Universidad Técnica Federico Santa Marı́a

Fisica Electrónica
FIS-290
17 Agosto 2016

Fotodiodo BPW34 como receptor de

radiación
Luis Padilla González

Profesor: Viktor Slusarenko / Rene Rios.

Índice
1. Introducción 2

2. Fotodetectores 3
2.1. Fotoconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2.2. Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
2.3. Fotodiodo PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.3.1. BPW34 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

3. Desarrollo experimental 9
3.1. Circuito detector de radiación . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
3.2. Costos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
3.3. Arreglo en Silab . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3.4. Resultados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.4.1. Experimento 1: Infrarrojo . . . . . . . . . . . . . . . . 13
3.4.2. Experimento 2: Linterna LED rojo . . . . . . . . . . . 14
3.4.3. Experimento 3: Laser verde . . . . . . . . . . . . . . . 15
3.4.4. Experimento 4: Fuente radiación gamma . . . . . . . . 16

4. Conclusiones 20

1
1. Introducción
Hace un tiempo lei un articulo (ver referencia [1]) de una pagina de pro-
yectos electronicos Alemana, Burkhard Kainka, donde utilizaban el fotodio-
do BPW34 para medir radiación gamma desde distintas fuentes tales como:
manecillas luminosas de reloj antiguo, tubo de descarga con gas radiactivo io-
nizante, muestras de mineral con contenido de uranio y más. Estos resultados
llamaron mi atención inmediatamente y me generaron muchas preguntas...
Si la probabilidad de absorción de rayos gamma es proporcional al grosor del
material, ¿cómo un detector de 3 [mm] de espesor podia cumplir este propo-
sito? Los fotones gamma no se molestarian en atravesar tan delgado material
de silicio, y en caso de conseguirlo la eficiencia debia ser pequeña. Es más, la
eficiencia relativa de detección de este fotodiodo se centra en el rango visible
y cerca de infrarojo, ¿como se lograba detectar radiacion de longitudes de
onda bien lejanas a la sensibilidad espectral del dispositivo?

Fue entonces cuando decidi realizar el experimento para tratar de enten-

der estas y otras preguntas sobre la detección de radiacion gamma utilizando
un diodo p-i-n. Por esta razón este informe inicia con un analisis fisico en gran
parte cualitativo sobre como funciona un diodo de juntura p-i-n. Luego se ha-
blará sobre algunas caracteristicas generales del fotodiodo BPW34 antes de
ver una serie de experimentos realizados en el Laboratorio de espectrometria
de rayos gamma de la universidad (SiLab), pasando por deteccion de radia-
cion en rango visible, infrarojo y finalmente radiacion gamma, usando como
base el circuito receptor de radiación utilizado en el articulo de Kainka[1]
además de los costos asociados para jugar con el dispositivo mismo.

2
2. Fotodetectores
Hay muchos dispositivos semiconductores que pueden ser usados para
detectar la presencia de fotones. Estos dispositivos se conocen como fotode-
tectores; convierten señales opticas a señales electricas. Cuando un exceso
de huecos (portadores de carga positiva) y electrones (portadores de carga
negativa) se genera en un semiconductor, hay un incremento en la conducti-
vidad de material y por lo mismo un aumento en la densidad de corriente a
traves del semiconductor, obteniendo asi alguna salida de voltaje. Este cam-
bio en la conductividad debido a flujo incidente de fotones es el principio de
funcionamiento de uno de los dispositivos fotodetectores; el fotoconductor.

2.1. Fotoconductor
El fotoconductor, fotoresistor o LDR (resistor dependiente de luz por sus
siglas en inglés), figura 1, se basa en este cambio de conductividad conocido
como fotoconductividad.

