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    Transistores Mosfet (Atp)

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    Jhonn Yorin
    El documento describe el transistor MOSFET, un dispositivo controlado por voltaje que funciona de manera diferente a un transistor BJT. El MOSFET conduce corriente entre el drenador y el surtidor cuando se aplica un voltaje de puerta superior a la tensión umbral. El documento también proporciona pasos para probar MOSFETs y explica algunas de sus características como alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía.

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    Transistores Mosfet (Atp)

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    Jhonn Yorin
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    El documento describe el transistor MOSFET, un dispositivo controlado por voltaje que funciona de manera diferente a un transistor BJT. El MOSFET conduce corriente entre el drenador y el surtidor cuando se aplica un voltaje de puerta superior a la tensión umbral. El documento también proporciona pasos para probar MOSFETs y explica algunas de sus características como alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía.

    Título original

    1. TRANSISTORES MOSFET(ATP)

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    El documento describe el transistor MOSFET, un dispositivo controlado por voltaje que funciona de manera diferente a un transistor BJT. El MOSFET conduce corriente entre el drenador y el surtidor cuando se aplica un voltaje de puerta superior a la tensión umbral. El documento también proporciona pasos para probar MOSFETs y explica algunas de sus características como alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía.

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    Transistores Mosfet (Atp)

    Cargado por

    Jhonn Yorin
    El documento describe el transistor MOSFET, un dispositivo controlado por voltaje que funciona de manera diferente a un transistor BJT. El MOSFET conduce corriente entre el drenador y el surtidor cuando se aplica un voltaje de puerta superior a la tensión umbral. El documento también proporciona pasos para probar MOSFETs y explica algunas de sus características como alta impedancia de entrada y bajo consumo de energía.

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    TRANSISTORES

    MOSFET

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    Dispositivo controlado por voltaje, VGS

    D = Drain (Drenador)
    G = Gate (Puerta)
    S = Source (fuente)

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    Sus características y su aplicación parecen iguales, pero existen
    diferencias en su operación, que cambia los resultados de trabajo de los
    mismos.

    La corriente que La corriente que


    fluye por el emisor es fluye entre drenador
    el producto de la y surtidor será la
    corriente entre base consecuencia del
    y emisor por la voltaje que se le
    ganancia del aplique en la puerta
    transistor. o GATE.

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    C = Colector D = Drain (Drenador)
    B = Base G = Gate (Puerta)
    E = Emisor S = Source (fuente)

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    Para que el transistor MOSFET comience a conducir el “VGS”
    debe ser mayor al VT (Tensión umbral)
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    CARACTERISTICAS:

     Tiene una impedancia de entrada muy alta.


     Hay MOSFET de canal N y canal P.
     Los circuitos MOSFET son altamente
    inmunes al ruido.
     Consumen muy poca potencia y son muy
    flexibles.
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    PRUEBA DEL MOSFET 1

    PASO 1
    Identificar los terminales correspondientes a G, D, S.
    PASO 2
    Colocar el polímetro en función diodos
    PASO 3
    Conectar:
    La punta positiva del polímetro a “S”
    La punta negativa del polímetro a “D”
    Lectura aproximada 513mv
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    PRUEBA DEL MOSFET 1
    PASO 4
    Cambiar la punta positiva del polímetro a “G”
    En este caso debe marcar infinito
    PASO 5
    Volver a conectar nuevamente el positivo a “S”
    La lectura debe bajar considerablemente (0.83
    aproximadamente)
    PASO 6
    Para que la lectura regrese a su posición original
    descargar el transistor cortocircuitando los tres
    terminales. T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    PRUEBA DEL MOSFET 2
    PASO 1
    Para realizar esta prueba se debe descargar
    primero el transistor cortocircuitando sus tres
    terminales con algo metálico.
    PASO 2
    Colocar el polímetro en función 200M
    PASO 3
    Conectar el polímetro:
    Punta positiva a “D”
    Punta negativa a “S”
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    PRUEBA DEL MOSFET 2

    PASO 4
    Hacer un puente con los dedos entre:
    G - D debe marcar INFINITO
    G - S debe marcar un valor de (3,5
    aproximadamente)

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    PRUEBA EN CALIENTE
    Se requiere una lámpara de 12v y una fuente regulable.
    PASO 1
    Regular fuente a 12v
    PASO 2
    Conectar :
    Punta positiva de la fuente a “D”
    Punta negativa de la fuente a una de las terminales
    de la lámpara.
    La otra punta de lámpara a “S”

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    PRUEBA EN CALIENTE
    PASO 3
    Puentear entre:
    G-D (debe activar)
    G-S (debe desactivar)

    “esta prueba no debe hacerse prolongadamente ya que el


    MOSFET se puede dañar”.

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
     Los transistores SMD son elementos muy pequeños
    para poder situar sobre ellos la impresión con su
    identificador. Para poder identificar los transistores
    SMD los fabricantes usan códigos de dos o tres
    caracteres que como se entenderá poco pueden decir
    sobre su real identificación.

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
     A diferencia de los transistores comunes estos
    transistores llevan resistencias incluidas en el mismo
    encapsulado.
     Unos tienen resistores entre B-E otros la tienen
    conectada en serie con la B y algunas veces tienen
    ambos resistores

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
     En algunos casos incluyen un diodo Zener como por
    ejemplo el dispositivo DTDG23YP.

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales
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    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras
    FIN DE LA
    PRESENTACIÓN

    T.S. EEA. Juan Carlos Calani Morales


    T.S. EEA. Filemón Ledezma Almendras

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