Como Se Fabrica Un Circuito Integrado

¿Como se fabrica un Circuito
Integrado?
L os circuitos eléctricos se fabrican en silicio se utiliza como materia prima silicio
de alta pureza anteriormente se utilizaba germanio, pero es muy escaso. El
proceso de fabricación comienza por la producción de un cilindro de Silicio de
altísima pureza (99.9999%). Éste se produce mediante el proceso de Czochralsky(ver
Figura 1) en el cual se sumerge una pieza pequeña de Silicio cristalino en un
recipiente de cuarzo, que contiene Silicio de alta pureza derretido. La pieza de Silicio
cristalino se comienza a rotar a la vez que se eleva, y con un adecuado control de la
temperatura, la velocidad de rotación y la elevación, se logra producir un cilindro
cristalino. Una vez producido este cilindro, se cortan del mismo las obleas o wafers
en forma de rodajas. Las obleas tienen menos de 1mm de espesor.
Figura 1. Breve explicación del proceso Czochralski
Una vez cortada la oblea de Silicio, sobre ésta se pueden realizar distintos pasos para
producir los circuitos integrados. El proceso de fabricación de circuitos integrados
consta de operaciones sucesivas de colocación de material y remoción selectiva sobre
toda la oblea. Comenzando por la oblea original de Silicio, una a una, se van
depositando capas de material, las cuales se tallan mediante un procedimiento que se
denomina litografía y que define en qué lugares de la oblea el material debe quedar
y en cuáles se debe remover. En el caso de las impurezas se realiza mediante procesos
de difusión o bombardeo de iones.
La fabricación de un circuito integrado requiere de la colocación de material sobre la
oblea y la remoción selectiva.
Litografía
En la primera etapa se dopa regiones particulares de la oblea con un material barrera
que cubra la oblea y defina huecos en donde pueden pasar las impurezas. Es preciso
utilizar también un material barrero que provea aislación entre los distintos niveles de
metal y el sustrato de Silicio, y definir a su vez los huecos para interconectar los
metales entre sí, o con el Silicio.
El proceso de tallado del material barrera comienza con la deposición sobre la oblea
completa de un material sensible a la luz, denominado material fotoresistivo. Se utiliza
una máscara que posee un patrón a transferir, primero se transfiere el patrón de la
máscara al material fotoresistivo. Luego, se utiliza un agente químico que remueve el
material barrera en las aberturas definidas mediante la máscara, transfiriendo así el
patrón al material barrera. Este proceso se repite varias veces hasta definir el último
nivel de metal del proceso.
El proceso fotolitográfico
La oblea debe de limpiarse para remover todas las impurezas que se haya depositado
sobre la superficie, como por ejemplo elementos orgánicos, inorgánicos, impurezas
metálicas y óxido que inevitablemente surge del contacto entre el Silicio y el oxígeno
del aire. La oblea se expones a soluciones químicas como ácido fluorhídrico. Los
materiales utilizados como barrera, el primero que se utiliza una vez limpia la oblea
es el óxido térmico (SiO2), polisilicio, oxido y metales.
El material fotoresistivo tiene consistencia de líquido o gel y se aplica sobre la oblea,
luego de lo cual se pone a rotar a una velocidad por algunos minutos. De esta manera
se logra depositar una capa homogénea de material sobre toda la oblea. Después se
introduce la oblea en un horno y se mantiene a una temperatura cercana a los 90°C
por un lapso aproximado entre 10 min y 30 min. Este paso mejora la adhesión del
material fotoresistivo y elimina el solvente presente en el gel.
Una vez completado este proceso, se alinea la máscara con respecto a la oblea y se
expone a una fuente intensa de luz como el uso de luz ultravioleta extrema que ayuda
reducir la longitud de onda aún más, de manera de poder reducirlas dimensiones a
tallar sobre la oblea. El material fotoresistivo puede ser de dos clases: positivo o
negativo. Si es positivo, entonces la parte expuesta a la luz mediante la máscara es la
parte para remover. Si el material es negativo, la parte no expuesta a la luz es la parte
para remover. A continuación, se remueve el material fotoresistivo sensibilizado
utilizando una solución provista. Este proceso se denomina revelado y deja expuesto
el material barrera debajo del material fotoresistivo en las aberturas definidas por la
máscara. Luego del revelado, se somete la oblea a otro proceso de calentamiento
(hard-baking) a una temperatura entre 120°C y180°C por unos 20 min o 30 min, lo
cual mejora la adhesión al sustrato y endurece el material fotoresistivo.
Remoción
La remoción (etching) del material barrera se logra exponiendo la oblea cubierta por
el material fotoresistivo endurecido a un agente líquido o gaseoso que es capaz de
atacar al material barrera mucho más rápido que al material fotoresistivo.
Cuando el agente es líquido, el proceso se denomina remoción húmeda. se sumerge
la oblea en una solución con ácido fluorhídrico, la cual remueve el óxido. Este proceso
depende sensiblemente de la temperatura, por lo cual esta variable se controla
cuidadosamente. Este proceso es isotrópico, es decir que ataca el Silicio en todas las
direcciones, produciendo una remoción del material por debajo de la barrera (ver
Figura 2).
Figura 2. Remoción
Cuando el agente es un gas, el proceso se denomina remoción seca. En la remoción
seca por sputtering se utilizan iones de un gas noble para bombardear la oblea y
desprender el material barrera.
A diferencia de la remoción húmeda, la remoción seca es altamente isotrópica, solo
produce remoción en la dirección perpendicular a la superficie de la oblea (ver Figura
3)
Figura 3. Proceso de transferencia de un patrón: a) Sustrato de Si con una capa de

óxido y material fotoresistivo; b) Exposición a una fuente de luz a través de la
máscara; c) Sustrato con patrón transferido al material fotoresistivo; d) Exposición
a un agente químico parala remoción del óxido expuesto; e) Patrón transferido al
óxido; f) Sustrato con el patrón transferido al óxido luego de la remoción del
material fotosensible
Mascaras
La máscara se cubre con el patrón que se desea transferir a la oblea, el cual se realiza
con una película de metal como Cromo. Las máscaras se realizan mediante litografía
de rayos de electrones, que es un proceso de alta precisión, lento y costoso .las
imágenes para realizar las máscaras se obtienen directa o indirectamente a partir de
los dibujos realizados por el diseñador de circuitos integrados. Es necesario tener en
cuenta que cada paso del proceso de litografía requiere de una máscara individual.
Cada una de estas máscaras, también denominadas retículas, se produce con una
escala. Este factor de magnificación, que permite aumentar la precisión de la máscara
y reducir los efectos de las imperfecciones, luego se compensa mediante lentes
ópticos. Luego un aparato denominado stepper se encarga de proyectar luz a través de
la retícula sobre la oblea. Mediante sistemas de posicionamiento de altísima precisión,
el stepper va trasladando la oblea, posicionándola por debajo de la retícula y
exponiéndola, hasta cubrir toda la oblea. Existen tres técnicas para transferir el patrón
de la retícula a la oblea. Antiguamente, se hacía por medio de impresión de contacto,
lo que requería que la máscara contactara físicamente la superficie de la oblea. Esto
producía desgaste de la máscara y reducía su vida útil. En la actualidad, se utiliza la
técnica de impresión de proximidad donde no hay contacto entre la máscara y la oblea,
o la técnica de impresión proyectada donde la luz concentrada pasa por un primer
lente antes de pasar a través de la máscara y luego se focaliza mediante un segundo
lente sobre la superficie de la oblea.

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