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Tema5 Circuitos-Diodos

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BLOQUE II

TEMA 5. CIRCUITOS CON DIODOS

D. MIGUEL ÁNGEL ZAMORA IZQUIERDO

1
CIRCUITOS CON DIODOS
Índice

• Índice.
• Introducción
• Conceptos básicos de semiconductores.
• Unión pn. Polarizaciones.
• El diodo. Modelos. Tipos.
• Circuitos rectificadores.
• Circuitos recortadores.
• Diodos Zener o diodos de avalancha.

2
Introducción

3
CIRCUITOS CON DIODOS
Introducción

• El diodo es el dispositivo electrónico más simple. Es un semiconductor de


dos terminales (Ánodo y Cátodo) que ofrece una baja resistencia del
orden de los mΩ en una polarización y del orden de los GΩ en la otra. Esto
lo convierte en un componente adecuado como rectificador.

• El diodo exhibe una relación no lineal entre la tensión entre sus


terminales y la corriente que circula por él.

• Los diodos permiten desarrollar circuitos con distintas aplicaciones,


destacando la rectificación, en cualquiera de sus variantes.

4
Conceptos básicos de
semiconductores

5
CIRCUITOS CON DIODOS
Conceptos básicos de semiconductores intrínsecos

• Materiales válidos para la fabricación de dispositivos electrónicos de


estado sólido: silicio, germanio y arseniuro de galio.
• Semiconductor Intrínseco (puro)
• Cada par de átomos forma un enlace covalente con cada uno de los cuatro
átomos cercanos (disposición tetraédrica). Electrones de la capa de valencia
(grupo 4).
• A 0º K, no existen electrones libres.
• A 300º K, los electrones libres permiten flujo de una corriente si se aplica una
ddp. (Tiene mayor R que un conductor eléctrico).
• Concentración de huecos (np) igual a concentración de electrones libres (ni)
en un material puro.
• Ambos tipos de portadores contribuyen al flujo de corriente.
• Generación: a mayor temperatura, mayor velocidad de generación de
electrones libres y huecos (energía térmica).
• Recombinación: el hueco y el electrón libre se combinan formando un enlace
covalente.
• La conductividad de un semiconductor intrínseco aumenta con la Tª.
6
CIRCUITOS CON DIODOS
Conceptos básicos de semiconductores extrínsecos

• Semiconductor Extrínseco (impurificado)


– Tipo N: impurezas donantes de electrones. Portadores mayoritarios (electrones);
Portadores minoritarios (huecos).
• n concentración de electrones.
• p concentración de huecos n  p N D
• Nd concentración átomos donantes.
– Tipo P: impurezas aceptadoras de electrones (aportan huecos). Portadores mayoritarios
(huecos); Minoritarios (electrones).
• Na concentración átomos aceptadores N n  p
A

• La carga neta es siempre cero.




7
Unión pn
Polarizaciones

8
CIRCUITOS CON DIODOS
Unión pn NO Polarizada

• Unión PN no Polarizada
– Una unión pn consiste en un único cristal semiconductor al cual se le han añadido
impurezas de manera que se obtiene un zona p y otra n.
– Si estuviera formado por dos cristales independientes, antes de conformar físicamente
la unión, se tendría una distribución de portadores según se indica en la figura.
– El elevado gradiente de concentración hueco-electrón a lo largo de la unión, inicia un
proceso de difusión, creando una zona de carga espacial en la zona de unión.

9
CIRCUITOS CON DIODOS
Difusión de Portadores en unión NO Polarizada

• La zona de carga espacial surge por la difusión de portadores mayoritarios


desde las zonas de mayor a menor concentración.
• El efecto principal del campo eléctrico de la zona de carga espacial es una
barrera de potencial que impide la circulación de electrones. Por tanto se
opone a que continúe la difusión.