Figura 1: esquema de un foto conductor

Generando una fotocorriente Iph que depende directamente de una ga-

nancia Γph dada por:

Iph = Γph G(eDW L) (1)

con
τp µp
Γph = (1 + ) (2)
tn µn

3
, donde G es la tasa de generacion de exceso de portadores de carga en
[cm−3 s−1 ], e la carga del electrón y µn,p son las mobilidades de los electrones
y huecos respectivamente. Además la ganancia es funcion de la razón entre
el tiempo de vida (por recombinación) de el exceso de portadores de carga
τp , y el tiempo que le toma a un electón fluir a través del fotoconductor
tn . Esta razón, o ganancia puede variar aproximadamente entre 10−4 a 105 .
Para ver con mayor detalle de donde viene esta ganancia ver referencia [2].
Lo importante es que hay un claro compromiso entre ganancia; que pase
un mayor tiempo antes de que exista recombinación entre portadores de
carga (τp >> tn ), y velocidad; que la corriente persista en el circuito por
menos tiempo (τp << tn ). En general, debido a este compromiso ganancia
v/s velocidad, el despeño del fotodiodo es superior al fotoconductor.

2.2. Fotodiodo
Un fotodiodo es un diodo de juntura pn operado con un voltaje de polari-
zación inversa, Figura 2. Esto provoca una zona depletada más ancha que de
la juntura normal, donde el exceso de portadores de carga generados debido
al flujo incidente de fotones son sacados rápidamente de la zona depletada,
electrones se van a la region n y huecos hacia la region p, aportando una
fotocorriente al circuito de ganancia unitaria (Γph = 1).

Figura 2: juntura pn polarizada en inversa con voltaje externo

4
 La velocidad de respuesta de un fotodiodo queda limitado entonces por
el tiempo de transito (tn ) de los electrones, a través de la region de espacio
de carga. Si asumimos una velocidad saturada de arrastre (debido a campo
electrico) de 107 [cm/s] y un ancho de zona depletada de 2[µm], el tiempo de
tránsito es t = 20[ps]. La frecuencia de modulacion ideal tiene un periodo
de 2t, por lo que la frecuencia es f = 25[Ghz]. Esta respuesta en frecuencia
es sustancialmente mayor a la de los fotoconductores. Sin embargo, no solo
corriente de arrastre aporta a la fotocorriente del circuito, sino que tambien
existe una componente debido a difusión de exceso de portadores de carga
generados cerca de la zona depletada. El tiempo de respuesta de estos porta-
dores de carga minoritaria hacia la zona depletada es relativamente lenta. Es
por esto último que en los fotodiodos, la componente de difusión de la fotoco-
rriente se le conoce como fotocorriente retrasada. Para mas detalles ver más
detalles sobre fotoconductividad, fotocorriente y ganancia, ir a referencia [3].

2.3. Fotodiodo PIN

En muchas aplicaciones de fotodetección (y como los experimentos en
este informe), la velocidad de respuesta es importante; por lo tanto la fotoco-
rriente debido a arrastre (campo eléctrico) generada en la zona de espacio de
carga es la única fotocorriente de interés. Para aumentar la sensibilidad del
fotodetector, el ancho de la región depletada debe ser lo mas larga posible.
Esto se puede lograr en un fotodiodo PIN.

Figura 3: Operación de fotodiodo a)vista transversal de fotodiodo p-i-n b)

Modelo de bandas de energı́a bajo polarización inversa

5
 El diodo PIN consiste en una region p y una region n separadas por
una region intrinseca (figura 3a). El ancho de la región intrinseca es mucho
más larga que la zona de espacio de carga de una juntura pn normal. Si
un voltaje es aplicado en inversa al diodo PIN (fotodiodo PIN), la zona de
espacio de carga se extiende completamente a traves de la región intrı́nseca,
generando un campo eléctrico casi constante (Fig. 4d ). Es por esto último
que la fotocorriente de arrastre es mucho mayor a la de un fotodiodo regular.
Para saber más sobre la estructura, caracteristicas y aplicaciones del diodo
PIN, visitar referencia [4].

Figura 4: a)estructura p-i-n b)perfil de impurezas c)distribución de espacio

de carga d)campo eléctrico

6
2.3.1. BPW34
Como uno de los objetivos principales en este informe es la de detectar
radiación gamma, la elección del fotoconductor con mejor velocidad de res-
puesta es el que nos interesa. A continuación se daran a conocer algunos
aspectos básicos del BPW34 en base al datasheet de Vishay Semiconductors
(referencia [5]).

