor extrínseco Cuando la conducción se domina por
impurezas aceptores o donadoras, el
material se llama un semiconductor
extrínseco.
58. Cuál es el rango común de densidades El rango común para densidades de
de dopamiento dopamiento para semiconductores de
tipo n o p es de 1013 hasta 1019 cm-3.
59. Que es una unión p-n Sucede cuando un semiconductor de
tipo p se une a un semiconductor de
tipo n para formar una unión p-n.
60. De cuantas regiones consta esta unión La unión completa consta de tres
regiones semiconductoras distintas.
61. Que nombres reciben estas una región tipo p, llamada región de
escasez o de agotamiento.
62. Que es la región de escasez La región de escasez puede ser vista
como el resultado de que las dos
mitades de la unión se juntan y los
electrones donadores móviles se
desplazan al lado p de la unión, dejando
en su lugar núcleos iónicos positivos
inmóviles.
63. Por qué se llama región de escasez Se llama región de escasez debido a que
carece de portadores de carga móviles.
64. Este cuenta con un campo eléctrico del orden de 104 a 106 V/cm
intrinseco de que orden
65. Para que sirve este El cual sirve para barrer cargas móviles
fuera de esta región y mantenerla
completamente agotada.
66. Que crea este campo eléctrico Este campo eléctrico interno crea una
barrera de potencial Vo
67. A que nos ayuda esta previene la difusión de huecos y
electrones a través de la unión y
asegura una corriente cero a través de
la unión cuando no se aplica voltaje
externo.
68. Que característica tiene esta unión Tal vez la característica más notable de
la unión p-n es su habilidad para
trasmitir corriente sólo en una
dirección.
69. Que ocurre si se le aplica un voltaje Si un voltaje externo positivo se aplica
externo positivo al lado p de la unión, la barrera de
 potencial total se disminuye, resultando
en una corriente que se incrementa
exponencialmente con el aumento del
voltaje hacia adelante o bias.
70. Que ocurre en un bias inverso Para un bias inverso la barrera de
potencial aumenta, resultando en una
corriente inversa muy pequeña que
rápido alcanza un valor de saturación,
I0, con un bias inverso creciente.

72. Como es que se da un bias inverso Se da debido a un voltaje externo

positivo aplicado al lado n de la unión.
73. La relación corriente-voltaje para un
diodo ideal está dada por
74. Que significa cada variable donde q es la carga electrónica, k es la
constante de Boltzmann y T es la
temperatura en grados kelvin.
75. Quien inventó el transistor Fue descubierto por John Bardeen,
Walter Brattain y Williams Shoclkey en
1948
76. Que aplicaciones tiene El advenimiento del transistor creó una
industria multimillonaria que produce
artefactos tan populares como radios
de bolsillo, calculadoras portátiles,
computadoras, receptores de televisión
y juegos electrónicos.

77. Que es una configuración pnp El transistor de unión consta de un

material semiconductor con una región
n muy estrecha emparedada entre dos
regiones p.
78. Que es la configuración npn Otra configuración es el transistor npn,
que consta de una región p
emparedada entre dos regiones n.
79. Que nombres reciben las regiones del Las regiones externas del transistor se
transistor llaman el emisor y el colector, y la
estrecha región central se llama la base.
80. Este consta de dos uniones, La configuración contiene dos uniones:
menciónelas una unión es la interfase entre el emisor
y la base, y la otra está entre la base y el
colector.

81. Supóngase que se aplica un voltaje al se puede ver que la unión emisor-base
transistor de tal manera que el emisor tiene un bias hacia adelante, mientras
se halla a un mayor potencial que el que la unión base colector tiene un bias
colector. inverso.
82. Que ocurre con un emisor tipo p casi toda la corriente consta de huecos
dopado moviéndose a través de la unión
emisor-base. La mayoría de los huecos
no se recambian en la base debido a
que es muy estrecha.
83. Que ocurre en este proceso Aunque sólo un pequeño porcentaje de
huecos se recombina en la base,
aquellos que limitan la corriente del
emisor a un valor pequeño debido a los
portadores positivos de carga se
acumulan en la base y evitan que los
huecos fluyan hacia esta región.
84. Que se puede hacer para prevenir esta Para prevenir esta limitación de
limitación corriente, algo de la carga positiva de
la base debe ser eliminada; esto se
realiza conectando la base a una
segunda batería,Aquellas cargas
positivas que no son barridas a través
de la unión colector base dejan la base
a través de este camino añadido.

