Practica Transistores

Práctica No.4.
Funcionamiento de un transistor BJT pnp.
4.I. OBJETIVO ESPECÍFICO.
 Explicar el funcionamiento de un transistor pnp.
4.II. INTRODUCCIÓN.
4.II.1 Construcción del transistor de unión (BJT).
Un transistor de unión bipolar BJT (o simplemente un “transistor”) es un dispositivo

construido de silicio monocristalino (o germanio) en el que una región de silicio tipo n
está colocada entre dos regiones de silicio tipo p; o también puede estar constituido por
dos regiones de material tipo n que encierran una región de semiconductor tipo p. En el
primer caso, el transistor se denomina como transistor p-n-p, y en el segundo como
transistor n-p-n. El conjunto semiconductor es extremadamente pequeño, y está
herméticamente protegido contra la humedad por un encapsulado de plástico o de metal.
Los dos tipos de transistores están representados en la Fig. 4.5.
Fig. 4.5 (a) Un transistor pnp; (b) Un transistor npn. La unión emisor-base, se
representa por J E, y la unión colector-base por J C .
Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo p o n de
en medio. La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un
poco dopado. Este menor nivel de dopado reduce la conductividad (incrementa la
resistencia) de este material al limitar el número de portadores “libres”.
Las terminales se identificaron por medio de las letras mayúsculas E para emisor, C para
colector y B para base. Esta notación se pondrá de manifiesto cuando analicemos la
operación básica del transistor. Se suele aplicar a este dispositivo de tres terminales la
abreviatura BJT (de bipolar junction transistor). El término bipolar refleja el hecho de que
participan huecos y electrones en el proceso de inyección hacia el material opuestamente
polarizado. Si se emplea sólo un portador (electrón o hueco), se considera que es un
dispositivo unipolar. El diodo Schottky pertenece a esa clase.
4.II.2 Operación del transistor.
A continuación, describiremos la operación básica del transistor utilizando un transistor pnp.

Para que un transistor opere se necesita polarizar sus dos uniones simultáneamente como
se indica en la figura 3.2a. El voltaje V EE polariza directamente la unión emisor-base. El
voltaje V CC polariza inversamente la unión colector-base.
Para explicar la operación del transistor se hará el análisis en tres partes:
1. Unión Emisor-base. En la figura 3.3 se dibuja el transistor pnp polarizada la unión

emisor-base, sin polarización entre la base y el colector. Observe las semejanzas entre
esta situación y la del diodo pn polarizado en directa.
El ancho de la región de empobrecimiento se redujo a causa de la polarización aplicada
y el resultado es un intenso flujo de portadores mayoritarios ( I E ) del material tipo p al
material tipo n. donde se da la recombinación con los electrones libres. Por lo tanto, la
corriente en la base ( I B) también es igual que ( I E ).
Reflexión: ¿Qué tipo de portadores “inyecta” el emisor hacia la base?
2. Unión Colector-base. Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del

transistor pnp de la figura 3.2 y polaricemos la unión colector-base como se muestra en la
figura 3.4.
Considere las semejanzas entre la polarización de la unión colector-base y la de un diodo

polarizado en inversa. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios ( I C) es cero, y el
resultado es sólo un flujo de portadores minoritarios, como se indica en la figura 3.4.
Reflexión: ¿Qué tipo de portadores minoritarios “inyecta” la base hacia el colector?
3. La unión emisor-base de un transistor se polariza en directa en tanto que la otra

unión se polariza en inversa.
En la figura 3.5 se aplica simultáneamente los dos potenciales de polarización a un transistor

