Cálculo del parámetro Inductancia

Dr. Humberto Verdejo

March 22, 2017

1 Cálculo de parámetros de lı́neas aéreas

2 Cálculo de Inductancia en un conductor

3 Caso multiconductor
Aplicación a dos conductores paralelos
Cálculo de la reactancia para una lı́nea monofásica

4 Caso de una lı́nea trifásica con transposiciones

5 Conceptos de RMG y DMG generalizados

6 Ejemplo de RMG y DMG generalizados

7 Conceptos de RMG y DMG generalizados

8 Esquema general para el cálculo de parámetros

Cálculo RMG y DMG para configuraciones complejas
Proceso para reducir

9 Uso de tablas para el cálculo de reactancia inductiva

Transformación de unidades
Cálculo de parámetros de lı́neas aéreas

Los parámetros tı́picos son los siguientes:

1. R: caracteriza las pérdidas R · I 2
2. L: caracteriza el efecto magnético
3. C : caracteriza el efecto de campo eléctrico
4. G : caracteriza el efecto de la pérdida de aislación

I R y L determinan Ż = R + jXL (Ω/km) (Elemento Serie)

I G y C determinan Ẏ = G + jBC (MΩ-km) (Elemento Paralelo)
Resistencia:
Ω · mm2
 
ρ · L(m)
m
R= (1)
A(mm2 )
Dependencia de la Temperatura:

RT = R0 · (1 + α0 · T ) (2)

Donde:
1
I = 234.5o C para el cobre recocido
α0
1
I = 228.0o C para el aluminio duro
α0
Corrección por Temperatura:

1
+ T2
α
RT 2 = 0 · RT 1 (3)
1
+ T1
α0
Resistencia Efectiva: es la que representa el conductor al paso de la
corriente alterna.
Efecto Skin: en corriente alterna la densidad de corriente no es uniforme
en la superficie del conductor.
En general:

dλ λ
L= ; si µ es cte: ⇒ L = [H] (4)
dt I

Consideremos un conductor por el cual circula una corriente I˙ y un punto

P situado a una distancia D:

Figure: Un conductor en el espacio.

Para determinar la inductancia total del conductor, es necesario evaluar el
flujo interno y externo en dicho elemento:

Figure: Flujo interno.

Sea Hx la componente tangencial de la intensidad de campo magnético a

una distancia de x metros del centro del conductor, por lo tanto, a partir
de la ley de Ampere:
 I
Hx dl = Ix (5)

considerando que Hx es constante a la misma distancia x del centro:

2πxHx = Ix (6)

además, suponiendo distribución uniforme:

πx 2 x
Ix = 2
· I → Hx = · I (A − vuelta/m) (7)
πr 2πr 2
Por lo tanto, la densidad de flujo a x metros del centro del conductor:

µxI
Bx = µHx = (Wb/m2 ) (8)
2πr 2
donde: µ es la permeabilidad magnética del material.
En el elemento anular de espesor dx, el flujo es dφ = Bx A, donde A es el
área del elemento diferencial A = dx · longitud axial, y como este último
valor es igual a 1 metro, entonces:

A = dx, dφ = Bx dx (9)

Por lo tanto:

µxI
dφ = dx(Wb) (10)
2πr 2
Los enlaces de flujo dλ, por metro de longitud en el elemento anular,
estarán dados por:

πx 2 µIx 3
dλ = dφ = dx(Wb − vuelta/m) (11)
πr 2 2πr 4
Por lo tanto:

r
µIx 3 µ0 · µr
Z
λint = dx = ·I (12)
0 2πr 4 8π

Para determinar el flujo externo al conductor, consideremos el siguiente

caso:

Figure: Flujo externo.

