Laboratorio No 3: Polarizacion MOSFET.

LABORATORIO 3 ELECTRÓNICA: POLARIZACION MOSFET.

Sofia Aragón Jurado
e-mail: est.sofia.aragon@unimilitar.edu.co‌
Daniela Alexandra García Aguilar
e-mail: est.daniela.garcia@unimilitar.edu.co

Resumen- En este laboratorio se realizó la

práctica de la polarización de un transistor I. INTRODUCCIÓN
de la familia FET, específicamente del I.1. ESTADO DEL ARTE
transistor MOSFET, cuyo funcionamiento El transistor de efecto campo o FET, es en
ocurre de modo que la puerta no absorbe realidad una familia de transistores que se
corriente en absoluto, frente a los BJT tema basan en el campo eléctrico para controlar la
ya estudiado; la presente práctica pretende conductividad de un “canal” en un material
analizar, llegar a un entendimiento y semiconductor. Los FET pueden plantearse
asimismo diseñar una serie de circuitos, en como resistencias controladas por diferencia
especifico 5 circutos, cada uno ciertamente de potencial.[1]
con valores y configuraciones diferentes,
donde se puso en práctica las ecuaciones Estos tienen tres terminales, denominadas
estudiadas teóricamente y así por medio de puerta (gate), drenador (drain) y fuente
estas hallar valores incógnitas; de la misma (source). La puerta es la terminal equivalente a
se llevó a cabo la obtención de curvas y el la base del BJT. El transistor de efecto de
análisis de estas mismas, para concluir con campo se comporta como un interruptor
un óptimo desarrollo de dicha práctica. controlado por tensión, donde el voltaje
Palabras clave: Circuitos, Familia aplicado a la puerta permite hacer que fluya o
FET, transistores MOSFET, polarización. no corriente entre drenador y fuente.[1]

Abstract- In this laboratory the practice of Por otro lado, se presentan diferentes
the polarization of a transistor of the FET antecedentes de trabajos previos a este; el
family was performed, specifically the siguiente trabajo según (Quintero. I, 2018),
MOSFET transistor, whose operation tiene como objetivo general, familiarizarse con
occurs so that the gate does not absorb el funcionamiento y la caracterización de
current at all, compared to the BJT, a transistores de efecto de campo MOSFET y su
subject already studied; the present practice funcionamiento como parte de fuentes de
intends to analyze, to reach an corriente y circuitos lógicos, como objetivos
understanding and also to design a series of específicos, comprobar experimentalmente la
circuits, specifically 5 circuits, each one curva de I D (Corriente de Drain) vs V GS
certainly with different values and (Voltaje Gate - Source) e identificar sus
configurations, where the equations studied parámetros fundamentales (V t y K). Estudiar
theoretically were put in practice and thus el comportamiento de un transistor MOSFET
by means of these to find unknown values; como elemento principal de un circuito de
of the same one it was carried out the conmutación.[2]
obtaining of curves and the analysis of these
same ones, to conclude with an optimal De la misma manera, según (informesgafe,
development of this practice. 2018), tenía como objetivo entender el
Key words: Circuits, FET family, funcionamiento básico de los transistores
MOSFET transistors, polarization. MOSFET de enriquecimiento, medir los
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.

voltajes de operación de cd de un amplificador como lo es en el caso del “Laboratorio N°

de voltaje con MOSFET y verificar el 9-Operación De Transistores JFET y
funcionamiento de un amplificador de voltaje MOSFET”, en donde Jaime C. Tovar, estudia
con MOSFET y determinar su ganancia de la polarización de transistores JFET y
voltaje, todo esto a través de un circuito a MOSFET, dos transistores de la familia FET,
estudiar, donde se concluyó que al cambiar la para lo que después de la fase investigativa y
carga (RL) tenemos cambios muy comprobación práctica, concluyó que para un
insignificantes en la Ganancia del sistema, circuito rectificador de media onda la señal de
adicionalmente, con el transistor MOSFET se salida tiene la misma frecuencia que la señal
pueden hacer muchas más aplicaciones que de entrada y los circuitos rectificadores Vde
con el BJT ya que con el primero pudimos sin carga disminuye proporcionalmente la
trabajar con frecuencias en mayores a 1 KHz, carga que se le coloque después.
cosa que no es posible con los transistores
BJT. [2] I.2. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Los transistores MOSFET cuyo
I.1.1 MOSFET funcionamiento ocurre de modo que la puerta
El transistor MOSFET es un transistor no absorbe corriente en absoluto, frente a los
utilizado para amplificar o conmutar señales BJT, donde la corriente que atraviesa la base,
electrónicas. Es el transistor más utilizado en pese a ser pequeña en comparación con la que
la industria microelectrónica, ya sea en circula por las otras terminales, no siempre
circuitos analógicos o digitales, aunque el puede ser despreciada. Los MOSFET, además,
transistor de unión bipolar fue mucho más presentan un comportamiento capacitivo muy
popular en otro tiempo. Prácticamente la acusado que hay que tener en cuenta para
totalidad de los microprocesadores análisis y diseño de circuitos.
comerciales están basados en transistores
MOSFET. Este es un dispositivo de cuatro El presente informe tiene como objetivo
terminales llamados surtidor (S), drenador (D), Familiarizarse y experimentar algunas de las
compuerta (G) y sustrato (B) como se observa características funcionales de los MOSFET.
en la Fig. 1. Sin embargo, el sustrato Desarrollar un proyecto en el que se apliquen
generalmente está conectado internamente al los conocimientos vistos en la teoría y
terminal del surtidor, y por este motivo se estudiados por cuenta propia sobre la
pueden encontrar dispositivos MOSFET de polarización de transistores de efecto campo
tres terminales. [3] (MOSFET).

