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INGENIERIA MECATRÓNICA
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
ELECTRONICA ANALÓGICA
ANALÓGICA
TEMA: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT y JFET

PRÁCTICA N° FECHA INTEGRANTES (de uno a dos) FIRMA
6 07/02/2019 Pablo Piña – Jonnathan Sanchez
TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Mónica Romero Msc.
1. OBJETIVOS
1.1. Objetivo General:
 Comprobar el funcionamiento de los diferentes circuitos de polarización de los

transistores BJT y JFET obteniendo las gráficas de la curva característica, las rectas
de carga y puntos de trabajo.
1.2. Objetivos Específicos:
 Obtener la recta de carga y el punto de trabajo Q de los transistores.

 Diseñar, calcular y comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos de
polarización de los transistores BJT y JFET obteniendo las gráficas de las rectas de
carga y puntos de trabajo:
o Circuito de polarización fija con dos fuentes (NPN)
o Circuito de polarización por divisor de tensión (NPN)
o Circuito Autopolarización (PNP)
o Circuito de polarización fija con una fuente y con resistencia en el emisor
(NPN)
o Circuito Autopolarización (JFET)
o Circuito divisor de tensión (JFET)
2. METODO
 Demostración del docente de la utilización y manejo del dispositivo de práctica

 Deducción dela aplicación de un rectificador
3. EQUIPO Y MATERIALES
A continuación se detallan los elementos más importantes para realizar la práctica, sin embargo
los estudiantes van a descubrir con el tiempo que es necesario tener siempre a la mano un rollo
de cinta aislante, estaño, pasta de soldar, cautín, entre otros.
Equipos Accesorios Materiales

Banco de Prácticas Sondas para osciloscopio 2 Transistores 2N3904
(Propio del laboratorio) (pueden ser fabricadas por los 2 Transistores 2N3906
mismos estudiantes) 1 Transistor MPF102
1 Fuentes dc 1.25- 3.75 Cables con banana (pueden 1 metros de cable para
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ANALÓGICA
VDC (Ver Nota1) solicitar en el taller ver Nota 3) protoboard (Ver Nota2)
Osciloscopio Cortafríos o utensilio para Resistencias de medio
(Propio del laboratorio) cortar cables wattio (15KΩ, 220Ω,
10KΩ, 8.2KΩ, 330Ω,
1KΩ, 39KΩ, 510Ω)
Generador de funciones Protoboard (dos hileras mínimo, Potenciometros (200KΩ,
(Propio del laboratorio) verificar marca para evitar 1MΩ)
complicaciones)
Multímetro Alicates y pinzas para manipular
(verificar marcas y costo no cables electrónicos
se requiere equipo costoso)
Nota 1: Las fuentes de alimentación pueden ser simplemente baterías o pilas con broches
(cables conectores de las baterías o pilas puede ser reciclado o comprado), baterías recicladas,
cargadores de celular o similares pero en el caso de requerir conexión a 110VAC revisar los
acoplamientos de tierra del sistema.
Nota 2: para el cableado del protoboard obtener al menos 2 metros de cable de cobre rígido de
0.6 mm de diámetro (del cobre sin considerar el aislante) equivalente a AWG 22 ó 23 aislado
(tratar de conseguir el cable que se usa para la instalación de porteros eléctricos o cable de
timbre, el cable de red en ocasiones es muy delgado, comprobar el diámetro con el calibrador).
Nota 3: Traer el carnet de estudiante para solicitar los cables y demás equipos en el taller.
Nota 4: Se recomienda a los estudiantes revisar los materiales con los cuales cuenta, pues
muchos de ellos ya han sido adquiridos con anterioridad y de esta manera poder evitar un gasto
innecesario. Como consideración adicional el estudiante debe realizar los cálculos de los
circuitos con anterioridad a fin de que pueda adquirir los materiales necesarios.
4.
5. FUNDAMENTO TEORICO (tomado de [1], [3], [4], y [5])
5.1. TRANSISTOR BJT
La palabra transistor viene del parámetro: transferir una resistencia de un circuito a otro, por
esta razón se escogió las cuatro letras de la palabra TRANS-FERENCIA y las cinco últimas de
RESISTOR que en inglés significa resistencia.
Un transistor está constituido por 3 porciones de semiconductores. Según su construcción cabe

