AMPLIFICADOR

 DRAIN  COMÚN  
 
 
  
*  Circuito  equivalente  con  el  modelo  π  incluyendo  ro  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Ganancia  de  voltaje                    Se  define  Rp  =  RC//RL//r  
 
 
 
 
 
   
   
             Es  menor  que  1  
   
 
 
 La  salida  está  en  fase  con  la  entrada  
 
 
 
Resistencia  de  entrada  
 
Resistencia  de  salida      Vp  =  -­vgs  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Ro  =  Rs//ro//(1/gm)  
Ganancia  de  corriente  

 
Depende  del  valor  de  las  resistencias  de  polarización  
 
 
 
 
 
 
 EJERCICIO  DE  AMPLIFICADOR  DRAIN  COMÚN  
   
 
 
 
 
 
 
*  Los  parámetros  del  MOSFET  
 
En  saturación:      
 
En  los  manuales  aparece  GFS    "Forward  Transconductance":  
Relación  entre  la  variable  de  salida  (ID)  y  la  de  entrada  VGS  para  una  
corriente  ID  específica.  Esta  definición  es  similar  al  gm  para  
pequeña  señal,  aplicada  a  valores  DC.  Para  el  MOSFET  VN10K:  
 

 
Para  trabajar  con  las  ecuaciones  de  polarización  se  define:  

1 W W
iD = K (VGS − Vth ) 2 K = k' k' = 2K
2 L L

€ €
 Utilizando  una  de  las  ecuaciones  para  gm  y  aplicándola  a  GFS  
(identificada  también  como  Gm):  
 
W 2I D W
  gm = k'
L W k' = 2K
  k' L
  L
 
  W 2I 2I I
D D D
Gm = k' = 2K € = 2K = 2 KI D
L W 2K K
€ k'
  L
  Gm = 2 KI D
Con  los  datos  del  ejercicio:  
 
mA
100 = 2 K 500mA K=5
mA € iD = 5 mA (VGS − Vth ) 2
V V2
  V2

€
€
*  Cálculo  del  punto  de  operación  suponiendo  saturación  
 
 
Voltaje  VGG:  
 
 
2MΩ
VGG = 12V = 8V
3MΩ
 
Vt  ≈2V  
 
 €
 
 
 
 
*  Determinación  de  la  corriente  ID.    
 
 
 

 
 
       En  saturación  
 
 
 
 
 
*  Análisis  de  pequeña  señal.  Parámetros  
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Modelo  de  pequeña  señal  
 
*  Modelo  de  pequeña  señal  arreglado  

*  Ganancia  de  voltaje  

 
 
 
 
 
 
 
 
*  Resistencia  de  entrada    
 
*  Resistencia  de  salida  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Ganancia  de  corriente  
 

 
 
*  Parámetros  del  amplificador  
 
Tiene  ganancia  de  voltaje  menor  que  1  
 
Resistencia  de  entrada  muy  elevada  
 
Resistencia  de  salida  baja  
 
 AMPLIFICADOR  GATE  COMÚN  
 
 
 
 
 
 

La  resistencia  RG  evita  la  

acumulación  de  carga  estática  
en  Gate,  y  el  condensador  CG  
asegura  que  Gate  esté  a  tierra  
para  el  análisis  de  pequeña  
señal.    
Hay  que  calcular  el    punto  de  
operación  y  los  parámetros  del  
modelo  de  pequeña  señal.  
 
 MODELO  DE  PEQUEÑA  SEÑAL  
 
Con  modelo  π  
ro  no  se  va  a  tomar  en  cuenta  
 
 

 
*  Del  modelo  π  simplificado:    
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
*  Ganancia  de  voltaje:  
 
 
 
 
Ganancia  de  corriente  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Es  menor  que  1  
  Resistencia  de  entrada  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Esta  configuración  tiene  una  baja  resistencia  de  entrada.  
*  Resistencia  de  salida  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
       
 ESPEJO  DE  CORRIENTE  CON  MOSFET  
 
Hallar  los  valores  de  los  voltajes  y  corrientes  en  el  circuito.    
 
 
 
 
 
 
 
VGD  =  0  <  Vt  =  2    Están  en  saturación  
Ecuaciones  en  el  circuito  MOSFET  de  la  izquierda  Iref  =  ID:  
Ecuación  de  la  corriente  en  el  MOSFET.  Cálculo  de  ID  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Para  ID  =  0,71mA    tenemos    VGS  =  0,  65V    mientras  que  para  ID  =  0,4mA    
tenemos    VGS  =  4V.    
La  corriente  ID2  es  igual  a  ID  y  constituye  la  fuente  de  corriente  que  
puede  utilizarse  para  polarizar  otros  amplificadores.  
 PREPARACIÓN  DE  LA  PRÁCTICA  4  
CARACTERÍSTICAS  DEL  MOSFET.  
AMPLIFICADOR  DRAIN  COMÚN  
ESPECIFICACIONES  DEL  
TRANSISTOR  MOSFET  CANAL  N  
VN10K  
 
 

 
 
 
 
  
 

 
 
 
 
 
 
 
 
  
 
   Resistencia  en  la    
   región  triodo  
  
 
 
 
  
ESPECIFICACIONES  DEL  TRANSISTOR  MOSFET  CANAL  N  BS170  

   
 
 
  

 
  
  
 
 
 
 
 
 
 CIRCUITOS  PARA  LA  PRÁCTICA  Nº  4  
 
 Características  de  salida  del  
MOSFET  CANAL  N  
 
El  transistor  se  dibuja  como  un  
componente  real  para  indicar  que  no  
es  parte  de  un  amplificador.  
RG  =  1MΩ  
RD  =  1kΩ  
Voltaje  VBB=  De  0  a  2V  
Generador:  Vmax  =  3V      Voffset=  3V        
 f  =1  kHz                
Para  cada  valor  de  VGG  se  observa  una  sola  curva  de  ID  vs.  VDS.    
Hay  que  invertir  el  canal  X  para  ver  las  curvas  con  la  orientación  
adecuada.  
En  la  pantalla  del  osciloscopio  
 
 
 
 
Para  medir  rds    y  determinar  el  valor  de  VA.  
 
