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Laboratorio N°6 Desarrollo...

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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y


ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA
ELÉCTRICA

DISPOSITIVOS Y COMPONENTES
ELECTRONICOS
LABORATORIO # 6

EL TRANSISTOR DE POTENCIA

Sección / Grupo Horario: 01T - 92G


Integrantes:
Gastello Flores Gustavo Andres 1913130381
Ferrer Huaman Jossymar 1913120317
Mamani Chancafe Luis Angel 1913120157
Ochoa Yaranga Akio Sebastian 1913120077
Rimachi Jorge Jean Paul 1913110017

Profesor: Juan Antonio Apesteguia Infantes

Fecha de realización

/11/2020

Fecha de entrega
/11/2020
1. Introducción

2. Objetivo
3. Desarrollo

EL TRANSISTOR
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues
inició una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier
previsión inicial.
Con el transistor vino la miniaturización de los componentes y se llegó al
descubrimiento de los circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos
milímetros cuadrados, miles de transistores. Estos circuitos constituyen el
origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores actuales.

Por otra parte, la sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y


antiguas válvulas de vacío por los transistores, reduce al máximo las pérdidas
de calor de los equipos.
Es un tipo de dispositivo de uso común en numerosos aparatos, como relojes,
lámparas, tomógrafos, celulares, radios, televisores y, sobre todo, como
componente de los circuitos integrados (chips o microchips).
Los transistores tienen su origen en la necesidad de controlar el flujo de la
corriente eléctrica en diversas aplicaciones, como parte de la evolución del
campo de la electrónica. Su antecesor directo fue un aparato inventado por
Julius Edgar Lilienfeld en Canadá en 1925, pero no sería hasta mediados de
siglo cuando podría implementarse usando materiales semiconductores (en
lugar de tubos al vacío).

Los primeros logros en este sentido consistieron en la ampliación de la potencia


de una señal eléctrica a partir de conducirla a través de dos puntales de oro
aplicados a un cristal de germanio.

El nombre de transistor fue propuesto por el ingeniero estadounidense John R.


Pierce, a partir de los primeros modelos diseñados por los Laboratorios Bell. El
primer transistor de contacto apareció en Alemania en 1948, mientras que el
primero de alta frecuencia fue inventado en 1953 en los Estados Unidos.

Estos fueron los primeros pasos hacia la explosión electrónica de la segunda


mitad del siglo XX, que permitieron, entre muchas otras cosas, el desarrollo las
computadoras.

En la construcción de los transistores hoy en día se emplean materiales como


germanio (Ge), silicio (Si), arseniuro de galio (GaAs) o aleaciones de silicio y
germanio o silicio y aluminio. Dependiendo del material usado, el dispositivo
podrá resistir una cantidad determinada de tensión eléctrica y una temperatura
máxima de calentamiento por resistencia.

FUNCIONAMIENTO

Los transistores operan como peajes o alcabalas en el flujo eléctrico,


permitiendo aumentar, disminuir o modular su intensidad conforme a tres
posiciones posibles dentro de un circuito:

 En activa. Permite el paso de más o menos corriente (modulada) hacia el


colector y, por lo tanto, de vuelta al circuito.
 En corte. Impide el paso de toda la corriente.
 En saturación. Permite el paso íntegro de la corriente.
Las funciones de un transistor como parte de un circuito eléctrico pueden ser
dos fundamentalmente:

 Como interruptor. Corta el flujo eléctrico a partir de una pequeña señal de


mando.
 Como amplificador. Recibe una pequeña señal eléctrica que, al salir del
transistor, se habrá convertido en una más grande.

Sin embargo, los transistores también pueden cumplir funciones de oscilador,


conmutador o rectificador, que permite conducir de la manera deseada el flujo
eléctrico en el circuito.

PARTES DEL TRANSISTOR

Los transistores se componen esencialmente de tres patillas o cables, cada uno


encargado de una labor diferente y que se denominan:

 Emisor. Desde donde entra el flujo eléctrico al interior encapsulado del


transistor.
 Base. La que modula el flujo entre emisor y colector.
 Colector. Hacia donde fluye la corriente una vez que ha sido modulada
por la base.
De esta manera, si la base no recibe corriente, el transistor se ubica en posición
de corte; si recibe una corriente intermedia, la base abrirá el flujo en
determinada cantidad; y si la base recibe la suficiente corriente, entonces se
abrirá del todo el dique y pasará el total de la corriente modulada.

