UNIVERSIDAD NACIONAL DE

CHIMBORAZO FACULTAD DE

INGENIERÍA
INFORME DE LABORATORIO VERSIÓN: 1
PERÍODO ACADÉMICO: Noviembre 2020 –
Página 1 de
Marzo 2021 11
CARRERA: DOCENTE: SEMESTRE: Tercero
Ingeniería en Telecomunicaciones Mgs. Marco A. Nolivos PARALELO: A
NOMBRE DE LA CÓDIGO DE LABORATORIO A UTILIZAR:
ASIGNATURA: LA Laboratorio de Electrónica A
Electrónica 1 ASIGNATURA:
TEB220332
Tema:
Diseñar e implementar un circuito Duración No. Estudiantes
Práctica amplificador, utilizando transistores (horas) No. (por
No.: Grupos Grupo)
BJT npn y pnp polarizados mediante 02:00
06 Divisor de Voltaje para determine los 10 3
voltajes y corrientes en cada uno de
sus elementos.

Integrantes: Grupo No. 3

 Mateo Cruz
 Bryan Cujilema
 Cortez Alex

Objetivos de la Práctica:
 Determinar el punto de operación en DC de los transistores BJT, utilizando transistores npn y pnp,
así como los valores de voltaje y corriente en cada uno de los elementos.
 Comparar los valores de voltajes y corrientes en DC de los valores medidos y calculados para
determinar el porcentaje de error y el comportamiento de los transistores en el circuito.
Equipos, Materiales e Insumos:

• Guía de práctica.
• Fuente de voltaje en DC.
• Multímetro digital.
• Osciloscopio de dos canales.
• Protoboard.
• Transistores npn y pnp (2N3906)
• Elementos resistivos y capacitivos.
• Cables de poder.
• Cables telefónicos de diferente tamaño.
Procedimiento:
 Diseñar e implementar los circuitos: Divisor de voltaje y con realimentación del colector en el
protoboard.
 Calcular matemáticamente los valores de voltajes y corrientes de polarización.
 Medir los voltajes y corrientes de polarización en el circuito.
 Comparar los valores de voltajes y corrientes de polarización calculados con los valores
medidos.
 Realizar el informe correspondiente.

Introducción:

En la presente práctica de laboratorio se trata de demostrar el funcionamiento de los circuitos implementando los
transistores BJT (mpn y pnp). Primero daremos un voltaje de ingreso a cada circuito, de divisor de voltaje y
realimentación al colector.
Mediante la simulación y realización de los cálculos obtendremos los valores de voltaje y corriente de
polarización de los dos circuitos implementados para luego comparar y analizar los resultados obtenidos y
definir el comportamiento de los transistores BJT.

Fundamento teórico:
Transistores BJT
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la
corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran
utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por
una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado
de corte, estado de saturación y estado de actividad.
 Ilustración 1. Transistor NPN y PNP

Funcionamiento
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una
operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en
inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el
equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la región agotada se
desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Estos
electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración cercana al emisor hasta la región de
baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a
que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base.

Ilustración 2. Característica idealizada de un

transistor

Transistores NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores
bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común es amplificada
en la salida del colector.
Transistores PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP,
debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña
corriente
circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
Regiones operativas del transistor
Región activa directa en cuanto a la polaridad:
corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren
conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador de señal.
Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor bipolar entra en
funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a
que la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parámetro
beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.
Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como
no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un circuito abierto, ya que la
corriente que lo atraviesa es cero.
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias
conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial
entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE, sat. Cuando el transistor esta en
saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un cable, ya que la diferencia de
potencial entre C y E es muy próxima a cero.
Resultados:

DIVISOR DE VOLTAJE PNP

β = 100
Funcionamiento
R2 ≤ 20K

Modelo Thevenin
RTH = 14KΩ
VTH = −5.37V

-(-5.37)+14K(IB)+ VCE+2K(IE) = 0
5.3 − 0.7
IB =
14KΩ + 2KΩ(101)
𝐈𝐁 = 𝟐𝟏. 𝟐𝟗µ𝐀

IC = βIB
IC = (101)(21.29𝑋10−6)
𝐈𝐂 = 𝟐. 𝟏𝟐𝟗𝐦𝐀

IE = IB + IC
𝐈𝐄 = 𝟐. 𝟏𝟓𝐦𝐀

−18 + 5.28 − VCE + 4.48 =0

𝐕𝐂𝐄 = −𝟖. 𝟒𝟒𝐕
 NPN

β = 110
Funcionamiento
R2 ≤ 20K

Modelo Thevenin
RTH =
13.6KΩ VTH =
1.09V

-1.09+13.6K(IB)+ VCE+150(IE) = 0
1.09 − 0.7
IB =
13.6KΩ + 150(111)
Ib = 𝟏𝟐. 𝟖𝟗µ𝐀

IC = βIB
IC = (111)(12.89𝑋10−6)
𝐈𝐂 = 𝟏. 𝟒𝟏𝐦𝐀

IE = IB + IC
𝐈𝐄 = 𝟏. 𝟒𝐦𝐀

−12 + 0,003102 − VCE + 0. .21 =0

𝐕𝐂𝐄 = −𝟏𝟏. 𝟒𝟕
Conclusiones :
 Se ha podido apreciar la amplificación de la onda de voltaje, hemos obtenido una ganancia por lo que se
observa que el transistor amplificó la señal de entrada.
 Se debe tomar en cuenta el valor de resistencias y capacitores para la construcción de amplificadores ya
que un ligero valor nos podría llevar al transistor a otro estado como el de saturación.
Recomendaciones:
 Debemos verificar los terminales del transistor por medio del medidor de continuidad, ya que si erramos
alguna parte vamos a obtener datos completamente erróneos del circuito y en la comparación con el
simulador no habrá ningún tipo de coincidencia.
 Para ésta práctica, el método más factible para determinar las corrientes es usando la Ley de Ohm,
método de Thevenin para simplificar el divisor de voltaje.
Anexos:
SIMULACION
PNP

SEÑAL AMPLIFICADA
SIMUACION NPN

SEÑAL AMPLIFICADA PNP

Comparación:
items Valor medido Valor calculado
Vth -5.37V -5.37V
VCE 22.9 23.1
IE 1.39 mA 1.4mA
Referencias bibliográficas: https://docs.google.com/viewer?
url=patentimages.storage.googleapis.com/pdfs/US2524035.pdf https://www.st-
andrews.ac.uk/~www_pa/Scots_Guide/info/comp/active/BiPolar/bpcur.html
http://electronica.ugr.es/~amroldan/deyte/cap03.htm
https://www.electronicoscaldas.com/es/91-Transistores-BJT

Fecha de Revisión y Aprobación:

Firma Director de Carrera Firma Docente