Universidad Mayor de San Andrés

R
Facultad de Ingeniería 07-MARZO-2021
Ingeniería Mecatrónica
Univ. Rivas Quispe Adán Américo LMEC-490

Fabricación de semiconductores
Los semiconductores, también llamados dispositivos de estado sólido, reemplazaron a los
tradicionales tubos eléctricos en la industria desde mediados del siglo XX, ya que presentaban
grandes beneficios, tales como la minimización de tamaño, consumo de energía y costo, así como la
maximización de la durabilidad y confiabilidad; cambio que revolucionó el sector electrónico-
informático.
En 1782 el término “semiconductor” fue utilizado por primera vez por Alessandro Volta, y la primera
observación documentada sobre el efecto producido por los semiconductores fue la de Michael
Faraday en el año de 1833, quien se percató que la resistencia en el sulfuro de plata disminuye
conforme aumenta la temperatura; la cual era distinta a la de los metales.
En 1947 John Bardeen, Walter Brattain y William Shockley, elaboraron el primer transistor, el cual
estaba constituido de germanio (elemento semiconductor) con algunos contactos eléctricos
sobrepuestos, el cual mejoró el funcionamiento de los bulbos al vacío usados como instrumentos de
control, amplificación y generación de señales electrónicas, estas aportaciones los hicieron
acreedores al Premio Nobel en el año de 1956, y con ello, el cambio de tecnologías en todo el mundo.
En 1956 Willian Shockley creó la empresa Fairchild Semiconductor, la cual introdujo en el mercado
norteamericano el primer circuito integrado comercialmente viable y durante la misma década
dominó el mercado de los circuitos integrados al lanzar el primer amplificador operacional
Etapas de fabricación
1. Purificación del sustrato (fabricación de obleas)
• Método de Czochraiski
El proceso o método de Czochralski consiste en un procedimiento para la obtención
de lingotes monocristalinos. Fue desarrollado por el científico polaco Jan Czochralski a partir
de 1916.
Este método es utilizado para la obtención de silicio monocristalino mediante
un cristal semilla depositada en un baño de silicio. Es de amplio uso en la
industria electrónica para la obtención de wafers u obleas, destinadas a la fabricación
de transistores y circuitos integrados.
Para tener una idea de la funcionalidad que tiene este proceso en la industria microelectrónica,
basta señalar que cada circuito integrado creado a partir de estas obleas mide 8 mm de lado,
esto hace que de cada oblea se obtengan de 120 a 130 circuitos. Cada oblea es tratada de forma
que todos los circuitos se hacen a la vez, pasando por el mismo proceso en el mismo instante.
El método consiste en un crisol (generalmente de cuarzo) que contiene el semiconductor
fundido, por ejemplo germanio. La temperatura se controla para que esté justamente por
encima del punto de fusión y no empiece a solidificarse. En el crisol se introduce una varilla
 que gira lentamente y tiene en su extremo un pequeño monocristal del mismo semiconductor
que actúa como semilla. Al contacto con la superficie del semiconductor fundido, este se agrega
a la semilla, solidificándose con su red cristalina orientada de la misma forma que aquella, con
lo que el monocristal crece. La varilla se va elevando y, colgando de ella, se va formando un
monocristal cilíndrico. Finalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusión por
zonas para purificarlo.

Al controlar con precisión los gradientes de temperatura, velocidad de tracción y de rotación,

es posible extraer un solo cristal en forma de lingote cilíndrico. Con el control de estas
propiedades se puede regular el grosor de los lingotes.
• Método de zona flotante
El método de "float-zone" se utiliza para crecer silicio monocristalino con concentración de
impurezas más bajas que las normalmente obtenidas por el método de Czochralski.
El cilindro de silicio policristalino se sostiene verticalmente y se conecta a uno de sus extremos a
la semilla, girándose todo como muestra la figura. El cilindro de silicio se encierra en un recipiente
de cuarzo y se mantiene en una atmósfera inerte (argón, por ejemplo).
Durante la operación, una pequeña zona (pocos centímetros) del cristal se hunde mediante un
calentador que se desplaza a lo largo de todo el cristal desde la semilla. El silicio fundido es
retenido por la tensión superficial entre ambas caras del silicio sólido. Cuando la zona flotante
se desplaza hacia arriba, el silicio monocristalino se solidifica en el extremo inferior de la zona
flotante y crece como una extensión de la semilla. Mediante este proceso de "float zone" pueden
obtenerse materiales con resistividades más altas que mediante el método de Czochralski.
Además, como no se necesita crisol, no existe, como en el caso anterior, posible contaminación
desde el crisol.
2. Oxidación

La oxidación es uno de los procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados.