Curva  en  pantalla:  Se  selecciona  un  par  de  puntos  sobre  la  curva  y  se  
determina  la  pendiente  de  la  misma.  El  inverso  es  la  resistencia  ro.  
Con  la  pendiente  y  VDS  se  calcula  VA  .  
 
VDS2 − VDS1
ro =
I D2 − I D1
   
Características  de  transferencia  del  MOSFET  
 
RG  =  1MΩ  
RD  =  1kΩ  
RS  =  510Ω  
Voltaje  VDD=  De  0  a  2V  
Generador:  Vmax  =  3V      Voffset=  3V      
 f  =1  kHz  
La  figura  es  la  curva  característica  de  
transferencia  del  MOSFET.  
Hay  que  invertir  el  canal  X  para  ver  las  curvas  con  la  orientación  
adecuada.  
 
 
Para  medir  gm  y  Vt  en  la  característica  de  transferencia  
 
Vt  se  mide  determinando  el  
voltaje  en  el  que  la  curva  
comienza  a  crecer.    
 
Para  medir  gm  
Se  escoge  un  punto  en  el  que  se  
mide  ID1  y  VGS1  
Se  escoge  un  otro  punto  en  el  
que  se  mide  ID2  y  VGS2  
 
El  parámetro  gm  es  

I D2 − I D1
gm =
VGS2 − VGS1
 AMPLIFICADOR  DRAIN  COMÚN  
 
Transistor  BS170  
VDD  =  12V    
R1  =  1MΩ  
R2  =  2MΩ  
RS  =  1kΩ  
RL  =  1kΩ  
Cgen  =  100nF  
CL  =  100nF  
 
Vt  ≈2V  
gFS  =  320  mS  @  200  mA  
 
 
 CÁLCULOS  INICIALES  
 
K  =  128  
 
 
 
 
Valores  de  ID=    6,22mA        y        5,79mA  
VGS  válido:  2,24V  
 EN  EL  LABORATORIO  
POLARIZACIÓN  DEL  TRANSISTOR  
 

En  primer  lugar  se  monta  solo  el  circuito  DC.  

 
*  Se  determina  el  punto  de  operación    
midiendo  con  el  multímetro:  
VGS  :  Probar  haciendo  una  medición  directa  y  
luego  una  indirecta  VG  -­‐  VS  
VDS  
ID  =  VD  /  RD  
 

*  Solo  cuando  el  punto  de  operación  

se  encuentre  en  un  rango  cercano  a  los  
valores  deseados,  se  puede  continuar  con  
 el  estudio  en  AC.
  
EL  DRAIN  COMÚN  COMO  AMPLIFICADOR  
 
*  Se  enciende  la  fuente  DC    
*  Se  aplica  el  voltaje  de  salida  del  
generador,  a  través  de  un  divisor  
de  voltaje  con  un  potenciómetro  
si  es  necesario  para  obtener  las  
amplitudes  deseadas  
*  Se  selecciona  el  Vimax  de  forma  
que  no  haya    distorsión  a  la  
salida  
*  Se  aumenta  Vimax  hasta  producir  
distorsión  a  la  salida.  
*  Se  registran  varias  formas  de  
onda  de  la  entrada  con  la  salida.  
 MEDICIÓN  DE  LA  GANANCIA  DE  VOLTAJE    
 
Ganancia  de  voltaje:  
Se  mide  el  voltaje  AC  
sobre  la  carga  y  el  voltaje  
AC  aplicado  al  Gate  
AV  =  Vo  /  Vi  
 
 MEDICIÓN DE LA RESISTENCIA DE SALIDA

* Se aplica un voltaje de entrada que produzca una salida de 3 o 4 Vpp y se

mide cuidadosamente el voltaje de salida V01.
* Se coloca una resistencia de carga de 1K y se mide cuidadosamente el
voltaje de salida V02.
*Con esos datos se puede plantear el circuito mostrado y determinar el valor
de Ro.

 
   
 
 
 RESPUESTA  EN  FRECUENCIA  
*  Se  enciende  la  fuente  DC  
*  Manteniendo  el  voltaje  de  
salida  del  generador  
constante  y  asegurándose  
que  el  amplificador  no  
entre  en  saturación,  se  hace  
un  barrido  de  frecuencia  y  
se  toman  las  
correspondientes  
mediciones  a  la  salida,  para  poder  realizar  un  diagrama  de  amplitud  vs.  
frecuencia  y  otro  de  desfasaje  vs.  frecuencia,  en  un  rango  comparable  
con  el  que  se  realizó  la  simulación.  
*  NOTA:  Cuando  en  la  preparación  obtenga  la  respuesta  en  frecuencia  
del  amplificador  bajo  estudio,  seleccione  que  el  eje  vertical  esté  en  dB,  e  
identifique  la  frecuencia  de  corte  inferior  y  la  frecuencia  de  corte  
superior.