TEMA 1: SEMICONDUCTORES Y DIODO PNP

1. Materiales semiconductores

En este capítulo se analizaran los materiales semiconductores que son la base de los modernos
circuitos integrados. Dispositivos micro electrónicos tan comunes como microprocesadores o
memorias están fabricados utilizando como célula fundamental el transistor de silicio, material
semiconductor dominante en esta industria. En este capítulo se estudiará en más profundidad este
tipo de materiales.

1.1 Clasificación de los materiales

Hoy en día se pueden clasificar los materiales eléctricos en tres categorías: conductores, aislantes y
semiconductores. Los materiales conductores son aquellos que permiten un flujo elevado de
electrones, conduciendo perfectamente la electricidad. Un material aislante, por el contrario, no
permite el paso de electrones cuando se conecta a una diferencia de tensión, es por esto, por lo que
no es buen conductor de la electricidad. Por último, un material semiconductor es aquel que se
puede comportar como un material conductor o como un material aislante.

A bajas temperaturas, los electrones de un material semiconductor están compactos y no están

disponibles para conducir electricidad. Sin embargo, a altas temperaturas, la energía térmica es
capaz de romper alguno de estos enlaces provocando que algunos electrones queden libres para la
conducción eléctrica. Por tanto, a bajas temperaturas un semiconductor se comporta como un
aislante y a altas temperaturas se comporta como un conductor.

Otra manera de distinguir las tres categorías de materiales es observando su resistividad eléctrica,
ρ, [Ωm]:

- Material aislante: suele ser muy grande como por ejemplo el vidrio (Figura 1.1), ρ=1x10 14.
- Material conductor: suele ser baja del orden de 1x10 -8. Cobre (Figura 1.2) ρ=1.71x10-8.
- Material semiconductor: será intermedia como en el Silicio (Figura 1.3), ρ=2x10 3Ωm.

FIGURA 1.1 M ATERIAL AISLANTE FIGURA 1.2 M ATERIAL FIGURA 1.3 M ATERIAL
CONDUCTOR AISLANTE

1.2 Estructura

Los átomos están formados por neutrones y protones, que conforman el núcleo, y alrededor se
encuentran los electrones ordenados por capas. Siendo la última capa la que define que enlaces
formara el átomo.

En un cristal semiconductor como puede ser el silicio, que posee la estructura cristalina diamante,
cada átomo tiene 4 electrones de valencia, es decir, la estructura cristalina de un material
semiconductor está definida por átomos tetravalentes (Figura 1.4). Esta estructura hace que se
formen cristales, es decir, redes de átomos enlazados con enlaces covalentes.

1
 FIGURA 1.4 E STRUCTURA DE UN
SEMICONDUCTOR

Cuando estos materiales están expuestos a altas temperaturas, como previamente se ha

mencionado, se comportan como materiales conductores. Al estar expuestos a altas temperaturas,
la energía térmica rompe enlaces dejando electrones libres para la conducción. En el momento que
un electrón de valencia es liberado, deja tras de sí una vacante en el enlace covalente. Dicha
vacante puede ser llenada por uno de los electrones de valencia de un enlace vecino provocando un
movimiento de la vacante dentro del cristal. A este tipo de vacante se le considera una partícula y
recibe el nombre de hueco. Los huecos tienen cargas positiva y se mueven en dirección opuesta a la
de los electrones bajo un campo eléctrico externo aplicado. Como muestra la Figura 1.5, al
romperse el enlace, se genera térmicamente un electrón libre (e) y en la vacante aparece un hueco
(h).

FIGURA 1.5 R OTURA DEL ENLACE Y APARICIÓN DE UN HUECO

1.3 Dopaje de materiales

En un semiconductor absolutamente perfecto, la concentración de electrones y huecos será la

misma ya que el proceso de creación de un electrón libre implica la formación de un hueco. En este
caso, el semiconductor recibe el nombre de semiconductor intrínseco. Definiendo como n y p, a la
concentración de electrones y huecos por unidad de volumen respectivamente.

En este caso tenemos:

2
 n = p = ni

Donde ni es la concentración intrínseca de portadores, la cual suele ser muy pequeña y no

demasiado útil en la mayoría de semiconductores. En la práctica, dicha concentración es controlada
añadiendo impurezas. A estas impurezas se les denomina dopantes y por otro lado, al
semiconductor intrínseco dopado se le llama semiconductor extrínseco.

