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Caracterización de Diodos de Potencia

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TECNOLÓGICO NATIONAL DE MEXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CD. GUZMÁN

“DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y


ELECTRÓNICA”

“ELECTRÓNICA INDUSTRIAL”

PRÁCTICA 2

“CARACTERIZACIÓN DE DIODOS DE POTENCIA”

Méndez Corona Jorge Manuel N.C.:14290352


Justo Rodolfo Velasco Álvarez N.C.:13290385
José Luis cervantes Zaragoza N.C.:15290293
Luis Armando alegría campos N.C.:13290353
Docente

ING.JORGE RUBEN MORFIN OROZCO

CD. GUZMÁN, JAL. MÉXICO, 19 de septiembre del 2018

EQUIPO: ´´LOS FOSILES´´


OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA

1. Caracterizar el comportamiento estático de 04 diferentes tipos de diodos de


potencia para analizar y comparar sus parámetros operativos.

2. Evaluar la respuesta dinámica de 04 diferentes tipos de diodos para


comprender el tipo de convertidor de energía donde en función de sus
características pueden utilizarse.

INTRODUCCIÓN

En la práctica se pretende, medir y construir la respuesta característica estática de


los diodos de potencia, adquiridas punto a punto en un circuito rectificador simple
por su utilidad y sencillez, comparar los resultados obtenidos de las mediciones
realizadas en un diodo de señal con las respuestas de otros diodos como son,
diodos: rectificadores, de potencia y Schottky respectivamente.

En base a una serie de pruebas y mediciones, caracterizar el comportamiento


dinámico de los diferentes diodos ensayados, sometiéndolos a conmutaciones
rápidas, resaltando los problemas en el punto de corte, asociados a la recuperación
directa e inversa, con el fin de evaluar sus respuestas típicas y comprender como
en función de sus características operativas de diseño, son aptos para la
implementación de diferentes tipos de convertidores de energía.

MARCO TEORICO

Un diodo de potencia es un dispositivo de unión pn de dos terminales por lo general


una unión pn está formada por aleación difusión y crecimiento epitaxia. Las técnicas
modernas de control en los procesos de defunción y epitaxia les permiten obtener
las características deseadas para el
dispositivo.

En la figura podemos observar la


curva de respuesta V-I de un diodo.
El único
procedimiento de control del
dispositivo una vez encendido es
invertir el voltaje
aplicado entre ánodo y cátodo para
apagarlo.
TIEMPO DE RECUPERACION
DIRECTO

Es el tiempo que transcurre entre el instante en


que la tensión ánodo-cátodo se
hace positiva y el instante en que dicha tensión
se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de
recuperación inversa y no suele
producir pérdidas de potencia apreciables.

TIEMPO DE RECUPERACION INVERSO

El paso del estado de conducción al de bloqueo en un diodo no se efectúa


instantáneamente. Se requiere de un tiempo para que las cargas en el interior del
dispositivo se reagrupen, dicho tiempo se conoce como tiempo de recuperación
inverso “trr”.

-ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero
de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
- tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad
hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión
polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo
de la intensidad hasta el 10 % de éste.
MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

01 multímetro digital con terminales de prueba.


01 Fuente de voltaje variable de corriente directa.
01 osciloscopio digital con 02 sondas compensadas.
01 generador de Funciones con 01 sonda compensada.
01 tablilla de experimentos (protoboard)
02 terminales banana-caimán
Resistencias de 100 Ohm, 1KΩ, 100KΩ, 1MΩ.
Diodo de señal: 1N4148.
Diodo de red: 1N4007 o similar.
Diodo de potencia ultrarrápido: BYW29-200 o similar.
Diodo Schottky de potencia: MBR735 o similar.
Hojas de datos de los diodos utilizados en la práctica.

METODOLOGÍA
Objetivo 1. Caracterizar el comportamiento estático de 04 diferentes
tipos de diodos de potencia para analizar y comparar sus parámetros
operativos.

