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Electronica 1 Final Electronica 1 Tercer Cuat 2021

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Jeremy Chavez Cerron

Este examen final de Electrónica 1 contiene 3 preguntas relacionadas con circuitos MOSFET, amplificadores de transistor y el proceso de fabricación de circuitos integrados. La primera pregunta incluye cálculos sobre un circuito MOSFET. La segunda pregunta analiza un amplificador de transistor determinando puntos de operación, ganancias, potencias y eficiencia. La tercera pregunta es opcional y pide explicar los principales pasos en la fabricación de circuitos integrados.

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Título original

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Universidad Internacional de las Américas

Ingeniería Electromecánica
Curso: Electrónica 1
Código: EM-24
Examen Final
3er, Cuatrimestre 2021
Puntaje total de la prueba: 120 puntos Valor porcentual de la prueba: 35%
Nombre del Profesor: Ing. Adolfo Arias Echandi
Nombre del Estudiante:

Instrucciones generales

1. Apagar teléfono celular, Palm, Ipod y cualquier dispositivo electrónico con acceso
a internet. Colocarlos en su bolso o debajo de su pupitre.
2. Uso de gorras, anteojos oscuros no está permitido durante la aplicación de
exámenes.
3. No se permite ingerir agua, refrescos o alimentos durante la aplicación de los
exámenes.
4. Durante los diez minutos de inicio de la prueba pueda hacer consultas sobre la
transcripción o redacción de la prueba. Transcurrido ese tiempo no se aceptan
consultas.
5. El examen debe resolverse, de manera ordenada y limpia, en el cuadernillo
oficial de exámenes. Debe usar – salvo indicación contraria – sólo tinta azul o
negra.
6. La utilización correcta de las reglas ortográficas es parte de la prueba y se
rebajarán puntos de la calificación si aparecen errores de este tipo.
7. No se podrá abandonar el aula hasta tanto haya entregado el examen y firmado
el acta respectiva.
8. En caso de copia o fraude se aplicarán las normas establecidas al efecto por la
Universidad.

Universidad Internacional de las Américas


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Pregunta 1. ( 45 puntos )

Para el siguiente circuito con MOSFET de enriquecimiento de canal N:

12V

Id RD
R1
VO

VI R2

Si k= 1ma/V2 , VGS(TH)= 1V, rds=33K

a. (15%) Si VGS=3V y VDSQ=2V, determine IDSQ, y el valor de RDS.


b. (10%) Calcule R1 y R2 para una IDSQ de 2ma.
c. (20%) Calcule gm, y la ganancia Av=Vo/Vi.

Universidad Internacional de las Américas


2
Pregunta 2. (50 puntos)

Para el siguiente circuito:

Zi
1K
10K

Zo

Vo

10K
2K
RL=2K
Vi

-10V

La ganancia de lazo abierto del transistor es B=120. Calcule:

a. (5%) El punto de operación del circuito.


b. (5%) Las rectas de carga DC y AC así como la magnitud de la
máxima fluctuación simétrica en la corriente del colector.
c. (10%) La Ganancia Híbrida Aiv = IL/Vi.
d. (5%) La impedancia de entrada ZI y la de salida Zo.
e. (10%) La potencia en las resistencias de colector: R1K, R2K, RL.
f. (10%) La potencia en la fuente de alimentación y en el transistor.
g. (10%) Determine la eficiencia máxima del circuito y el factor de
calidad.

Pregunta 3 . (20 puntos)

Opcional: conteste a las siguientes preguntas:

a. (20%) Enuncie brevemente los principales pasos en el proceso de


fabricación de un circuito integrado y explíquelos en forma resumida.

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