LABORATORIO Nº 5

CONFIGURCION DE DIODOS CON ENTRADA DC

Universidad de Nariño Pasto-Colombia

Otaya Miguel
Aguirre Alexis
Galvis Darío
López Carlos

Profesor: Rosales Arturo

RESUMEN
En esta práctica se trabajó con 4 circuitos compuestos por una resistencia, fuente de voltaje DC y
uno o dos diodos de Silicio y Germanio en serie o en paralelo, los cuales se solucionaron utilizando
la segunda aproximación para diodos y las leyes y reglas conocida, como las de Ohm y Kirchhoff
encontrando valores tanto teóricos como experimentales. Finalmente se compararon dichos datos y
se comprobó la utilidad de la segunda aproximación a la hora de resolver circuitos.

INTRODUCCION
Diodos

•Es un dispositivo no lineal.

•La gráfica de la corriente en función de la tensión no es una línea recta.
•La tensión del diodo debe exceder la tensión de la barrera para conducir
Gráficamente se representa por una flecha y una línea como se muestra en el siguiente circuito

Vamos a estudiar algunas aproximaciones para resolver la ecuación de diodo:

Aproximaciones del diodo

Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada una de ellas es útil en
ciertas condiciones.
1. Aproximación (el diodo ideal)
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que pasan por el origen de coordenadas.
Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.

Polarización directa: Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado.

Polarización inversa: Es como sustituir el diodo por un interruptor abierto.

2. Aproximación
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el
valor de la tensión umbral para el silicio, porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de
germanio se tomaría el valor de 0,3 V).
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización directa, pero como a efectos
prácticos no conduce, se toma como inversa. Con esta segunda aproximación el error es menor que
en la aproximación anterior.
Polarización directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V para un diodo de silicio

Polarización inversa: Es un interruptor abierto.

3. Aproximación
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una pendiente cuyo valor es
la inversa de la resistencia interna. Para el caso del silicio pero si fuese el diodo de germanio el
voltaje es de 0,3 V.

El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se analiza la polarización
directa:

Para calcular la resistencia interna promedio en estado

encendido Rav se procede asi:
∆ V =V 2−V 1=0,8 V -0.7V=0.1V

∆ i=10 mA −1 mA=9 mA
Por lo tanto Rab=∆ V /∆ i
Así Rab=0.1V/0.009ª=11.11Ω
PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
En el laboratorio se trabaja con los siguientes 4 circuitos que se los aproxima bajo la segunda
aproximación; en general un diodo esta encendido si la corriente establecida por la fuentes aplicadas
es tal que su dirección coincide con la flecha del símbolo del diodo.

Circuito 1 Circuito 2

Circuito 3 Circuito 4

Esquema de los circuitos empleados en la práctica

Aprox. Aprox.
Circuito 1 Circuito 2

Aprox.
Circuito 3 Aprox.
Circuito 4

Esquema de los circuitos bajo la segunda aproximación para diodos.

Cabe resaltar que los voltajes de barrera teóricos para los diodos de Silicio y Germanio son:
Vd ≥ 0.7v (Si); Vd ≥ 0.3v (Ge)
Circuito 1.
Para resolver este circuito aplico la segunda aproximación del diodo y debo tener presente las
siguientes consideraciones.
 Primeramente me doy cuenta que el voltaje aplicado por la fuente es mayor que el voltaje
de barrera, cumpliéndose que.

Ɛ > 0.7 v
 Posteriormente tengo que tener presente el sentido de la corriente, si este sentido coincide
con la flecha del diodo este se halla en polarización directa y podrá conducir.

