CUESTIONARIO ELECTRÓNICA

1. ¿Son componentes electrónicos utilizados para controlar altas tensiones y corrientes

generalmente utilizados en conmutación?
a. Tiristores
b. Transistores
c. Diodo
d. Diac
2. En un convertidor Forward cuál es el valor de potencia máxima
Respuesta: 500
3. En un circuito excitador las señales de tipo bipolar se usan para:
a. El encendido y apagado por conmutación del interruptor de energía.
b. El encendido y apagado interruptor de energía.
c. El encendido y apagado rápido del interruptor de energía.
d. El encendido y apagado rápido del controlador de energía.
4. En un regulador conmutado integrado, se necesita de un circuito RC para inferir la
corriente de retorno en base a la caída de tensión.
o Verdadero
o Falso
5. Un JFET 2N5486 tiene una corriente de puerta de 1 nA cuando la tensión inversa de puerta
es 20 V. ¿Cuál es la resistencia de entrada de este JFET?
Respuesta: 20,000 Ω M Ω KΩ GΩ TΩ
6. De los siguientes tipos de transistores, cuál de ellos se puede encontrar de Acumulación y
de deplexión.
a. JFET
b. BJT
c. MOSFET
d. MESFET
7. Se tiene un transistor de código 2N3904 y se pide encontrar el complemento.
a. 123AP
b. 2N3906
c. 2N3905
d. 145 CJ
8. Cuál de los siguientes dispositivos tiene por concepto: Es un dispositivo semiconductor
empleado en electrónica de potencia para conmutar corriente eléctrica en equipos
industriales.
a. BJT
b. OPTOACOPLADOR
c. IGBT
d. MOSFET
9. Dentro del triac BT136, que temperatura de juntura (en °C) maneja este; (Buscar el
datasheet)
a. 80
b. 185
c. 125
 d. 155
10. Un elemento ESBT, puede alcanzar voltajes de hasta:
a. 5000 V
b. 10000 V
c. 150 V
d. 2500 V
11. ¿Controla mediante un disparo de compuerta (directo) la conducción entre sus terminales
Ánodo y Cátodo (unidireccional)?
a. TRIAC
b. SCR
c. DIAC
12. ¿Cuál es la función principal de un circuito excitador?
Respuesta: ES LA CONMUTACIÓN DE UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA DEL
ESTADO ACTIVO AL ESTADO INACTIVO Y VICEVERSA.
13. Generalmente es utilizado para auxiliar a los SCR’s y TRIAC’s para poder ser disparados,
y se conecta en la terminal de compuerta, permite una conducción de corriente
bidireccional al llegar a un voltaje determinado que por lo regular es 30V.
a. Diodo Zener
b. DIODO
c. Foto Resistencia
d. DIAC
14. ¿Qué tipo de transistor de efecto de campo representa el siguiente símbolo (por ejemplo:
bjt tipo p)

Respuesta: MOSFET tipo P

15. En un transistor que vaya a manejar alta potencia, ¿qué tipo de encapsulado es el mejor?
a. TO – 220
b. TO – 3
c. TO – 92
d. TO – 126
16. De los siguientes gráficos, indique cuál de ellos es una representación más real de una
curva de polarización de un diodo.
a. Ninguna de las anteriores

b.

c.

d.
Respuesta: b

17. Coloque de manera correcta los nombres

18. ¿Qué es un FET?

a. Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además
de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales, mediante corriente.
(BJT)
b. Es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. (TRIAC)
c. Es un dispositivo cuyo funcionamiento puede ser asimilado al de una fuente de
corriente controlada por tensión.
d. Es un dispositivo que funciona como un interruptor controlador por una tensión.
19. El siguiente circuito es un excitador aislado por ……. (Complete)
 Respuesta: Optoacoplador
20. Escriba el título y un resumen no más de 5 líneas explicando su proyecto.
CONSTRUCCIÓN DE UN DETECTOR DE FASE

El circuito empieza apagado indicado por el diodo led, al momento de encender el circuito
mediante el interruptor la batería comienza a alimentarlo; después al encender el switch de
2 posiciones comienza a circular corriente a través del cable que conecta la base del
transistor (Q1) y la batería de 110V y se enciende el led indicando que ha detectado la fase.
Por otro lado, si se apaga el positivo y se prende el negativo del stwitch de 2 posiciones, se
interrumpe la corriente y el diodo led se apaga indicando que ya no detecta la fase, pues
solo está detectando el neutro.
21. ¿En qué zona un dispositivo de potencia la disipación de potencia instantánea es grande?
a. Zona Resistiva
b. Zona Activa
c. Zona de saturación
d. Zona de corte
22. Permite la conducción entre sus terminales (bidireccional) MT1 y MT2 cuando recibe un
disparo de compuerta.
a. TRIAC
b. BJT
c. DIAC
d. JFET
23. En un regulador de tipo conmutado step-up la respuesta de salida es más susceptible a:
a. Variación de la carga
b. Exceso de potencia
c. Sobrecorrientes
d. Sobretensiones
24. En un transistor que zona se comporta como fuente de corriente controlada.
a. No se comporta como fuente de corriente
b. Zona de corte
c. Zona Lineal
d. Zona de Saturación
25. Los convertidores híbridos que, para poder respetar el principio de aislamiento entre
entrada y salida, la etapa de realimentación debe incluir también un elemento de
aislamiento el cual suele ser:
a. LDR
b. Transistor BJT
c. NTC
d. Optoacoplador
26. Es un ejemplo de tiristor
a. SCR
b. LED
c. Transistor
27. ¿De qué depende la corriente de un circuito cuando se tiene un voltaje de CA o CD
constante?
a. De la resistencia aplicada
b. De la tierra física del circuito
c. De la capacitancia
28. Es el término que se le da a la electrónica cuando se utilizan sistemas, dispositivos y
componentes que permiten el control de directo de corrientes y tensiones elevadas o
considerablemente elevadas, para lograr la interconexión al suministro de energía o entre
elementos de trabajo.
a. Electrónica de Potencia
b. Electrónica Digital
c. Telecomunicaciones
29. ¿Qué tipo de voltaje va cambiando su magnitud y polaridad con relación del tiempo?
a. VCA
b. VCD
c. Vrms
30. ¿Es un componente electrónico-mecánico que permite la interrupción de circuitos de
potencia, cuenta con un electroimán el cual generalmente recibe una señal de corriente
que ha sido amplificada para poder polarizarlo?
a. Relevador
b. TRIAC
c. SCR
31. ¿Para qué son dopados los materiales semiconductores como el silicio o el germanio?
a. Reducir la resonancia
b. Aumentar su conductividad
c. Evitar cortocircuitos
32. ¿Cómo se calcula un circuito de capacitores en serie?
a. Se suman los valores de cada uno
b. Es el inverso, de la suma de los valores inversos
33. ¿De qué depende el tamaño y el material del encapsulado de los componentes
electrónicos?
a. Estética
b. De la potencia a disipar
 c. Solo varían por ser apócrifos
34. Es un componente electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida
en respuesta a otra señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador.
a. SCR
b. Transistor
c. Triac
35. Es la función típica de un transistor cuando se implementa a la salida de un circuito de
control digital.
a. Trabajar en conmutación
b. Controlar voltaje
c. Mezclar señales analógicas
36. ¿Qué tipo de voltaje mantiene una sola polaridad y una magnitud constante?
a. VCD
b. VCA
c. Vrms
37. Es un campo de estudio relacionado con el comportamiento de los electrones libres, en
diferentes medios entre ellos los semiconductores.
a. Física
b. Electrónica
c. Electricidad
38. ¿Es un componente electrónico que varía su resistencia dependiendo de la luz que
percibe?
a. Foto Resistencia
b. Diodo Zener
c. Diac
39. ¿Qué valor tiene una resistencia con colores de izquierda a derecha CAFÉ, NEGRO, VERDE?
a. 100 KΩ
b. 1 MΩ
c. 10000 kΩ
40. Componente variable utilizado para controlar el retardo del disparo en un circuito dimmer
el cual atrasa el tiempo que tarda el capacitor en cargarse.
a. Terminal Block
b. Potenciómetro
c. Foto Resistencia
41. Es el factor o capacidad de un transistor para amplificar la corriente.
a. Hfe
b. Impedancia
c. FEM
42. ¿Es un componente que permite el enlace entre los circuitos de baja potencia y de
potencia, internamente cuenta con un led y un foto-diac?
a. Foto Resistencia
b. Opto-Acoplamiento
c. Transistor NPN
43. ¿Cuántos Volts equivale 15 mili volts?
a. 0.150 V
b. 0.015 V
c. 0.0015 V
44. ¿Qué caída de voltaje tienen los diodos de silicio y nos puede servir como referencia al
realizar pruebas de funcionamiento e identificar terminales en un transistor?
a. 0.7 Volts
b. 0.5 Volts
c. 0.2 Volts
45. ¿Cuál es la función básica del diodo rectificador semiconductor?
a. Convertir la CA en CC
b. Impedir los cortocircuitos
c. Eliminar el ruido en bocinas
46. ¿Son materiales que cuentan con 4 electrones en su capa de valencia?
a. Radioactivos
b. Semiconductores
c. Superconductores
47. Se tiene una tarjeta electrónica con una etapa rectificadora de voltaje, la misma a su
ingreso tiene un diodo 1N4004, este diodo por un pico de voltaje ha fallado, se pide al
ingeniero de Mantenimiento que sustituya el mismo con el diodo que sea más sea
parecido.
a. 1N5001
b. 1N4997
c. 1N5003
d. 1N4001
e. 1N4002
48. En una tarjeta electrónica se tiene un transistor de tipo BJT el mismo que se presume que
está en mal funcionamiento, como comprobaría el ingeniero en Mantenimiento el
correcto funcionamiento.
a. Mide continuidad entre colector y emisor
b. Mide continuidad entre base y emisor
c. Mide el voltaje entre colector y emisor
d. Mide continuidad entre colector y base
e. Mide el voltaje entre base y colector
f. Todas las anteriores
g. No se puede identificar
49. Se tiene un transistor en una tarjeta electrónica y se pide cambiar el mismo ¿Cuál es o los
transistores que podría utilizar para su reemplazo?
 a. 2N3904
b. NTE123AP
c. 2N2222
d. 2N3904S
e. 2N3906
50. Se va a realizar la comprobación del funcionamiento de un FET, para ello se pretende
medir en los terminales G, D, S, se le da al ingeniero el multímetro que se muestra en la
figura, en qué posición colocaría el selector para poder realizar este cometido.