II. MATERIALES Y MÉTODOS

II.1 MATERIALES
A continuación se presentan los diferentes
materiales a usar para el desarrollo de los
circuitos a mencionar posteriormente a este
apartado.

Figura 1. Representación de un transistor

MOSFET. [4]

Todos estos datos son evaluados y

comprobados en distintos trabajos anteriores,
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.

Tabla 1. Materiales utilizados en la práctica. variando V1 desde cero hasta que el transistor
DESCRIPCIÓN CANTIDAD se saturara 𝑉𝐷𝑆 ≈ 0𝑉.

Transistores IRF840 5

Resistencias

Motor DC 1

Multímetro 1

Fuente de voltaje 1

Cables de conexión 12

Caimanes 4 Figura 3. Esquema para el circuito 1 de curva

característica.
Protoboard 1

Para luego con los datos obtenidos calcular

𝐼𝐷𝑆(𝑜𝑛), 𝑉 , 𝑉𝑡ℎ y K. Para compararlos con
II.2 PROCEDIMIENTO 𝐺𝑆(𝑜𝑛)
II.2.1 Características del transistor los datos del datasheet cuya curva
Inicialmente se hizo la indagación en característica está dada por la Ec (1) expuesta
datasheet, como se observa en la Fig. 2 del a continuación:
transistor seleccionado para identificar las
características principales como corriente de 2
𝐼𝐷 = 𝐾(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇ℎ)
drenaje, potencia máxima, voltaje de Pich off
(VGSTH), pines de conexión entre otros. (1)

Luego se procedió a la realización del circuito

2, el cual fué un circuito de polarización A,
como se ilustra en la Fig. 4. En este caso se
calculó 𝑅1, y con ello se analizó el circuito
para calcular la impedancia de entrada 𝑍𝑖. Por
último se determinó la ganancia de voltaje del
mismo.

Figura 2. Hoja de datos datasheet del

transistor IRF840.

Seguido de ello se procedió a la realización del

circuito según el esquema que se observará en Figura 4. Esquema circuito de polarización A.
la Fig. 3, para este circuito se tomaron los
datos de 𝑉𝐺𝑆, 𝑉𝐷𝑆 y 𝐼𝐷𝑆, de modo que se iba Luego se realizó un tercer circuito de
polarización B como se ilustra en la Fig. 5,
para el cual hallamos 𝑅1, 𝑅2 y 𝑅𝑠, en este caso
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.

𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷/2, 𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷/3y 𝑍𝑖 = 500𝑘 Ω. Se

halló también la ganancia de voltaje (𝐴𝑉)del
circuito con ayuda del osciloscopio.

Figura 7. Esquema circuito driver motor DC.

II.3 SIMULACIONES
A continuación se observarán las simulaciones
realizadas con la herramienta Multisim.

Figura 5. Esquema circuito de polarización B.

A continuación, se procedió a la realización

del cuarto circuito, el cual era de polarización
C como se podrá observar en la Fig. 6, en este
caso 𝑉𝐷𝐷 = 10𝑉 con el cual se halló el valor
de 𝑅𝐷para que el transistor polarice con
𝑉𝐷 = 2, 5𝑉 y se determinó el voltaje.

Figura 8. Simulación en multisim del circuito

de curva característica.

Figura 6. Esquema circuito de polarización C.