distinguir los Transistores “PNP” y Transistores “NPN” (Figura 1):
2
ANALÓGICA
Figura 1. Símbolo del transistor NPN y transistor PNP
5.2. Estructura interna
Como ya se mencionó anteriormente un transistor se halla estructurado de dos maneras:
Dos pastillas de semiconductor tipo N en los extremos y al centro una de tipo P, es decir un
conjunto N-P-N; o también dos pastillas de semiconductores tipo P en los extremos y al centro
una de tipo N es decir un conjunto P-N-P.
5.3. Funcionamiento
El funcionamiento principal de un transistor es cuando los dos extremos (material del mismo
tipo) son colocados en serie con corriente grande de electrones se puede controlar su flujo o
intensidad dejando pasar, o no, una pequeñísima corriente por la pastilla del centro.
Para permitir el avance de la corriente a lo largo de la unión np, el emisor tiene un pequeño
voltaje negativo tipo p, o componente base, que controla el flujo de electrones. El material tipo
n en el circuito de salida sirve como elemento colector y tiene un voltaje positivo alto con
respecto a la base, para evitar la inversión del flujo de corriente. Los electrones que salen del
emisor entran en la base, son atraídos hacia el colector cargado positivamente y fluyen a través
del circuito de salida. La impedancia de entrada (la resistencia al paso de corriente) entre el
emisor y la base es reducida, mientras que la impedancia de salida entre el colector y la base es
elevada. Por lo tanto, pequeños cambios en con respecto a la capa el voltaje de la base provocan
grandes cambios en la caída de voltaje a lo largo de la resistencia del colector, convirtiendo a
este tipo de transistor en un eficaz amplificador. Similar al tipo npn en cuanto a su
funcionamiento, el transistor de unión pnp dispone también de dos uniones y es equivalente al
tubo de vacío denominado tríodo. Otros tipos con tres uniones, tales como el transistor de unión
npnp, proporcionan mayor amplificación que los transistores de dos uniones.
5.4. Curva de Trabajo de un Transistor BJT
En la curva de trabajo de un transistor cabe destacar los siguientes puntos:
3
ANALÓGICA
 Frecuencia de Corte: Es la correspondiente a punto en el cual la ganancia de corriente

cae el 0.707 de su ganancia máxima.
 Corriente de Corte: Es la corriente que circula por el circuito de colector, debida a la

corriente inversa, cuando la corriente de entrada es cero. A la zona situada por debajo
de la característica correspondiente a una corriente de entrada cero se le llama región de
corte.
 Saturación: La región de saturación empieza cuando la corriente del colector deja de ser
función de la corriente de entrada y pasa a ser función de la tensión del colector.
Fig. 2. Parámetros importantes del transistor BJT
Tensión máxima de Colector: Es la máxima tensión de corriente continua que puede aplicarse al
colector sin dañar al transistor. Suele venir especificada por los fabricantes. La tensión
inmediatamente superior a dicho valor máximo se llama tensión de ruptura, la cual produce una
corriente muy elevada debido a que rompe la estructura cristalina del transistor, destruyéndolo.
La tensión de ruptura es tanto menor cuanto mayor es la corriente de base.
4
ANALÓGICA
Fig. 3. Curva característica del Transistor BJT
La zona de funcionamiento posible aparece señalada en la figura 3. Está comprendida entre la

