Practica 4 - FINAL - Electronica Uaa

Electrónica
Practica 4
Polarización del transistor BJT
Nombre(s):
Camacho Chavez Paulina Karina
García Ortiz Itzel Jazmín
Martínez Herrera Mayte Ivanova c
Objetivo
Realizar pruebas de funcionamiento del transistor BJT (PNP y NPN), medir los efectos en polarización directa e
inversa para determinar su punto de operación, así como implementar aplicaciones básicas de circuitos
amplificadores.
Fundamento Teórico
Básicamente los transistores operan sobre un flujo de corriente, funcionando como amplificadores (reciben una
señal débil y generan una fuerte) o como interruptores (recibiendo una señal y cortándole el paso) de la misma.
Esto ocurre dependiendo de cuál de las tres condiciones que ocupe un transistor en un determinado momento, y
que son:
• En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos corriente).
• En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.
• En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente máxima).
• Ahora bien: todo transistor se compone de tres elementos: base, colector y emisor.
• La primera es la que media entre el emisor (por donde entra el caudal de corriente) y el colector (por donde
sale el caudal de corriente).
• Y lo hace, a su vez, activada por una corriente eléctrica menor, distinta de la que modulada por el transistor.
• Transistor de unión bipolar. Fabricado sobre un cristal de material semiconductor, que se contamina de manera
selectiva y controlada con átomos de arsénico o fósforo (donantes de electrones), para generar así las regiones
de base, emisor y colector
• Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y como amplificador con
ganancia variable.
Dr. en C. Luis Fernando Gutiérrez Marfileño Sistemas Electrónicos

Electrónica
Forma de trabajo:
Colaborativa en equipos de 3 alumnos
Material y equipo
Descripción Cantidad
Multímetro digital 1
Fuente de alimentación de CD 1
T1 Transistor BJT 2N2222 (NPN) 1
T2 Transistor BJT BC336 (PNP) 1
RB Resistor de 1.5MΩ a ½ W 1
RC Resistor de 5.6KΩ a ½ W 1
R1 Resistor de 470Ω a ½ W 1
R2 Resistor de 3KΩ a ½ W 1
Tablilla Protoboard 1
Cable telefónico (Conectores)
Tabla 1
Procedimiento y Resultados
I. Pruebas del transistor.
a. Asignación de pines
Transistor BC336 Transistor 2N2222
Encapsulado: TO-92 Encapsulado: TO-92 Encapsulado: TO-18

Electrónica
1. Con multímetro digital en la función de prueba de diodos ( ) realiza las siguientes mediciones sobre los
transistores 2N3906 y 2N2222diodo 1N5227B y sobre un diodo 1N5243B
a) b) c) d)
Figura 1
2. Registra las mediciones en la siguiente tabla:
VBE medido (volts) VBC medido (volts) VEB medido (volts) VCE medido (volts)
Transistor a) b) c) d)
BC336 0.706 0.104 OL OL
2N2222 .9999999999 OL 0.715 0.715
Tabla 1
4. Mide el valor de resistencia de RB y RC y regístralo en la tabla 2.

II. Circuito con polarización de base.
3. e implementa el circuito de la figura 3 en una tablilla protoboard y aplica un voltaje en VCC de 10VCD
T1
Figura 3
6. Mide los valores de voltaje en RB, RC, VBE, VCE y calcula las corrientes de Base, Colector y Emisor.

Electrónica
7. Registra los valores los valores anteriores en la siguiente tabla.
R medida V medido I calculada

(ohms) (volts) (mA)
RB 1.48 9.39 5X10-6 IB
RC 5.19 4.33 0.000834 IC
VBE 0.605 0.000840 IE
VCE 5.679
Tabla 3 Parámetros de polarización de base
8. Calcula la  del transistor:
 = 166.8
III Circuito con polarización de colector.

9. Implementa el circuito de la figura 4 en una tablilla protoboard con un voltaje en VCC de 12 VCD
Figura 4
10. Mide los valores de voltaje en R2, R1, VBE, VCE y calcula las corrientes de Base, Colector y Emisor.
11. Registra los valores los valores anteriores en la siguiente tabla.
R medida V medido I calculada

(ohms) (volts) (mA)
R2 3.23 2.01 0.00061 IB
R1 461.2 9.28 0.020 IC
VBE 0.684 0.0207 IE
VCE 2.694
Tabla2 Parámetros de polarización de colector

12. Calcula la  del transistor:
 = 32.78

Electrónica
Cuestionario
1. Un transistor de unión bipolar tiene tres termin ales.
Verdadero x Falso
2. Las tres regiones de un BJT son la base, el emisor y el cátodo.
Verdadero Falso x
3. Para que opere en la región lineal o activa, la unión base-emisor de un transistor se polariza en directa.
Verdadero x Falso
4. Dos tipos de BJT son el npn y el pnp.
Verdadero x Falso
5. La corriente en la base y la corriente en el colector son aproximadamente iguales.
Verdadero Falso x
6. La ganancia de voltaje de cd de un transistor se expresa como CD.
Verdadero Falso x
7. Corte y saturación son los dos estados normales de un amplificador lineal con transistores.
Verdadero Falso x
8. Cuando un transistor está en saturación, la corriente en el colector es máxima.
Verdadero x Falso
9. CD y hFE son dos parámetros de transistor diferentes.
Verdadero Falso x
10. La ganancia de voltaje de un amplificador con transistor depende del resistor en el colector y la
resistencia de ca interna
Verdadero x Falso
11. Amplificación es el voltaje de salida dividido entre la corriente de entrada.
Verdadero Falso x
12. Un transistor en estado de corte actúa como interruptor abierto.
Verdadero x Falso
Conclusiones
El transistor es un componente electrónico que ayuda a amplificar los impulsos eléctricos dando así una mayor
salida de electrones para que la pieza que está conectada al final de la conexión puedas prender si problema
alguno.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para producir una señal de salida en respuesta
a otra señal de entrada. 1 cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término
«transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de
audio y video, relojes de cuarzo, computadoras

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• En activa. Se permite el paso de un nivel de corriente variable (más o menos corriente).

• En corte. No deja pasar la corriente eléctrica.

• En saturación. Deja pasar todo el caudal de la corriente eléctrica (corriente máxima).

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2. Registra las mediciones en la siguiente tabla:

4. Mide el valor de resistencia de RB y RC y regístralo en la tabla 2.

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7. Registra los valores los valores anteriores en la siguiente tabla.

R medida V medido I calculada

Tabla 3 Parámetros de polarización de base

8. Calcula la  del transistor:

III Circuito con polarización de colector.

11. Registra los valores los valores anteriores en la siguiente tabla.

R medida V medido I calculada

Tabla2 Parámetros de polarización de colector

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