10
CIRCUITOS CON DIODOS
Unión pn en Polarización INVERSA

•Un diodo está inversamente polarizado, si la tensión


aplicada aumenta la zona de carga espacial.
•Los portadores mayoritarios son atraídos por cada
uno de los terminales del generador.
•Si la tensión externa inversa es mayor de unas
décimas de voltio, la corriente de los portadores
mayoritarios se reduce casi a cero.

• Así, la corriente inversa estará formada por los portadores minoritarios,


que al ser muy pocos, da lugar a una corriente pequeña, e independiente
del valor de la tensión inversa aplicada.
• Sin embargo, al depender la concentración de los portadores minoritarios
de la generación térmica, a medida que aumente ésta, también
aumentará el valor de la corriente inversa.
• Si la tensión inversa es suficientemente alta, el campo eléctrico es capaz
de romper los enlaces covalentes, lo que produce una gran cantidad de
pares hueco-electrón, y por tanto, un gran flujo de corriente inversa. 11
CIRCUITOS CON DIODOS
Unión pn en Polarización DIRECTA

•La polarización directa se opone al


campo eléctrico existente en la zona de
carga espacial.
•La zona de carga espacial se estrecha,
permitiendo el flujo de portadores
mayoritarios por la unión.
•Los electrones pasan desde la zona n a
la p, donde pasan a ser minoritarios, y
se difunden combinándose con los
huecos existentes en p.

• La corriente total corresponde a la suma de la corriente debida a los


huecos, y la debida a los electrones.
• A mayor distancia en cada una de las zonas desde la unión, la corriente
predominante corresponde a los huecos en la zona p, y a los electrones en
la zona n.

12
El Diodo. Modelos. Tipos

13
CIRCUITOS CON DIODOS
Diodo Real. Características.

• Característica del diodo.


– Posee dos terminales (Ánodo y Cátodo).
– Polarización DIRECTA:
• Si Vd es > 0 voltios.
– Polarización INVERSA:
• Si Vd < 0 voltios.
• En Directa la corriente fluye con facilidad.
• En Inversa, al alcanzar la región de ruptura
o zona de avalancha, el flujo de corriente es
elevado siempre y cuando no se exceda la
potencia máxima de disipación.
• Designación características:
– Vr: tensión inversa (tensión de ruptura).
– Vf: caída de tensión directa (tensión umbral).

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CIRCUITOS CON DIODOS
Diodo Real. Ecuación del Diodo.

• La ecuación del diodo (ecuación de Shockley) es: iD  I S (evD / nVT 1)


• Donde:
– La tensión térmica es VT  k T / q
– Is es la corriente de saturación inversa.
– n es el coeficiente de emisión entre 1 y 2.
• En la región de polarización directa, los diodos de Si de pequeña señal
conducen muy poca corriente (menos de 1 mA) hasta que se aplica una
tensión de 0,6 a 0,7 voltios (a temperatura ambiente).
• A partir de dicha tensión (Vumbral), la corriente incrementa rápidamente a
pequeños aumentos de tensión.
• La respuesta del diodo de Si a variaciones de temperatura es de
aproximadamente -2 mV/ºK.
• En la región inversa la corriente es aproximadamente de 1 nA. Si T
aumenta, también aumenta la I.
• En la zona de ruptura, la corriente aumenta rápidamente. Existen diodos
especiales para trabajar en dicha zona (diodos Zener). 15
CIRCUITOS CON DIODOS
Diodo Ideal

•Es un modelo útil que permite


simplificar el análisis por medio de las
siguientes aproximaciones:
•En polarización directa, el diodo actúa
como un cortocircuito. (R = 0 ohmios).
•En polarización inversa, el diodo se
comporta como un circuito abierto. (R
= infinito)
•En la Fig. , se representa la
característica i - v de un diodo ideal.
•Obsérvese, que en este modelo no
existe una tensión umbral en directa
necesaria para el inicio de la conducción
de corriente.
• En el análisis con diodos ideales, primero se supondrá cuales están en corte
y en conducción. Posteriormente, si id es positiva en los diodos en
conducción, y Vd negativa en los supuestamente en corte, la suposición
inicial será correcta.
16
CIRCUITOS CON DIODOS
Modelo Completo del Diodo.

