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    MOSFET

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    Sebas Perez
    Este documento describe las características principales de un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Un MOSFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje que funciona como un interruptor electrónico. Se compone de una puerta, un drenador y un sustrato. Al aplicar una tensión de puerta lo suficientemente alta, se induce una capa de inversión que conecta el drenador y la fuente, permitiendo el flujo de corriente. Los MOSFET tienen una alta velocidad de conmutación, bajo

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    MOSFET

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    Sebas Perez
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    Este documento describe las características principales de un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Un MOSFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje que funciona como un interruptor electrónico. Se compone de una puerta, un drenador y un sustrato. Al aplicar una tensión de puerta lo suficientemente alta, se induce una capa de inversión que conecta el drenador y la fuente, permitiendo el flujo de corriente. Los MOSFET tienen una alta velocidad de conmutación, bajo

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    Este documento describe las características principales de un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Un MOSFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje que funciona como un interruptor electrónico. Se compone de una puerta, un drenador y un sustrato. Al aplicar una tensión de puerta lo suficientemente alta, se induce una capa de inversión que conecta el drenador y la fuente, permitiendo el flujo de corriente. Los MOSFET tienen una alta velocidad de conmutación, bajo

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    Este documento describe las características principales de un transistor MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Un MOSFET es un dispositivo semiconductor controlado por voltaje que funciona como un interruptor electrónico. Se compone de una puerta, un drenador y un sustrato. Al aplicar una tensión de puerta lo suficientemente alta, se induce una capa de inversión que conecta el drenador y la fuente, permitiendo el flujo de corriente. Los MOSFET tienen una alta velocidad de conmutación, bajo

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    Puerta(G,GATE)

    Drenador(D, DRAIN)
    Sustrato(B,BULK)

    Fuente(S, Sours) QUE ES??

    Es un dispositivo normalmente
    Fisicamente constituido por apagado, y se enciende por la Se enciende y apaga muy rápido porque es un
    Maxima tension (drenador-fuente) dispositivo de portadores mayoritarios y no hay carga
    aplicación de una tensión de que deba inyectarse o retirarse de él, como el BJT.
    compuerta-fuente lo bastante - Las pérdidas en estado activo en un MOSFET suben
    grande para inducir una capa de mucho más rápido con la tensión de bloqueo
    inversión en la zona del canal del especificada que las de un BJT
    Maxima Corriente de drenador MOSFET que pone en cortocircuito
    Transistor de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor el drenaje a la fuente

    Resistencia en conduccion

    CARACTERISTICAS
    INTERRUPTORES
    MOSFET Los transistores de efecto de campo de metal
    Tensiones umbral y maximas de puerta MOSFET
    oxido semiconductor están disponibles en
    voltaje nominales de más de 1000v, pero en
    corrientes nominales pequeñas.
    VENTAJAS SOBRE TRANSISTORES BIPOLARES
    Velocidad de conmutacion

    - Consumo en modo estático muy bajo.


    - Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
    - Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
    - Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
    impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del
    orden de los nanoamperios.
    - Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de
    superficie que conlleva.
    - La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
    nanosegundos.
    - Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta
    frecuencias y baja potencia.

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