pnp. Observe en esa figura los anchos de las regiones de empobrecimiento donde se ve con
claridad cuál unión está polarizada en directa y cual lo está polarizada en inversa.
Como se indica en la figura 3.5, una gran cantidad de portadores mayoritarios del emisor se
difundirá a través de la unión p-n polarizada directamente hacia el material tipo n (la base).
Estos portadores mayoritarios no alcanzan a recombinarse en la base y son arrastrados por
el campo eléctrico de la unión colector-base. Casi la totalidad de estos portadores
mayoritarios se difundirá a través de la unión polarizada en inversa hacia el material tipo n
conectado al colector como se indica en la figura 3.5., formando la corriente de colector (
I C =I E ¿ . De otra forma, la razón de la facilidad relativa con que los portadores mayoritarios
del emisor pueden atravesar la unión polarizada en inversa es fácil de entender si
consideramos que en el caso del diodo polarizado en inversa los portadores mayoritarios
inyectados aparecerán como portadores minoritarios en el material tipo n de la base. Si se
combina esto con el hecho de que todos los portadores minoritarios de la región de
empobrecimiento deben atravesar la unión polarizada en inversa de un diodo explica el flujo
indicado en la figura 3.5.
La corriente del colector I C, consta de dos componentes, los portadores mayoritarios y los
minoritarios como se indica en la figura 3.5. El componente de corriente de portadores
minoritarios se llama corriente de fuga y se le da el símbolo I CO [corriente I C con el emisor
abierto (Open)].
La corriente del colector, por consiguiente, está determinada en su totalidad por
Con la aproximación que
se supone que
4.III. EQUIPO Y MATERIAL NECESARIO.
 Un transistor pnp de pequeña señal. (Por ejemplo, BC556B).

 Protoboard.
 Resistencias de diferentes valores con disipación de ½ Watt.
 Una fuente de alimentación de CD (0-24 volts).
 un multímetro.
 puntas para conexión
4.IV. DESARROLLO DEL EXPERIMENTO.
4.IV.1 Identificación y verificación de los pines E (Emisor), B (Base) y C

(Colector) con información del manual o el datasheet.
Puede utilizar un manual de transistores y seleccionar un transistor pnp de pequeña señal
o de propósito general; puede ser el BC556. Identifique el tipo de encapsulado
correspondiente al transistor a utilizar; de acuerdo al tipo de encapsulado encuentre la
asignación de pines para E, B y C. (Figura 4.1)
Figura 4.1 Encapsulado y pines del transistor

BC556B (TO-92; SOT54)
Utilice un multímetro digital en función de prueba de diodos para verificar el estado del
funcionamiento de las uniones base-emisor y la unión base-colector.
Si se utiliza el multímetro Fluke 177, los resultados para la prueba de diodos es la

siguiente:
Figura 4.2 Uso del multímetro digital Fluke 177

Una unión pn con polarización directa deberá mostrar una resistencia relativamente baja,
mientras que con polarización inversa deberá mostrar una resistencia alta. Por ejemplo,
se puede probar la unión base-colector de un transistor pnp en polarización directa como
se indica en la figura 4-3(a) deberá dar por resultado una lectura que, por lo regular, caerá
en el rango de 500. La unión base colector con polarización inversa debe verificarse
según se muestra en la figura 4.3(b) con una lectura que típicamente excede los 100 k
la indicación OL, línea abierta). Para un transistor npn los resultados del valor de
resistencia se invierten para cada unión. Es necesario señalar que una resistencia grande
o pequeña en ambas direcciones (invirtiendo las terminales) para cada unión de un
transistor npn o pnp indicará un dispositivo dañado.
Figura 4.3. Comprobación de la ubicación de las

terminales de un transistor. Pruebas para la unión
Describa sus resultados y comentarios:
4.IV. 1(b) Unión base-emisor.
Similares resultados deben obtenerse al hacer la prueba entre las terminales de base-
emisor (Figura 4.4).
Figura 4.4. Pruebas para la unión base-emisor.

4.IV. 1(c) Unión colector-emisor.
Al hacer la prueba entre las terminales de colector-emisor (figura 4-5), el resultado deberá
ser un valor muy elevado de resistencia en los dos sentidos de polarización.
Figura 4.4. Pruebas para la unión colector-emisor.

4.IV.2.1 Análisis de la operación de la unión emisor-base del transistor.
(a) Armar el siguiente circuito.
Figura 4.5. Circuito de emisor-base (o, de entrada).

b) Medir el voltaje V EB y las corrientes I E e I B, mientras se incrementa el valor de los
voltajes de la fuente V EB de acuerdo a los valores especificados.
c) Anotar sus resultados en la siguiente tabla
V EB (Volts) I E (mA) I B (mA) V EB (Volts)

1.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
d) Con los valores de la tabla anterior, realice la gráfica de I B vs V EB
e) Analice y comente resultados. Escriba sus conclusiones

4.IV.2.2 Análisis del circuito de la unión colector-base del transistor.
a) Armar el siguiente circuito.
Figura 4.6. Circuito de colector-base (o de salida).
b) Medir el voltaje V CB y la corriente I C, mientras se incrementa el valor del voltaje

de la fuente V CC desde 0 hasta 24 volts.
c) Anotar sus resultados en la siguiente tabla:
V CC (Volts) I C (uA) V CB (Volts)

