Tema 6: Transistores FET.

Contenidos
6.1 Introducción
6.2 Clasificación
6.3 MOSFET
6.4 FET de Puerta de Unión
6.5 Efectos de Segundo Orden

1
 6.1 Introducción
Field Effect Transistor, FET → Transistores de Efecto Campo

Es una familia formada por diferentes tipos de transistores

Su principal característica:

La modulación de la intensidad del dispositivo en función del campo eléctrico, ε aplicado

(En los transistores bipolares el control de la intensidad IC es a través de IB )

Ventajas frente a los transistores bipolares:

- Ruido
+ Impedancia de Entrada, Zi.
- Área
+ Facilidad de fabricación e integración
Desventajas frente a los transistores bipolares:
- B·A ↓
2
 6.2 Clasificación

FET

De puerta De puerta
Aislada, de Unión
MOSFET JFET

Enriqueci-
Deplexión MESFET JFET
miento

Canal n, Canal p, Canal n, Canal p, N

NFET PFET
NMOS PMOS NMOS PMOS MESFET

D D D D
G BG B G B G B D D D
S S S S
D D D D G G G
G G G G S S S 3
S S S S
 6.3 MOSFET
MOSFET canal n enriquecimiento
(NMOS de enriquecimiento)

D G
S
D
G MOS
N+ N+
W Polisilicio (antes Metal)
Metal
D
L Oxido (aislante) SiO2
G
P Semiconductor Si
S
B, SUSTRATO

G → gate, puerta
D → drain, drenador Dispositivo de 4 Terminales
S → source, fuente IG = 0 (Puerta Aislada)
B → bulk, sustrato

Tamaños geométricos:
•W ≡ Ancho del Transistor
•L ≡ Longitud del Transistor 4
 NMOS de enriquecimiento

VUDS
DS

Los diodos no deseados, siempre deben de estar

ID=0 polarizados en inversa
G
D S

N+ N+
No existe posible camino de conducción
para los electrones entre el drenador y la fuente
P

B
SUSTRATO IDS = 0

⌂ VTO ≡ Tensión umbral del

En general, esta situación ocurre si VG < VTO Transistor

5
 NMOS de enriquecimiento

¿Qué ocurre si VG > VTO ?

Zona Lineal u Ohmica

+++ +++
del Transistor NMOS
N+ n N+
U
VGS
G > VTO

P - - -
- e Por definición los e- se mueven
e e e
de la fuente al drenador

¡¡ Observemos que la tensión VTO > 0 !! VD  VS

Esta es la característica principal de un
NMOS de enriquecimiento

Será la tensión aplicada la que

VD  VS  nos diga qué es la fuente y
  I DS  0
Por lo tanto:
VG  VTO  qué el drenador

6
Ecuaciones I-V del Transistor NMOS de enriquecimiento
A partir de ahora y para simplificar el estudio (y como ocurre normalmente)
la fuente S y el sustrato B estarán cortocircuitados, VS = VB

La carga libre que hay en el canal es:

Q  Cox (VGS  VTO ) Si VGS  VTO

[F/m2]
Q0 VGS  VTO
 ox
Cox  εox ≡ Cte. dieléctrica del medio (SiO2)
tox tox ≡ Espesor del óxido

V es la tensión en cada
Si ahora VDS > 0 Q  Cox (VGS  VTO  V ) punto del canal

 

J DS   qn n ; I DS  Aqn n 
 dV
A  profcanal W   I DS  Q nW  Q nW
 dy
Q
qn  
profcanal  7
Ecuaciones I-V del Transistor NMOS de enriquecimiento

dV L VDS
I DS  Q nW   I DS dy    nWCox (VGS  VTO  V )dV
dy 0 0

 nCox VDS
W (VGS  VTO  V ) 
2
I DS  L  
2   0

de donde podemos obtener la expresión final de la intensidad:

 nCox W 
2(VGS  VTO )VDS  VDS 
2
I DS 
2 L  
'
k n   nCox k’n≡Transconductancia del proceso
W βn ≡Transconductancia del dispositivo
 n   nCox W/L ≡ Razón de Aspecto
L

n 
2(VGS  VTO )VDS  VDS 
2
I DS  Ecuación de la Zonal Lineal del
2   Transistor NMOS