Respuesta: En el modo de medir diodos.

 a. 4
b. 2
c. 3
d. 5
e. 1
f. 6
51. Se realiza una prueba del FET midiendo inicialmente entre el DS teniendo un valor de
medida de 550 mV, manteniendo el terminal negativo en D se procede a medir en G y
tenemos un valor de 0.1 mV regresamos al punto inicial a S y ahora nos marca 0.82 V. Qué
información nos puede dar esto acerca del FET.
Respuesta: Está dañado o en mal estado el FET.
52. Se tiene un MOSFET IRF540 como el que se indica en la figura, se colocan los terminales
del multímetro donde se indica, al realizar la medida nos marca continuidad, según lo
investigado se dice que un MOSFET cuando falla normalmente está cortocircuitado.
Teniendo esa consideración a qué conclusión podemos llegar del estado de este MOSFET.

Respuesta: Ninguna, no se puede llegar a una conclusión.

53. Para generar un APAGADO en e TRIAC, la corriente de disparo IGT debe de reducirse por
debajo de IH (Corriente de Mantenimiento)
a. Verdadero
b. Falso
54. Si la corriente de carga no es mantenida por debajo de IH por tiempo suficiente, el tiristor
no habrá vuelto totalmente al estado de: BLOQUEO
55. Para reducir el ruido en la compuerta de un TRIAC se tiene diferentes recomendaciones,
cuál de las siguientes es la correcta: UTILIZAR TRIAC’SDE SERIE H
56. Un TRIAC se recomienda que sea disparado en el cuadrante: CUADRANTE I
57. Para disparar un TRIAC, la corriente de compuerta IGT, debe ser aplicada hasta que la
corriente de carga sea: MAYOR O IGUAL A LA CORRIENTE DE ENGANCHE (IL)
58. De los siguientes elementos cuáles corresponden a elementos de electrónica analógica
a. Inductancia
b. Microcontrolador
c. Flip-flop
d. Resistencia
 e. BJT
f. Amplificadores operacionales
59. La industria 4.0 que nos permite
a. Mayor mano de obra
b. Mayor rapidez
c. Mayor eficiencia
d. Disminución de productividad
60. La electrónica analógica y digital, siempre deben de funcionar juntos para realizar los
diferentes tipos de circuitos de trabajo: FALSO
61. Dentro de la unidad 2, se estudiará
a. SCR
b. TRACT
c. DIAC
d. IGCT
62. La industria 4.0 se implementa en qué siglo
a. Siglo XIX
b. Siglo XX
c. Siglo XXI
d. Siglo IXX
63. Qué es la electrónica
a. Es aquella que representa el vínculo de unión entre la producción de energía y el
consumidor.
b. Es aquella que estudia los diferentes elementos semiconductores, su estructura
molecular y su comportamiento ante campos magnéticos.
c. Es aquella que estudia el diseño de circuitos que permiten generar, modificar o
tratar una señal eléctrica.
d. Es la aplicación de semiconductores en estado sólido para el control y la conversión
de la energía eléctrica.
64. En el MESFET la movilidad de los electrones de arseniuro de galio es mayor que las de
silicio, ¿Cuántas veces mayores es esto?
a. 4
b. 1
c. 5
d. 2
e. 3
65. Dentro de los transistores MOSFET se generan capacitancias parásitas, para un IRF540D,
¿Cuál es la capacitancia de salida?
a. 167 pF
b. 139 pF
c. 240 pF
d. 83 pF
66. Los transistores de tipo MESFET, ¿Qué tipo de frecuencias manejan?
a. 30 GHz
b. 10 KHz
 c. 1 THz
d. 1 Hz
67. El transistor IRF540D, ¿Qué tipo es según su datasheet?
a. BJT Canal N
b. BJT Canal P
c. Mosfet Canal P
d. Mosfet Canal N
68. Seleccione ¿Cuál de los siguientes transistores corresponden a los MOSFET?
a. Canal P
b. Canal N – acumulación
c. Canal P – empobrecimiento
d. Canal N
69. Los MOSFET de potencia pueden manejar frecuencias mayores a diferencia de otros
dispositivos, seleccione cuáles son estos dispositivos
a. TRIAC
b. SCR
c. BJT
d. IGBT
70. ¿Cuál es la corriente máxima pulsada que maneja el IRF540D
a. 50 A
b. 27 A
c. 92 A
d. 16 A
71. En un MESFET el voltaje de la fuente de compuerta máximo es de
a. 0.75 V
b. 0.3 V
c. 0.6 V
d. 0.5 V
72. Sobre la figura del FET colocar los nombres correspondientes:
73. ¿Qué elemento es el siguiente?:

a. Fusible de montaje superficial

b. Fusible Epoxi
c. Fusible cerámico
d. Fusible térmico
74. El voltaje entre el Drenador – Fuente de los transistores MOSFET para considerarse de alta
tensión pueden manejar varias tensiones, seleccione cual
a. 800 V
b. 400 V
c. 2000 V
d. 1200 V
75. Dentro de las aplicaciones que se pueden tener para un IGBT se tiene algunas, seleccione
cuál de ellas corresponden
a. Capacidades parásitas bajas
b. Control de motores
c. Super alta frecuencias
d. Sistemas de alimentación ininterrumpida
76. En la gráfica del transistor FET, seleccione de manera correcta los nombres
correspondientes:

77. ¿Cuáles son las ventajas del MESFET?

a. Capacidades parásitas bajas
b. Sistemas de alimentación ininterrumpida
c. Super altas frecuencias
d. Control de motores
78. Coloque los nombres correctos:
79. En un transistor MESFET se considera la apertura o cierre del mismo cuando es polarizado,
la siguiente gráfica que representa:

a. Polarización inversa GS, zona resistiva

b. Tensión GS nula
c. Polarización inversa GS, zona de corte
d. Pequeña polarización directa GS
80. La figura, qué elemento representa:
 a. Fototransistor
b. Fototriac
c. Fototiristor
d. Fotodiodo
81. El siguiente elemento que es:

a. Capacitor
b. NTC
c. PTC
d. Varistor
82. Inductor:

Respuesta: BOBINAS DE CHOQUE PARA CIRCUITOS IMPRESOS

83. La siguiente ecuación de qué convertidor es:

a. Diferencial – Control de ciclo integral

b. Control de fase con carga inductiva
c. Ciclos convertidores
d. Control de fase
84. La siguiente ecuación de qué convertidor es:

a. Control de ciclo Integral

b. Control de fase con carga inductiva
c. Ciclos convertidores
d. Control de fase
85. Seleccione los conceptos de manera correcta:
CICLOCONVERTIDORES: OBTIENE UNA SEÑAL DE FRECUENCIA VARIABLE A LA SALIDA,
SIEMPRE INFERIOR QUE LA FRECUENCIA DE LA SEÑAL DE ENTRADA.
LA REGULACIÓN TOTAL: INTERRUPTOR ELECTRÓNICO DESCONECTANDO Y CONECTANDO
LA FUENTE Y A CARGA A INTERVALOS REGULARES.
LA REGULACIÓN DIFERENCIAL: DISTINTOS NIVELES DE TENSIÓN.
86. Seleccione las etapas de los convertidores AC-DC
87. Seleccione los conceptos de manera correcta:
TRANSFORMADOR: ADAPTA LA TENSIÓN DE LA RED ELÉCTRICA A OTRO VALOR DE
TENSIÓN ALTENA.
RECTIFICADOR: SU PROPÓSITO ES TRANSFORMAR LA TENSIÓN ALTERNA EN UNA TENSIÓN
PULSATORIA UNIDIRECCIONAL.
FILTRO PASIVO: EL PARÁMETRO QUE DEFINE ESTA RELACIÓN EN EL FACTOR DE RIZADO.
REGULADOR/ESTABILIZADOR: ÚLTIMA ETAPA, RECIBE LA SEÑAL PROVENIENTE DEL
FILTRO Y OFRECE A SU SALIDA UNA TENSIÓN CONTINUA DE UN VALOR DETERMINADO.
88. Frecuencias de los cicloconvertidores: 0 -20 Hz
89. En un convertidor Forward, ¿Cuál es el valor de potencia máxima?: 150 – 500 W
90. ¿Qué convertidor se le puede considerar como inmune al ruido o propagación de campos
eléctricos?: REGULADORES LINEALES
91. El siguiente esquema representa a un regulador de que tipo:

a. Control de ciclo integral

b. Control de fase
c. Regulador diferencial
d. Ciclo convertidor
92. ¿Cuál de los siguientes ítems se aproxima más a definir al siguiente esquema?
 a. Convertidor trifásico en triángulo
b. Reguladores trifásicos
c. Circuito trifásico con carga en estrella
d. Convertidor trifásico con carga en estrella
93. ¿Cuál de los siguientes ítems se aproxima más a definir al siguiente esquema?

Respuesta: CIRCUITO TRIFÁSICO CON CARGA DE NEUTRO AISLADO

94. ¿Cuáles son las características que debe cumplir un regulador?:
a. Mantener la tensión de salida constante para cualquier tipo de consumo o de carga.
b. La tensión de salida va a depender de la temperatura.
c. Conseguir una tensión de salida con rizado.
d. Maximizar los factores de regulación.
95. La siguiente afirmación es verdadera o falsa:
A diferencia de en los reguladores diferenciales con control de fase, en estos reguladores
el orden de activación no importa ya que las variaciones se producen tras ciclos
completos, y no habrá conflicto de condiciones de activación. VERDADERO
96. Los reguladores totales son: SE LLAMAN REGULADORES TOTALES AQUELLOS EN LOS QUE
LA SALIDA TIENE DOS ESTADOS POSIBLES; TENSIÓN CERO (NO HAY COMUNICACIÓN CON
LA ALIMENTACIÓN) O TENSIÓN DE ALIMENTACIÓN (HAY COMUNICACIÓN).
97. Los ciclos convertidores funcionan en qué tipo de régimen:
a. Onda completa
b. Media onda
c. Onda con rizo
d. Ninguna de las anteriores
e. Todas las anteriores
98. Las siguientes características de un convertidor DC-DC:
• Solo consume en flancos
• Salida de menor calidad
• Alta eficiencia

¿A qué tipo de convertidor permanece?:

a. Regulación conmutada
b. Regulación lineal mixta
c. Regulación lineal serie
d. Regulación lineal paralelo
e. Ninguna de las anteriores
99. En el siguiente gráfico, ¿Cuántos intervalos de conducción se puede apreciar?