región de saturación, la región de corte, la región de ruptura y la línea de máxima disipación de
potencia en el colector.
Configuraciones Básicas de los transistores BJT
A continuación se exponen las tres formas básicas en que se puede usar un transistor de
unión bipolar (BJT). En cada caso, un terminal es común tanto para la señal de entrada
como para la de salida. Todos los circuitos que se muestran aquí están sin circuitos de
polarización y fuentes de alimentación para mayor claridad.
Figure 4. Configuración Emisor común
Aquí el terminal emisor es común tanto para la señal de entrada como para la de salida. La
disposición es la misma para un transistor PNP. Este circuito tiene las ventajas de una
impedancia de entrada media, una impedancia de salida media, una ganancia de alto voltaje
y una alta ganancia de corriente.
Figure 5. Configuración Base común
5
ANALÓGICA
Aquí la base es el terminal común. Usado frecuentemente para aplicaciones de RF, esta
etapa tiene las siguientes propiedades. Baja impedancia de entrada, alta impedancia de
salida, ganancia de corriente unitaria (o menos) y ganancia de alto voltaje.
Figure 6. Configuración Colector común
La señal de entrada aplicada en la base se "sigue" muy de cerca en el emisor con una
ganancia de voltaje cercana a la unidad. Las propiedades son una alta impedancia de
entrada, una impedancia de salida muy baja, una ganancia de voltaje de unidad (o menos) y
una ganancia de corriente alta. Este circuito también se usa ampliamente como impedancia
de conversión de "búfer" o para alimentar o conducir cables largos o cargas de baja
impedancia
6
ANALÓGICA
Polarización por medio del

Polarización Fija Polarización de emisor
divisor de voltaje
Vcc Vcc Vcc
RB RC RB RC R1 RC
β β β
RE R2 RE
Realimentación del
Base Común Emisor seguidor
colector
β Vcc
RC
RE RC
β
VEE VCC
RB
RB
RE β
-VEE
RE
Figure 7. Configuraciones de polarizaciones del transistor BJT
7
ANALÓGICA
Transistores de efecto de campo de unión JFET
El tensistor de efecto de campo de unión JFET es un dispositivo semiconductor que controla

un flujo de corriente por un canal, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la
trayectoria de la corriente.
Está compuesto de tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT.
Los transistores JFET pueden ser de 2 tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la

aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o
no conducción, respectivamente.
JFET tipo N JFET tipo P
Composición
El transistor JFET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan
dos regiones con impurezas tipo P que están unidas entre sí.
Funcionamiento
Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de

drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o
gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg). A mayor voltaje -Vgg, más
angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador (drain) al
terminal fuente o source.
El JFET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a fuente
(Vgg) causan que varíe el ancho del canal físicamente.
El JFET "canal P" está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos
se sitúan dos patillas de salida (drenador y fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje
de tipo N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí (puerta). Al aplicar una
tensión positiva (en inversa) VGS entre puerta y fuente, las zonas N crean a su alrededor
sendas zonas en las que el paso de electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas
de exclusión.
8
ANALÓGICA
Cuando esta VGS sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusión se extienden
hasta tal punto que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente
cortado. A ese valor de VGS se le denomina Vp.
En un JFET "canal N" en cambio las zonas p y n se invierten, y las VGS y Vp son positivas,
cortándose la corriente para tensiones mayores que Vp. Así, según el valor de VGS se
definen dos primeras zonas; una activa para tensiones negativas mayores que Vp (puesto
que Vp es también negativa) y una zona de corte para tensiones menores que Vp. Los
distintos valores de la ID en función de la VGS vienen dados por una gráfica o ecuación
denominada ecuación de entrada. En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el
transistor dará una salida en el circuito que viene definida por la propia ID y la tensión entre
el drenador y la fuente VDS. En el gráfico de salida, o curva característica de los JFET se
distinguen las dos zonas de funcionamiento activas: óhmica y saturación.
Figura 8. Curva característica del transistor JFET
Ecuaciones:
Todas las regiones
I D =I s
Region de Corte
Region Lineal
Region de extrangulamiento
Generalmente el valor de λ se puede despreciar

Principales circuitos de polarización del transistor JFET
9
ANALÓGICA
Figura 9. Circuito de Polarización
6. PROCEDIMIENTO
10
ANALÓGICA
5.1 Polarización Fija con dos fuentes (NPN)

Se requiere que los estudiantes comprueben el funcionamiento del circuito de polarización
fija del transistor BJT. Para esto es necesario revisar la teoría referente a este tema.
RC
RB 220Ω
Vcc VEE 15kΩ
15 V 7V
Q1
2N3904
Figure 10. Circuito de Polarización Fija con 2 fuentes del Transistor BJT.
Paso 1. En base al circuito de la figura 10, realice los siguientes cálculos:

-Corriente de base
-Corriente de Colector
-Voltaje Colector – Emisor
-Voltaje máximo y corriente de saturación.
Valores impuestos: RB=15KΩ, RC=220Ω , β=135
Paso 2. En base a los valores calculados en el paso 1, grafique la recta de carga e

indique claramente las zonas de corte, saturación y el punto de operación Q del
circuito.
Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia R B, un potenciómetro de 200KΩ y

completar la siguiente tabla:
RB(kΩ) VCE(V) IC(mA)
15,25 2,55 58
17,47 3,50 54
18,57 3,60 52,7
21,1 4,16 49,4
23,2 4,93 46,8
25,4 5,35 42,5
11
ANALÓGICA
27,9 6,4 38,7
47 9,52 24,3
100 12,22 11,6
200 14,9 5,8
Paso 4. Usando los valores de la tabla obtenida en el paso 3, trace la recta de carga del
circuito, determine e identifique los valores que están dentro de la zona de corte
y saturación.
Circuito 1
70
60
50
40
30
20
10
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16
Paso 5. Simular el circuito y tomar los valores de V CE y IC en la zona de corte y

saturación.
12
ANALÓGICA
5.2 Polarización por divisor de tensión (NPN): Se requiere que los estudiantes
comprueben el funcionamiento del circuito de polarización por partidor de tensión del
transistor BJT NPN. Para esto es necesario revisar la teoría referente a este tema.
Figure 11. Circuito de Polarización por divisor de tensión (NPN).

-Resistencia y voltaje Thevenin
-Corriente de base
Valores impuestos: R4=10KΩ, R5=9KΩ, RC=330Ω, β=30

circuito.
Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia de Thevenin indicada, y completar la

siguiente tabla:
RTH(kΩ) VCE(V) IC(mA)
8,4 0,17 76,6
9 0,16 77,6
9,15 0,17 76,03
9,3 0,17 76,5
13
ANALÓGICA
9,52 0,17 76,8
9,65 0,17 76,6
9,9 0,17 76,5
10,1 0,22 75,9
10,25 0,22 75
10,57 0,22 75,6
y saturación.

saturación.
5.3 Autopolarización (PNP): Se requiere que los estudiantes comprueben el

funcionamiento del circuito de autopolarización BJT PN. Para esto es necesario revisar la
teoría referente a este tema.
14
ANALÓGICA
Rc
330Ω
Rb
Vcc
-15 V 1kΩ Q1
2N3906
Figure 12. Circuito autopolarización (PNP).

-Corriente de base
Valores impuestos: RB=1KΩ, RC=330Ω, β=123

circuito.
Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia de Base un potenciómetro de 1MΩ, y

R B (k) VCE (V) I C (mA)
1,65 -2,22 -0,04
7,23 -2,36 -0,03
14,55 -3,48 -0,02
28,81 -4,85 -0,02
45,6 -6,01 -0,01
54,9 -6,52 -0,01
71,1 -14,8 -0,01
181 -10,03 -0,01
15
ANALÓGICA
226 -10,34 -0,01
460 -14,88 -0,01
800 -13,14 -0,01
y saturación.
Circuito 3
0
-16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2 0
0
-0.01
-0.02
-0.02
-0.03
-0.03
-0.04
-0.04
-0.05

saturación.
5.3 Polarización Fija con una fuente y resistencia de Emisor NPN: Se requiere que los
estudiantes comprueben el funcionamiento del circuito de polarización fija con una fuente y
resistencia de emisor NPN. Para esto es necesario revisar la teoría referente a este tema.
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ANALÓGICA
Rc
Rb 500Ω
Vcc 40kΩ
15 V Q1
2N3904
RE
220Ω
Figure 13. Circuito autopolarización (PNP).