8
Ecuaciones I-V del Transistor NMOS de enriquecimiento
Es una ecuación parabólica que alcanza un máximo para un determinado VDS

IDS VGS = VGS0

VDS

En el máximo estamos en el punto de pinch-off

En el laboratorio sólo observamos la

¿Qué está ocurriendo físicamente?:
parte de la izquierda
ID
400A Pinch-off
S G D
300A
n+ n+

200A
p

B 100A
VGS  VTO
0A 0V 2V 4V 6V 8V 10V 12V 14V 16V 18V 20V
VDS  VGS  VTO  VGD  VTO VDS
9
Ecuaciones I-V del Transistor NMOS de enriquecimiento
Si ahora VGD < VTO:
Para calcular la IDS en esta zona, basta con
derivar la expresión que ya conocemos con
S G D respecto VDS e igualar a 0.
n+ n+

p
n 2
B I DS  (VGS  VTO )
2
VGS  VTO
VDS  VGS  VTO  VDG  VTO
Zona de Saturación del Transistor
NMOS

La intensidad en esta región no es 0 debido al gran campo eléctrico

desde el punto de pinch-off hasta el drenador

10
 Cuadro de Ecuaciones I-V del Transistor NMOS de
enriquecimiento
Corte
Zona de Corte G
S D
SiO2
I DS  0 VGS  VTO n+ n+

B
Zona Lineal u Ohmica
Ohmica

n  VGS  VTO G
2(VGS  VTO )VDS  VDS 
2 S D
I DS 
2   VGD  VTO  VDS  VGS  VTO n+
SiO2
n+

B
Zona de Saturación
S G D
n 2 VGS  VTO SiO2

I DS  (VGS  VTO ) n+ n+

2 VGD  VTO  VDS  VGS  VTO p

11
Curvas del Transistor NMOS de enriquecimiento

12
 NMOS de deplexión
G SD
SD
En el propio proceso de fabricación se realiza
N n N una zona n que une S y D.

Difusión hecha durante Así, con una tensión VGS=0 ya existe canal
P el proceso de fabricación

Con VGS = 0 existen 2 regiones de deplexión,

pero aún existe un camino de conducción entre D y S

Pero si VGS ↓↓ (negativa) entonces las regiones de

deplexión se solapan y no existe camino de conducción
(IDS = 0)
13
 NMOS de deplexión

G SD
SD Conclusión:
n El transistor NMOS de deplexión funciona
N+ N+
exactamente igual que uno de
Difusión hecha durante
enriquecimiento salvo que VTO < 0
P el proceso de fabricación

B Las ecuaciones y zonas de operación son las mismas

ID (mA) U
VGS (V)
GS
2
D D 40

G B G 30 0 Ya hay canal
formado
S S 20
-2
10

2 4 6 8 U (V)
DS
VDS (V)
14
MOSFET de canal p (PMOS) de
enriquecimiento

Símbolo
S G D
D D SiO2

p+ p+ VTO < 0
G B G
n
S S
B

MOSFET de canal p (PMOS) de

deplexión

Símbolo

S G D
D D
p
G B G p+ p+ VTO > 0
S S n

B
15
 Cuadro de Ecuaciones I-V del Transistor PMOS
Corte

S G D
Zona de Corte ' W
p  kp p+ p+

I SD  0 L
VSG  VTO '
n

k p   p Cox B

Ohmica
Zona Lineal u Ohmica
S G D
p  VSG  VTO
2(VSG  VTO )VSD  VSD 
2
I SD 
2   VDG  VTO  VSD  VSG  VTO p+ p+