Respuesta: 5
100. La siguiente gráfica representa a un dispositivo
 Respuesta: SCR
101. En un diodo el tiempo de recuperación inversa se da desde que IF (corriente de
recuperación) valor de: 0.25IRR
102. Indique de los elementos de electrónica de potencia, ¿Cuál de ellos trabajan con
mayores tensiones?: MOSFET Y TIRISTORES
103. El valor promedio de una forma de onda puede obtenerse con la siguiente
fórmula: 0.637*Vp
104. Indique de los elementos de electrónica de potencia citados, ¿Cuál de ellos
trabajan con mayores frecuencias?: MOSFET
105. ¿Cómo se llama la técnica que nos permite generar una tensión continua y estable
conectando y desconectando periódicamente la alimentación de la carga generando una
tensión continua proporcional al tiempo en el que la alimentación y la carga están
comunicadas?
a. SMPS
b. Step-Up
c. Step-Down
d. PWM
106. La regulación lineal puede utilizar transformadores que mucho más grande que la
conmutada pueden trabajar en que frecuencia
a. 50 KHz – 1 MHz
b. 10 KHz – 20 KHz
c. 100 Hz – 500 Hz
 d. 50 Hz – 60 Hz
107. Un SCR se activa por lo general por medio de
a. Emiter
b. Gate
c. Source
d. Anode
108. A qué es equivalente un TRIAC
a. A dos diodos conectados en paralelo y con polarización contraria
b. A dos SCR conectados en paralelo y con polarización igual
c. A dos SCR conectados en paralelo y con polarización contraria
d. A dos diodos conectados en paralelo y con polarización igual
109. El tiempo de recuperación inversa es necesario cuando se realizan aplicaciones de:
a. Conmutación
b. Control
c. Rectificación
d. Potencia
110. Un tiristor se utiliza como
a. Switch mecánico
b. Switch electrónico
c. Amplificador
d. Inversor
111. De la siguiente lista de diodos, indique el que maneja mayor corriente
a. Selenio
b. Silicio
c. Germanio
d. Vapor de mercurio
112. El funcionamiento de los ciclos convertidores trifásicos es igual al de los
monofásicos:
o Verdadero
o Falso
113. En la manipulación de un MOSFET se debe tener cuidado de: QUE SUFRA UNA
DESCARGA ELECTROSTÁTICA
114. En un JFET con canal P existe circulación: SOLO HUECOS
115. Indique la característica que no corresponda para los FET: LOS BJT SON
TÉRMICAMENTE MÁS ESTABLES QUE LOS FET.
116. La corriente máxima corriente de Drenaje en un JFET ocurre cuando: VGS=0 Y
VDS=|Vp|
117. La ID mínima para un JFET ocurre en el momento en que: VGS=VP
118. La mayor Z de entrada de un MOSFET se debe a que: EXISTE UN ASILAMIENTO
ENTRE LA COMPUERTA Y EL CANAL
119. Los terminales de un JFET son: FUENTE, DRENAJE Y COMPUERTA
120. Los transistores de efecto de campo se caracterizan por ser dispositivos:
UNIPOLARES
121. Los transistores efecto de campo son por naturaleza: AMPLIFICADORES DE
POTENCIA
122. Los transistores efecto de campo son semiconductores controlados por: VOLTAJE
123. ¿Qué diferencia básica hay en un MOSFET tipo empobrecimiento y un
enriquecimiento?: EL UNO POSEE CANAL Y EL OTRO NO
124. ¿Qué tipo de transistor efecto de campo con canal N son comerciales?: EL MESFET
125. Los tiristores se caracterizan por: TENER TRES O MÁS UNIONES PN.
126. Los terminales de un rectificador controlado de silicio son: COMPUERTA, ÁNODO
Y CÁTODO
127. Los diodos de potencia se diferencian de los diodos convencionales por:
RESISTENCIA INTERNA MUY PEQUEÑA.
128. El TRIAC tiene su mejor aprovechamiento cuando funciona con: CORRIENTE
ALTERNA
129. Los tiristores en general son dispositivos controlados por: CORRIENTE
130. ¿Cuál de los siguientes métodos de encendido de un SCR es adecuado?: POR LUZ.
POR UN PULSO DE CORRIENTE POSITIVO A LA COMPUERTA
131. Para proteger un SCR contra la elevada di/dt se conecta: UNA INDUCTANCIA
CONECTADA EN SERIE CON EL SCR.
132. El DIAC es un dispositivo pnpn: BIDIRECCIONAL
133. Un SCR se diferencia de un SCS por: EL NÚMERO DE TERMINALES
134. Identifique la respuesta incorrecta. El pulso de disparo a la compuerta deber ser:
DE MANTENERSE APLICADO.
135. ¿Qué debe cumplirse para que un diodo Shockey entre en conducción?: QUE ESTÉ
POLARIZADO DIRECTAMENTE CON UN VALOR Vf≥Vbrf
136. ¿Qué condiciones debe cumplirse para que un SCR entre en conducción?: A
POSITIVO, K NEGATIVO, G POSITIVO
137. Para proteger un SCR contra la elevada tasa de dv/dt se conecta: UN
CONDENSADOR CONECTADO EN PARALELO CON EL SCR.
138. Los tiristores se clasifican en: DIODO Y TRIODO UNIDIRECCIONAL, DIODO Y
TRIODO BIDIRECCIONAL
139. Un SCR se diferencia de una foto SCR por: SU POTENCIA DE TRABAJO
140. ¿Qué se entiende por conmutación natural de un SCR?: CUANDO EL ÁNODO Y
CÁTODO QUEDAN POLARIZADOS INVERSAMENTE EN CA.
141. Un semiconvertidor trifásico está constituido por: TRES DIODOS RECTIFICADORES
Y POR TRES SCR
142. Bajo que condición se consigue entregar mayor potencia a la carga con un SCR:
CUANDO EL ÁNGULO DE RETARDO ES 0°
143. El control de la potencia de CA o de CD, que la realiza un SCR se consigue mediante:
LA VARIACIÓN DEL ÁNGULO DE DISPARO DEL DISPOSITIVO
144. La conmutación de un SCR se realiza de la siguiente manera: QUE LA CORRIENTE
DE ÁNODO SEA MENOR A LA CORRIENTE DE MANTENIMIENTO.
145. ¿Qué es lo incorrecto? Los convertidores de CA-CD se clasifican en: CONVERTIDOR
LINEAL CONMUTADO
146. Las armónicas son las tensiones e intensidades de: CORRIENTE ALTERNA CUYA
FRECUENCIA SON EL MÚLTIPLO DE LA FUNDAMENTAL
147. ¿Cuál de los siguientes convertidores de CA-CD proporcionan mayor potencia?: EL
CONVERTIDOR TRIFÁSICO DUAL
148. Identifique lo incorrecto. Las armónicas pueden producir los siguientes efectos:
MEJORAMIENTO DEL FACTOR DE POTENCIA DE UNA INSTALACIÓN
149. Los inversores son equipos electrónicos que industrialmente se utiliza para: EL
ARRANQUE Y CONTROL DE VELOCIDAD DE CUALQUIER MOTOR DE CA
150. La función de un inversor es: MODIFICAR EL VOLTAJE DE CD A UN VOLTAJE DE CA
DE MAGNITUD Y FRECUENDIA DESEADOS
151. Las fuentes de los circuitos excitadores que tienen aislamiento eléctrico son del
tipo: Ciclo convertidores aislados
152. En un transistor BJT de tipo PNP la corriente de trabajo o amplificada está en
sentido
a. Base Colector
b. Colector Emisor (NPN)
c. Base Emisor
d. Emisor Colector
153. Un sensor tipo herradura está compuesto por
a. LED-Fenda
b. LED-Optoacoplador
c. LED-Fotodiodo
d. LED-Transistor
154. Para poder realizar los cálculos de un IRF510 se necesita saber el valor de IDSS
máximo ¿Cuál es este valor ver DATASHEET?
a. 350 µA
b. 250 µA
c. 300 µA
d. 100 µA
155. ¿Cuál de los siguientes transistores es un transistor de efecto de campo de metal
semiconductor?: MESFET
156. Para realizar el diseño de un circuito excitador con acoplamiento CC con salida tipo
unipolar se debe de tomar en consideración la velocidad requerida de apagado y se
estima: LA CORRIENTE DE BASE NEGATIVA
157. De los siguientes elementos cuál de ellos su curva de polarización directa es igual
a su curva de polarización inversa: SBS
158. De los siguientes dispositivos cuál me sirve para formar un diente de sierra
a. SCR
b. PUT
c. MOSFET
d. TRIAC
159. Di dos tipos de componentes pasivos: RESISTENCIA Y BOBINA
160. El símbolo de la figura es el de una resistencia variable con la luz también llamada
LDR
 Respuesta: VERDADERO
161. El símbolo de la figura representa una resistencia variable con la temperatura de
coeficiente positivo

Respuesta: VERDADERO
162. El siguiente símbolo de la figura es el de

Respuesta: CONDENSADOR ELECTROLÍTICO

163. Se pide que se calcule un disipador de temperatura para un 2N3055 para ello el
ingeniero necesita saber cuál es la potencia de disipación de este elemento la misma que
es de: 115 W
164. Dentro de los disipadores de calor se tiene diferentes resistencias que hacen
referencia a la analogía de un circuito eléctrico cuál hace referencia a la mica que se coloca
entre disipador y dispositivo
a. Rts
b. Rtjc
c. Rtda
d. Rtca
165. ¿Qué estudia electrónica?: EL MOVIMIENTO DE LOS ELECTRONES
166. ¿Qué tipo de valores toma una señal digital?
a. De rampa
b. Discretos
c. Continua
d. De diente de Sierra
167. ¿Cómo se llama el acoplamiento de 2 transistores como el de la figura?
 Respuesta: DARLINGTON
168. ¿Qué significa trr?: TIEMPO DE RECUPERACIÓN INVERSA
169. De los siguientes transistores de efecto de campo cuáles de ellos hacen relación a
transistores unipolares: UJT N, UJT P
170. El tiempo de recuperación inversa de un diodo rápido y ultra rápidos se
encuentran entre un valor de: 0.1 – 10 µs
171. De los siguientes elementos no pertenece a un sistema de electrónica de potencia
a. UJT
b. TRIAC
c. PUT
d. BJT
e. FET
f. GTO
g. SUS
h. DIAC
172. El JFET es un dispositivo que tiene mucha semejanza a: MOSFET
173. En un transistor JFET de canal N la tensión VGS debe ser: Vto≤VGS≤0
174. Un diodo Zener se utiliza para:
a. Rectificar una portadora
b. Estabilizar una tensión
c. Cambiar una corriente en tensión
d. Determinar una resonancia
175. Un diodo varactor se emplea para:
a. Variar la tensión de polarización
b. Variar la capacidad
c. Sintonizar audio
d. Reemplazar al condensador de acoplo
176. ¿Por qué no se puede conectar un transformador a una fuente de corriente
continua?
a. Porque se induce tensión alterna con alta corriente
b. Porque no habiendo variaciones del campo magnético en el primario no habrá
inducción en el secundario
c. Porque produce una corriente desfasada muy alta, que induce una muy alta tensión
d. Porque la corriente continua hará que se comporte como un autotransformador
solamente
177. La figura muestra una etapa de salida a transistor ¿Qué observación le merece?
 a. Que no funciona como está conectado
b. Que no amplifica
c. Que su tensión es muy baja
d. Que funcionará perfectamente
178. ¿Cuál de estas perturbaciones tiene su origen en micro cortocircuitos en puentes
rectificadores con electrónica de potencia?
a. SAG de Voltaje
b. Desbalance de voltaje
c. Ruido
d. NOTCHES de voltaje
179. El dibujo nos muestra dos transistores en acoplamiento directo. ¿Cuál es PNP?