• En este modelo, se sustituye el diodo por un diodo ideal, en serie


con una fuente de tensión de valor la tensión umbral, y la
resistencia en directa.

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CIRCUITOS CON DIODOS
Otros Tipos de Diodos.

• Diodos LED (Light Emiter Diode – Diodo Emisor de Luz)


– El diodo LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo común, pero que
al ser atravesado por una corriente emite luz proporcionalmente a la cantidad de
corriente que circula.
– Existen diodos que emiten luz de diferentes longitud de onda según el material del que
están construidos. Existen diodos led Rojos, Amarillos, Verde, Ambar e Infrarrojos.
– La caída de tensión en directa está en el rango de 1,5 voltios a 2,2 voltios,
aproximadamente.
• Fotodiodos
– Realiza la función inversa al LED.
– Si se polariza en inversa, y recibe energía luminosa, la cantidad de corriente inversa será
proporcional a la intensidad incidente. (Es debida a los pares hueco-electrón generados
por los fotones).
• Diodo Schottky
– Se usan en aplicaciones de alta frecuencia y conmutación rápida.
• Diodo Zener
– Trabajan en la zona de ruptura inversa.
18
Circuitos Rectificadores

19
CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

• Generalidades
• Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna en corriente continua
(unidireccional). También se conoce como convertidor AC-DC
• Tipos:
• Rectificadores de media onda
• Rectificadores de onda completa
• Con trafo de toma intermedia (dos diodos).
• Con puente de diodos (cuatro diodos).
• Conceptos básicos de Transformadores Ideales
• Trafo
• Trafo con toma intermedia
• Relación Vmax & Vef

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CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

• Rectificador de Media Onda


– Cuando la tensión es positiva (intervalo 0  t   ), el diodo se encuentra
polarizado en directa, y conducirá la corriente (caída de 0.7 V).
– Cuando la tensión es negativa, el diodo se polariza inversamente, no dejando pasar
corriente. En este intervalo el diodo soporta la tensión inversa impuesta por la entrada.
– Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff, a los dos casos anteriores, se obtiene:
• En directa, prácticamente la caída de tensión de la alimentación está en bornes de la carga.
• En inversa, la caída de tensión la acapara el diodo por no circular corriente.

Diodo ideal 0,7 V

Vmsen ( t) Diodo
real

(a) Diagrama del circuito (b) Tensión de la fuente (c) Tensión de la carga
en función del tiempo en función del tiempo21
CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

• Valores representativos en un rectificador de Media Onda


• La tensión de entrada es senoidal según: vS Vm sen t
• El valor medio de la tensión Vo(dc) se obtiene realizando la integral:
1  1  Vm
VO ( DC ) 
2 
0
vO d (t ) 
2 
0 
Vm sen t d (t )   0,318Vm

• La corriente media para una carga resistiva R, se obtiene por la Ley de


Ohm.
• El valor de la tensión eficaz (rms) será:
1  Vm
VO ( rms) 
2 0
Vm2 sen 2t d (t ) 
2
 0,5Vm

• La frecuencia de salida es igual a la de entrada

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CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

•Rectificador de Onda Completa con Trafo de toma intermedia


•Consiste en dos rectificadores de media
onda con fuentes de tensión desfasadas
180º.
•El trafo aísla (respecto de tierra) a la carga
de la corriente alterna de entrada.
•Durante el ciclo positivo, conduce el diodo A;
durante el ciclo negativo, el diodo B conduce
rectificando la señal.
•Voltaje medio o de continua:

2Vm
VO ( DC ) 
•Frecuencia de salida

f out  2 f in
23
CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

• Rectificador de Onda Completa con Puente de Diodos.


• Ciclo positivo de la entrada, los diodos A y B conducen.
• Ciclo negativo de la entrada, los diodos D y C conducen.