Hay dos tipos de semiconductores extrínsecos: semiconductor extrínseco tipo n y semiconductor

extrínseco tipo p. Los de tipo n (Figura 1.6), se caracterizan por la introducción de un elemento
pentavalente del grupo V (fosforo, arsénico o antimonio). Dichos elementos pentavalentes
adquieren el nombre de donores, ya que cada átomo pentavalente introducido tiene un electrón
más que los necesarios para formar un enlace covalente, por tanto en este caso:

n>p

Por otro lado, los semiconductores extrínsecos tipo p (Figura 1.7) se caracterizan por introducir un
elemento trivalente (Boro, Aluminio,…). Dichos elementos trivalentes adquieren el nombre de
aceptores, ya que, en este caso, cada átomo trivalente introducido tiene un electrón menos que los
necesarios para formar un enlace covalente, y como resultado obtenemos que:

p>n

FIGURA 1.6 INTRODUCCIÓN DE UN ELEMENTO PENTAVALENTEFigura FIGURA

1.7 1.7 INTRODUCCIÓN DE UN
ELEMENTO TRIVALENTE

1.4 Teoría de Bandas

Como ya hemos visto en el punto 1 de este tema, la resistividad varía enormemente desde valores
en torno a los 10-8 de un buen conductor hasta los 10 14 de un aislante. La razón que explica esta
enorme diferencia es la variación de densidad numérica de los electrones que participan en la
conducción eléctrica. En este apartado estudiaremos la Teoría de Bandas, teoría según la cual se
describe la estructura electrónica de un material como una estructura de bandas electrónicas, o
simplemente estructura de bandas de energía.

Los niveles energéticos de los electrones permitidos en un átomo aislado están frecuentemente
muy alejados. En el caso de tener dos átomos, si los 2 átomos están muy separados, la energía es la
misma en cada átomo; al aproximarse los átomos y solaparse las nubes electrónicas empieza a
actuar el principio de exclusión de Pauli y como consecuencia el nivel se desdobla en dos niveles de
energía ligeramente diferentes. Si tenemos N átomos idénticos en el sólido, un nivel particular de

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 energía de un átomo aislado se divide en N niveles energéticos distintos, muy próximos entre sí
dando lugar a una banda energética.

La banda de energía más alta que contiene electrones se denomina banda de valencia. La banda de
energía más baja donde hay niveles energéticos no ocupados por electrones recibe el nombre de
banda de conducción. El intervalo energético entre bandas permitidas se llama banda prohibida o
espacio energético y se suele notar como Eg.

FIGURA 1.8 E SQUEMA DE LAS BANDAS DE ENERGÍA

La energía de Fermi EF se encuentra dentro de la banda en el estado energético más alto lleno. En
los metales todos los estados energéticos con energía menor a la energía de Fermi, estarán llenos y
los que tengan energía mayor a la E F se encontrarán vacíos. No tienen ancho de banda prohibido o
banda prohibida y por ello los electrones pueden moverse con una velocidad determinada.

En el caso de los aislantes la banda de valencia está llena y la de conducción prácticamente vacía, y
el ancho de banda prohibida es relativamente grande, del orden de E g = 5eV. El nivel de Fermi se
encontrará dentro del ancho de banda prohibida y muy pocos electrones son térmicamente
excitados pasando de la banda de valencia a la de conducción, es decir, la mayoría de electrones
están en el enlace.

Por último, en los semiconductores la banda de conducción está vacía y la banda de valencia llena
cuando la temperatura es de 0K. Si se incrementa la temperatura, algunos electrones rompen el
enlace y pasan a la banda de conducción, participando en la corriente eléctrica. Al romper el enlace,
el electrón deja un hueco o agujero el cual se mueve como una carga positiva en la misma dirección
que el campo eléctrico. Es por esto que en los semiconductores hay dos portadores: electrones y
huecos. Por un lado, los electrones portan cargas negativas y por otro, los huecos portan cargas
positivas. Como resultado aparecen los pares electrones-huecos debidos a la energía térmica, la
cual hace que al aumentar la temperatura los electrones salten de la banda de valencia a la de
conducción. Destacar que el rango del ancho de banda prohibida en semiconductores es de E g=1-2
eV.