a. TR1
b. TR2
c. Ninguno
d. Ambos
180. La razón de impedancias en un transformador equivale a:
a. La cantidad de espiras del primario
b. La relación de espiras entre el primario y el secundario
c. La cantidad de espiras del secundario
d. La relación entre el cuadrado de las espiras del primario y el cuadrado de las del
secundario
181. La polarización de base del transistor de la figura se efectúa por medio de un:
 a. Diodo túnel
b. Diodo de polarización inversa
c. Diodo Zener
d. Diodo varicap
182. Cuando se conectan en serie varios diodos de potencia del mismo tipo…

a. La tensión inversa aplicada a la rama se reparte por igual entre todos ellos
b. El tiempo de recuperación inversa será el mismo para todos
c. Los diodos más rápidos dejarán de conducir antes, lo que les es favorable pues
soportarán una tensión inversa menor
d. La distribución de la tensión inversa entre los diodos de la rama puede equilibrarse
mediante la conexión de una resistencia con cada uno
183. Simbólicamente se representa:

a. Un diodo
b. Un triodo
c. Un transistor FET
d. Un transistor MOSFET
184. La grilla o rejilla es parte de:
a. Una resistencia
b. Un transistor
c. Un transistor FET
d. Un condensador
185. El número mínimo de diodos necesarios para rectificación de ondas completas es:
a. 1
 b. 2
c. 3
d. 4
186. Los transistores son esencialmente amplificadores de:
a. Corriente
b. Voltaje
c. Impedancia
d. Equipos modernos únicamente
187. Un amplificador lineal se caracteriza por:
a. No distorsionar las señales que amplifica
b. Ser muy eficiente para señales de FM
c. La baja potencia que consume
d. Usar semiconductores
188. La impedancia característica de una línea coaxial depende:
a. Sólo del diámetro del conductor interno
b. Sólo del material aislante
c. Sólo del diámetro del conductor externo o malla
d. Tanto del diámetro del conductor interno como del externo
189. Un sintetizador de RF requiere como mínimo
a. 1 cristal
b. 6 o más cristales
c. 1 cristal por canal
d. No utiliza cristales
190. Una onda de radio puede estar polarizada:
a. Solamente de modo horizontal
b. Solamente de modo vertical
c. De modo horizontal, vertical y circular
d. Sólo si es de onda continua
191. La onda directa corresponde a:
a. Propagación terrestre
b. Propagación ionosférica
c. Propagación estratosférica
d. Todas las anteriores
192. La corriente de emisor es de 20 mA con una tensión de polarización de 2 volts.
¿Cuál es el valor de R3?

a. 1 Ω
 b. 10 Ω
c. 100 Ω
d. 200 Ω
193. En el circuito representado, por error fueron alterados los valores de R3 y R4,
circulando la corriente por R1 y R3 con un valor de 2 mA, R2 tiene un valor de 4.7 k Ω.
¿Cuál es el valor de R1?

a. 6000 Ω
b. 4.7 K Ω
c. 1.3 K Ω
d. 2.3 K Ω
194. El transistor de la figura no conduce, sin embargo, circula una corriente de 100 µA
por R1 y R2. ¿Cuál es el valor total de ambas R?

a. 6 KΩ
b. 60 KΩ
c. 600 KΩ
d. 6 MΩ
195. Para alimentar el transistor FET tenemos una fuente de 20 V y necesitamos aplicar
una tensión de 5 V al electrodo G. ¿Qué valor tiene R2 si R1 vale 150Ω y circulan 100 mA?
 a. 5Ω
b. 50 Ω
c. 500 Ω
d. 5KΩ
196. Las características técnicas nominales de trabajo de un LED son las siguientes:
If=15 mA. Voltaje de juntura=2.2 V. ¿Cuál es el valor de la resistencia en el circuito de la
figure para que opere correctamente el LED con una fuente de alimentación de 12,4 V?