-Corriente de base
Valores impuestos: RB=40KΩ, RC=500Ω, RE=220Ω, β=50

circuito.
Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia de Base un potenciómetro de 1MΩ, y

R B (k) VCE (V) I C (mA) )
44,1 0,14 0,19
58,8 0,17 0,19
64,8 0,19 0,18
75,1 0,22 0,18
98,4 0,59 0,18
119,2 1,07 0,17
17
ANALÓGICA
164,2 3,45 0,15
209,5 5,37 0,12
314 7,8 0,09
915 12,18 0,03
y saturación.
Circuito 4
0.2
0.18
Z
s 0.16
a 0.14
t 0.12
u 0.1
r
0.08
a
c 0.06
i 0.04
o 0.02
n 0 Zona de corte
0 2 4 6 8 10 12 14

saturación.
18
ANALÓGICA
5.4 Diseñar, calcular y realizar los siguientes circuitos de polarización del JFET, el punto de
funcionamiento debe estar más o menos en el centro de la zona lineal.
Paso 1. Diseñar un circuito de autopolarizacion usando los transistores JFET, para un

voltaje VDD= 15Vcc y una corriente ID = 2mA. Tome en consideración que el punto de
funcionamiento del circuito debe estar en la zona lineal.
Paso 2. Realizar los cálculos de los valores de resistencias a emplear.
Paso3. Grafique la recta de carga donde se indique el punto de operación.
Paso 4. Realice la simulación del circuito
19
ANALÓGICA
Paso 2. Diseñar un circuito de polarización por divisor de tensión usando los

transistores JFET, para un voltaje V DD= 15Vcc y una corriente ID = 2mA. Tome en
consideración que el punto de funcionamiento del circuito debe estar en la zona lineal.
Paso 2. Realizar los cálculos de los valores de resistencias a emplear.
Paso3. Grafique la recta de carga donde se indique el punto de operación.
Paso 4. Realice la simulación del circuito
7. CALCULOS Y RESULTADOS
Al realizar los cálculos se obtienen los valores con un rango de similitud los cuales pueden
variar por diferentes causas como la medición incluso los materiales que no resultan ser
optimos para la practica
8. Preguntas
7.1 Los transistores BJT son transistores de unión bipolar controlados por:
a) Voltaje
b) Corriente
c) Voltaje y corriente
d) La ganancia β
7.2 Seleccione el enunciado correcto:
a) Un transistor NPN para su correcto funcionamiento recibe un voltaje positivo en

el colector y un voltaje positivo en la base; en transistor PNP en cambio recibe
un voltaje positivo al emisor y uno negativo a la base.
b) Un transistor NPN para su correcto funcionamiento recibe un voltaje negativo en
el colector y un voltaje positivo en la base; en transistor PNP en cambio recibe
un voltaje positivo al emisor y uno positivo a la base.
c) Tanto el transistor NPN como el PNP tienen el mismo funcionamiento
7.3 ¿Cuál es la principal diferencia entre un transistor BJT y un JFET?
a) Los transistores BJT necesitan un voltaje en la base que permite regular la

corriente en el colector, en cambio los transistores JFET son accionados y
controlados por medio de la aplicación de una tensión entre la puerta y la fuente.
b) Los transistores BJT necesitan una corriente de base que permite regular la
corriente en el colector, en cambio los transistores JFET son accionados y
controlados por medio de la aplicación de una tensión entre la puerta y la fuente.
c) Tanto los transistores BJT como los JFET son controlados por medio de una
corriente aplicada a la base y a la puerta, respectivamente.
20
ANALÓGICA
d) Loa transistores BJT se usan en aplicaciones de corriente continua y los JFET en

aplicaciones de corriente alterna.
7.4 Indique 3 aplicaciones en las cuales se empleen los transistores BJT y 3 en
las cuales se emplee los transistores JFET.
BJT:
 Amplificación.
 Conmutación, actuando como interruptor.
 Generación de señales.
JFET:
 Construcción de osciladores para generación de formas de onda cuadrada a
determinada frecuencia.
 Aislador o separador (buffer).
 Amplificador de RF.
9. CONCLUSIONES
Determinamos las regiones de corte y saturación en distintas configuraciones y con
diferentes circuitos. Los circuitos BJT al aumentar y controlar corrientes y disminuir
voltajes, se comportan como amplificadores o conmutadores; mientras que los JFET,
son controlados por voltajes, mas no necesitan una corriente de polarización.
10. BIBLIOGRAFIA
[1] Robert L. Boylestad; Louis Nashelsky, “Electrónica: Teoría de Circuitos y