Realizando el mismo procedimiento anterior, se tiene que:

Z D2
µI µI D2
λ12 = dx = ln (Wb − vuelta/m) (13)
D1 2πx 2π D1

Ahora si consideramos el punto D1 en la superficie del conductor y D2 = D,

entonces:

µ0 D
λext = · ln (14)
2π r
Hemos demostrando entonces, que el flujo que enlazada a un conductor
está dado por:
 
µ0 · µr µ0 D
λ= + · ln · I [Wb/m] (15)
8π 2π r

µ0 · µr
I λint = ·I
8π
µ0 D
I λext = · ln · I
2π r
λ
y por definición L = , de tal forma que:
I
   
µ0 · µr µ0 D µ0 µr D
Ltot = + · ln [H/m] = · + ln [H/m]
8π 2π r 2π 4 r
 
µ0 1 D
= · ln −µ /4 + ln [H/m]
2π e r r
   
µ0 D µ0 D
= · ln [H/m] = · ln [H/m]
2π r · e −µr /4 2π RMG

donde, RMG = Rext conductor · e −µr /4

Consideremos un conjunto de conductores en el espacio, situados a ciertas
distancias del punto P cualquiera:

Figure: Conjunto de conductores en el espacio.

La ecuación para el flujo en el conductor k es:

 
  n
µ0 · µr µ0 Dk X µ0 Dj
λk = + ln · ik +  ln · ij  (16)
8π 2π rk 2π rj
j=1,j6=k
n
µ0 · µr X µ0 Dj
= ik + ln · ij (17)
8π 2π rj
j=1

Análogamente para el caso de un solo conductor y considerando el k-ésimo

término:    
µ0 · µr µ0 Dk µ0 Dk
+ · ln = · ln
8π 2π rkk 2π RMGk
donde, RMGk = Rext conductor · e −µr /4
De esta manera se escribe:

µ0 X Dj (m)
λk = · ln ij [Wb/m] (18)
2π Dkj (m)
j=1

I Dkj distancia entre el conductor j y k, desde sus centros, con j 6= k.

I Dkk Radio medio geométrico del conductor k, RMGk = rk · e −µr /4
Desarrollando la expresión general para λk :
" ! ! !#
µ0 1 1 1
λk = i1 · ln D1 + ln + · · · + ik · ln Dk + ln + · · · + in · ln Dn + ln
2π Dk1 RMGk Dkn
 n−1
X
considerando que in = − ij y reemplazando en el término in · ln Dn
j=1

2π 1 1
· λk = i1 · ln D1 + i1 · ln + · · · + ik · ln Dk + ik · ln
µ0 Dk1 RMGk
1
+ · · · + in · ln Dn + in · ln
Dn1
1 1
= i1 · ln D1 + i1 · ln + · · · + ik · ln Dk + ik · ln + ···
Dk1 RMGk
1
+ (−i1 · ln Dn − i2 · ln Dn − · · · − i(n−1) · ln Dn ) + in · ln
Dn1
D1 Dk D(n−1)
= i1 · ln + · · · + ik · ln + · · · + i(n−1) · ln
Dn Dn Dn
1 1 1
+ i1 · ln + · · · + ik · ln + · · · + in · ln
Dk1 RMGk Dkn
Cuando el punto p se lleva al infinito, entonces Dj ≈ Dn , ∀j = 1, ..., (n−1),
Dj
con lo cual ln ≈ 0, de tal manera que:
Dn

n
µ0 X 1
λk = · ij · ln , [Wb/m] (19)
2π Dkj
j=1

I Dkj : distancia entre el conductor j y k

I Dkj : RMGk , cuando j = k
I RMGk =radio del conductor ·e −µr /4
Considere la siguiente lı́nea monofásica:

Figure: Dos conductores que representan una lı́nea monofónica.