a.12 KΩ
b.1.5 KΩ
c.10 Ω
d.680 Ω
197. ¿Cuál de los siguientes dispositivos semiconductores es controlado por voltaje?
a. SCR
b. GTO
c. IGBT
d. TRIAC
198. ¿Cuál de los siguientes dispositivos semiconductores es controlado por corriente?
a. MOSFET
b. IGBT
c. DIODO
d. GTO
199. MOSFET de potencia: DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN, IMPEDANCIA DE
ENTRADA ALTA, FUNCIONAMIENTO ANALÓGICO A LOS BJT
200. ¿Qué ocurre cuando el tiristor se encuentra directamente polarizado (Vak>0)?: SE
CONSIGUEN DOS MODOS DE OPERACIÓN ESTABLE SEPARADOS POR UNO INESTABLE
201. ¿Cuándo comienza a conducir el tiristor?: CUANDO LA TENSIÓN ENTRE SUS
TERMINALES DE ÁNODO Y CÁTODO ES POSITIVA Y SE APLICA UN IMPULSO DE CORRIENTE
POR EL TERMINAL DE PUERTA
202. ¿A qué corresponde esta estructura?
 Respuesta: CONFIGURACIÓN TRIPLE DARLINGTON
203. Elige el transistor de potencia que tenga un tiempo de conmutación menor
a. MOSFET
b. IGBT
c. BJT
204. Hablando de las regiones de operación de un BJT qué es la zona de corte: LA
CORRIENTE DE BASE ES NULA SE PUEDEN SOPORTAR ALTAS TENSIONES DE COLECTOR A
EMISOR
205. Tiristor: CAPAZ DE BLOQUEAR TENSIÓN DIRECTA O INVERSA APLICADA A LOS
TERMINALES DEL ÁNODO Y CÁTODO HASTA UN CIERTO VALOR LÍMITE
206. El SIT: DISPOSITIVO DE ALTA POTENCIA Y ALTA FRECUENCIA IDÉNTICO A UN JFET
DEBAJO RUIDO Y BAJA DISTORSIÓN
207. Elige el transistor de potencia que tenga la mayor capacidad para bloquear altas
tensiones y conducir grandes intensidades
a. BJT
b. MOSFET
c. SIT
208. Formas de disparo de un tiristor: POR UNA TENSIÓN VAK EXCESIVA POR PULSO DE
CORRIENTE DE PUERTA POR DERIVADA DE TENSIÓN Y POR LUZ
209. Alta impedancia de entrada y bajas pérdidas de conducción en estado ON
a. IGBT
b. BJT
c. SIT
d. MOSFET
210. A cuál corresponde esta estructura
 Respuesta: TIRISTOR
211. ¿Qué transistor de potencia tiene menores pérdidas en conducción?
a. BJT
b. MOSFET
c. SIT
212. ¿Cuáles de éstos son transistores de potencia?: BJT, MOSFET, SIT, IGBT
213. ¿En qué consiste la entrada al chopper?: EN UNA TENSIÓN CONTINUA NO
CONTROLADA PROCEDENTE DE UN RECTIFICADOR DE DIODOS O DE UNA BATERÍA.
214. ¿Qué dispositivos son semiconductores de potencia?: DIODOS, TIRISTOR,
INTERRUPTORES CONTROLABLES
215. El tiristor entra en conducción si se le aplica a la puerta un impulso de intensidad
adecuada cayendo la tensión Vak a un valor muy pequeño 1 V aproximadamente:
VERDADERO
216. En un rectificador controlado, el funcionamiento como inversor
a. Ocurre cuando la carga es un convertidor DC/DC
b. Ocurre, transitoriamente, cuando la corriente de carga cambia de sentido
c. Ocurre cuando las cargas resistivas para ángulos de disparo que superan los 90°
d. Ocurre cuando la polaridad de la tensión de salida se hace negativa
217. En un regulador de corriente alterna monofásico con control de fase:
a. El margen de regulación (rango válido del ángulo del disparo para variar el valor rms
de la tensión de salida) es mayor con carga permanente resistiva que con carga RL
serie.
b. El ángulo de extinción debe ser menor que π para realizar regulación de alterna.
c. Para el mismo ángulo de disparo y realizando regulación AC, el valor rms de la
tensión de salida es menor con la carga RL paralelo que con carga R.
d. El interruptor de alterna se puede implementar mediante dos tiristores en
antiparalelo, disparando cada uno a 120 Hz (suponiendo una red de 60 Hz)
218. La ventaja de los IGBT frente a los transistores MOSFET de potencia es que:
a. El control se realiza por corriente
b. El control se realiza por tensión
c. Pueden conducir mayor corriente
d. La frecuencia de conmutación es mayor
219. ¿Por qué los diodos de potencia pueden conducir corrientes de mayor intensidad
que los de pequeña señal?
a. Su disposición vertical permite aumentar la sección de paso
b. Por la existencia de la región de deriva ("drift región”)
c. Por su disposición superficial en la oblen de silicio.
d. Porque los terminales de contacto son de mayor sección
220. Si entre los terminales de ánodo y cátodo de un SCR que se encuentra en bloqueo
se aplica un escalón de tensión con pendiente superior al dV/dt indicado en las hojas
características. ¿Qué ocurrirá?
a. El SCR se destruye
b. El SCR continua en bloqueo
c. El SCR pasa a conducción
d. El SCR estará en conducción solo durante el intervalo de subida de la tensión
221. Para una determinada aplicación se emplea un convertidor electrónico de
potencia que debe manejar 3 A y conmutar a 100 KHz de los semiconductores de potencia
que se relacionan. ¿Cuál es el que debería emplearse?
a. SCR
b. TRIAC
c. BJT de potencia
d. MOSFET de potencia
222. Un semiconductor de potencia de un convertidor electrónico funciona de tal
forma que debe soportar tensiones inversas de bloqueo muy elevadas. De los
semiconductores de potencia que se relacionan. ¿Cuál es el más adecuado?
a. SCR
b. BJT
c. IGBT
d. MOSFET
223. ¿Cuáles son los principales parámetros de selección de un diodo de potencia para
un convertidor de potencia trabajando en conmutación?
a. VRMM, IF(AV), Rjc
b. IRM, Vr, trr
c. IF(AV), Vr, trr
d. IF(AV), VRWM, trr
224. Respecto al rizado de la tensión de salida de un convertidor conmutado
a. Aumenta al aumentar la corriente de carga en un boost
b. Aumenta al aumentar la frecuencia de conmutación
c. Aumenta si aumenta el valor de L en un buck
d. Si la tensión de salida es fija, el rizado no depende de la tensión de entrada.
225. Al entrar en conducción discontinua
a. La tensión de salida depende de la carga con ciclo de trabajo y tensión de entrada
constantes
b. El cociente entre la tensión de salida y la tensión de entrada solo depende del ciclo
de trabajo
c. Aumenta las corrientes en los semiconductores (diodo y transistor) del convertidor
 d. El rizado de la tensión de salida de un convertidor Buck y Boost no dependen de la
carga
226. ¿Cuál es el parámetro necesario para elegir un disipador para un semiconductor
de potencia?
a. La resistencia térmica unión-ambiente
b. La resistencia térmica unión-cápsula
c. La resistencia térmica cápsula-radiador
d. La resistencia térmica radiador-ambiente
227. Mediante un regulador de alterna formado por un TRIAC se controla la potencia
aplicada a una carga resistiva desde la red de alterna monofásica. El TRIAC se dispara
mediante una red desfasadora R-C y un DIAC conectado entre el terminal de puerta de
TRIAC y el nudo común de la resistencia y el condensador. El disparo del TRIAC se reduce
a. Cuando la tensión del condensador supera la tensión VGT del TRIAC
b. Cuando la corriente principal del TRIAC supera el valor de mantenimiento, IH.
c. Cuando la corriente principal del TRIAC supera el valor de enganche, IL
d. Cuando la tensión aplicada del DIAC supera el valor de ruptura, VBO
228. ¿Cuál de las siguientes afirmaciones NO ES APLICABLE a la utilización de
transformadores de impulsos en el aislamiento entre etapas de potencia y control?
a. No pueden transmitir señales de continua
b. Necesitan una fuente de alimentación auxiliar
c. El producto de la tensión aplicada por la duración del impulso es una constante
d. El aislamiento de tensión es elevado.
229. ¿Qué es el tiempo de recuperación inversa de un diodo de potencia?
a. El tiempo que tarda el diodo en recuperar la tensión de conducción.
b. El tiempo que tarda la tensión en volver a un 10% del valor inverso de pico.
c. El tiempo que tarda la corriente en volver a un 10% del valor inverso de pico desde
el paso por cero en bloqueo.
d. Ninguna de las anteriores.
230. En la fase de diseño de un convertidor electrónico de potencia, indicar qué ocurre
si se decide una frecuencia de conmutación elevada
a. El precio de los semiconductores de potencia es bajo.
b. Las perdidas en los semiconductores de potencia son pequeñas.
c. Las perdidas en los semiconductores de potencia son grandes.
d. El tamaño de los componentes inductivos es grande.
231. ¿Cuál es el efecto que se produce al emplear ventilación forzada en el disipador
térmico de un semiconductor de potencia?
a. Se reduce la resistencia térmica del disipador.
b. Aumenta la resistencia térmica del disipador.
c. Disminuyen las pérdidas de potencia en el semiconductor.
d. Aumenta el rendimiento del convertidor.
232. La ventaja de emplear trenes de impulsos en lugar de pulsos de larga duración en
el disparo del SCR es que:
a. El tiempo de conmutación a conducción es menor
b. El circuito de disparo es más sencillo.
 c. La potencia disipada en el circuito de puerta es menor.
d. Ninguna de las anteriores.
233. La resistencia drenador-surtidor de un MOSFET de potencia trabajando en su zona
óhmica (RDS(ON)) tiene la siguiente característica:
a. Aumenta al aumentar la temperatura.
b. Disminuye al aumentar la temperatura.
c. Es independiente de la temperatura
d. Puede aumentar o disminuir cuando aumenta la temperatura
234. Un rectificador controlado de onda completa alimenta una carga resistiva de 10Ω,
a partir de una tensión alterna de 220 V a 50 Hz. Si el valor medio de la tensión aplicada
es de 180 V y el valor eficaz de 215 V, la potencia aplicada a la carga será,
aproximadamente:
a. 4840 W.
b. 3240 W.
c. 4622 W.
d. 9244 W.
235. Un circuito está formado por una fuente DC, una carga con componente inductiva
y un semiconductor de potencia trabajando en conmutación, conectados en serie ¿Qué
ocurre en la carga si no se emplea un diodo volante (de libre circulación) conectado en
antiparalelo con la carga?
a. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a conducción del
semiconductor
b. Aparece una sobretensión en el instante de conmutación a bloqueo del
semiconductor
c. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a conducción del
semiconductor
d. Aparece una sobrecorriente en el instante de conmutación a bloqueo del
semiconductor
236. En un diodo de potencia, ¿Qué indica el paramento trr (tiempo de recuperación
inversa)?
a. El tiempo que requiere el diodo para pasar de bloqueo a conducción.
b. El tiempo que requiere el diodo para pasar de conducción a bloqueo.
c. El tiempo durante el cual es necesario aplicar el pulso de disparo.
d. El tiempo que tarda la corriente de fugas en desaparecer cuando el diodo pasa de
bloqueo a conducción.
237. ¿Cómo se puede calcular la potencia activa en un convertidor electrónico de
potencia para cualquier condición de funcionamiento?
a. Mediante la expresión: P = VAV. IAV.
b. Mediante la expresión: P = VRMS. IRMS.
c. Mediante la expresión: 𝐏 = 𝟏𝑻∫𝒗(𝒕). 𝒊(𝒕)𝒅𝒕𝑻𝟎.
d. Mediante la expresión: P =[Vmax. Imax]/2
238. Determinar que afirmación de las que se relacionan es FALSA, cuando se habla del
comportamiento de una bobina que se encuentra en un circuito que trabaja en
conmutación y está en estado estacionario
 a.La corriente al principio y al final del periodo de conmutación toma el mismo valor.
b.El valor medio de la corriente a través de la bobina es cero.
c.El valor medio de la corriente a través de la bobina es distinto de cero.
d.El valor medio de la tensión en los extremos de la bobina es cero.
239. Las siguientes curvas corresponden a la corriente que circula a través de la
inductancia de un convertidor de potencia. ¿En cuál de ellas puede considerarse que el
convertidor se encuentra en régimen estacionario?

a. Solo A
b. La A y la B
c. Solo C.
d. La B y la C
240. En el circuito de la figura, ¿Es correcta la conexión del disparo desde el circuito de
control a los tiristores?