Con esto presente se procede a resolver el circuito de manera teórica. Aplicando la segunda
aproximación (Ver Aprox. Circuito 1).
Para este circuito aplico leyes de Kirchhoff, y con la segunda aproximación tengo presente que el
valor teórico para VD es 0.7v
El valor en la resistencia teórica será: (Ɛ-0.7) v.
La corriente en el diodo y en la resistencia son las mismas ya que este circuito está en serie por
tanto.
Ɛ−0.7 v
I= R
De manera experimental en el circuito lo que se hace es fijar la fuente en 8.0v en polarización
directa e inversa y se mide con el multímetro como Óhmetro el voltaje a través del diodo y la
resistencia y la corriente del circuito con el multímetro como amperímetro, posteriormente se fija la
fuente a un valor menor que el voltaje de barrera del diodo de (Silicio) y finalmente se mide voltajes
a través del diodo y resistencia y la corriente del circuito. Los datos se muestran en la tabla número
1.
Circuito 2.
Nuevamente se procede a resolver el circuito de manera teórica aplicando las leyes de Kirchhoff así.
Usando la segunda aproximación donde los voltajes de barrera del silicio y germanio son V d ≥ 0.7v
(Si); Vd ≥ 0.3v (Ge), aplicando la ley de mayas me queda la siguiente ecuación.
V0 (V) = Ɛ – (VDSi + VDGe)
V0 (V) = Ɛ – (0.7v+0.3v) = V0 (V) = Ɛ – 1V
Donde V0 es el voltaje a través de la resistencia.
Para poder hallar ID que pasa a través del circuito aplico la ley de Ohm, dando como resultado la
siguiente ecuación.
Vo
ID (mA) =
R
Quedando resuelto el circuito de manera teórica.
De manera experimental primeramente se fija el voltaje de la fuente a 9V y coloca los dos diodos en
polarización directa tanto el de silicio como el de germanio y con el multímetro se miden los
voltajes en cada diodo, luego se abre el circuito y se mide la corriente que pasa a través de este,
posteriormente se invierte el diodo de germanio y se mantiene el voltaje de la fuente anterior y
finalmente se mide los voltajes a través de ellos y la corriente del circuito.
Circuito 3.
En este caso en el circuito los Diodos de silicio y germanio se hallan en paralelo, de esta forma el
voltaje es igual en cada diodo que será igual al voltaje de barrera del Germanio, por lo tanto desde a
partir de este valor la corriente fluirá por el circuito.
Nuevamente se procede a resolver el circuito de manera teórica aplicando las leyes de Kirchhoff
Aplicando ley de mayas me queda la siguiente ecuación.
V0 = Ɛ-VDGe
Donde V0 es la resistencia a través de la resistencia.
Para poder hallar ID que pasa a través del circuito aplico la ley de Ohm, dando como resultado la
siguiente ecuación.
ID (mA) = V0 / R

RESULTADOS TEORICOS Y EXPERIMENTALES

A continuación se muestras los datos obtenidos tanto experimentales (tomados con el multímetro
digital) como teóricos (bajo la segunda aproximación de diodos) con su respectivos errores
porcentuales.
CIRCUITO 1
E (V): voltaje de la fuente.
VD (V): voltaje a través del diodo (silicio).
VR (V): voltaje a través de la resistencia R.
ID (mA): corriente a través del diodo (silicio).

Valores teóricos
R (Ω) = 271
Tabla 1
POLARIZACION E(V) VD(V) VR(V) = E - VD ID(mA) = IR = VR/R
Directa 8,0 0,7 7,3 26,9
Inversa 8,0 8,0 0 0
Directa 0,5 0,5 0 0

Valores experimentales
Tabla 2
 POLARIZACION E(V) VD(V) % Error VR(V) % Error ID(mA) % Error
Directa 8,0 0,7 0 7,3 0,3 27,0 0,3
Inversa 8,0 8,1 1 -0,1 0,1 -0,3 0
Directa 0,5 0,5 0 0,0 0 0 0

CIRCUITO 2
E (V): voltaje de la fuente.
VDSi (V): voltaje a través del diodo (silicio).
VDGe (V): voltaje a través del diodo (germanio).
V0 (V) voltaje en el terminal.
ID (mA): corriente en los diodos.

Valores teóricos
R (Ω) = 271
Tabla 3

POLARIZACION E(V) VD Si(V) VD Ge(V) V0(V) = E – (VD SI + VD Ge) ID(mA) = V0/R

Diodos Directos 9,0 0,7 0,3 8,0 29,52
Diodo de Ge invertido 9,0 0,0 9,0 0,0 0

Valores experimentales
Tabla 4

POLARIZACION E(V) VD Si(V) VDGe(V) V0(V) % Error ID(mA) % Error

Diodos Directos 9,00 0,69 0,30 8,08 0 29,5 0,1
Diodo de Ge invertido 9,00 0,37 8,68 0,00 0 0,000009 0

CIRCUITO 3
E (V): voltaje de la fuente.
VDSi (V): voltaje a través del diodo (silicio).
VDGe (V): voltaje a través del diodo (germanio).
V0 (V) voltaje en el terminal.
ID (mA): corriente en los diodos.

Valores teóricos
R (Ω) = 505
Tabla 5

E(V) VD Si(V) VD Ge(V) V0(V) = E – VD Ge ID(mA) = V0/R

9.0 0,3 0.3 8,7 17,22
 10 0,3 0.3 9,7 19,2

Valores experimentales
Tabla 6

E(V) VD Si(V) VD Ge(V) V0(V) %Error ID(mA) %Error

9 0,27 0,27 8,77 1 17,2 0,1
10 0,28 0,28 9,8 1 19,21 0,1

CIRCUITO 4
E (V): voltaje de la fuente. I 1 (mA): corriente en la resistencia 1
VD1 (V): voltaje a través del diodo 1 (silicio). I 2 (mA): corriente en la resistencia 1
VD2 (V): voltaje a través del diodo 2 (silicio).
V2 (V): voltaje a través de la resistencia 2.
ID2 (mA): corriente en por el diodo 2.

Valores teóricos
R1 (Ω) = 985; R2 (Ω) = 503
Tabla 7

E(V) VD1 (V) VD2 (V) I1(mA)=VD2/R1 V2(V)=E-VD1-VD2 I2(mA)=V2/R2 ID2=(mA)=I2-I2

15 0,7 0,7 0,7 13,6 27,2 26,5

Valores experimentales
Tabla 8

E(V) VD1 (V) VD2 (V) I1(mA) %Error V2(V) %Error I2(mA) %Error ID2 (mA) %Error
15 0,68 0,69 0,7 0 13,71 0,8 26,9 1 26,1 2

ANALISIS DE RESILTADOS
De la tabla de valores experimentales de cada circuito se observan errores relativos porcentuales por
debajo del 3% ya que las cantidades tomadas en la práctica se aproximan bastante a los valores
teóricos esperados.
De la tabla 2 se observa que para un voltaje de 0.5 V suministrados por la fuente de CC, la corriente
a través del circuito es nula, pues dicho voltaje no supera el voltaje de barrera para el diodo de
silicio de 0.7 V. también, cundo se tiene al diodo en polarización inversa, el voltaje a través de este
es igual al de la fuente por lo que el voltaje a través de la resistencia V R es igual a cero.
En la tabla 4 cuando el diodo de germanio está invertido, vemos que el voltaje o través este es
aproximadamente igual al de la fuente, que era lo que se esperaba del cálculo teórico, pero, el
voltaje a través del diodo de germanio no es precisamente cero.
En la tabla número 6 para el circuito 3, vemos que el voltaje a través de cada diodo es de 0.3V que
era lo que se esperaba teóricamente, pues cuando encendemos la fuente de voltaje E la corriente
circulara del tal manera que sea el diodo de germanio el que primera la conduzca pues su voltaje de
barrera es menor que el del diodo de silicio.
De la tabla 7 y en general en las demás tablas se afirma que la segunda aproximación para diodos
resulta ser bastante buena, pues los valores estimados con dicha aproximación se acercan bastante a
los experimentales obteniendo errores por debajo del 3% en las medidas.

CONCLUSIONES
 La segunda aproximación para diodos donde ignoramos su resistencia interna implica que
en el circuito habrá flujo de corriente cuando el voltaje suministrado por la fuente sea como
mínimo el voltaje de barrera del diodo en polarización directa
 Cuando se medía la corriente en el diodo de germanio invertido, la teórica me dice que es
cero, pero al bajar la escala del multímetro en el orden de micro-amperios aparecían
corrientes muy pequeñas a través de este diodo.
 La segunda aproximación de diodos resulta ser bastante útil a la hora de solucionar circuitos
con entrada DC y eficientes, pues los valores de voltaje y corriente que se obtienes en los
cálculos son bastante aproximados a las medidas experimentales.

SOLUCION DE PROBLEMAS

1. Dos diodos de Ge se conectan en oposición como se muestra en la figura 7 y se alimentan con

una batería de 3 V a una temperatura de 18ºC.Utikizando el modelo matemático del diodo
encontrar los voltajes V1 y V2.
qVd
Ecuación del diodo ID=IS (e nkT -1)
 Figura 7
R/ Para encontrar el voltaje de V2 tenemos que la corriente que circula en este diodo es la corriente
de saturación por lo tanto y de la ecuación para diodo se obtiene
Vd
ID=IS (e nVT -1) entonces

Vd Vd
1= (e nVT -1) así 2=e nVT aplicando logaritmo natural para ambos extremos de la ecuación

Vd 291
Ln(2)= por lo que Vd=Ln(2)*n*VT donde n=1 y VT=
nVT 11600
VD=0.0174V.
Para encontrar el voltaje V1 aplicamos Kirchhoff
3V-V2+V1=0
V1=3V+0.0174V=3.0174V

2. Encontrar la corriente I para el circuito de la figura 8 (Utilizando segunda aproximación)

Aplicando Kirchhoff para el camino de corriente en el diodo que se encuentra en polarización

directa tenemos que
20V –iR-0.7V-4V=0 por lo tanto al despejar i de la ecuación se obtiene
20V −0.7 V −4 V
i= donde R es igual a 2200 Ω
R
20V −0.7 V −4 V
Así i= =6.9 μA .
2200 Ω