1. Conductor 1
 
µ0 1 1
λ1 = · i1 · ln + i2 · ln
2π RMG1 D12

pero, i2 = −i1 ; con lo cual:

µ0 D12 λ1 µ0 D12
λ1 = ·i1 ·ln [Wb/m]; L1 = = ·ln [H/m]
2π RMG1 i1 2π RMG1
2. Conductor 2
 
µ0 1 1
λ2 = · i1 · ln + i2 · ln
2π D21 RMG2

pero, i1 = −i2 ; con lo cual:

µ0 D21 λ2 µ0 D21
λ2 = ·i2 ·ln [Wb/m]; L2 = = ·ln [H/m]
2π RMG2 i2 2π RMG2
Para una lı́nea monofásica, dos conductores paralelos, D12 = D21 = D,
rcond1 = rcond2 = rcond ⇒ RMG1 = RMG2 = RMG
 
µ0 D H
L1 = L2 = L = · ln
2π RMG m − conductor
 
µ0 D H
Ltotal = L1 + L2 = · ln
π RMG m
Cálculo de la reactancia para una lı́nea monofásica

 
µ0 D Ω
XL = ω · L = 2π · f · · ln
2π RMG m − conductor
 
D Ω
= µ0 · f · ln
RMG m − conductor
 
D Ω
= 4π · 10−7 · f · ln
RMG m − conductor
 
D Ω
= 4π · 10−4 · f · ln
RMG km − conductor
 
D Ω
= KL · f · log
RMG unidad de longitud − conductor

I KL = 2.8935 · 10−3 para unidad de longitud en km

I KL = 4.657 · 10−3 para unidad de longitud en milla
Considere la siguiente lı́nea trifásica con transposiciones:

Figure: Lı́nea trifásica.

Consideremos el conductor 3:
1  
λc = · λc(I ) + λc(II ) + λc(III )
3
" #
µ0 1 1 1
λc(I ) = · ia · ln + ib · ln + ic · ln
2π Dca Dcb RMG
" #
µ0 1 1 1
λc(II ) = · ia · ln + ib · ln + ic · ln
2π Dab Dca RMG
" #
µ0 1 1 1
λc(III ) = · ia · ln + ib · ln + ic · ln
2π Dbc Dab RMG
" ! ! #
1 µ0 1 1 1
λc = · · ia · ln + ib · ln + ic · 3 ln
3 2π Dab · Dbc · Dca Dab · Dbc · Dca RMG
" ! #
1 µ0 1 1
= · · −ic · ln + ic · 3 ln
3 2π Dab · Dbc · Dca RMG
3D
p " #
µ0 ab · Dbc · Dca Wb
= · ic · ln
2π RMG m − conductor
Generalización RMG y DMG: Motivación I

Para comprender el caso general, consideremos el siguiente ejemplo:

Figure: Lı́nea monofásica de conductores cableados.

Generalización RMG y DMG: Motivación II
Para determinar el flujo enlazado en cada uno de los subconductores, debe-
mos utilizar la siguiente expresión:

N
µ0 X 1
λk = ij ln (20)
2π Dkj
j=1

Calculemos el flujo enlazada que abraza al conductor (1):

 
µ0 1 1 1
λ1 = i1 ln + i2 ln + i3 ln
2π D11 D12 D13
 
µ0 1 1
+ i10 ln + i20 ln
2π D110 D120

Donde tenemos que:

I I
i1 = i2 = i3 = ; i10 = i20 = −
3 2
Generalización RMG y DMG: Motivación III

Por lo tanto:
 
µ0 I 1 1 1
λ1 = · ln + ln + ln
2π 3 D11 D12 D13
 
µ0 I 1 1
− · ln + ln
2π 2 D110 D120
   
µ0 1 µ0 1
λ1 = · I ln √ − · I ln √
2π 3
D11 · D12 · D13 2π 2
D110 · D120
 √2

µ0 D110 · D120
λ1 = · I ln √
2π 3
D11 · D12 · D13
λ1
Luego, teniendo cuenta que L1 = :
I /3
 √
2

µ0 D110 · D120
L1 = · 3 ln √
2π 3
D11 · D12 · D13
Generalización RMG y DMG: Motivación IV
Repitiendo el mismo proceso para los conductores (2) y (3):
 √
2

µ0 D110 · D120
L1 = · 3 ln √
2π 3
D11 · D12 · D13
 √
2

µ0 D210 · D220
L2 = · 3 ln √
2π 3
D21 · D22 · D23
 √
2

µ0 D310 · D320
L3 = · 3 ln √
2π 3
D31 · D32 · D33
Para cada subconductor de la fase (A):