a. Sí, mientras la corriente que proporciona el circuito del control en cada puerta sea
suficiente para disparar el tiristor.
b. Si, mientras la duración del pulso sea suficiente para que el tiristor se enclave en la
conducción.
c. No, porque no está aislado el circuito de potencia del circuito de control.
d. No, porque el tiristor T1 no tiene el disparo adecuado entre la puerta y el cátodo.
241. En el circuito de la figura, la carga tiene una componente inductiva muy grande,
de forma que la corriente a través de ella (Io), puede considerarse constante y de valor
10A el interruptor conmuta con una frecuencia de 1 KHz y con un ciclo de trabajo de 0.3,
si se consideran ideales los semiconductores ¿Cómo es la potencia de entrada con
respecto a la de la salida?
 a. Mayor, ya que la entrada está presente durante todo el intervalo de conmutación
la tensión de 100 V.
b. Menor, ya que en la salida la corriente por la carga es constante
c. Iguales.
d. Depende del valor del ciclo de trabajo.
242. ¿Qué magnitudes relacionan el factor de potencia de entrada en un convertidor
conmutado?
a. La potencia activa y la potencia aparente.
b. La potencia instantánea y la potencia aparente.
c. El valor medio de la potencia instantánea y la potencia aparente.
d. La potencia activa y la potencia compleja.
243. Para un regulador AC/AC monofásico con carga resistiva, y formado por dos SCR
en antiparalelo se tiene que una de las siguientes es verdadera:
a. El valor RMS de la tensión sobre la carga es cero.
b. El valor medio de la tensión sobre la carga es cero.
c. El valor RMS de la corriente sobre la carga es cero.
d. El valor RMS de la tensión sobre cualquiera de los dos SCR es cero
244. Se ha diseñado el circuito de la figura, se pide al ingeniero que se necesita realizar
un disparo del DIAC cuando el mismo se encuentre a 60 V, de los elementos indicados.

a. DB3
b. DB6
c. Ningunos de los anteriores
d. DB4
e. DB5
245. Indique la definición correcta para VF
a. Ninguna de las anteriores.
 b. La tensión que aparece en un diodo cuando conduce una determinada corriente.
c. La tensión que el diodo puede soportar cuando se polariza en sentido inverso.
d. La tensión máxima repetitiva que el diodo puede soportar en sentido inverso.
246. De los siguientes diodos, indique cuál es el diodo que puede soportar más
corriente
a. Diodo de recuperación rápida.
b. Diodo Scottky.
c. Diodo de propósito general.
d. Diodo Zener.
247. El siguiente esquema a que tiristor representa:

a. TRIAC
b. JFET
c. SCR
d. DIAC
e. DIODO
248. La conexión de diodos en serie nos permite aumentar
a. La conducción de corriente
b. El voltaje en sentido inverso
c. Tensión máxima en sentido directo
d. Los tiempos de recuperación inversa
249. En un TRIAC se dice que la corriente fluye en qué sentido cuando el Gate está
desactivado
 a. De MT1 a MT2
b. No importa el sentido es bidireccional
c. De MT2 a MT1
d. Ninguna
250. La siguiente frase NO aplica a un tiristor
a. Es un dispositivo controlado por sistemas de baja potencia para conmutar cargas de
gran consumo de corriente.
b. Es un dispositivo de estado sólido.
c. Es un dispositivo electromecánico.
d. Ninguna.
251. Cuál de todos es la curva característica de los TRIAC
a.

b.
c.
 d.
Respuesta: a
252. De los siguientes diodos, cuál es el que tiene el tiempo de recuperación inversa
más bajo
a. Diodos de aplicaciones especiales (150 ns)
b. Diodo Schottky (5 ns)
c. Diodos rectificadores para baja frecuencia (10 us)
d. Diodos rápidos (0.1 – 10 us)
253. La corriente mínima de entrada para activar un SCR o TRIAC se llama:
a. Corriente de mantenimiento
b. Corriente de activación
c. Corriente de conmutación
d. Corriente de duración
254. ¿Cuál es el valor de barrera que tiene un semiconductor de germanio?
Respuesta: 0.2
255. Para realizar cálculos en los funcionamientos de diodos comúnmente se suele
utilizar el rango de voltaje:
a. 0.2 a 0.35 V
b. 0.6 a 0.7 V
c. 0.35 a 0.65 V
d. 0.2 a 0.6 V
256. Químicamente el aire es una mezcla de gases que envuelven la esfera terrestre
formando la atmósfera y cuya composición es la siguiente:
a. 20% de Nitrógeno
78% de Oxígeno
 1.3% de Argón
0.05% de Helio, Hidrógeno, Dióxido de Carbono, etc y cantidades variables de agua
y polvo
b. 70% de Nitrógeno
28% de Oxígeno
1.3% de Argón
0.05% de Helio, Hidrógeno, Dióxido de Carbono, etc y cantidades variables de agua
y polvo
c. 28% de Nitrógeno
70% de Oxígeno
1.3% de Argón
0.05% de Helio, Hidrógeno, Dióxido de Carbono, etc y cantidades variables de agua
y polvo
d. 78% de Nitrógeno
20% de Oxígeno
1.3% de Argón
0.05% de Helio, Hidrógeno, Dióxido de Carbono, etc y cantidades variables de agua
y polvo
257. El físico matemático y francés Blaise Pascal enunció la ley que lleva su nombre y
que dice:
a. La presión ejercida sobre un fluido poco compresible y en equilibrio dentro de un
recipiente de paredes indeformables se transmite con diferente intensidad en todas
las direcciones y en todos los puntos de fluido.
b. La presión ejercida sobre un fluido poco compresible y en equilibrio dentro de un
recipiente de paredes indeformables se transmite con igual intensidad en todas las
direcciones y en todos los puntos de fluido.
c. La presión ejercida sobre un fluido poco compresible y en equilibrio dentro de un
recipiente de paredes indeformables se transmite con diferente intensidad en
todos los puntos de fluido.
d. La presión ejercida sobre un fluido poco compresible y en equilibrio dentro de un
recipiente de paredes indeformables se transmite con igual intensidad en todos los
puntos de fluido.
258. Si en un recipiente tengo un volumen de aire comprimido a 6 atmósferas de
presión con un 10% de impurezas sólidas o líquidas (agua, polvo, carbón, etc) que son
incomprensibles, se le somete a una disminución de volumen hasta la mitad de volumen
original, con el objeto de aumentar su presión. ¿A qué valor de presión aumenta si
mantengo constante la temperatura y qué porcentaje de impurezas tengo en el nuevo
volumen de aire?
a. 12 atmósferas 10% de impurezas
b. 12 atmósferas 20% de impurezas
c. 3 atmósferas 20% de impurezas
d. 12 atmósferas 5% de impurezas
259. El principio físico en el que se basa la neumática es:
a. Es la transformación de energías cinética en potencial y viceversa
 b. Es la conversión de energía potencial a energía cinética
c. Es la variación de presión de un punto
d. Es la conversión de la energía cinética en energía potencial
260. Si tengo un recipiente cerrado contiene 10 m cúbicos de aire y de este extraigo 3
m cúbicos de aire me queda en el recipiente
a. 10 m cúbicos de aire a menor densidad
b. 7 m cúbicos de aire a mayor densidad
c. 7 m cúbicos de aire a menor densidad
d. 10 m cúbicos de aire a igual densidad
261. Dentro de un diodo se encuentra diferentes zonas cuál de ellas es considerada
donde se encuentra los electrones libres
a. Zona E
b. Zona Z
c. Zona N
d. Zona P
262. El transistor FET o de efecto de campo está relacionado con las zonas de deplexión
alrededor de la región
a. Región o
b. Región p
c. Región de trabajo
d. Región k
e. Región de saturación
f. Región n
g. Región de corte
263. ¿Cuál es la tensión umbral para un diodo de Silicio?: 0.7 V
264. La constante de tiempo es aquella que tarda el condensador en adquirir una carga
del
a. 70%
b. 75%
c. 68%
d. 63%
e. 50%
265. De los siguientes condensadores, ¿cuáles pertenecen a condensadores de tipo
fijo?
a. Ajuste permanente
b. Sintonía
c. Con polaridad
d. Sin polaridad
e. Trimmers
266. ¿Un JFET 2N5486 tiene una capacitancia de qué valor?
a. 3.0 pF
b. 2.0 pF
c. 5.0 pF
d. pF
267. En un transistor FET, ¿Cuál de sus pines se encarga de la apertura o cierre del paso
de electrones?
a. Puerta
b. Drenador
c. Fuente
268. ¿Cuáles de los siguientes elementos se puede considerar dentro de la electrónica
analógica?
a. Diodo
b. Microcontrolador
c. IGBT
d. FET
e. Inductancia
269. Seleccione lo que corresponde a la electrónica de potencia
a. Control y conversión de energía eléctrica.
b. Estos circuitos pueden ser tan simples como una combinación de dos resistencias
para hacer un divisor de voltaje o estar elegantemente construidos con muchos
componentes.
c. Utilizan atributos del medio para transmitir la información de la señal.
d. Señal discreta que representa una señal de tiempo discreta generada por
modulación digital.
e. Señal continua que representa medidas físicas.
f. Control de tensiones de distribución mediante semiconductores.
g. Representa el vínculo de unión entre la producción de energía y el consumidor.
270. De las siguientes, ¿Cuál pertenece a una resistencia de tipo dependiente?
a. Bobinadas
b. Foto resistencias
c. Aglomeradas
d. Termistores
e. Varistores
271. Se tiene una tarjeta electrónica que se ha detectado que tiene una resistencia que
al medirla no me marca el valor que tiene el encapsulado, el ingeniero en mantenimiento
industrial sugiere que se cambie esta resistencia, la resistencia es como se muestra en la
figura.
 Se acude a la tienda de electrónica más cercana y se procede a consultar por el resistor, la
persona encargada ofrece la siguiente tabla de resistores que dispone y pregunta al
ingeniero cuál de las siguientes resistencias puede ofrecerle.
De la tabla de valores dados son las bases en unidades, existen comercialmente dichos
valores por su factor multiplicador x1, x10, x100, x1000, x10000.
Respuesta: 0.01%
272. De la siguiente gráfica indique qué tipo de JFET hace relación