Se entiende así que el transistor opera como un modo de controlar la cantidad


de electricidad que pasa en determinado momento, permitiendo así la
construcción de relaciones lógicas de interconexión.

TIPOS DE TRANSISTOR

 Transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)


 Transistor de efecto de campo, FET (Field Effect Transistor) o unipolar

A) Transistor bipolar
Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre
sí. Según como se coloquen los cristales hay dos tipos básicos de transistores
bipolares.

 Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N.
Son los más comunes.
 Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P
La capa de en medio es mucho más estrecha que las otras dos.
En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico, lo que da
origen a tres terminales:
• Emisor (E): Se encarga de proporcionar portadores de carga.
• Colector (C): Se encarga de recoger portadores de carga.
• Base (B): Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de
en medio.
El conjunto se protege con una funda de plástico o metal.

B) Transistor de efecto de campo


Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en
la base de los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los
Transistores de Efecto de Campo son dispositivos en los que la corriente se
controla mediante tensión. Cuando funcionan como amplificador suministran
una corriente de salida que es proporcional a la tensión aplicada a la entrada.
Características generales:
 Por el terminal de control no se absorbe corriente.
 Una señal muy débil puede controlar el componente.
 La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.
Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de
transistores de efecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de
unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de los bipolares ocupan
menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la encontramos en los
circuitos integrados. Es un componente de tres terminales que se denominan:
Puerta (G, Gate), Fuente (S, Source), y Drenaje (D, Drain).
Según su construcción pueden ser de canal P o de canal N. Sus símbolos son
los siguientes:
Existen dos tipos de transistores de efecto de campo los JFET (transistor de
efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los transistores MOS respecto de
los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación más frecuente la
encontramos en los circuitos integrados.
 Transistor de efecto de campo de union (JFET)

Un transistor de efecto de campo de union (JFET) de canal N se fabrica


difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N. A ambos lados del
canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain).
El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Los símbolos de este tipo de dispositivos son:


 Transistor de MOSFET

Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET,
aunque su principio de operación y su estructura interna son diferentes.
Existen cuatro tipos de transistores MOS:

 Enriquecimiento de canal N
 Enriquecimiento de canal P
 Empobrecimiento de canal N
 Empobrecimiento de canal P

Los símbolos son:


Curva característica
Los parámetros que definen el
funcionamiento de un FET se
observan en la siguiente figura:

 Parámetros de un FET de
canal N
 Parámetros de un FET de canal P

La curva característica del FET define con precisión como funciona este
dispositivo. En ella distinguimos tres regiones o zonas importantes:

 Zona lineal.- El FET se comporta como una resistencia cuyo valor


depende de la tensión VGS.
 Zona de saturación.- A diferencia de los transistores bipolares en
esta zona, el FET, amplifica y se comporta como una fuente de
corriente controlada por la tensión que existe entre Puerta (G) y
Fuente o surtidor (S) , VGS.
 Zona de corte.- La intensidad de Drenador es nula.
Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas:
Surtidor común (SC), Drenador común (DC) y Puerta común (PC). La más
utilizada es la de surtidor común que es la equivalente a la de emisor
común en los transistores bipolares. Las principales aplicaciones de este
tipo de transistores se encuentra en la amplificación de señales débiles.
Al variar la tensión entre drenado y surtidor varia la intensidad de drenado
permaneciendo constante la tensión entre puerta y surtidor. En la zona
óhmica o lineal se observa como al aumentar la tensión drenado surtidor
aumenta la intensidad de drenado. En la zona de saturación el aumento de
la tensión entre drenado y surtidor produce una saturación de la corriente
de drenado que hace que esta sea constante. Cuando este transistor
trabaja como amplificador lo hace en esta zona.
MATERIALES DE UN TRANSISTOR
Los transistores están fabricados aprovechando la semiconductividad de
ciertos materiales, como el germanio (Ge) o el arseniuro de galio (GaAs).
En la actualidad, el material preferido para ello es el silicio (Si), un metaloide
abundante en la corteza terrestre.
CÓDIGO BINARIO
Los transistores tienen mucho que ver con el desarrollo del código binario
computacional (compuesto de unos y ceros), ya que cada número indica
una posición del transistor interruptor: activo o inactivo, dejando o no pasar
la electricidad: 0 = sin corriente; 1 = con corriente.