RESPUESTA ESTÁTICA DEL DIODO

1. Montar en su tablilla de experimentos el circuito de la figura 2.4,


asegurarse de conectar el positivo de la fuente de tensión con el ánodo
del diodo para que sea polarizado directamente tal como se muestra en
la misma figura. Lentamente modificar la tensión de alimentación VE(t),
primeramente, de 0.0 a 1.5 V, en incrementos de 0.1 V, a continuación,
variar la tensión VE(t) de 1.5V a 5.5 V en
incrementos de 1.0 V, medir y registrar en cada caso para cada punto
de trabajo en
la TABLA 1, la caída de tensión directa en el diodo y la corriente directa
que circula por él (Vd. Id) que le permitirá trazar la característica estática
como se muestra en figura.

2. Sustituir del circuito electrónico implementado para el diodo 1N4148,


este dispositivo por otro del grupo de diodos a caracterizar y realizar las
mismas actividades del punto anterior, hasta que concluya con la
totalidad de ellos. Tenga presente que al utilizar un diodo diferente al
1N4148, deberá reemplazar la resistencia R de 1kΩ por otra de 100 Ω
para garantizar su conducción.

Voltaje directo de la Voltaje directo en el Corriente directo del


fuente diodo diodo
0.1v 195.2mv 0.185mA
0.2v 199.2mv 0.195mA
0.3v 298.9mv 0.195mA
0.4v 394.2mv 0.195mA
0.5v 462.8mv 0.200mA
0.6v 499.8mv 0.195mA
0.7v 522.77mv 0.195mA
0.8v 598.8mv 0.186mA
0.9v 0.551v 0.182mA
1v 0.561v 0.182mA
1.1v 0.569v 0.174mA
1.2v 0.576v 0.175mA
1.3v 0.582v 0.304mA
1.4v 0.587v 0.300mA
1.5 0.592v 0.300mA

Graficar la respuesta estática real por diodo con los datos medidos para cada
diodo en particular, utilice el formato

Voltaje inverso de la Voltaje inverso del Corriente inverso


fuente diodo del diodo
-5v 0.99V 0.289mA
-10v 0.199V 0.287mA
-15v 0.299V 0.287mA
-20v 0.398V 0.280mA
-25v 0.490V 0.281mA
-30v 0.558V 0.283mA
-35v 0.6V 0.299mA
-40v 0.626V 0.309mA
-45v 0.646V 0.305mA
-50v 0.661V 0.295mA
-55v 0.663V 0.294mA
-60v 0.683V 0.297mA
-65v 0.692V 0.299mA
-70v 0.7V 0.293mA
-75v 0.707V 0.298mA

3. Utilizando el mismo circuito de la figura 2.4, implementado en su


tablilla de experimentos, invierta las terminales de su fuente de
alimentación de voltaje directo. Determinar la resistencia interna
equivalente (Roff) para polarización inversa para cada uno de los
diodos, por lo que tendrá que medir y registrar el voltaje y la corriente
inversa en el diodo en turno. Aplicando tensiones inversas con su fuente
de alimentación de: -5 V, -10 V, -15 V y -20 V.

Voltaje directo de la Voltaje directo al Corriente directo al


fuente diodo diodo
-5v 0.61V 300mA
-10v 0.63V 0.293mA
-15v 0.645V 0.292mA
-20v 0.656V 0.294mA

Voltaje inverso de la Voltaje inverso al Corriente inverso al


fuente diodo diodo
-5v -2.91V 0.277mA
-10v -2.848V 0.282mA
-15v -2.827V 0.290mA
-20v -2.814V 0.295mA

Objetivo 2. Evaluar la respuesta dinámica de 04 diferentes tipos de


diodos para comprender el tipo de convertidor de energía donde en
función de sus características pueden utilizarse RESPUESTA
DINÁMICA DEL DIODO

Utilizando el generador de señales, seleccionar del mismo la forma


de onda cuadrada con una amplitud igual a 4 Vpp e implementar en
su tablilla de experimentos el circuito de conmutación de la figura 2.7.
Energizar su circuito con el generador de señales con la tensión
indicada, medir y registrar con su osciloscopio las formas de onda de
voltaje en la resistencia R con valor de 1 MΩ (ver figura 2.3a y figura
2.3b) para cada diodo para frecuencias de: 1 KHz, 100 KHz y 1 MHz
respectivamente, para evaluar el comportamiento individual y por
grupo de los diodos utilizados en el experimento

