EL TRANSISTOR BJT TIPO NPN

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN, permiten aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, controla el paso de la corriente a través de sus terminales.
Se usan generalmente en electrónica analógica y en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BiCMOS.
Está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, está fuertemente dopada, se comportan como un metal. Funciona como emisor de
portadores de carga.
Base, separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.

HISTORIA
Fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter
Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera patente solicitaron los dos
primeros nombrados, el 17 de junio de 1948, la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo. Fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el diseño
de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en favor de la
tecnología CMOS para el diseño de
circuitos digitales integrados.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región

del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente,
tipo P, tipo N y tipo P en un PNP; y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del
semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C).
La base está localizada entre el emisor y el colector, está compuesta de material
semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del
emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar
de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y
por eso, otorgarle al transistor una gran β.

En la siguiente figura se aprecia la Estructura interna tanto de un transistor NPN con de uno
PNP.

Un

transistor NPN puede ser considerado como dos

diodos con la región del ánodo compartida. La
unión base-emisor esta polarizada en directa y la
unión base-colector esta polarizada en inversa. Cuando una tensión positiva es aplicada en la
unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo
eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones
excitados, térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base esta dopada con material P, los cuales
generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.
Control de tensión, carga y corriente

La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor
(control de corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es
aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β
veces la corriente de la base.
Para diseñar circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de
modelos matemáticos del transistor como el modelo Ebers-Moll.

Parámetros Alfa y Beta del transistor de unión bipolar

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de
cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y el bajo dopaje de
la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean inyectados desde el
emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor.
El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones (para un
transistor NPN):

Transistores NPN

La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad
del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo
mayores corrientes y velocidades de operación.

Ejemplo práctico de uso de un transistor bipolar NPN

EJEMPLOS DE USO DE UN TRANSISTOR TIPO NPN

En el ejemplo particular mostrado en la imagen, hay un transistor del tipo NPN cuyo punto
funcionamiento Q (de la expresión inglesa Quiescent Point, punto estático) en corriente
continua es desconocido. Hallar el punto Q consiste en calcular la corriente que atraviesa el
colector del dispositivo (IC) y la tensión colector-emisor (VCE).

La corriente que atraviesa la base (IB), con referencia al diagrama se calcula así:

Remplazando los datos:

Seguidamente, se calcula la corriente de colector, recordando que su valor es igual a la

corriente de la base, multiplicada por el parámetro β:

Finalmente, se halla el valor de la tensión Colector-Emisor:

Todo lo anterior se expresa en la siguiente Figura con el Eje X en voltios y el el Y en mili-

amperios.