a. Canal N
b. Canal G
c. Canal P
d. Canal Depleption layef
273. Seleccione los conceptos de manera correcta
Región de ruptura: QUE DETERMINA EL LÍMITE FÍSICO DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR.
Región lineal activa: EL TRANSISTOR ACTÚA COMO UN AMPLIFICADOR LINEAL. LA UNIÓN
BE ESTÁ CONECTADA EN DIRECTO Y LA UNIÓN CB ESTÁ EN INVERSA.
Región de corte: DONDE AMBAS UNIONES ESTÁN CONECTADAS EN CONTRA. LA
CORRIENTE DE BASE ES MUY PEQUEÑA, Y NO FLUYE PARA TODOS LOS EFECTOS
CORRIENTE DE EMISOR.
274. Tipo de polarización
TIPO CONFIGURACIÓN

Polarización fija
 Auto polarización

Divisor de voltaje

Compuerta común

275. Se tiene el datasheet del IRF 840, cuál es el valor de Vp, cuando se está a 25°C.
(Escribir solo el valor numérico)

Respuesta: 500
276. Considerando el sentido real de la corriente, se dice que un BJT de tipo NPN, el
sentido de la corriente es:
a. De colector a base
b. De colector a emisor
c. De base a emisor
d. De fuente a drenador
e. De emisor a colector
277. En los transistores de tipo MESFET se debe polarizar para que el voltaje de
compuerta permite que el diodo de canal de la compuerta conduzca: FALSO
278. La ecuación de Shockley para un JFET, MOSFET decremental e incremental, es la
misma y se la puede utilizar sin ningún problema: FALSO
279. Dentro de una JFET de canal tipo N en el material de tipo p tiene una zona más
estrecha que el resto del material porque se genera esta situación.
a. El voltaje de polarización de 0.7 V produce un ensanchamiento.
b. Los electrones se acumulan en el material que producen un ensanchamiento del
mismo.
c. Por la anchura que se da en una zona de deplexión de la unión PN.
d. Los portadores minoritarios producen un desgaste en la parte inferior del material.
280. De los siguientes elementos cuál no corresponde dentro del área de electrónica
analógica
a. BJT
b. Inductancia
c. Micropic
d. Capacitancia
e. Resistencia
281. El MESFET se puede utilizar en sistemas que manejen un máximo de frecuencias
de un valor de
a. 100 Hz
b. 6000 Hz
c. 50 MHz
d. 40000 MHz
e. 40 KHz
282. La corriente que circula por GS que valor tiene si se considera que el DS está en
una zona de saturación
 a. El amperaje mínimo
b. 0A
c. Depende de la resistencia que se pondrá en el Gate
d. El amperaje máximo
283. De los siguientes símbolos cuáles representan un JFET de canal P

a. 1
b. 5
c. 3
d. 2
e. 4
f. 7
g. 6
284. De la siguiente terminología cuál hace relación a un transistor JFET
a. Colector
b. Drenador
c. Fuente
d. Base
e. Emisor
285. Un MESFET de arseniuro de galio el voltaje de compuerta no debe de sobrepasar
un valor de:
a. 0.1 – 0.3 V
b. 0.6 – 0.7 V
c. 0.3 – 0.6 V
d. 0.1 – 0.7 V
286. Para que se genere una polarización en el transistor como se indica en la figura
¿Cómo debería estar la conexión?
287. El punto Q de trabajo de un transistor JFET es cuando:
a. El transistor se cierra por completo llegando a su zona de saturación.
b. El transistor no dispone de un punto Q.
c. El transistor se abre por completo llegando a su zona de corte.
d. El transistor se encuentra en un punto medio entre la zona de corte y de saturación.
288. De los siguientes diodos, indique cuál es el diodo que puede soportar más voltaje
a. Diodo de recuperación rápida.
b. Diodo Scottky.
c. Diodo de propósito general.
d. Diodo Zener.
289. El TRIAC es un tiristor de conducción
a. Bidireccional
b. Unidireccional
c. Tridireccional
d. Tetradireccional
290. Que logramos al mover el potenciómetro

Respuesta: SE LOGRA UN RETRASO ENTRE 0° Y 180° APROXIMADAMENTE

Al mover el potenciómetro se logra una variación de ohmiaje dependiendo los grados.
291. Se tiene un sistema de rectificación que entrega la señal como se indica en la figura
y se desea mejorar la señal de riso, con cual de los siguientes condensadores se podría
conseguir aquello

a. 100 uF
b. 100 pF
c. 50 uF
d. 1F
292. De la siguiente gráfica, cuál es el número de señales de respuesta que tiene el
circuito del ciclo convertidor
 Respuesta: 6
293. Un IGBT, tiene similitud con que elemento o elementos.
a. Mosfet
b. Diodos de potencia
c. BJT
d. Zener
294. Dado el circuito de la figura, se dice que analice al ingeniero cual es la falla del
sistema. (Colocar su respuesta en máximo 5 palabras)

Respuesta: LA RELACIÓN DE TRANSFORMACIÓN ESTÁ MAL

295. Escriba en máximo 5 palabras que función hace el siguiente circuito
 Respuesta: DETECTOR AUTOMÁTICO DE OBSCURIDAD
296. En máximo dos líneas expliquen el funcionamiento del circuito

Respuesta: EL CABLE QUE SE ENCUENTRA CONECTADA EN LA BASE DEL PRIMER

TRANSISTOR DETECTA UNA MÍNIMA CORRIENTE (INDUCCIÓN CAMPO MAGNÉTICO) EN EL
RANGO DE LOS UA, ESTO HACE QUE EL PRIMER TRANSISTOR EMPIECE A CONDUCIR, EL
EMISOR DE ESTE LLEGA A LA BASE DEL SEGUNDO TRANSISTOR, AQUÍ LA CORRIENTE ESTÁ
EN EL RANGO DE LOS MA, Y EN EL TERCER TRANSISTOR LA CORRIENTE LLEGA EN LOS
MILIAMPERIOS, Y PARA VER SI DETECTA EL VOLTAJE EL CIRCUITO VA CONECTADO A UN
DIODO LED.
297. La siguiente figura a qué tipo de inversor representa
Respuesta: INVERSOR DE ONDA CUADRADA