85. Que ocurre con pequeño cambio en el Esta corriente de base, Ib, es muy
voltaje pequeña pero un cambio pequeño en
ella puede cambiar significativamente
la corriente del colector, Ic.
86. Que pasa con un transistor y un bias Si el transistor tiene un bias apropiado,
apropiado la corriente del colector (de salida) será
directamente proporcional a la
corriente de base (entrada), y el
transistor actuará como un
amplificador de corriente.
88. Escriba esta relación Ic = Ib
donde  la ganancia de corriente es
por lo general del rango de 10 a 100.

89. Bajo que variable funciona el transistor El transistor puede usarse para
amplificar una señal pequeña, variable
con el tiempo.
90. Que pasa con un voltaje pequeño El voltaje pequeño a ser amplificado se
coloca en serie con la batería Veb
91. Que procuce esta señal . La señal de entrada dependiente del
tiempo produce una pequeña variación
en la corriente de la base.
92. Esto resulta en.. Esto resulta en un gran cambio en la
corriente del colector y por lo tanto un
gran cambio en el voltaje a través de la
resistencia de salida.
93. Quien inventó el circuito integrado El circuito integrado, inventado
independientemente por Jack Kilby en
Texas Instruments a finales de 1958, y
por Robert Noyce en Fairchild Camera
and Instrument a principios de 1959.
94. Como es conocido este artefacto "la más notable tecnología que haya
afectado a la humanidad"
95. Que aplicaciones tiene Se hallan en el corazón de
computadoras, relojes, cámaras,
automóviles, aviones, robots, vehículos
espaciales, y toda clase de redes de
comunicación.
96. Que es un circuito integrado En sus términos más simples, un circuito
integrado es una colección de
transistores, diodos, resistencias, y
condensadores interconectados
fabricados sobre una sola pieza de
silicón.
98. Porque fueron inventados los circuitos Es interesante que los circuitos
integrados integrados fueron inventados en parte
como un esfuerzo para adquirir la
miniaturización de circuitos, y en parte
para resolver los problemas de
interconexión causados por el
transistor.
99. Que ventajas presentan los IC Además de resolver el problema de
interconexiones, los IC poseen las
ventajas de la miniaturización y de
respuesta rápida, dos atributos críticos
para las computadoras de alta
velocidad. La respuesta rápida es, de
hecho, un producto de la
miniaturización y empaquetamiento
cercano de los componentes
100. A que se debe esta amplitud en Esto sucede debido a que el tiempo de
velocidad respuesta de un circuito depende del
tiempo que tardan las señales eléctricas
en viajar a una velocidad aproximada de
1 ft/ns para pasar de un componente a
otro.
101. Que es la superconductividad Propiedad de ciertos materiales que les
permite conducir electrones sin
resistencia. Esta propiedad desaparece
por encima de una temperatura
característica de cada material
(temperatura crítica o Tc), o bajo un
campo magnético superior a un cierto
 valor crítico (Hc) o cuando se les somete
a una densidad de corriente mayor que
su valor crítico característico.

102. En qué año se descubrió la En abril de 1986

superconductividad
103. Con que material se descubrió esta En un óxido complejo de cobre, lantano
característica y bario.
104. Bajo que temperaturas se hizo en un óxido complejo de cobre, lantano
y bario. Este material presentaba
superconductividad a temperaturas
más altas que ningún otro conocido 27K
(-246ºC).
105. Que caracterpisticas tienen estos En general la estructura de los
superconductores de alta Tc es como un
SÁNDWICH GIGANTE.

Hay capas de átomos de cobre y

oxígeno (estas serían el jamón, la parte
esencial para conseguir
superconductividad) que se alternan
con capas de otros metales (digamos las
capas de pan). Y esta sucesión abarca
un número enorme de capas.

106. Como afecta la superconduntividad hoy El fenómeno de la superconductividad

en dia ya forma parte integrante de nuestras
vidas. La resonancia magnética nuclear
no habría podido desarrollarse sin su
ayuda y constituye un auxiliar
indispensable en la investigación
científica y tecnológica.