N=3
X Lj L1 + L2 + L3
Lpromedio = =
N=3 3
j=1
 √2

1 µ0 D110 · D120
Lpromedio = · · 3 ln √
3 2π 3
D11 · D12 · D13
 √2
√
2

1 µ0 D210 · D220 D310 · D320
+ · · 3 ln √ + ln √
3 2π 3
D21 · D22 · D23 3
D31 · D32 · D33
Generalización RMG y DMG: Motivación V
Reordenando:
 √2
√ √ 
µ0 D110 · D120 · 2 D210 · D220 · 2 D310 · D320
Lpromedio = · ln √
3
√ √
2π D11 · D12 · D13 · 3 D21 · D22 · D23 · 3 D31 · D32 · D33
p !
2
µ0 (D110 · D120 ) · (D210 · D220 ) · (D310 · D320 )
Lpromedio = · ln p
2π 3
(D11 · D12 · D13 ) · (D21 · D22 · D23 ) · (D31 · D32 · D33 )

Finalmente la inductancia equivalente del conductor de la fase (A) será:

Lpromedio
LA =
3 !
p
2
1 µ0 (D110 · D120 ) · (D210 · D220 ) · (D310 · D320 )
= · · ln p
3 2π 3
(D11 · D12 · D13 ) · (D21 · D22 · D23 ) · (D31 · D32 · D33 )
p !
3·2
µ0 (D110 · D120 ) · (D210 · D220 ) · (D310 · D320 )
= · ln 3·3
p
2π (D11 · D12 · D13 ) · (D21 · D22 · D23 ) · (D31 · D32 · D33 )
 
µ0 DMGAB
= · ln
2π RMGA
Donde:
Generalización RMG y DMG: Motivación VI

p
3·2
DMGAB = (D110 · D120 ) · (D210 · D220 ) · (D310 · D320 )
p
3·3
RMGA = (D11 · D12 · D13 ) · (D21 · D22 · D23 ) · (D31 · D32 · D33 )

Considerando que:

D11 = D22 = D33 = RMG1cond

D12 = D21 ; D23 = D32 ; D13 = D31

Se tiene que:
p
3·2
DMGAB = (D110 · D120 ) · (D210 · D220 ) · (D310 · D320 )
p
3·3
RMGA = (RMG1cond )3 · (D12 · D13 )2 · (D23 )2
Ejemplo de RMG y DMG: Motivación I
Considere la disposición de conductores de la figura:

Figure: Lı́nea trifásica

Los conductores fueron fabricados por Cu duro, 97.3 % de conductividad

IACS. Los datos especı́ı́ficos son los siguientes:
I Conductor # 4/0 AWG de 19 hebras
I Xa = 0.3319(Ω/km) a 1m de separación; Ra = 0.1883(Ω/km) a 50o C
Ejemplo de RMG y DMG: Motivación II
Determine:
1. La matriz de Impedancia de la lı́nea

Solución Problema:

1. Cálculo de Distancias

Figure: Lı́nea trifásica

Ejemplo de RMG y DMG: Motivación III

0.1883
Ra = R b = Rc = (Ω/km)
2

DAB = 1.5 + 1.5 = 3(m.)

p
DBC = 1.52 + 42 (m.)
p
DCA = 1.52 + 42 (m.)
Distancia entre conductores reales y sus respectivas imágenes:

DAB 0 = 1.5 + 1.5 + 12 + 12 + 1.5 + 1.5 = 30(m.)

p
DAC 0 = 42 + (1.5 + 1.5 + 12 + 12 + 1.5)2
p
DBA0 = 12 + 12; DBC 0 = 42 + (12 + 12 + 1.5)2
p
DCA0 = 42 + (1.5 + 12 + 12)2
p
DCB 0 = 42 + (1.5 + 12 + 12 + 1.5 + 1.5)2
Radio medio geométrico de cada conductor:
Ejemplo de RMG y DMG: Motivación IV