• Valor medio
VO ( DC )  2Vm / 
• Frecuencia de salida
f out  2 f in
• La configuración en Puente ofrece las siguientes ventajas:
• El valor del condensador para un cierto rizado, es la mitad; con lo cual se reduce el
tamaño y el precio del sistema.
• La corriente soportada por cada diodo es aproximadamente la mitad que para el de
media onda, reduciendo así el espacio ocupado por los diodos y el coste del diseño.
• El transformador usado es más barato que en el caso de onda completa.
24
CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

• Filtrado de la señal pulsante con condensador a


la entrada
• El condensador permite el paso de bajas frecuencias hacia la
carga, e impide el paso de las altas frecuencias. (Filtro Paso
Bajo).
• El diodo sólo conducirá cuando la tensión de entrada sea
superior a la tensión mantenida por C.
• Mientras la constante de tiempo RloadC sea mucho mayor que el
periodo, el condensador permanece casi totalmente cargado y
la tensión en la carga es aproximadamente Vm
• Se obtiene una componente continua, y sobre ella, una
componente alterna, cuyo valor de rizado máximo depende del
filtro,
• El valor del rizado será:
Q  Vr  C, Q  I  T Vr  I / FC

y en valor eficaz, el rizado es:


I
Vr ( ef ) 
2 2CF

siendo F = fin (Hz) en m.o. y 2fin en o.c. y p.d. 25


CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Rectificadores

• Voltaje de Pico Inversa


– Si Vp es la tensión máxima en el secundario del
transformador ( v2 V p sen t ), el VPI para cada caso
será:

a) Media onda con C a la entrada

VPI  2V p
b) Onda completa con C a la entrada

VPI  V p
c) Puente de diodos con C a la entrada

VPI  V p

26
Circuitos Recortadores

27
CIRCUITOS CON DIODOS
Circuitos Recortadores

• Los circuitos recortadores son aquellos que


recortan una porción de la señal de
entrada.
• En el ejemplo, si la tensión de entrada es
superior a 6v, o inferior a –9v, recorta a
dichos valores la señal de salida.

28
Diodos Zener

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CIRCUITOS CON DIODOS
Diodos Zener o Diodos de Avalancha

• Trabajan en la zona de ruptura


inversa. Dos tipos:
– Ruptura de avalancha (Aprox. Vz <= 5v).
– Ruptura zener (Aprox. Vz > 5v).
• Se usan para mantener constante la
tensión en un punto.
• Características del diodo zener:
– 1.8 v < Vz < 200 v (comercialmente)
– Pmax: potencia máxima del diodo
zener.
– Izmin: intensidad mínima que polariza
el zener en inversa.
– Izmax: Pmax / Vz
30
CIRCUITOS CON DIODOS
Diodos Zener o Diodos de Avalancha

• Modelo de un diodo Zener


• En este modelo, se sustituye el zener por dos diodos ideales en paralelo,
incluyendo en la rama inversa una fuente de tensión con valor la tensión
zener.
• Se le puede incluir en serie una Rz.

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CIRCUITOS CON DIODOS
Diodos Zener o Diodos de Avalancha

• Estabilización de la Tensión de salida mediante Zener


• Los reguladores de tensión se utilizan para suministrar una tensión
constante a la carga, aunque fluctúe la tensión de alimentación.

32
CIRCUITOS CON DIODOS
Diodos Zener o Diodos de Avalancha

• Características Zener:
– Vz: tensión zener
– Izmin: intensidad zener mínima para superar la “rodilla” de la característica
y mantener así la Vz
– Izmax: intensidad zener máxima.
• Polarización y cálculo de R (valor óhmico y potencia).
• Cálculo de la Rcmin.
• Cálculo de la Vin máxima y mínima para R dado.

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CIRCUITOS CON DIODOS
Bibliografía

• Hambley, A.R., “ELECTRONICA”. Pearson Educación S.A. Madrid


2.001 2ª Edición
• Malvino, A.P., “Principios de Electrónica”. McGraw Hill 2002.
• Zamora M.A. y Villalba G. “Problemas de electrónica con Orcad
Pspice” Universidad de Murcia, 2004.
• https://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4

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