Presenta la desventaja respecto a la deposición de que hay un consumo del sustrato. La ventaja
es que el óxido así generado es de más calidad.
Otra característica de la oxidación (u oxidación térmica) es que sólo puede utilizarse al principio
del proceso de fabricación cuando la oblea tiene aún el silicio al descubierto.
La forma más usada es la oxidación térmica. Para el caso del silicio (Si) la oxidación puede ser:

La primera es la oxidación húmeda y la segunda oxidación seca. La oxidación húmeda se realiza

a través de vapor agua a una temperatura de 900 °C a 1000 °C. El crecimiento es más rápido,
pero presenta como desventajas mayores defectos y menor control sobre la oxidación. Se suele
utilizar para la creación de Óxido de Campo (FOX). La oxidación seca se realiza con oxígeno puro
a una temperatura de 1200 °C. Es un proceso más lento, pero por el contrario produce menos
defectos y ofrece un mayor control sobre el proceso. El óxido producido con la oxidación seca es
de mayor calidad y se suele destinar para el óxido de puerta (THINOX).
Las capas de óxido pueden ser usadas como aislante (por ejemplo, óxido de puerta de un MOS),
para separar dos dispositivos entre sí (óxido de campo), como máscara en otros procesos
(implantación, difusión...), para separar dos capas de materiales conductores, etc.

3. Litografía y grabado
Es un proceso empleado en la fabricación de dispositivos semiconductores o circuitos
integrados. El proceso consiste en transferir un patrón desde una fotomáscara (denominada
retícula) a la superficie de una oblea. El silicio, en forma cristalina, se procesa en la industria en
forma de obleas. Las obleas se emplean como sustrato litográfico, no obstante, existen otras
opciones como el vidrio, zafiro, e incluso metales. La fotolitografía (también denominada
"microlitografía" o "nanolitografía") trabaja de manera análoga a la litografía empleada
tradicionalmente en los trabajos de impresión y comparte algunos principios fundamentales con
los procesos fotográficos.
Un ciclo típico de procedimientos en la litografía y grabado podría constar de los siguientes procesos:

• Preparación del sustrato. Se empieza depositando una capa de metal conductivo de

varios nanómetros de grosor sobre el sustrato.
• Aplicación de las resinas fotoresistentes. Se aplica sobre la capa metálica otra capa de
resina fotosensible. Suele ser una sustancia que cambia sus características químicas con la
exposición a la luz (generalmente radiación ultravioleta).
• Introducción en el horno (calentamiento ligero). En esta etapa se fijan las resinas sobre el
sustrato de silicio.
• Exposición a la luz. Se usa una placa (denominada fotomáscara) con áreas opacas y
transparentes con el patrón a imprimir. La fotomáscara se coloca interponiéndose entre la placa
preparada y la fuente luminosa, de este modo, se exponen a la luz, sólo unas partes de la
fotorresina, mientras que otras quedan ocultas en la oscuridad.
La luz que se utiliza tiene una longitud de onda en la zona ultravioleta (UV) del espectro. Cuanto
más corta la longitud de onda, mayor la resolución que se puede alcanzar, por lo que siempre
se han ido buscado fuentes de luz (lámparas o láseres) con menor longitud de onda.
Inicialmente se utilizaron lámparas de mercurio (Hg), y posteriormente empezaron a utilizarse
láseres de excímero, con longitudes de onda aún más cortas. Actualmente se utilizan
principalmente los láseres de KrF, con la longitud de onda de 248nm y ArF, con una longitud
de onda de 193nm, que es lo que se conoce como Ultravioleta profundo (Deep UV o DUV en
inglés)