Por último, se realizó un driver sencillo para el

manejo de un motor DC como se ilustra en la
Fig. 7, con ello se determinó el
comportamiento del motor al cambiar el de 𝑅𝐺. Figura 9. Simulación en multisim del circuito
de polarización A.
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.

III. DATOS Y ANÁLISIS DE RESULTADOS

III.1 CÁLCULOS
Inicialmente se tomaron anotación de los datos
de la simulación para la obtención de una tabla
en la cual se almacenaron cada dato para luego
graficarlos a la curva característica.

Figura 10. Simulación en multisim del circuito Tabla 2. Datos obtenidos de la simulación para la
de polarización B. adquisición de la curva característica.

Figura 10. Simulación en multisim del circuito

de polarización C.

En la simulación del circuito 5, el motor lo

reemplazamos con un LED debido a que el
programa no se observa movimiento del motor
así que resultó ilustrado de manera en que se Luego de ello, se procedió a realizar las
muestra en la Fig. 11 gráficas de la curva característica con los datos
obtenidos a partir de la tabla.

Figura 12. Gráfica de VGS en función de VDS.

Figura 11. Simulación en multisim del circuito
de driver motor DC.
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.

𝑉𝐶𝐶·𝑅2
𝑉𝐺 =
𝑅1+𝑅2

Malla de salida:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 −𝐼𝐷 · 𝑅𝐷

𝑉𝐶𝐶·𝑅2
𝑉𝐺 =
𝑅1+𝑅2
𝐼𝐷 2
𝐾
= (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑝)
𝐼𝐷
= 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑝
Figura 13. Gráfica de VGS en función de VDS. 𝐾

𝐼𝐷 0,0106 𝐴
IV. CÁLCULOS 𝑉𝐺𝑆 = 𝐾
+ 𝑉𝑃 = 0,055
+ 2, 1 𝑣 = 1, 661 𝑣

➔ Circuito 1 Después, para hallar el valor de la resistencia

1, utilizando la Ec. (2) obtenida del análisis de
Con los datos obtenidos de la Tabla 3, ya mallas se puede encontrar del siguiente modo:
tenemos Id(on), Vgs(on) y despejando la 𝑅2𝑉𝐷𝐷
𝑉= (2)
ecuación de shockley, que es la Ec. (1), de (𝑅1+𝑅2)

la siguiente manera logramos obtener k, 𝑅1 =

𝑅2𝑉𝐷𝐷
− 𝑅2
que es la otra variable que necesitamos: 𝑉𝐺
50𝑘·10𝑣
𝑅1 = − 50𝑘 = 146927 Ω
2,539 𝑣
𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑁) = 2, 7 𝑉
𝑉𝑃 = 2, 1 𝑉 𝑅1 = 146927 Ω, pero se reduce a 147 K, con
𝐼𝐷
𝐾= (1) el fin de obtener el voltaje deseado. Seguido
2
(𝑉𝐺𝑆−𝑉𝑇𝐻) de ello se calculó la impedancia de entrada del
𝐾=
(20𝑚𝐴) circuito, con la siguiente fórmula.
2
(2,7 𝑉 −2,1 𝑉 )
2
𝐾=0, 055 𝐴/𝑉 𝑍𝑖 = 𝑅1| |𝑅2 (2)
1
𝑍𝑖 = 1 1
146.927 Ω
+ 50𝑘 Ω

𝑍𝑖 = 37304, 940 Ω
➔ Circuito 2
También calculamos la transductancia y la
Luego de ello, en el circuito 2, para hallar el
ganancia de voltaje de la siguiente manera:
valor de R1, despejamos la ecuación de
Schoclkey de la siguiente manera:
𝐺𝑚 = 2𝑘 · (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃) (3)
𝑉𝐷𝐷−𝑉𝐷 5𝑣 𝐺𝑚 = 2 · 0, 055 · (2, 539 − 2, 1)=0,0483
𝐼𝐷 = 𝑅𝐷
= 470
= 0, 0106 𝐴
mS

Malla de entrada: 𝑉𝑂
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 = 0 𝐴𝑉 = 𝑉𝑖
=− 𝐺𝑚 · 𝑅𝐷 (4)

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 𝐴𝑉 =− 0, 0483 𝑚𝑆 · 470 Ω =− 22, 696 𝑣

Laboratorio No 3: Polarizacion MOSFET.
.

