Examen Electrónica Ii Cuestionario

EXAMEN ELECTRÓNICA II – PRIMER DEPARTAMENTAL
GRUPO:6AM3 NOMBRE: García Díaz Amanda Michelle
1. ¿Cuál es la diferencia entre un transistor de potencia y un transistor de nivel lógico?
Se diferencian en el espesor de cada uno de estos; el transistor de potencia consiste en
un sustrato muy dopado de tipo n, por otro lado el nivel del espesor para los transistores
a nivel lógico sele ser de varios micrómetros.
2. ¿Por qué es preferida la estructura vertical de los transistores?
La estructura vertical maximiza el área transversal por la cual la corriente del
dispositivo está fluyendo. Esto minimiza el estado de resistencia y así la disipación de
poder del transistor.
3. ¿Qué determina la región de inicio (arranque) del BJT?
Determina la especificación de la tensión de bloqueo BJT y también causa la zona

llamada casi-saturación de las características I-V.
4. ¿Por qué debe evitarse la 2da ruptura en un BJT?
La falla del transistor de unión bipolar a menudo se asocia a esta. En este, se le
acompaña también (como la primera ruptura) una gran disipación de potencia, pero
particularmente en sitios localizados del semiconductor.
5. ¿En qué momento el BJT está en punto de corte?
Cuando el voltaje de ruptura entre el colector y el emisor está en circuito abierto y
la corriente de base es igual a cero
6. ¿Qué significa SOA y por qué están limitados?
Safe Operating Areas(Áreas de Operación Segura) y están limitados por la segunda
ruptura.
7. ¿Cómo se clasifica el transistor MOSFET de potencia?
Tipo de portadores de canal (canal n y canal p ) Modo de formación de canal

8. ¿Cómo es la corriente de drenaje en la región activa del MOSFET?
Es independiente de la tensión de la fuente de drenaje y depende solo de la
tensión de la fuente de entrada.
9. ¿Por qué se dice que el MOSFET es intrínsecamente más rápido que los dispositivos
bipolares?
Los MOSFET son intrínsecamente más rápidos que los dispositivos bipolares
porque no tienen portadores minoritarios excedentes que se deban introducir o sacar del
dispositivo cuando se enciende o apaga. Las únicas cargas que se tienen que mover son
las que están en las capacitancias de disipación y las capacitancias de las zonas
de degradación.
10. ¿Qué factores determinan el área segura del MOSFET?
El área de operación segura (AOS) de un MOSFET de potencia se determina
por tres factores: la máxima corriente de drenaje IDM, la temperatura interna
de la unión Tj, regida por la disipación de potencia en el dispositivo, y la
tensión de ruptura BVDSS.
11. ¿A qué se le llama efecto de campo en el MOSFET?
Es la capacidad de modificar el tipo de conductividad del semiconductor
inmediatamente inferior al aislante de la compuerta por medio de una tensión
aplicada o campo eléctrico se llama efecto de campo.
12. ¿Que representa la corriente de retención en un SCR?
Representa la corriente mínima que puede fluir a través del tiristor y que con esta
ligera señal mantener encendido a nuestro tiristor. ¿Cómo se efectúa el apagado de un
tiristor?
Teniendo el circuito exterior se reduce la corriente del ánodo hasta debajo de una
corriente de retención para un periodo mínimo. Durante este periodo, la recombinación
interna y barrido de portadores retira la carga almacenada suficiente para retirar los
BJT de la saturación y dirigirlos a la zona activa. Cuando esto ocurre, el
dispositivo se apaga por medio de la conexión regenerativa de los transistores.
13. ¿Qué se debe hacer para impedir el encendido accidental del tiristor?
Los encendidos accidentales pueden ser evitados usando un circuito snubber, por medio
de un camino de baja impedancia y prevenir así el encendido accidental o bien, se debe
prolongar el tiempo que el tiristor se mantiene en modo de bloqueo inverso más del
tiempo. A su vez la velocidad de crecimiento dVF/t se debe mantener debajo del valor
máximo
14. ¿Mencione un método para mejorar di/dt del tiristor?
La clave para mejorar las especificaciones de es aumentar la i/dt d cantidad del
área inicial de la conducción del cátodo, pues esto nos limitara la velocidad de subida
de la corriente del ánodo. Una manera para incrementar esta área es
incrementando la corriente de compuerta. Una forma de alcanzar que el área se
incremente es que un tiristor auxiliar o piloto más pequeño proporcione grandes
corrientes de compuerta al tiristor principal.

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GRUPO:6AM3 NOMBRE: García Díaz Amanda Michelle

1. ¿Cuál es la diferencia entre un transistor de potencia y un transistor de nivel lógico?

Se diferencian en el espesor de cada uno de estos; el transistor de potencia consiste en

a nivel lógico sele ser de varios micrómetros.

2. ¿Por qué es preferida la estructura vertical de los transistores?

La estructura vertical maximiza el área transversal por la cual la corriente del

dispositivo está fluyendo. Esto minimiza el estado de resistencia y así la disipación de

poder del transistor.

3. ¿Qué determina la región de inicio (arranque) del BJT?

Determina la especificación de la tensión de bloqueo BJT y también causa la zona

4. ¿Por qué debe evitarse la 2da ruptura en un BJT?

La falla del transistor de unión bipolar a menudo se asocia a esta. En este, se le

particularmente en sitios localizados del semiconductor.

5. ¿En qué momento el BJT está en punto de corte?

Cuando el voltaje de ruptura entre el colector y el emisor está en circuito abierto y

la corriente de base es igual a cero

6. ¿Qué significa SOA y por qué están limitados?

Safe Operating Areas(Áreas de Operación Segura) y están limitados por la segunda

7. ¿Cómo se clasifica el transistor MOSFET de potencia?

Tipo de portadores de canal (canal n y canal p ) Modo de formación de canal

Es independiente de la tensión de la fuente de drenaje y depende solo de la

tensión de la fuente de entrada.

10. ¿Qué factores determinan el área segura del MOSFET?

El área de operación segura (AOS) de un MOSFET de potencia se determina

por tres factores: la máxima corriente de drenaje IDM, la temperatura interna

de la unión Tj, regida por la disipación de potencia en el dispositivo, y la

tensión de ruptura BVDSS.

11. ¿A qué se le llama efecto de campo en el MOSFET?

Es la capacidad de modificar el tipo de conductividad del semiconductor

inmediatamente inferior al aislante de la compuerta por medio de una tensión

aplicada o campo eléctrico se llama efecto de campo.

12. ¿Que representa la corriente de retención en un SCR?

ligera señal mantener encendido a nuestro tiristor. ¿Cómo se efectúa el apagado de un

corriente de retención para un periodo mínimo. Durante este periodo, la recombinación

dispositivo se apaga por medio de la conexión regenerativa de los transistores.

de un camino de baja impedancia y prevenir así el encendido accidental o bien, se debe

14. ¿Mencione un método para mejorar di/dt del tiristor?

La clave para mejorar las especificaciones de es aumentar la i/dt d cantidad del

de la corriente del ánodo. Una manera para incrementar esta área es

incrementando la corriente de compuerta. Una forma de alcanzar que el área se

incremente es que un tiristor auxiliar o piloto más pequeño proporcione grandes

corrientes de compuerta al tiristor principal.

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