En un transistor interruptor el 0 significa «sin corriente» y el 1


«con corriente».

UTILIZACIÓN DE UN TRANSISTOR

En los aparatos contemporáneos, provistos de circuitos integrados


complejos, los transistores abundan por miles. Desde relojes, televisores,
radios, computadoras, teléfonos celulares, tomógrafos, reproductores
musicales e incluso lámparas fluorescentes son posibles gracias a esta
tecnología de manejo eléctrico.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS TRANSISTORES

Ventajas del transistor:


 Tamaño y peso reducidos.
 Permiten la miniaturización del equipo electrónico.
 Opera con poco voltaje y consumo de electricidad mínimo.
 No necesita período de calentamiento.
 Funciona cuando se le suministra energía.
 Genera poco calor

Desventajas del transistor:


 Sensibilidad al calor.

Ventajas del Transistor

Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío. En primer
lugar, para que funcione un tubo al vacío su cátodo debe calentarse, y esto
se logra pasando una corriente cercana a él. El voltaje típico que se
requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez conectado este voltaje se
necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente el cátodo. Por
tanto, cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona inmediatamente
después de haberse conectado. El transistor no requiere este
calentamiento, por lo que empieza a funcionar inmediatamente después de
su conexión. En consecuencia, el uso de un transistor en lugar de tubos al
vacío ahorra mucha energía, y por tanto, resulta más económico.

En segundo lugar, la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy


altas es muy efectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vacío.

Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al


vacío, con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos.
El invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna, ya
que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de
aparatos. En las décadas de 1950 y 1960 se construyeron radios,
computadoras electrónicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias
a los transistores fueron de tamaños relativamente pequeños, portátiles,
con requerimientos de energía muy reducidos y de larga vida.

En gran medida, en las décadas mencionadas los transistores sustituyeron


a los tubos al vacío. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy específicas
los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. Así, se emplean para
transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de
microondas y osciladores, para tubos de rayos catódicos como los que se
usan en las televisiones, monitores, pantallas de diversos aparatos,
etcétera.

IGBT
Los IGBT son modelos avanzados de transistores que, agrupados en torno a un
circuito común, pueden amplificar corrientes eléctricas de 1000 amperios hasta
tensiones de varios miles de voltios, permitiendo así controlar la potencia de
diversos artefactos electrónicos, entre los que figuran los motores de los
automóviles modernos y los desfibriladores médicos, utilizados para la
resucitación de pacientes recién fallecidos.

Los IGBT pueden amplificar corrientes eléctricas de 1000 amperios.


ACTIVIDAD DE LOS TRANSISTORES

A diferencia de otros elementos que intervienen en los circuitos


electrónicos, como los resistores, condensadores e inductores, que juegan
un rol pasivo en los mismos, a los transistores se les asigna un rol activo
dentro del circuito, ya que no sólo velan por la estabilidad y preservación del
mismo, sino que forman parte de su estructura funcional

4. Datos del Proteus


Nº de IC
medicione V1 IB(µ𝑨 VBE(𝑽) IC VCE(𝑽) β=
s ) (𝒎𝑨) IB
1 1.3v 33.6 0.63 0.02 0.01 0.5952381
2 1.7v 52.9 0.64 0.04 0.01 0.75614367
3 2.3v 81.6 0.67 0.29 0.03 3.55392157
4 2.7v 101 0.69 0.91 0.06 9.00990099
5 3.3v 130 0.71 1.90 0.11 14.6153846
6 3.7v 149 0.72 2.73 0.14 18.3221477
7 4.3v 179 0.73 3.84 0.18 21.452514
8 4.7v 198 0.73 4.58 0.20 23.1313131
9 5.3v 228 0.74 5.70 0.24 25
10 5.7v 248 0.75 6.45 0.26 26.0080645
11 6.3v 277 0.75 7.57 0.30 27.3285199
12 6.7v 297 0.76 8.32 0.32 28.013468
13 7.3v 327 0.76 9.44 0.35 28.8685015
14 7.7v 347 0.77 10.2 0.38 29.3948127
15 8.3v 376 0.77 11.3 0.41 30.0531915
16 8.7v 396 0.78 12.1 0.44 30.5555556
17 9.3v 426 0.78 13.2 0.47 30.9859155
18 9.7v 446 0.79 13.9 0.49 31.1659193
19 10.3v 475 0.79 15.1 0.53 31.7894737
20 10.7v 495 0.79 15.8 0.55 31.9191919
21 11.3v 525 0.80 16.9 0.59 32.1904762
22 11.7v 545 0.80 17.7 0.61 32.4770642
23 12.3v 575 0.81 18.8 0.64 32.6956522
24 12.7v 594 0.81 19.5 0.67 32.8282828
25 13.3v 624 0.81 20.7 0.70 33.1730769
26 13.7v 644 0.82 21.4 0.72 33.2298137
27 14.3v 674 0.82 22.5 0.76 33.3827893
28 14.7v 694 0.82 23.3 0.78 33.573487
29 15.3v 724 0.83 24.4 0.81 33.7016575
30 15.7v 743 0.83 25.2 0.84 33.9165545
31 16.3v 773 0.83 26.3 0.87 34.0232859
32 16.7v 793 0.84 27.0 0.89 34.0479193
33 17.3v 823 0.84 28.2 0.93 34.2648846
34 17.7v 843 0.84 28.9 0.95 34.282325
35 18.3v 873 0.85 30.0 0.99 34.3642612
36 18.7v 892 0.85 30.8 1.01 34.529148
37 19.3v 922 0.85 31.9 1.04 34.5986985
38 19.7v 942 0.85 32.7 1.07 34.7133758
39 20.3v 972 0.86 33.8 1.10 34.7736626
40 20.7v 992 0.86 34.5 1.12 34.7782258