𝑉𝑂
𝐴𝑉 = =− 𝐺𝑚 · 𝑅𝐷
➔ Circuito 3 𝑉𝑖

𝐴𝑉 =− 0, 0593 · 470 =− 27, 866 𝑣

Ahora se siguió con el montaje del circuito 3,
el montaje B, en el cual se hallaron 𝑅1, 𝑅2 y
𝑅𝑠 con el uso de las siguientes ecuaciones: ➔ Circuito 4

Luego de ello, se procede a realizar el montaje

Para la malla de entrada:
del cuarto circuito, el montaje C, el cual solo
𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝐺 +𝐼𝐷 · 𝑅𝑆 = 0
constaba de una resistencia, en el cual se
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 −𝐼𝐷 · 𝑅𝑆 despejó Rd por medio de un Vd de 2,5 V es:
𝑉𝐶𝐶·𝑅2 Malla de entrada:
𝑉𝐺𝑆 =
𝑅1+𝑅2 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝑆
Para la malla de salida:
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 −𝐼𝐷 · (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆) Malla de salida:
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 · 𝑅𝐷
Iniciamos hallando 𝐼𝐷:
𝑉𝐷 7,5 𝑣 Procedemos a despejar 𝑉𝐺𝑆 para hallar 𝐼𝐷:
𝐼𝐷 = 𝑅𝐷
= 470
= 0, 016 𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷
𝑉𝐺𝑆 = 10 𝑣 − 2, 5 𝑣 = 7, 5 𝑣
Luego hallamos 𝑅1:
2
𝑉𝐺𝑆 ·(𝑅1 + 𝑅2) = 𝑅2 · 𝑉𝐷𝐷 𝐼𝐷 = 𝐾 · (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃)
2
𝑅1 = 2𝑅2 𝐼𝐷 = 0, 055 · (7, 5 𝑣 − 2, 1 𝑣) = 1, 604 𝐴

Ahora hallamos 𝑅2 para despejar finalmente Luego procedemos a despejar 𝑅𝐷 con los datos
𝑅1: obtenidos anteriormente:
𝑍𝑖 = 𝑅1| |𝑅2 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 · 𝑅𝐷
𝑉𝐺𝑆−𝑉𝐷𝐷 7,5−10
2𝑅2
𝑍𝑖 =
1
= = 500𝐾 Ω 𝑅𝐷 = −𝐼𝐷
= −1,604
= 1, 559 Ω
1 1 3
2𝑅2
+𝑅
2

500𝐾·3
𝑅2 = 2
= 750 𝐾 Para finalmente hallar 𝐺𝑚 y 𝐴𝑉:
𝑅1 = 2 · 750 𝐾 = 1500 𝑘 𝐺𝑚 = 2 · 0, 055 · (7, 5 − 2, 1) = 0, 0594 𝑚𝑆
𝐴𝑉 =− 0, 0594 · 1, 559 =− 0, 925 𝑣
Y ahora se procede a despejar para hallar 𝑉𝐺𝑆:

𝐼𝐷 = 𝐾 · (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃)
2 ➔ Circuito 5

0,016 𝐴
𝑉𝐺𝑆 = 0,055
+ 2, 1 𝑣 = 2, 639 𝑣 Por último, para la realización del último
circuito del montaje driver para motor, se tomó
un potenciómetro de 10K, y un motor DC
Ahora por ultimo procedemos a hallar 𝑅𝑆, 𝐺𝑚
como se observó en la simulación de la figura
y 𝐴𝑉: 11, en este circuito también utilizamos un
𝐺𝑚 = 2𝑘 · (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃) potenciómetro se debe variar de modo que se
genere un movimiento en el motor,, en la
𝐺𝑚 = 2 · 0, 055 · (2, 639 − 2, 1) = 0, 0593 𝑚𝑆
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.

siguiente Tabla 3, se observarán los valores

importantes:

Tabla 3. Datos obtenidos de la simulación del

circuito del motor DC.

Figura 14. Simulación circuito 1 en TinkerCad.

Luego en el circuito 2, en el de polarización A,

se realizó la prueba en el osciloscopio en la
cual se podrá contemplar en la Fig. 14 y la
simulación en TinkerCad, tenía un valor de
VDD=10V, VD=VDD/2, R2=50K y RD=470
Ohm, con estos valores se logró hallar R1,
para comprobar que este concordaba con los
cálculos.

III.1 ANÁLISIS DE RESULTADOS

A continuación se realizó un análisis de

resultados, basado en los resultados arrojados
en el osciloscopio para los circuitos 2 y 3,
junto con las simulaciones en tinkercad de
cada circuito que se ilustran a continuación.

Realizamos el montaje de cada circuito en la

plataforma de TinkerCad, con el objetivo de
encontrar el valor de algunas tablas ilustradas Figura 14. Osciloscopio del circuito 2.
anteriormente. En el circuito 1 no se obtuvo
una curva exacta, esto debido a que en
TinkerCad no es posible variar de forma tan
específica los decimales, por lo tanto no se
obtienen tantos valores, lo que genera una
curva inexacta. A continuación se podrá
observar la simulación realizada en TinkerCad.

