Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET) y transistores bipolares (BJT). Explica que los FET son controlados por voltaje mientras que los BJT son controlados por corriente. También compara las ganancias de los amplificadores BJT y FET, y describe algunas aplicaciones comunes de los amplificadores operacionales como filtros y buffers.
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Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET) y transistores bipolares (BJT). Explica que los FET son controlados por voltaje mientras que los BJT son controlados por corriente. También compara las ganancias de los amplificadores BJT y FET, y describe algunas aplicaciones comunes de los amplificadores operacionales como filtros y buffers.
Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET) y transistores bipolares (BJT). Explica que los FET son controlados por voltaje mientras que los BJT son controlados por corriente. También compara las ganancias de los amplificadores BJT y FET, y describe algunas aplicaciones comunes de los amplificadores operacionales como filtros y buffers.
Este documento describe los diferentes tipos de transistores, incluyendo transistores de efecto de campo (FET) y transistores bipolares (BJT). Explica que los FET son controlados por voltaje mientras que los BJT son controlados por corriente. También compara las ganancias de los amplificadores BJT y FET, y describe algunas aplicaciones comunes de los amplificadores operacionales como filtros y buffers.
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UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO
ABAD DE CUSCO DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE ING. ELECTRONICA E.P ING. MECÁNICA ELECTRÓNICA TEMA: UNIDAD 4: TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO “FET”, AMPLIFICADORES
RESUMEN: ING. CHRISTIAN VÁSQUEZ GAMARRA
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, en tanto que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Así como hay transistores bipolares npn y pnp, también existen transistores de efecto de campo de canal n y de canal p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar; el prefijo “bi” indica que el nivel de conducción es una función de dos portadores de carga, electrones y huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende no sólo tanto de la conducción de electrones (canal n) como de la condición de huecos (canal p). Las ganancias de voltaje de corriente alterna (AC) típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que para los FET’s. Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI). Simbología CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERENCIA
Ecuación de Shockley
El término al cuadrado en la ecuación produce una relación no lineal entre ID y VGS, la cual genera una curva que crece exponencialmente con la magnitud decreciente de VGS. Método abreviado
Término relacionado a la amplificación: Ganancia Algunas consideraciones:
• Si la señal tiene ruido, el amplificador trabajará amplificando el conjunto
• El objetivo es llevar información desde un la salida del sensor a otro punto. • Sólo incrementamos el nivel de potencia • Si se desea amplificar una señal comprendida entre 0 y 1mV y llevarla de 0 a 10V -> el ruido ocurre en cualquier punto, su importancia es menor cuanto mayor sea el nivel de la señal, ejm:
Si el ruido produce una tensión de 0.1 mV con una señal de 1mV y 1V ---> Pérdida de la relación Adquiere menos importancia
• La pérdida es cada vez menor, por que la potencia de la señal aumenta
• Si la señal es mayor, los ruidos en el circuito resultan menor • La relación S/N es importante cuando se trabaja con amplificadores OPAMP
Si R1=R3 y R2=R4 Vin=V+=V-
Va V+=V-
La Vin = Vout
Aplicaciones: Buffers para circuitos lógicos Filtros Al construir filtros de varias etapas se utiliza para aislar las etapas del filtro entre sí. Activos Despejando Vout