GRAFICA N°1
IB -VBE
1200

1000

800

600

400

200

0
0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9

GRAFICA N°2

IC-VCE
40

35

30

25

20

15

10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
5. Cuestionario
1. Antes de la invención del Transistor se utilizaban las Válvulas de Vacío
(Triodos) explique su funcionamiento y sus variedades

Funcionamiento de un triodo
El filamento se calienta y causa que el cátodo libere electrones que
inmediatamente tratan de llegar al ánodo (plate / placa) que tiene voltaje positivo.
Este continuo flujo de electrones se convierte en una corriente eléctrica.
Hay que acordarse que los electrones tienen carga negativa y son atraídos por las
cargas positivas como la del ánodo

Triodo (válvula electrónica o tubo al vacío)


Si en el camino de este flujo de electrones se pone un dispositivo adicional
llamado grilla con voltaje negativo, este repelerá algunos de los electrones que
pasan del cátodo al ánodo y como resultado habrá una menor corriente.
Si ahora se modifica el voltaje que se aplica a la rejilla del triodo, se modifica
también la corriente entre cátodo y ánodo (se modula la corriente). De esta
manera, si un voltaje aplicado a la rejilla se modifica, también se modificará la
corriente que pasa de cátodo a ánodo. Pero el tubo al vacío no es lineal.
Estructura básica del Triodo
No lineal significa que no se da el caso de que si aumentamos al doble el voltaje
en la rejilla, la corriente que pasa de cátodo a ánodo se convierte en la mitad de lo
que era antes.
Una de las causas de esta no linealidad en la válvula electrónica es que no todos
los electrones que salen del cátodo pasan al ánodo, algunos se quedan en los
alrededores de cátodo como una de electrones. Esta nube de carga negativa
apoya el efecto que tiene la rejilla. Este efecto causa que la nube de electrones
aumente.
Esta nube de electrones aumentada nuevamente incrementa el efecto de la rejilla
en el flujo de electrones y así se entra en un ciclo continuo que causa una mayor
alinealidad.

Símbolo del Triodo


La vida de un tubo o válvula electrónica depende mucho de la temperatura, que a
su vez depende del voltaje que tiene el filamento. Si se opera con el filamento muy
caliente o muy frío la vida del tubo al vacío se acorta.
Algunos experimentadores han observado que si se disminuye el voltaje del
filamento del triodo en aproximadamente el 20% de lo aconsejado por el
fabricante, la operación del tubo al vacío tiende a “linealizarse”, aunque este hecho
no ha sido realmente comprobado.
Según el número de electrodos las válvulas se clasifican en: Diodos, Triodos,
Tetrodos, Pentodos, y así sucesivamente.

Otros tipos de válvulas termoiónicas son:

*    Tiratrones: triodos rellenos de gas.