Figura 15. Simulación circuito 2 en TinkerCad.

Seguido a esto, en el circuito 3, en el de

polarización B, se realizó nuevamente la
prueba en el osciloscopio, y también la
simulación en TinkerCad los cuales se podrán
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.

observar en las Fig. 16 y Fig. 17

respectivamente, en este circuito se tenía un
VDD=15 V y RD=470 Ohm, con los cuales se
encontró R1, R2 y Rs. Para que VD=VDD/2,
VG=VDD/3 y Zi=500 KOhm.

Figura 18. Simulación circuito 4 en TinkerCad.

Por último se realizó el diseño del circuito 5, el

circuito de motor DC, en el caso de la
simulación se de TinkerCad, se consiguió
realizar el circuito de modo en que se pedía en
la guia. En este caso se puede observar que el
motor realiza movimiento hacia la izquierda.

Figura 16. Osciloscopio del circuito 3.

Figura 19. Simulación circuito 5 en TinkerCad.

V. CONCLUSIONES

Figura 17. Simulación circuito 3 en TinkerCad El punto de operación centrado del transistor
IRF840 brinda un excelente funcionamiento
Seguido a esto, se realizó el d ño del circuito 4
del transistor al tener la posibilidad de soportar
en TinkerCad, en el cual se halló el valor de
más tensión y con ello no saturarse tan rápido,
RB para que el transistor se polarice con
una de las ventajas que tiene sobre el transistor
VD=2,5 V, este montaje se ilustra en la Fig.
BJT.
18.
Cuando se utilizó la configuración de
polarización automática, la cual se realizaba
con divisor de voltaje, se pudo concluir que la
corriente de la compuerta G era de 0 (cero)
Amp. Ya que solo así, permitimos un
aislamiento entre la sección de salida y la red
de divisor de voltaje.
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.

Se logró realizar las mediciones en cada Oxford University Press,1999.p.139-

circuito de transistores de efecto de campo
(MOSFET), logrando visualizar las 217.
diferencias que existen en Vds e Id variando el
voltaje Vgs, así concluyendo que estas son LINKS TINKERCAD
inversamente proporcionales; así como el ● https://www.tinkercad.com/things/1Sf
hecho de que se comportan como se ve en su eNGt3oEj-circuito-1/editel?sharecode
curva característica. =hx7WHvWFWOJU46pr1IUwclmz28
ZEs0zn9dc7QpSTHto
Como conclusión final, se estableció que a ● https://www.tinkercad.com/things/2pG
grandes rangos, el comportamiento de los IxjGBOHB-circuito-2/editel?sharecod
transistores MOSFET consta de la tensión e=9c-PVIDVjnn9htWpmICa-5MD-8w
aplicada entre gate y source, la cual produce E-7Tcz1WrtQw4vEM
una conducción de corriente entre drain y
● https://www.tinkercad.com/things/hNt
source hasta que el dispositivo se sature.
7Dn8VIhW-circuito-3/editel?sharecod
e=H3Gu76ja0yzISyp1wUq7SVfvyvK
REFERENCIAS
eGTmG43d3LWEwMXA
● https://www.tinkercad.com/things/0jfh
[1] BOYLESTAD, L. Electrónica, teoría de
QMmgMLE-circuito-4/editel?shareco
circuitos y dispositivos electrónicos, de=Vq_c5l9M20jLwrSL1VeqG7-0vg
EPHJ-1OrlOOB342zA
𝑎
Editorial Pearson, 10 ED. ● https://www.tinkercad.com/things/ilS
QKsMwyuH-circuito-5/editel?shareco
[2] MALVINO, A. Principios de electrónica. de=gYFmZH-Ifi_HqibbyaH3FRmPB3
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Editorial McGraw-Hill, 6 ED, 2000.

[3] Floyd, T. Electronics Devices, Editorial

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Prentice Hall, 7 ED, 2020.

[4] Tovar, J, C. Laboratorio N° 9-Operación

De Transistores JFET y MOSFET,

Universidad Pedagogica y Tecnologica

de Colombia sede Tunja, Nov, 2014.

[5] DONALD Neamen, A. Dispositivos y

circuitos electrónicos. 4 ed. New York:

McGraw-Hill,2010.p.30

[6] SEDRA Abel y Smith Kenneth. Circuitos

Microelectronicos,4ed.Mexico: