ELECTRÓNICA ANÁLOGA

Transistor Darlington

Jhon Alexander Leon Mera

Universidad Autónoma de Occidente
Santiago de Cali - Colombia
jose_manuel.gomez@uao.edu.co

Abstract- This report contains very specific information on the darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales.
Darlington transistor which is used in electronics since this la intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la
component combines two bipolar transistors in a Darlington type
base por la beta total.
configuration. This allows the amplified current that enters the first
transistor to enter the base of the second transistor and be
amplified again.

Resumen- El presente informe contiene información muy específica

del transistor Darlington el cual se utiliza en electrónica ya que
este componente combina dos transistores bipolares en una
configuración tipo Darlington. Esto permite que la corriente
amplificada que entra por el primer transistor ingrese a la base del
segundo transistor y sea nuevamente amplificada.

I. INTRODUCCIÓN

En ingeniería electrónica se utilizan diversos componentes los

cuales se debe tener muy claro su comportamiento y que aportan al
circuito; para esta ocasión se anexará información sobre el transistor
darlington el cual es utilizado mucho en electrónica como
amplificador ya que este consta de dos transistores bipolares en una
configuración tipo Darlington donde en el primer transistor se
amplifica la señal para que entre al segundo transistor y sea Fig.01 Transistor Darlington esquema
nuevamente amplificada. fue inventada por el ingeniero de los Tomada de: ElectronicaSi.com
Laboratorios Bell, Sidney Darlington quien solicitó la patente el 9
➢ Comportamiento:
de mayo de 1952. La idea de colocar dos o tres transistores sobre un
chip fue patentada por el ingeniero Darlington, sin embargo, no fue Un transistor Darlington se comporta como un transistor ordinario,
así con la idea de colocar un número arbitrario de transistores sobre es decir, posee base, colector y emisor y puede ser considerado
un mismo chip, que originaría la idea moderna de circuito como un único transistor con una ganancia de corriente equivalente
integrado[1]. βDarlington . Generalmente suele considerarse que la ganancia de un
II. DEFINICIÓN transistor Darlington es aproximadamente el producto de las
ganancias de los transistores que lo componen.
En electrónica, el transistor Darlington es un dispositivo
➢ Cálculo de ganancia de corriente:
semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem
(a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo. Las corrientes del transistor Darlington pueden expresarse en
función de las corrientes de los transistores que lo componen de la
Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de
siguiente manera.
proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo
integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en IBD = IB1
la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el
producto de la ganancia de los transistores individuales. Un I C = IC1 + IC2
D
dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o
superior. También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas IE = IE2
D

frecuencias que un único transistor, de ahí que pueda convertirse

fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor, A su vez, según las relaciones entre las corrientes de un transistor
siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores individual, es posible obtener la corriente de colector del par
de silicio es superior a 1.2V. La beta de un transistor o par Darlington.
 - Otro inconveniente es la mayor caída de tensión entre la
base y el emisor. Debido a que existen dos junturas entre
estos dos terminales. Por ello el voltaje base-emisor
resultante es igual a la suma de las caídas de ambas
junturas. Es decir, que para el valor típico de 0,7 V
atribuido a los transistores de silicio, se produce una caída
de 1,4 V en la configuración Darlington.

- También el aumento de su tensión de saturación representa

una limitación. Esto ocurre porque el transistor de salida
no puede saturarse realmente (es decir, su unión base-
colector permanece polarizada en inversa), ya que su
tensión colector-emisor es igual a la suma de su propia
tensión base-emisor y la tensión colector-emisor del primer
transistor (ambas positivas en condiciones de
funcionamiento normal). Por lo tanto, la tensión de
saturación de un transistor Darlington es típicamente de
0,8 V (considerando una tensión de saturación del primer
transistor de 0,2 V), para el caso de transistores de silicio.
Fig.02 Transistor Darlington corrientes En términos prácticos, este inconveniente implica una
Tomada de: Electronic.Monografias.com mayor de la potencia disipada por el transistor Darlington
respecto a un transistor individual, para iguales corrientes
de colector.
ICD = IC1 + IC2 = IB1 * β1 + IB2 * β2 = IB1 * β1 + IE1 * β2
- Otro problema es la reducción de la velocidad de
= IB1 * β1 + IB1 * (β1 + 1) * β2 conmutación, ya que el primer transistor no puede inhibir
activamente la corriente de base del segundo, ralentizando
ICD = IB1 * (β1 * β2 + β1 + β2 )
el apagado del dispositivo. Para paliar esto, el segundo
Es posible reexpresar esta última ecuación para obtener la ganancia transistor suele tener una resistencia de cientos de ohmios
βD del transistor Darlington a partir de la definición de dicho conectada entre su base y su emisor. Esta resistencia
parámetro y considerando lo planteado en un principio. permite una vía de descarga de baja impedancia para la
carga acumulada en la unión base-emisor, permitiendo un
ICD rápido apagado. También se suele incluir un diodo en esta
I BD = β D = β1 * β2 + β1 + β2
misma ubicación en antiparalelo con la unión base-emisor,
Si se asume que β1 y β2 son suficientemente grandes, del orden de con fines similares[3].
los cientos, se puede obtener la siguiente expresión aproximada[2].

βD ≈ β1 * β2

III. VENTAJAS Y DESVENTAJAS

➢ VENTAJAS:

- Esta configuración permite obtener un dispositivo que

proporciona una gran ganancia de corriente, típicamente
del orden de los miles.Lo cual a su vez permite controlar
corrientes de magnitud importante con corrientes de base
muy pequeñas.
Fig.03 Transistor Darlington Orden
- Es posible implementar esta configuración con transistores Tomada de: Radioelectronica.es
discretos, al igual que existen pares Darlington integrados
en un solo encapsulado. IV. TRANSISTOR DARLINGTON 2N6666 NPN

- Permite utilizar menos espacio al incluir un solo

encapsulado en vez de dos por separado.

➢ DESVENTAJAS:

- A altas frecuencias se observa que un transistor Darlington

presenta un desplazamiento de fase mucho mayor que el de
un único transistor. Por lo cual utilizar configuraciones de
este tipo en circuitos con realimentación negativa resulta
en una mayor inestabilidad de los mismos.
 - Aplicaciones:
VI. APLICACIÓN
Diseñado para amplificador de propósito general y baja velocidad
cambiar aplicaciones[4]. Como ya sabemos el funcionamiento del transistor darlington, se
realizará un pequeño ejercicio para mejor comprensión de este.

Fig.04 Transistor Darlington 2N6666 NPN

Tomada de: Datasheet

- Características Eléctricas:

Fig.07 Circuito con transistor Darlington

Tomada de: Elaboración propia

Del circuito de la Fig.06 calcular los puntos de operacion Q para

cada transistor con un β = 100

Solución

- Si aplicamos Thevenin, el circuito queda de la siguiente

manera:
Fig.05 Transistor Darlington 2N6666 NPN
Tomada de: Datasheet

V. TRANSISTOR DARLINGTON NPN Y PNP

Para el montaje de los circuitos se debe tener en cuenta que hay

transistores Darlington NPN y PNP donde cambia el flujo de la
corriente y un par de estos transistores puede ser PNP o NPN
depende de la aplicación utilizada como se muestra en la figura:[5]

Fig.08 Circuito Aplicando Thevenin

Tomada de: Elaboración propia

V TH = 18 * ( 90
) − 12 * ( 90
)=6V
90+60 90+60

RTH = 60 kΩ ll 90 kΩ = 36kΩ
Fig.06 Transistor Darlington
Tomada de: Electronica_Lugo.com
Ahora estructuramos el circuito y queda de la siguiente manera:

VII. SIMULACIÓN

Fig.09 Circuito Thevenin

Tomada de: Elaboración propia
6 V −0.7 V +12 V
Ib1 = 36 k+(101)*18 k = 9.33 μA

I C1 = β* Ib1
I C1 = (100) * 9.33 μA = 0, 933 mA

Fig.10 Simulación del circuito

Ie1 = (β + 1) * Ib 1
Tomada de: Elaboración propia en Multisim
Ie1 = (100 + 1) * 9.33 μA = 0.9424 mA
VIII. ESQUEMA Y PCB
− 2 k * (β + 1) * Ib2 − 0.7 + 8 k * (IC 1 − Ib 2 ) = 0

Ib 8 k*(0.933 μA)−0.7
2 = −2k*(100+1)+8 k
= 32.20 μA

IC 2 = β * Ib 2
IC 2 = (100) * 32.20 μA = 3.22 mA

Ie2 = (β + 1) * Ib 2

Ie2 = (101) * 32.20 μA = 3.25 mA

V ce1 = 18 − 8 k * (0.933 mA − 32.20 μA) − 18 k * (3.25 mA)

V ce 1 = 5.89 V > 0 ; entonces Q1 está en "Zona Activa" Fig.11 Circuito Esquemático Transistor Darlington
Tomada de: Picaxe.com
V ce2 = 18 − 2 k * (3.25 mA) − 3.5 k * (3.22 mA) + 12
V ce 2 = 12.22 V > 0 ; entonces Q2 está en "Zona Activa"
 Fig.12 Tarjeta de circuito impreso
Tomada de: Picaxe.com

IX. REFERENCIAS

[1] Hodges, David A. (1999). «Darlington's Contributions to

Transistor Circuit Design». IEEE Transactions on Circuits and
Systems-I: Fundamental Theory and Applications 46.

[2] Horowitz, Paul; Winfield Hill (1989). The Art of Electronics.

Cambridge University Press. ISBN 0-521-37095-7.

[3] Hodges, David A. (1999). «Darlington's Contributions to

Transistor Circuit Design». IEEE Transactions on Circuits and
Systems-I: Fundamental Theory and Applications 46.

[4] S. Boca, "2n6666 2n6667 2n6668.pdf PDF datasheet. ALL

TRANSISTORS DATASHEET. POWER MOSFET, IGBT, IC,
TRIACS DATABASE. Electronic Supply. INNOVATION CATALOG.
Service", Alltransistors.com, 2012. [Online].

[5] Hodges, David A. (1999). «Darlington's Contributions to

Transistor Circuit Design». IEEE Transactions on Circuits and
Systems-I: Fundamental Theory and Applications 46.