DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA, ELECTRONICA Y

TELECOMUNICACIONES.

Electrónica Fundamental
Nrc: 4738
Informe de la Práctica N° 9

Tema:
Circuito amplificador señal y baja frecuencia
utilizando un transistor JFET
Docente de Laboratorio:
Ing. Marco Gualsaqui

Autores:
David Andrango
Paul Mosquera

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 Informe de laboratorio 9
Circuito amplificador señal y baja frecuencia utilizando un transistor
JFET
1.- Objetivos
General
 Diseñar y analizar el funcionamiento de un amplificador en baja señal
Específicos
 Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en DC.
 Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en AC.
 Verificar la salida acorde al diseño.

2.- Equipo Necesario

 Fuente variable
 Generador de ondas
 Osciloscopio
 JFET de canal n 2N3819,

3.- Procedimiento
- Diseñar el circuito amplificador tomando en cuenta:
Análisis en D.C.
 Hallar la recta de carga
 Definir el punto Q de funcionamiento
 Calcular los valores de las resistencias de polarización
 Probar en el laboratorio funcionamiento en D.C.
Análisis en A.C.
 Calcular voltaje a la salida de acuerdo a datos dados, teniendo en la entrada una
señal A.C. de vp y una frecuencia de 1 [KHz].
 Dibujar forma de onda entrada/salida
 Mediante el osciloscopio obtener forma de onda de entrada / forma de onda de
salida
 Tomar datos

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4.- Marco Teórico

Autopolarizacion
del JFET
Es un tipo de configuracion
de polarizacion basica del
transistor JFET

La configuración de autopolarización elimina la

necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje de
control de la compuerta a la fuente ahora lo
determina el voltaje a través de un resistor RS
introducido en la rama de la fuente de la
configuración

.Caracteristicas:
- Ganancia de voltaje (Av).
- Impedancia de entrada (Zi) muy alta
Aplicacion:
- Se supone que la corriente de entrada
es 0 Al tener una impedancia de entrada
extremadamente alta junto con una
- La ganancia de corriente de un salida de bajo nivel de ruido, lo que
amplificador es una magnitud indefinida. los hace ideales para usar en circuitos
- La señal de salida del amplificador es de amplificador que tienen señales de
invertida. Desfase = 180° entrada muy pequeñas. 

[ CITATION Boy09 \l 12298 ]

Funcionamiento básico de un transistor en colector común.

Fig. 1. Función de un amplificador en autopolarización.

Ejemplo de un transistor comercial

JFET cabal “n” – 2N3819

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 Fig. 2. Especificaciones del JFET 2N3819. Obtenido de: [CITATION 2N319 \l 12298 ].

Curva de transconductancia:
Se trata de la gráfica de la corriente de drenador en
función de la tensión puertafuente. La corriente de
drenador aumenta más rápidamente cuando VGS se
aproxima a cero.

Conceptos basicos
Punto Q:
Es la relacion entre IDD y VGSPunto Q de trabajo:
Se localiza sobre la recta de carga en continua Q
(Vce. Ic), Q se desplaza cada vez que cambian
cualquier valor del circuito.

[CITATION Mal0719 \l 12298 ]

Circuito de autopolarizacion

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 Fig. 3. Circuito autopolarizado del JFET. Obtenido de:[ CITATION Boy09 \l 12298 ]

Características:
ID ≈ IS Z¿ ≫ Z out

A v >1

V ¿ <V out

5.- Diseño electrónico

Fig. 4. Diseño del circuito amplificador en autopolarización. Obtenido de la guía de laboratorio.

Punto Q en el datasheet 2N3904

-Curva de trasconductancia

Fig. 5. Grafica IDS vs VGS para la obtención del punto Q, Obtenido del Datasheet.

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Datos del punto Q en el grafico del 2N3904 para DC.

I DSS =10 [mA ] V P=3[V ]

V GS (off )=−3[V ] gm =5.5[ms]

-Análisis en DC
Circuito valido para análisis en DC, sus capacitores están abiertos.

Fig. 6. Circuito para análisis en DC. Obtenido de: [ CITATION Mal0719 \l 12298 ]

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V GS
(
I D =I DSS 1−
VP )
Si I DQ =4 [ mA ]

ID
V GS=V P 1− ( √ ) I DSS

V GS=3 1− ( √ 4∗10−3
10∗10−3 )
V GS=−1.10[V ]

Entonces: Q :(V GSQ , I DQ )

Q :(−1.10 [ V ] , 4 [ mA ] )
LVK en Ms:
V DD=V D +V DS +V S

V DD=I D R D +V DS + I S R S

I D =I S

V DD=I D R D +V DS + I D RS

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V DD=V DS + I D ( R D + R S ) (1)

Condición:
V DD−I D ( R D + R S ) >V p

9−4∗10−3 ( R D + R S ) >3

3−9
( RD+ RS)>
−4∗10−3

( R D + R S ) <1500 ; con I D =4 [mA ]

Reemplazamos datos en (1)