B
Zona Saturación Saturación

p 2 VSG  VTO S G D
I SD  (VSG  VTO )
2 VDG  VTO  VSD  VSG  VTO p+ p+

n
NMOS PMOS B
VTO VTO
Regla Nemotécnica VDS VSD 16
I DS I SD
 6.4 JFET

Transistor de efecto campo con puerta de unión

JFET
(Junction Field Effect Transistor)

MESFET, Metal-SC-FET
Existen 2 tipos
JFET

17
 MESFET

• Este dispositivo aprovecha la alta movilidad

+ + del AsGa → velocidad ↑

• Densidad de integración menor

•La G y el B forman un diodo Schottky (metal-n), de forma que si está polarizada en inversa,
bajo la puerta se crea una región de deplexión.

•Esta región de deplexión modula la corriente que circula entre D y S

•Así, si VGS < VTO, el canal n entre las 2 regiones n+ no tendrá portadores libres → ID = 0

•VTO < 0

•Para que la estructura funcione correctamente el diodo Schottky debe estar polarizado en
inversa → IG = 0

18
 Cuadro de ecuaciones I-V del transistor MESFET

Zona de Corte

I DS  0 VGS  VTO

Zona Lineal u Ohmica

VGS  VTO
  2(VGS  VTO )VDS  VDS   tanhVDS 
 2
I DS
  VGD  VTO  VDS  VGS  VTO

Zona de Saturación
VGS  VTO
I DS   (VGS  VTO )  tanhVDS 
2
VGD  VTO  VDS  VGS  VTO

19
 MESFET
• El parámetro α aparece debido a que en el AsGa la movilidad no es constante sino que:
μ = μ(ε)

•   0.3: 2

• El diodo Schottky tiene una Vd ~ 0.6 V. Así si VGS < 0.6 V → IG=0

•Para calcular el punto de operación utilizaremos aproximaciones sucesivas:

1. Tomamos tanh(α VGS) ~ 1
2. Resolvemos la ecuación, encontrando VGS
3. Volvemos a calcular tanh(α VGS) …………..

En circuitos digitales, a veces se polariza en directo el diodo Schottky

IDS=IDS(VGS,VDS)

20
 JFET de Canal n y p

D D

G G
P P N N

N P

S S

Canal N Canal P
D D

G G

S S

21
 JFET de Canal n, NFET

D
• Unión GS polarizada inversamente
• Se forma una zona de vaciamiento libre de
Canal
P P portadores de carga
G
• La sección del canal depende de la tensión
VGS
VU
GS
SG • Si se introduce una cierta tensión VDS la
N Zona
Zonadede
transición corriente ID por el canal dependerá de VGS
Vaciamiento
S

22
 JFET de Canal n, NFET

IDI ID
IDS
DS
GS ↓
UVSG
G UVDSDS (baja)
(baja)
P P El canal
se estrecha
VUGS
SG
N
UDS(baja)
VDS
S

Entre D y S se tiene una resistencia que varía en función de VGS

23
 JFET de Canal n, NFET
D

IDSID
UDS+USG IDIDS
VGD
UVSGGS
=0V
=0 V.
G UVDS
DS
UVSG1
GS =-1 V.
P P
VU
GS
SG
VGS
USG UVSG2
GS =-2 V.
N
VP UDS
V DS
S

• El ancho del canal depende también de la tensión VDS

• Pasado un límite la corriente IDS deja de crecer con VDS
• Eso ocurre cuando se estrangula el canal por el lado del drenador VDS = VP

⌂ VP ≡ Tensión de pinch-off

• La tensión VP es equivalente a la VTO de un MOSFET

•Para un NFET VP < 0 y para un PFET VP > 0 24
 Cuadro de ecuaciones I-V del transistor NFET