• Revelado. En esta fase, la fotoresistencia está preparada para reaccionar de forma diferente a
un ataque químico, dejando el patrón de la fotomáscara grabado en la placa.
• Introducción en el horno (calentamiento fuerte). Se fijan los cambios que la impresión ha
realizado anteriormente.
• Aplicación del ácido nítrico o agua fuerte. Se limpian los restos de las resinas
fotorresistentes, dejando la oblea con las marcas originales de la fotomáscara.
Las salas blancas donde se realizan estas operaciones suelen estar libres de partículas en
suspensión, así como de la exposición a luces azules o ultravioletas, con el objeto de evitar
tanto la contaminación del proceso como la exposición indeseada de las fotorresinas.
El espectro de luz empleado para la iluminación de los procesos es de color amarillo, para evitar
cualquier tipo de reflejo.
La litografía se emplea en este complejo proceso de elaboración ya que se tiene un completo
control del tamaño y dimensiones de las partes impresas sobre las obleas de silicio, además
de poder trasladar los patrones de la fotomáscara a toda la superficie de la oblea al mismo
tiempo. Una de las principales desventajas, de este procedimiento, son las necesarias
dependencias de un sustrato, además el método no se puede usar en la generación de
imágenes que no son planas. A este inconveniente habría que añadir las extremas condiciones
de limpieza requeridas cuando se tratan las obleas. Cuando se elabora un circuito
integrado complejo, (por ejemplo, un dispositivo CMOS) la oblea pasa por el ciclo unas
cincuenta veces. Para la elaboración de un transistor de capa delgada (TFT) el proceso de
fotolitografía se ejecuta unas cuantas veces.
4. Impurificación
Para la construcción de dispositivos electrónicos es necesario introducir localmente en el
semiconductor cantidades controladas de impurezas en posición substitucional (dopantes).
Para ello se utilizan generalmente alguna de las dos siguientes técnicas: difusión o implantación
iónica. Con estas técnicas se puede dopar selectivamente el substrato del semiconductor y
producir regiones tipo p ó tipo n según convenga.
 Hasta comienzos de 1970, el dopado selectivo se realizaba principalmente mediante difusión a
altas temperaturas. En este método los átomos de dopante se colocan en la superficie del
semiconductor o cerca de ella por deposición a partir del propio dopante en fase gaseosa o bien
a partir de óxidos dopados. La concentración de dopante disminuye monótonamente a medida
que se aleja de la superficie, y el perfil de dopado depende tanto de la temperatura como del
tiempo de difusión
A partir de 1970, muchas operaciones de dopado selectivo han sido realizadas mediante técnicas
de implantación iónica. En esta técnica, los átomos del dopante son implantados en el interior
del semiconductor por medio de haces iónicos de alta energía. El perfil del dopado tiene un
máximo en el interior del semiconductor, y está determinado por la masa de los iones y la energía
con que se hacen incidir los mismos sobre la superficie semiconductora. Las ventajas de la
implantación iónica sobre la difusión son un control preciso de la cantidad de dopantes
introducidos, la reproductibilidad de los perfiles de impurezas y una menor temperatura de
proceso.

Perfil de impurezas resultante de la

implantación iónica de fósforo en silicio.

Para producir la difusión de impurezas en el interior del semiconductor, se colocan las obleas del
mismo en el interior de un horno a través del cual se hace pasar un gas inerte portador que contenga
el dopante deseado. El sistema es similar al empleado en la oxidación térmica. Los rangos de
temperatura van entre 800 y 1200ºC para el silicio y 600 y 1000ºC para el arseniuro de galio.
Para el silicio, el dopante más usual es el boro en el caso de impurezas tipo p, y el arsénico y fósforo
en el caso de impurezas tipo n. Estos tres elementos tienen una alta solubilidad en silicio (5x1020
cm-3) en el rango de temperatura de difusión, como muestra la figura 10.2.4. La introducción de estos
dopantes puede hacerse de muy diferentes formas a partir de fuentes sólidas (BN, As2O3, P2O5),
líquidas (BBr3, AsCl3, POCl3) y gaseosas (B2H6, AsH3 y PH3). Generalmente el material elegido es
transportado hasta la superficie del semiconductor por un gas inerte (N2).
Para la difusión de impurezas en el arseniuro de galio, hay que utilizar técnicas especiales debido a
la alta presión de vapor del arsénico, para evitar la pérdida de éste por evaporación. Estos métodos
especiales incluyen la difusión en ampollas selladas con una alta sobrepresión de arsénico, y la
difusión en un horno abierto con una capa protectora de óxido dopado. Para dopado tipo p se utilizan
aleaciones de Zn-Ga-As y ZnAs2 en el caso de ampollas selladas y ZnO-SiO2 para el horno abierto.
Como dopantes tipo n se utilizan tanto el azufre como el selenio. La figura 10.2.5 muestra una
fotografía de un horno de difusión.