1.0
5.0
10.0
15.0
20.0
25.0
d) Con los valores de la tabla anterior, realice la gráfica de I C vs V CB
e) Analice y comente resultados. Escriba sus conclusiones.
4.IV.2.3 Análisis del funcionamiento del transistor pnp correctamente polarizado.

a) Armar el siguiente circuito.
b) Se mantiene constante el voltaje V CC =24 V. Luego se aplica el voltaje V EE y

se incrementa su valor desde 2 hasta 24 volts. Medir los voltajes V EB, V CC y V CB y las
corrientes I E y I C, mientras
c) Anotar sus resultados en la siguiente tabla:
V CC =24V
V EE(Volts) I E (mA) I C(mA) I B(mA) V EB(Volts)
2
5
10
15
20
24
d) Compare los valores de las corrientes de la tabla anterior y escriba su comentario.

4.V. ANALISIS DEL EXPERIMENTO Y CONCLUSIONES.

Practica Transistores

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Practica Transistores

Cargado por

Información del documento

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Practica Transistores

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Práctica No.4.

Funcionamiento de un transistor BJT pnp.

4.I. OBJETIVO ESPECÍFICO.

 Explicar el funcionamiento de un transistor pnp.

4.II.1 Construcción del transistor de unión (BJT).

Un transistor de unión bipolar BJT (o simplemente un “transistor”) es un dispositivo

4.II.2 Operación del transistor.

A continuación, describiremos la operación básica del transistor utilizando un transistor pnp.

Para explicar la operación del transistor se hará el análisis en tres partes:

1. Unión Emisor-base. En la figura 3.3 se dibuja el transistor pnp polarizada la unión

Reflexión: ¿Qué tipo de portadores “inyecta” el emisor hacia la base?

2. Unión Colector-base. Eliminemos ahora la polarización de la base al emisor del

Considere las semejanzas entre la polarización de la unión colector-base y la de un diodo

Reflexión: ¿Qué tipo de portadores minoritarios “inyecta” la base hacia el colector?

3. La unión emisor-base de un transistor se polariza en directa en tanto que la otra

En la figura 3.5 se aplica simultáneamente los dos potenciales de polarización a un transistor

Con la aproximación que

4.III. EQUIPO Y MATERIAL NECESARIO.

 Un transistor pnp de pequeña señal. (Por ejemplo, BC556B).

4.IV. DESARROLLO DEL EXPERIMENTO.

4.IV.1 Identificación y verificación de los pines E (Emisor), B (Base) y C

Figura 4.1 Encapsulado y pines del transistor

Si se utiliza el multímetro Fluke 177, los resultados para la prueba de diodos es la

Figura 4.2 Uso del multímetro digital Fluke 177

Figura 4.3. Comprobación de la ubicación de las

Describa sus resultados y comentarios:

4.IV. 1(b) Unión base-emisor.

Figura 4.4. Pruebas para la unión base-emisor.

4.IV. 1(c) Unión colector-emisor.

Figura 4.4. Pruebas para la unión colector-emisor.

4.IV.2.1 Análisis de la operación de la unión emisor-base del transistor.

(a) Armar el siguiente circuito.

Figura 4.5. Circuito de emisor-base (o, de entrada).

c) Anotar sus resultados en la siguiente tabla

V EB (Volts) I E (mA) I B (mA) V EB (Volts)

d) Con los valores de la tabla anterior, realice la gráfica de I B vs V EB

e) Analice y comente resultados. Escriba sus conclusiones

a) Armar el siguiente circuito.

Figura 4.6. Circuito de colector-base (o de salida).

b) Medir el voltaje V CB y la corriente I C, mientras se incrementa el valor del voltaje

V CC (Volts) I C (uA) V CB (Volts)

e) Analice y comente resultados. Escriba sus conclusiones.

4.IV.2.3 Análisis del funcionamiento del transistor pnp correctamente polarizado.

b) Se mantiene constante el voltaje V CC =24 V. Luego se aplica el voltaje V EE y

c) Anotar sus resultados en la siguiente tabla:

d) Compare los valores de las corrientes de la tabla anterior y escriba su comentario.

También podría gustarte