Figura 5: bpw34 fotodiodo p-i-n

Dimensiones (L x W x H en [mm]): 5.4 x 4.3 x 3.2

Area sensible a radiación: 7.5[mm2 ]

Rápidos tiempos de respuesta

Angulo se sensibilidad media: φ = ±65◦

Otros aspectos de funcionamiento se puede ver en [5]. Lo que más nos

interesa ahora, es que a este fotodiodo le acomoda trabajar en el rango visible
e infrarrojo. Esto lo podemos notar en la figura 6, que es un gráfico de la
eficiencia relativa de detección en función de la longitud de onda.

7
 Figura 6: Respuesta espectral del BPW34

Donde
λ
S(λ) = η [A/W ] (3)
1.24
se le conoce también como responsividad (λ en [µm]), mide la salida
eléctrica por entrada óptica. Si la potencia de la luz incidente es P0 , entonces
la responsividad (notar que ahora no es relativa), se puede definir como:
iph
S(λ) = (4)
P0
y ası́ :
iph
e
η= P0
(5)
hν
se tiene la eficiencia cuántica del fotodetector. En detectores de silicio η
está alrededor del 90 %.
Con este acercamiento a los aspectos generales del BPW34 y algunos
de los parámetros caracteristicos de un fotodiodo pin (ecuaciones 3,4 y 5),
veremos su respuesta a distintos tipos de radiación en un circuito tipico
amplificador.

8
3. Desarrollo experimental
3.1. Circuito detector de radiación
El circuito receptor que se utilizó se muestra en la figura 7. Este circuito
es prácticamente el mismo que el utilizado en el articulo de Kainka[1], con la
unica diferencia de que se han puesto dos BPW34 en paralelo para aumentar
el área colectora. La resistencia R1 utilizada en kainka es de 2.2[MΩ] para la
detección de radiación gamma. En los experimentos con luz visible e infra-
rrojo que se hicieron, R1 toma el valor de 330[Ω] para bajar la ganancia del
ciruito en el rango de mejor sensibilidad del fotodiodo.

Figura 7: Circuito amplificador

En la figura 8 se muestra el diseño del circuito impreso que se envió a

fabricar a Tectronix Viña del Mar, y en la figura 9 se muestran dos circuitos
con componentes soldadas previos a medición, uno para deteccion de radia-
ción en el rango visible/infrarrojo y otro para radiación gamma (cambio en
el valor de R1).

9
 Figura 8: PCB

Figura 9: Dispositivos receptores

3.2. Costos
Cada PCB que se mandó a fabricar a Tectronix tiene un valor cercano
a los $4500. Además todas las componentes (figura7) se pudieron encontrar
en GlobalChile Electronica, por un total de $1770, donde lo mas caro (por
supuesto comparado con los demás componentes) son los fotodiodos BPW34

10
con un valor de $591 c/u. El costo total entonces de cada circuito de la figura
9 está alrededor de los $6300 (valores de los PCB pueden variar debido a
cantidad y/o tamaño ).

3.3. Arreglo en Silab

Las mediciones fueron realizadas en el Laboratorio de espectrometrı́a de
rayos gamma (SiliconLab) del departamento de fı́sica de la Universidad, con
la ayuda de René Rios. Ambos circuitos se pusieron en una caja negra como se
puede apreciar en la figura 10. Los colores verde, amarillo y negro representan
las salidas a osciloscopio, alimentación continua y tierra respectivamente.

Figura 10: receptor visible/IR (izquierda) y receptor gamma (derecha)

Se llevaron a cabo 4 experimentos distintos:

1. Se hizo incidir luz infrarroja desde un control remoto de televisión con-

vencional al primer circuito por la parte superior (agujero) de la caja
en dirección normal al los fotodiodos a una distancia de 2.5[cm].

2. Se hizo incidir luz roja desde una linterna LED al primer circuito bajo
las mismas condiciones anteriores.

11
 3. Se hizo incidir luz verde desde un laser de 200[mW] de potencia al
primer circuito bajo las mismas condiciones anteriores.