9=4 +4∗10−3 ( R D + R S )

9−4
=( R D + R S )
4∗10−3

( R D + R S )=1250 (2)

V GSQ=V GQ−V SQ

V G =V GSQ +V S

V G =−1.2+V S ;−1.2+ V S >0

V S > 1.2[V ]

Si V S =1.5 [ V ]
V G =−1.2+1.5

V G =0.3[V ]

V= I R
VS VS 1.5
R S= = =
I S I D 4∗10−3

R S=375 [ Ω ] ≈ 330 [ Ω ]

R S en(2)
1250=R D + 330

R D=920 [ Ω ] ≈ 820+100 [ Ω ]

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En general RG esta en genral de los megas, por ende se asume:
RG =1[ M Ω]
-Análisis en AC
Circuito valido para análisis en AC, sus capacitores están en corto circuito.

Fig. 7. Circuito para análisis en AC.

rd=R D∨¿ R L

R D R L 920(10 K)
rd= =
R D + R L 920+10 K

rd=842.49 [ Ω ]

V out
Av=
V¿
V out =g ¿ V ¿ rd

g ¿ V ¿ rd
Av=
V¿
Av=g¿ rd
Av=2.5 ( 842.49 )
Av=4.63
X c <0.1 RG

X C 1 <0.1 RG

X C 3 <0.1(1 M )
X C 3 <100000

X C 3 <0.1 R L

X C 3 <0.1(10 K )
X C 3 <1000

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 1
C=
2 πf X c

1
C 1=
2 π (1000)(100000)

C 1=1.59∗10−8 [F ]

1
C 3=
2 π (1000)1000

C 3=1.591∗10−7 [F ]

6.- Simulación
-Circuito del diseño

Fig. 8. Diagrama electrónico del amplificador en autopolarización. Obtenido de LTSpice.

-Graficas del Vin vs Vout

Fig. 9. Gráfica de Vin vs Vout. Obtenido de LTSpice.

-Medida del Vin vs Vout

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 Fig. 10. Valores de Vin vs Vout. Obtenido de LTSpice.

7.- Análisis de resultados

Para el análisis del error se empleó la siguiente formula en todos los valores:

Valor teórico−Valor medido

error %= ×100
Valot teórico

Análisis: Mediante la tabla de datos podemos ver que el error que se obtiene al comparar
nuestros datos calculados con los datos que se obtuvo en la práctica son muy pequeños, lo que
quiere decir que el diseño del amplificador está bien realizado, además de que observando las
señales de entrada con los de salida tanto teóricamente como gráficamente se determina que
este tipo de transistores JFET realizan una amplificación de señal muy alta es decir pueden
llegar a amplificar 5 o 10 veces el valor de entrada.

Grafica del osciloscopio obtenida en el laboratorio

Fig. 11. Señales Vin y Vout, obtenidas en el laboratorio.

* Señal amarilla V ¿ del generador de señales a 120 [mV]

* Señal azul: V out de la resistencia de 10[kΩ] es de 1.10 [V]

Análisis: Se puede observar que las graficas V ¿ es amplificado 4 veces obteniendo V out , y esta
no tiene ningún desfase como sucedía con el emisor común.

8.- Conclusiones

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  Se logró realizar un diseño el cual se pueda tener un amplificador utilizando un
transistor de efecto mediante el cual se pudo comprobar el análisis realizado
previamente
 Se logró ver cómo se comporta el circuito en DC en que interviene cada uno de sus
componentes
 Mediante un análisis en AC se obtuvo los valores de los capacitores de acoplamiento y
desacoplamiento para que el circuito funcione correctamente como amplificador.
 Con ayuda del osciloscopio se pudo comprobar el funcionamiento del circuito y la
diferencia entre la diferencia entre la entrada y la salida del circuito.

9.- Recomendaciones
 Se debe utilizar los valores que se encuentran normalizados en la hoja de datos de JFET
para así realizar un diseño que cumpla como amplificador.
 Determinar un punto Q en la gráfica de transferencia el cual sea capaz de trabajar en la
zona activa de la misma.
 Realizar de forma ordenada el circuito para que no exista ningún problema al momento
de comprobar con ayuda de los equipos de laboratorio

Referencias

 2N3819 Transistor NPN. (2019). Obtenido de Geekbot Electronics:

http://www.geekbotelectronics.com/producto/2n3904-transistor-npn/

 Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2009). Configuración de Autopolarización. En Teoria

de circuitos y dispositivos electronicos (págs. 400-420). Mexico: Prentice Hall.

 Polarización en la región activa. (2007). En A. Malvino, & D. Bates, Principios de

Electrónica (págs. 410-420). Madrid: McGRAW-HILL/INTERAMERICANA DE
ESPAÑA, S. A. U.

Anexos de la práctica:

Fig. 13. Fuente DC.

Fig. 12 Generador de señales.

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Fig. 14. Circuito JFET en protoboard. Fig. 15. Grafica de osciloscopio.

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