Generador de voltaje corriente


señales
1khz -2.451V 0.287mA
100khz -2.444V 0.289mA
1mhz -2.430V 0.278mA

CUESTIONARIO
1.Cuáles son los tipos de diodos de potencia.
R=Diodos estándar o de uso general
Diodo de recuperación rápido
Diodos schotkky
2. Que es la corriente de fuga de los diodos.
R= es la polarización inversa en la conducción. Porque el electrón libre tiene que
subir una barrera de potencial muy grande.
3. Que es el tiempo de recuperación inversa de los diodos.
R= es la suma de la carga eléctrica desplazada, y el pico negativo de la intensidad.
4. Que es la corriente de recuperación inversa de los diodos.
R= Es la generación térmica de pares electrón-hueco. Los pocos electrones
generados térmicamente pierden energía y bajan.
5. Que es el factor de suavidad de los diodos.
R=Es el almacenamiento de carga en el material del cuerpo semiconductor.
6. Cuáles son los tipos de recuperación de los diodos.
R= Recuperación suave, Recuperación abrupta
7. Cuál es la causa del tiempo de recuperación inversa de un diodo de unión
pn.
R= por los pocos electrones generados, Esta corriente inversa de saturación que es
muy pequeña.
8. Cuál es el efecto del tiempo de recuperación inversa de un diodo.
R=Quedara con polarización inversa.
9. Que es el tiempo de recuperación directo.
R= es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se
hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor
10. Cuáles son las diferencias principales entre los diodos de unión pn y los
diodos Schottky.
R= que la carga del diodo schotkky se recupera mucho menor que la de un diodo
pn. Y las fugas de un diodo schotkky es mayor a la de un diodo pn.
11. Cuáles son las limitaciones de los diodos Schottky.
R= que tiene un bajo voltaje en corriente directa.
12. Cuál es el tiempo típico de recuperación inversa de un diodo de propósito
General R= que su recuperación inversa es relativamente alta.
13. Cuál es el tiempo típico de recuperación inversa de los diodos de
recuperación rápida. R= su recuperación es bajo por lo general menor de 5us.
14. Porque es necesario utilizar diodos de recuperación rápida para la
construcción de convertidores de energía de alta velocidad. R= porque sus
especificaciones de corrientes desde menos de un hasta cientos de amperios y los
voltajes desde 50v hasta 3kv.

CONCLUSIONES
Mediante la práctica que realizamos con los tres diodos determine que
estos tienen una corriente muy similar al hacer circular una diferencia
de potencial similar en los circuitos donde se colocaron.
Además, que estos suelen empezar a variar cuando se le lleva a altas
temperaturas siendo sensibles a estas por lo que en los cálculos se
debería de tomar en cuenta la temperatura a la que estos estarán
trabajando.
Justo Rodolfo Velasco Álvarez N.C.:13290385

En esta práctica puede comprender que el diodo es un dispositivo muy


importante en los circuitos de potencia, aprendí como invertir el sentido
de voltaje entre anado y cátodo, y como varia el voltaje y las corrientes
al tiempo de invertir la polaridad. Los diodos son capaces de soportar
una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. Vimos observar
que la conducción de la corriente en sentido directo determina la mayor
parte de las perdidas. También vi que diodo expuesto al calor la
resistencia medida tiende a disminuir.

Méndez Corona Jorge Manuel

Cada uno de los diodos son importantes los de potencia para poder soportar una
gran intensidad de corriente y en sentido inverso deben soportar una gran cantidad
de tensión negativa con una pequeña intensidad de fuga. Según sea su
construcción o necesidad unos deben ser más rápidos que otros o deben soportar
más intensidad de corriente.

JOSE LUIS CERVANTES ZARAGOZA

En esta practica observe que los elementos rectificadores son sensibles


a las sobretensiones transitorias que aparecen durante las
conmutaciones. El trabajo para los diodos de potencia se establece y
expresan en las recomendaciones del fabricante acerca de las máximas
excitaciones que pueden someterse los mismos. También en la practica
el paso del estado de conducción de bloqueo en el diodo no se efectúa
instantáneamente.

LUIS ARMANDO ALEGRIA CAMPOS

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