Xa
−
RMGIcond = 10 KL · f
q
22 2
RMGA = RMGIcond · d2
RMGA = RMGB = RMGC
2. Matriz de Impedancias
µ0 1
Ljj = ln : Inductancia propia del conductor j
2π RMGj
µ0 1
Ljk = ln : Inductancia mutua entre conductores j y k
2π Djk

 µ 1 µ0 1 µ0 1 
0
ln ln ln
 2π RMGA 2π DAB 2π DAC
 
Laa Lab Lac 
 =  µ0 ln 1 µ0 1 µ0 1
 
[L] =  Lba Lbb Lbc  2π DBA ln ln 
2π RMGB 2π DBC 
Lca Lcb Lcc  µ
0 1 µ0 1 µ0 1 
ln ln ln
2π DCA 2π DCB 2π RMGC
(21)
Ejemplo de RMG y DMG: Motivación V

   
Ra 0 0 Laa Lab Lac
[Ż ] =  0 Rb 0  +jω·  Lba Lbb Lbc  (Ω/km) (22)
0 0 Rc Lca Lcb Lcc

[Z ] = [R]+jω[L] : Matriz de impedancias propias y mutuas de la lı́nea

(23)
Conceptos de RMG y DMG aplicados al cálculo de
Inductancia y Reactancia Inductiva de lı́neas
Consideremos una lı́nea monofásica:

Figure: Lı́nea monofásica de conductores cableados.

Donde el conductor A tiene N hilos iguales y el conductor B tiene M hilos
iguales. Sea I la corriente que pasa por el conductor A y −I la corriente
I
por el conductor B. Además, Ij = es la corriente que circula por cada
N
I
hebra del conductor A e Ik = la corriente que circula por cada hebra
M
del conductor B.
Empleando la ecuación general para λj , tendremos:

 
µ0 I 1 1 1
λj = · · ln + · · · + ln + · · · + ln
2π N Dj1 RMGj DjN
 
µ0 I 1 1 1
− · · ln + · · · + ln + · · · + ln
2π M Dj10 Djk DjM
de donde:

λj
Lj =
I /N
p
µ0 m
Dj10 · · · Djk · · · DjM
= · N · ln p
2π N
Dj1 · · · RMGj · · · DjN

La ecuación anterior, permite calcular la inductancia Lj de cada uno de los

hilos que forman el conductor A.

N
X Lj Lpromedio
Lpromedio = ⇒ LA = (24)
N N
j=1

q
µ0 NM (D 0 · · · D1M ) · · · (D 0 · · · DjM ) · · · (D 0 · · · DNM )
11 j1 N1
LA = · ln
N2
q
2π RMG N · (D12 · · · D1N )2 · (D23 · · · D2N )2 · · · (Dj(j+1) · · · DjN )2 · · · (D(N−1)N )2
Definimos:
I q
DMG = NM (D · · · D1M ) · · · (D 0 · · · DjM ) · · · (D 0 · · · DNM )
110 j1 N1
r
I N 2 N
RMG = r · (D12 · · · D1N ) · (D23 · · · D2N )2 · · · (Dj(j+1) · · · DjN )2 · · · (D(N−1)N )2
2
1conductor

µ0 DMGAB
LA = · ln (25)
2π RMGA

I DMGAB : distancia media geométrica entre los conductores A y B.

I RMGA : radio medio geométrico del conductor A.
El RMG de conductores de uso comercial se encuentra tabulado por los
fabricantes. El RMG varı́a con la frecuencia, debido al efecto Skin, además
en conductores no homogéneos (ACSR) se debe considerar el alma de acero
que modifica el valor de la inductancia interna del conductor debido a la
permeabilidad magnética (µR ≈ 200 para el acero).