Zona de Corte

I DS  0 VGS  VP

Zona Lineal u Ohmica

VGS  VP
I DS   n 2(VGS  VP )VDS  VDS 
2

  VGD  VP  VDS  VGS  VP

Zona de Saturación

2
VGS  VP
I DS   n (VGS  VP ) VGD  VP  VDS  VGS  VP

W 4 Si εSi ≡Permitividad del Silicio

n  n W, L, t ≡ ancho, largo y espesor del canal
L 3t N D
25
 JFET de Canal p, PFET

D
S

ISDID
UDS+USG IDISD
VDG
UVSGSG
=0V
=0 V.
G UVDS
SD
UVSG1
SG =-1 V.
N N

VU
SG
SG
VSG
USG UVSG2
SG =-2 V.
P
VP UDS
V SD
SD

26
 Cuadro de ecuaciones I-V del transistor PFET

Zona de Corte

I SD  0 VSG  VP

Zona Lineal u Ohmica

VSG  VP
I SD   p 2(VSG  VP )VSD  VSD 
2

  VSD  VP  VSD  VSG  VP

Zona de Saturación

2
VSG  VP
I SD   p (VSG  VP ) VDG  VP  VSD  VSG  VP

W 4 Si εSi ≡Permitividad del Silicio

p  p W, L, t ≡ ancho, largo y espesor del canal
L 3t N A
27
 IDSS

A veces, los fabricantes especifican de forma indirecta el valor de β,

utilizando el parámetro IDSS.

2
I DSS  I DS SAT   VP (NFET)
VGS0

28
Resistencia controlada por tensión en un FET

Si en un transistor FET o MOSFET cualquiera (supongamos un NFET)

operando en su Zona Lineal hacemos VDS ↓

I DS   n 2(VGS  VP )VDS 

1 1 I
  DS   n 2(VGS  VP ) rDS  rO  Resistencia de Salida
rDS rO VDS

1
rDS  rO 
2 n (VGS  VP )

29
 6.5 Efectos de Segundo orden

a) Efecto Sustrato

S G D Hasta ahora hemos estudiado las ecuaciones

n+ n+ con S y B cortocircuitados
p
Pero, ¿qué sucede si no lo están?
B

La tensión umbral, VTO, cambia:

VT  VTO    2F  VSB  2F 

F  Potencial de Fermi, usualmente 0.3 V
  Coeficiente de efecto sustrato, usualmente 0.3 V1/2

30
 6.5 Efectos de Segundo orden
b) Efecto Early o Modulación del Canal
G En Saturación, el canal se corta antes de llegar al
S D
Drenador → L~ L’

Las curvas de intensidad en zona de Saturación

n+ n+
tienen una ligera inclinación hacia arriba
L’
p L Ese fenómeno se puede modelar en las
ecuaciones de saturación de la siguiente forma:

B n 2 V 
I DS  (VGS  VTO ) 1  DS 
2  VA 
VA  Tensión Early, usualmente entre 20 y 100 V

1
También se define:   Factor de Modulación del Canal
VA

1 1 I DS 2 1 I V
   (VGS  VP )  DS ; rDS  rO  A
rDS rO VDS VA VA I DS 31
 6.5 Efectos de Segundo orden
c) Tensión de Ruptura
G Haciendo VD ↑ Si VDB < VZ se produce la ruptura
S D
del diodo DB comienza a circular intensidad IDS
por avalancha
n+ n+

⌂ BV ≡ Tensión de ruptura
p
por avalancha

32
BV
 6.5 Efectos de Segundo orden

d) Efectos de la Temperatura

3/ 2
 TO 
 (T )   (TO )   
T 
VT  VTO  a(T  TO ); a  2mV /º K

Hidalgo López, José A.; Fernández Ramos Raquel; Romero Sánchez,

Jorge (2014). Electrónica. OCW-Universidad de Málaga.
http://ocw.uma.es. Bajo licencia Creative Commons Attribution-
NonCommercial-Share-Alike 3.0 Spain
33