4. Se puso una fuente de Cs-137 (al extremo de un tubo foto multiplicador)

en la parte superior al segundo circuito (sin agujero) y con el agujero
del primer circuito tapado, tal que exista el menor ruido posible (luz
externa).

Figura 11: fuente emisora de radiación gamma en tubo fotomultiplicador

En la figura 11 se puede ver el tubo fotomultiplicador con la fuente de

Cesio-137 (figura 12).

12
 Figura 12: fuente emisora de radiación gamma

• N ota: Se trató de manipular estas fuentes el menor tiempo posible, de-

bido al evidente riesgo de la radiación sobre el cuerpo humano. El manipular
fuentes como el de la figura 12 algunas pocas horas tiene el equivalente en
daño biológico al de fumar un cigarrillo.

3.4. Resultados
3.4.1. Experimento 1: Infrarrojo
En la figura 13 se puede apreciar la salida al osciloscopio al mantener
presionado un botón del control remoto de televisión. En la figura se pue-
den observar cantidades como Vpp (voltaje peak-to-peak), voltajes maximos,
minimos y promedios (Vmax, Vmin, Vmedio).

13
 Figura 13: Respuesta del primer circuito a radiación IR

Se puede ver que la salida del circuito a radiación infrarroja es bastante

lineal despues de un breve periodo de haber pulsado un botón. Esto pone al
circuito en un buen punto de trabajo para radiaciones de mejor sensibilidad
del BPW34.

3.4.2. Experimento 2: Linterna LED rojo

En la figura 14 se puede observar la salida del sistema al encender la lin-
terna un breve periodo de tiempo (menor a 2[s]).
Esta salida es mucho menos lineal que el experimento anterior, pero es ne-
tamente porque la luz proviene de una fuente no polarizada a diferencia del
control remoto. También se puede observar que los peaks son ligeramente
mayores a la señal infrarroja, que despues de un breve periodo oscilaba bajo
los ± 1[V]. Esto último tiene sentido ya que son un poco más energeticos los
fotones que llegan al circuito.

14
 Figura 14: Respuesta del primer circuito a luz roja

3.4.3. Experimento 3: Laser verde

En la figura 15 se puede ver la respuesta del sistema al enviar un pulso
de luz verde (menor a 200[ms]).

Figura 15: Respuesta del primer circuito a luz verde

15
 De nuevo podemos notar que es cada vez mayor la altura del pulso (cer-
cano a 1.5[V]) a la salida del circuito, lo cual sigue haciendo sentido debido
a que se ha aumentado la energia de la radiación incidente. El pulso de luz
laser es mucho más limpio que el de infrarrojo ya que se podia iluminar di-
rectamente la zona de detección (fotodiodos en paralelo), no ası́ para el haz
de luz no polarizada roja.

3.4.4. Experimento 4: Fuente radiación gamma

En la siguiente figura se ve la salida del segundo circuito al estar conectado
a 9[V] continuos y dentro de una caja bien sellada. La señal de salida no
cambia si se remueve la fuente de radiación o si se agregan muchas más.

Figura 16: Respuesta del segundo circuito

En un principio se pensaba que era ruido, pero luego de envolver el circuito

mismo en cinta asilante además de sellar completamente la caja y con otra
extra encima para evitar luz externa (figura 17), la salida no cambiaba.

16
 Figura 17: Arreglo final para minimizar ruido

Se probo con voltajes de 12[V]-32[V] para ver si el ancho de la zona

depletada de cada fotodiodo podı́a influir, pero la salida no cambiaba. En el
osciloscopio, el tren de pulsos de la figura 16, parecia oscilar de un lado a
otro y con ninguna variación en la ampltud de voltaje (aun cuando se dejaba
por un tiempo prolongado sobre la caja al rededor de 5 fuentes emisoras de
radiacion gamma). En la figura 18, se observa la salida del circuito 2 al estar
dentro de la caja pero con la parte superior expuesta a luz visible.