Tipo de conductor RMG

Cu macizo 0.779 Rext
Cu 7 hilos 0.726 Rext
Cu 19 hilos 0.758 Rext
Cu 37 hilos 0.768 Rext
Cu 61 hilos 0.772 Rext
Cu 91 hilos 0.774 Rext
ACSR 26 hilos AL (2 capas) 0.809 Rext
ACSR 30 hilos AL (2 capas) 0.826 Rext
ACSR 54 hilos AL (3 capas) 0.810 Rext
Una forma alternativa para un conductor con N hebras
s  n−1
n Diametro
RMG(n) = r1conductor · n · (26)
2
Cálculo RMG y DMG para configuraciones complejas

Supongamos que el radio de cada conductor es r :

Figure:

p √
x= d2 + d2 = d · 2
Aplicando la ecuación general para el RMG :

q
42 4
RMG = RMG1cond · (d12 · d13 · d14 )2 · (d23 · d24 )2 · (d34 )2
q
42
√ √
= 4
RMG1cond · (d · d · d 2)2 · (d 2 · d)2 · (d)2
q
16
√ √
= 4
RMG1cond · (d 3 · 2)2 · (d 2 · 2)2 · d 2
q
= 16 4
RMG1cond · d6 · 2 · d2 · 2 · d2
q
= 16 4
RMG1cond · d 12 · 4
q
16
√
= 4
RMG1cond · (d 3 )4 · ( 2)4
q
4
√
= RMG1cond · d 3 · 2
Considerando la ecuación (26):

s
 (4−1)
4 Diametro
RMG(4) = RMG1cond · 4 ·
2
v
u √ !(4−1)
u
4 d· 2
= tRMG1cond · 4 ·
4
v
u √ !(3)
u
4 d· 2
= tRMG1cond · 22 ·
4
s
d 3 · 23/2
 
4
= RMG1cond · 24/2 ·
26
p
4
= RMG1cond · 21/2 · d 3
q
4
√
= RMG1cond · d 3 · 2
Reducción a un conductor por fase

Figure:
Reducción a un circuito simple

Figure:
I Radios medios geométricos por circuito
q
4
√ q
4
√
RMGI = RMGcircuito I · d3 · 2, RMGII = RMGcircuito II · d 3 · 2
(27)

I Radios medios geométricos

q
RMGA = 4 RMGI · RMGII · Da21 a2
q
RMGB = 4 RMGI · RMGII · Db21 b2
q
RMGC = 4 RMGI · RMGII · Dc21 c2
I Distancias medias geométricas entre fases
p
4
DAB = (Da1 b1 · Da1 b2 ) · (Da2 b1 · Da2 b2 )
p
4
DBC = (Db1 c1 · Db1 c2 ) · (Db2 c1 · Db2 c2 )
p
4
DCA = (Dc1 a1 · Dc1 a2 ) · (Dc2 a1 · Dc2 a2 )
 I Distancias Equivalentes
p
3
DMGeq = DAB · DBC · DCA
p
3
RMGeq = RMGA · RMGB · RMGC
Luego:

µ0 DMGeq
XL = · ln (28)
2π RMGeq
Uso de tablas para el cálculo de reactancia inductiva

Para obtener Ż = R + jXL (Ω/unidad de longitud/conductor), se tiene:

DMG
XL = KL · f · log (Ω/unidad de longitud/conductor)
RMG
1
= KL · f · log + KL · f · log DMG (Ω/unidad de longitud/cond
RMG
= Xa + Xd
 1
Xa = KL · f · log (29)
RMG
Reactancia propia del conductor a 1m de separación en (Ω/km) o a
1pie de separación en (Ω/milla)

Xd = KL · f · log DMG (30)

Se denomina factor de separación de la reactancia inductiva

I Si DMG está en metros, Xd en (Ω/km)
I Si DMG está en pies, Xd en (Ω/milla)
Transformación de unidades

f2
Xa (Ω/km)a f2 = 0.001493 · f2 + 0.6214 · · Xa (Ω/Milla)a f1
f1
f1
Xa (Ω/Milla)a f1 = −0.002402 · f1 + 1.609 · · Xa (Ω/Km)a f2
f2