Dispositivos Electrónicos,” Décima Edición. Editorial Pearson Education. 2009.
[2] Universidad del país vasco. (2010, 12 Jan). EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR BJT
(Bipolar Junction Transistor). [Weblog]. Retrieved 24 March 2017, from
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/teoria/tema-
4-teoria.pdf
[3] Harvard. (2001, 7 nov). Basic BJT Amplifier Configurations. [Weblog]. Retrieved 23
March 2017, from
https://people.seas.harvard.edu/~jones/es154/lectures/lecture_3/bjt_amps/bjt_amps.ht
ml
[4] Allaboutcircuits. (2015, 26 Jun). The Common-emitter Amplifier. [Weblog].
Retrieved 23 March 2017, from
https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-4/common-emitter-
amplifier/
[5] Ut dallas. (2010, 2-Jun). Lab 4: BJT Amplifiers – Part I. [Weblog]. Retrieved 24
March 2017, from
http://www.utdallas.edu/~yxc101000/courses/3111Lab/handouts/Lab 4.pdf
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INGENIERIA MECATRÓNICA

TEMA: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT y JFET

6 07/02/2019 Pablo Piña – Jonnathan Sanchez

TIEMPO: 2hr RESPONSABLE: Ing. Mónica Romero Msc.

 Comprobar el funcionamiento de los diferentes circuitos de polarización de los

1.2. Objetivos Específicos:

 Obtener la recta de carga y el punto de trabajo Q de los transistores.

 Demostración del docente de la utilización y manejo del dispositivo de práctica

Equipos Accesorios Materiales

5. FUNDAMENTO TEORICO (tomado de [1], [3], [4], y [5])

5.1. TRANSISTOR BJT

Un transistor está constituido por 3 porciones de semiconductores. Según su construcción cabe

Figura 1. Símbolo del transistor NPN y transistor PNP

5.2. Estructura interna

Como ya se mencionó anteriormente un transistor se halla estructurado de dos maneras:

5.4. Curva de Trabajo de un Transistor BJT

En la curva de trabajo de un transistor cabe destacar los siguientes puntos:

 Frecuencia de Corte: Es la correspondiente a punto en el cual la ganancia de corriente

 Corriente de Corte: Es la corriente que circula por el circuito de colector, debida a la

Fig. 2. Parámetros importantes del transistor BJT

Fig. 3. Curva característica del Transistor BJT

La zona de funcionamiento posible aparece señalada en la figura 3. Está comprendida entre la

Configuraciones Básicas de los transistores BJT

Figure 4. Configuración Emisor común

Figure 5. Configuración Base común

Figure 6. Configuración Colector común

Polarización por medio del

Vcc Vcc Vcc

Figure 7. Configuraciones de polarizaciones del transistor BJT

Transistores de efecto de campo de unión JFET

El tensistor de efecto de campo de unión JFET es un dispositivo semiconductor que controla

Los transistores JFET pueden ser de 2 tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la

JFET tipo N JFET tipo P

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. El terminal de

Figura 8. Curva característica del transistor JFET

Generalmente el valor de λ se puede despreciar

Figura 9. Circuito de Polarización

5.1 Polarización Fija con dos fuentes (NPN)

Paso 1. En base al circuito de la figura 10, realice los siguientes cálculos:

-Voltaje Colector – Emisor

-Voltaje máximo y corriente de saturación.

Valores impuestos: RB=15KΩ, RC=220Ω , β=135

Paso 2. En base a los valores calculados en el paso 1, grafique la recta de carga e

Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia R B, un potenciómetro de 200KΩ y

RB(kΩ) VCE(V) IC(mA)

18,57 3,60 52,7

21,1 4,16 49,4

23,2 4,93 46,8

25,4 5,35 42,5

27,9 6,4 38,7

100 12,22 11,6

200 14,9 5,8

Paso 5. Simular el circuito y tomar los valores de V CE y IC en la zona de corte y

Figure 11. Circuito de Polarización por divisor de tensión (NPN).

Paso 1. En base al circuito de la figura 11, realice los siguientes cálculos:

-Voltaje Colector – Emisor

-Voltaje máximo y corriente de saturación.

Valores impuestos: R4=10KΩ, R5=9KΩ, RC=330Ω, β=30

Paso 2. En base a los valores calculados en el paso 1, grafique la recta de carga e

Paso 3. En el circuito colocar en la resistencia de Thevenin indicada, y completar la