Transistores en Exposición Electrónica - UNAM

Transistores
07) Facultad de ingeniería. (2005). “Transistores” en Exposición electrónica. México: UNAM, pp. 1-21.
Transistor
• Un transistor es un dispositivo que controla el flujo de
una señal por medio de una segunda señal de mucho
menor intensidad. La señal de control puede ser una
señal de corriente o voltaje.
• Los transistores pueden dividirse en dos categorias:

Transistores de Union Bipolar (BJT) y Transistores de
Efecto de Campo (FET)
• Al aplicar una corriente en un BJT o un voltaje en un

FET entre las terminales de entrada y común aumenta
la conductividad entre las terminal común y de salida,
por lo tanto se puede contrar el flujo de corriente entre
estas terminales.
• Los transistores son un de los inventos
mas relevantes del siglo pasado
• Soy componentes básicos de
practicamente toda la electrónica moderna.
• Su bajo costo, flexibilidad y confiabilidad
los ha vuelto indispensables para
aplicaciones no mecanicas.
• En algunos casos es más facil utilizar un
microcontrolador y escribir el codigo
necesario para realizar las funciones de
control que diseñar y construir el dispoitivo
mecánico correspondiente.
Historia
• Las primeras tres patentes para un
transistor de efecto de campo fueron
registradas en Alemania en 1928 por el
físico Juluis Edgar Lilienfeld.
• Lilienfeld jamás publico sus dispositivos y
por lo tanto fue ignorado por la industria
• En 1934 el físco aleman Dr. Oskar Heil
patento otro transistor de efecto de campo,
pero sin evidencia de que haya fabricado
dichos dispositivos
• El 16 de diciembre de 1947,, William
Shockley, John Bardeen y Walter Brattain
contruyeron el primer transistor de contactor
(metal-semiconductor) en los laboratorios
Bell.
• Utilizo Germanio puro para un mezclador de
señales a utilizarse en los radares
desarrollados en la segunda guerra mundial
• Shockley, Bardeen, y Brattain
ganaron el Premio Nobel de
Física en 1956 por [sus
investigaciones en
semiconductores y su
descubrimiento del efecto de William Shockley (1987) John Bardeen (1991)
campo” Dos premios Nobel
• Bardeen ganó un segundo

premio Nobel por sus
investigaciones en
superconductividad
Walter Brattain (1987)

Transistor de Union Bipolar
BJT
Transistor de Union Bipolar
• El transistor BJT fue el primer transistor producido en masa.
• Son llamados así porque conducen utilizando tanto portadores mayoritarios como portadores
minoritarios
• Los BJT tienen tres terminales: Emisor, Base Colector.
• BJT amplifican la señal porque la corriente en el emisor y el colector es controlada por la

corriente en la base.
• Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos que comparten una region.
Estructura
• Un BJT consiste en tres regiones.
– Emisor
– Base
– Colector
• Cada region esta conectada a una
terminal
• La base esta fisicamente entre el
emisor y el colector y esta fabricada
de un semiconductor con bajo dopaje
• El colector rodea al emisor por lo que
es practicamente imposible para los
eletcrones injectados a la base que no
sean recolectados.
• En general el area de la union base-
colector es mucho mayor que el area
de la union emisor-base
Operación
• En su configuración típica la unión
emisor-base esta polarizada en directa
y la unión base-colector esta
polarizada en inversa.
• Cuando un voltaje positivo se aplica
en la union base-emisor se injectan
electrones en la region base.
• Los electrones se trasladan de la
region de alta concentración (base) al
colector
Operación
• La base del transistor debe ser
delgada para que los electrones
puedan moverse por difusion
rapidamente.
– Deben cruzar en un tiempo menor
a su vida media para asi evitar la
recombinación antes de que
lleguen a la union base-colector
• La union base-colector esta polarizada
en inversa por lo que pocos electrones
son injectados del colector a la base,
pero los electrones que cruzan al
colector (difusion por la base) son
arrastrados al colector por el campo
electrico en la region de agotamiento
por la union colector-base.
Operación
• El emisor esta fuertemente
dopado, mientras que el colector
esta ligeramente dopado.
• Esto permite aplicar un gran
voltaje en inversa antes de que se
rompa. (bas-colector)
• El emisor esta fuertemente
dopado para aumentar la
eficiencia de injeccion.
Simetria
• El transistor de union bipolar, a
diferencia de otros transistores es,
usualmente, no simetrico.
• Esto significa que si se
intercambia el colector y el emisor
hace que el transistor deje de
operar en modo activo y opere en
modo inverso.
• Debido a que el transistor esta
diseñado para funcionar en modo
activo, por lo que en modo inverso
su eficiencia disminuye
considerablemente
Scanning Electron
Microscopy
Transistor de Efecto de
Campo
Transistor de Efecto de Campo
• El transistor de efecto de campo (FET) es un tipo de

transistor que utiliza un campo electrico para controlar la
forma y así la conductividad de un “canal” en un
semiconductor.
• La idea del FET es anterior al desarrollo del BJT, pero
su implementacion se llevo a cabo posteriormente a la
del BJT
• Los FET (a excepcion de los JFET)
tienen cuatro terminales
– Compuerta
– Fuente
– Drenaje
– Cuerpo (en algunos casos el cuerpo se
conecta a la fuente)
• La compuerta controla el flujo de
electrones al crear o eliminar un canal
entre la fuente y el drenaje.
• Los electrones fluyen desde la fuente
hacia el drenaje.
• El cuerpo es el substrato, y muchas
veces se conecta a la terminal de
mayor o menor voltaje
• El FET controla el flujo de
electrones de la fuente al drenaje al
afectar el tamaño y forma de un
“canal conductivo” por medio de un
campo eléctrico a través de las
terminales de compuerta y fuente.
• En algunos casos el cuerpo y la
fuente estan conectados
• Este canal conductivo es el “caudal”
a través del cual los electrones
fluyen de la fuente al drenaje
Tipos de FET
• El canal de un FET esta dopado para • MESFET (Metal semiconductor Field effect
producir in FET tipo N o uno tipo P transistor)
• HEMT (High Electron Mobility Transistor)
• El drenaje y la fuente pueden doparse de • MODFET (Modulation Doped Field Effect
manera opuesta (aunque no
Transistor)
necesariamente)
• IGBT Insulated’gate bipolar transistor
• Algunos tipos de FET son: • FREDFET
• DNAFAD
• MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor
Field-Effect Transistor) utilizan un aislante
(tipicamente SiO) entre la compuerta y el
cuerpo
• The JFET (Junction Field-Effect Transistor)

utiliza una union polarizada en inversa entre
la compuerta y el cuerpo
• Las ventajas del FET pueden resumirse como sigue:
– Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del
orden de 107 : ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente
mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de
entrada de un amplificador multietapa.
– Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
– Los FET so más estables con la temperatura que los BJT.
– Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen
requerir menos pasos de enmascaramiento y difusiones.
– Es posible fabricar un mayor número de dispositivos en un circuito integrado
• Existen varias desventajas que limitan la utilización de los FET en
algunas aplicaciones:
– Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacitancia de entrada.
– Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
– Los FET se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

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