17
Figura 18: Respuesta del segundo circuito al exponer parte superior de caja
a luz

Se puede notar que el ancho de los pulsos aumenta, y cuando el circuito

estaba completamente fuera de la caja (totalmente expuesto) la salida se ve
en la figura 19, no existiendo pulso alguno.

Figura 19: Respuesta del segundo circuito al exponer completamente el cir-

cuito a luz

18
 Al parecer el circuito respondia a medida que menos luz le llegaba (con
pulsos oscilantes de ancho decreciente a menor exposicion de luz), pero nada
de decaimientos gamma desde las fuentes.
Como último intento, se intentó hacer trigger (coincidencia) con el tu-
bo fotomultiplicador alimentado desde una fuente de alta tensión, al canal
2 (CH2) del osciloscopio y al mismo tiempo sobre el segundo circuito. El
resultado se puede ver en la figura 20, donde se aprecia un decaimiento de-
tectado por el fotomultiplicador, pero no para el circuito receptor, el cual
tiene cantos de bajada y de subida aleatorios sin correlación alguna entre los
decaimientos. Notar que en esta ultima figura la escala de voltaje se cambio
al igual que la escala de tiempo, por lo que la señal muestra sólo una fracción
de los pulsos vistos en la figura 16. Tambien se le hizo incidir la luz de los
ecperimentos 1, 2 y 3 pero no existieron distintos resultados a los obtenidos
para el segundo circuito.

Figura 20: decaimiento detecado por fotomultiplicador (en azul) vs salida

circuito receptor (amarillo)

19
4. Conclusiones
A pesar de que el fotodiodo p-i-n no tiene ganancia, comparado con
fotodetectores de alta ganancia tales como fotodiodos de avalancha o
fototransistores, tiene una mejor linealidad con la intensidad de luz
incidente como se pudo notar en los primeros 3 experimentos.

BPW34 es una alternativa atractiva debido a su bajo costo, estructura

simple, alta velocidad de respuesta, bajo voltaje y por la simplicidad
del circuito de polarización.

Sin embargo, no se pudieron replicar los resultados obtenidos en Kainka[1]

para detección de decaimientos gamma. Esto puede tener relación di-
rectamente con la resistencia R1 de la figura7. Es posible que debido
a esa resistencia, la ganancia del circuito sea muy pequeña (o muy
grande) como para que el circuito amplificador logre trabajar en zona
lineal.

A pesar de no haber conseguido la detección de radiación gamma, sı́ se

han reportado resultados utilizando el mismo fotodetector bpw34, el
cual es tambien conocido por su aplicación como detector nuclear. (ver
referencia [6]). Es por esto que queda pendiente lo siguiente:

1. Calcular la ganancia del circuito.

2. Simular el comportamiento de respuesta para el circuito detector
gamma.
3. Si se verifica la hipotesis de detección, volver a medir.
4. En base a las mediciones obtener eficiencia de detección.
5. Comparar con otras técnicas de detección gamma.

Se deja como obsequio al curso, dos dispositivos receptores para radia-

cion visible e infrarrojo (fig9) para cualquier propósito y tambien dos
PCB como los de la figura 8 sin soldar para algún futuro interesado
en continuar este juego. Finalmente agradecer al profesor del ramo y
ayudante del laboratorio por entregar herramientas y ayudas para el
desarrollo de este dispositivo con el que aprendı́ mucho.

20
Referencias
[1] Measure gamma rays with photodiode. Radiaton detector using BPW34
http://www.atom.univ.kiev.ua/2016/prof/yerm/prog logic/presentations/
khodnevych.pdf

[2] Semiconductor Optoelectronics by Prof. M. R. Shenoy, Department of

Physics, IIT Delhi. http://nptel.iitm.ac.in

[3] Donald Neamen. “An introduction to semiconductor devices”, Chapter

12.3

[4] Kwok K. Ng. “Complete guide to semiconductor devices”2nd edition,

Chapter 2.

[5] http://www.vishay.com/docs/81521/bpw34.pdf

[6] Kwok K. Ng. “Complete guide to semiconductor devices”2nd edition,

Chapter 55, section 5.2.

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