*    Tubo de rayos catódicos: las pantallas de televisión, osciloscopios, etc.
*    Iconoscopios, orticones, vidicones, plumbicones: son tubos de cámara de
televisión.
*    Ojos mágicos: indicadores de sintonía, indicador de equilibrio de puente,
voltímetros y multímetros, indicador de saturación en grabadores de cinta
magnética.
*    Klistrones, magnetrones, Tubos de onda progresiva, todos ellos dispositivos de
microondas.
*    Decatrón y trocotrón, tubos contadores.
*    Selectrón: memoria digital.
*    Tubo Williams: memoria digital.
*    VFD: Displays fluorescentes de vacío.
2. Cuantas clases de transistores bipolares existen
Hay dos tipos de transistores bipolares estándar NPN y PNP, con sus diferentes
símbolos de circuito. Las letras (N-P) se refieren a las capas de material
semiconductor que se utiliza para crear el transistor. La mayoría de los
transistores bipolares usados hoy en día son NPN, porque este es el tipo más fácil
de hacer a partir del silicio. Por cierto, los primeros transistores utilizaban el
Germanio en lugar del Silicio, éste es más abundante en la naturaleza y lo hace
más económico.
PNP Y NPN
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en
electrónica analógica. También en algunas aplicaciones de electrónica digital
como la tecnología TTL o BICMOS. Un transistor de unión bipolar está formado
por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Estos son los símbolos para representarlos que, pueden estar o no, encerrados
dentro de círculos. Los transistores disponen de unos contactos o hilos
conductores llamados patillas y éstas se etiquetan como Base (B), Colector (C) y
Emisor (E). Estas etiquetas se refieren a nombres identificadores para describir el
comportamiento interno de un transistor, y nos son de mucha ayuda para su
estudio. Como veremos, por estas patillas circularán corrientes dependiendo lo
que nos interese que haga el transistor en cada circuito.
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.

Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen más N en su nombre, esto quiere


decir que utilizan “partículas” subatómicas de signo Negativo para transportar la
corriente.
Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con más P en su nombre, por lo que
utilizan “partículas” subatómicas de signo Positivo para transportar la corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos transistores
depende de si son de tipo NPN o PNP, debido a que los signos de voltaje de
entrada difieren dependiendo del tipo de transistor. Otra diferencia es el material
con el que están elaborados ya que generalmente los PNP se construyen con
Germanio mientras los NPN más comúnmente son construidos con Silicio.
3. De cuantas terminales se componen estos transistores
Transistor NPN

Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del colector. Este voltaje positivo al colector
permite que la corriente fluya a través del colector al emisor, dado que hay una suficiente corriente
base para encender el transistor.

Transistor PNP

Un transistor PNP recibe tensión positiva en el terminal emisor. El voltaje positivo al emisor permite
que la corriente fluya desde el emisor al colector, dado que hay una corriente negativa a la base
(corriente que fluye desde la base a tierra).
4. Describa como opera un transistor y los tipos según su aplicacion
Transistor NPN
Así es como funciona un transistor NPN:
A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se
activa cada vez más hasta que se conduce completamente desde el colector al
emisor.
Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor
se enciende cada vez menos, hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no
conduce a través del colector al emisor y se apaga.
Transistor PNP
Un transistor PNP funciona de manera totalmente opuesta.
A medida que la corriente se hunde desde la base (fluye desde la base hasta la
tierra), el transistor está encendido y conduce a través de la alimentación en la
carga de salida.

Aplicaciones de los Transistores


Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificación de todo tipo (radio, televisión y transmisión)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
Detección radiación luminosa (fototransistores)
Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales
llamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el
transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
DIAGRAMAS DE ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES
5. Cuáles son las corrientes principales del transistor y mencione la fórmula
que enlaza cada una de ellas

Corrientes en un transistor

El convenio que teníamos con el diodo era:

En el transistor también tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es como


un nudo.

Ejemplo: IE = 100 mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo


tanto: IB = 1 mA y IC = 99 mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrón
es negativo y si va en contra positivo.

En los problemas por comodidad se suele cambiar de dirección a I E para que sea
positivo.
Configuración en EC

Esta configuración es la más utilizada. Como en la configuración en BC solo


analizaremos la zona activa.

Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La


dirección de IE la cambiamos como en la configuración anterior.

Ganancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequeña, en comparación
con la IC.
6.- ¿Cuál es la diferencia más importante entre un dispositivo bipolar y uno
unipolar?
Es el modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay
que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras
que en el unipolar el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre
puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de
ambos dispositivos, que son substancial mente distintas.

6. Conclusiones

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