1.5 Movimiento de cargas

Como ya hemos visto previamente, la corriente se define como el movimiento de huecos, pero
también puede definirse como el movimiento de cargas. Los dos únicos movimientos de cargas que
vamos a estudiar son la corriente de conducción y la corriente de difusión.

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1.5.1 Corriente de conducción

Cuando en apartados anteriores se estudiaron los semiconductores, se vio que

para que la conducción fuera posible era necesario que la banda de valencia, la de conducción
o ambas estuvieran parcialmente ocupadas, de forma que los electrones pudieran
desplazarse ocupando niveles
energéticos vacíos. Si en un semiconductor con FIGURA 1.9 C ORRIENTE ELÉCTRICA DE UN SEMICONDUCTOR
estas características no se aplica ningún campo eléctrico, los portadores (electrones y huecos)
están sometidos a un movimiento absolutamente desordenado que da lugar a un
desplazamiento neto nulo, con lo que no se origina ningún tipo de corriente. Sin embargo, al
someter al cristal a un campo eléctrico, éste ejerce una fuerza sobre los portadores y el
movimiento de éstos adquiere un orden de forma que los electrones se desplazan hacia el polo
positivo y los huecos hacia el polo negativo, tal como se indica en la Figura 1.10, originándose
una corriente eléctrica. Esta corriente que aparece al someter a un semiconductor a un campo
eléctrico se denomina corriente de conducción.

FIGURA 1.10 SEMICONDUCTOR SOMETIDO A UN CAMPO ELÉCTRICO

Para determinar esta corriente o más concretamente la densidad de corriente (J), se calcula la
densidad correspondiente a los electrones (Jn), ya que la de los huecos (Jp) se obtiene de
forma análoga.

Para ello hay que considerar una porción de semiconductor, como la de la Figura 1.11, de
sección A y longitud L que al someter a un campo eléctrico de intensidad ε es atravesada por N
electrones en un tiempo t.

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 FIGURA 1.11 SEMICONDUCTOR UTILIZADO PARA DEFINIR EL FLUJO DE CORRIENTE
Los electrones en su desplazamiento adquieren una velocidad que es proporcional al campo
eléctrico, es decir, 𝑣𝑛 = 𝜇𝑛𝜀, siendo la constante proporcional 𝜇𝑛 la denominada movilidad de
los electrones.

La densidad de corriente de conducción Jn, debida al desplazamiento de los electrones, se

obtiene como cociente de la corriente originada entre el área de la sección transversal por la
que circula. Por tanto, será:

Siendo

q = carga del electrón (culombios).

n = concentración de electrones (electrones/cm3)
µn = movilidad de los electrones (cm2/V s)

La densidad de corriente de conducción de huecos y µ p la movilidad de estos.

Como electrones y huecos tienen cargas opuestas y se desplazan en sentido contrario, las
corrientes que originan son aditivas. Por tanto, la densidad de corriente de conducción total
será:

𝐽 = 𝐽𝑛 + 𝐽𝑝 = 𝑞𝑛𝜇𝑛𝜀 + 𝑞𝑛𝜇𝑝𝜀 = 𝑞𝜀(𝑛𝜇𝑛 + 𝑛𝜇𝑝) = 𝜎𝜀

Que como puede observarse es proporcional al campo eléctrico aplicado mediante la

constante de proporcionalidad σ (1/ohm*cm), denominada conductividad.

Por tanto, para aumentar la densidad de corriente y por lo tanto la propia corriente, debe
aumentarse la conductividad, lo que se puede conseguir incrementando la concentración de
electrones (n) y de huecos (p), es decir, incrementando el número de portadores; lo que está
de acuerdo con lo indicado con apartados anteriores.

1.5.2 Corriente de difusión

Los portadores de carga también pueden desplazarse originando corriente, aunque no estén
sometidos a un campo eléctrico. Si consideramos un cristal semiconductor en el que los
portadores no están uniformemente distribuidos, existiendo una zona en la que la
concentración es mayor; es decir, si existe un gradiente de concentración a lo largo del cristal,
los portadores tenderán a moverse desde la región de mayor concentración a la de menor,
originando una corriente eléctrica denominada corriente de difusión, que es proporcional en

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cada instante al gradiente de concentración. Pasado un cierto tiempo se alcanzará el equilibrio
y los portadores estarán uniformemente distribuidos por el cristal.

Este mecanismo de difusión es similar al de desplazamiento de las moléculas de una gota de

tinta al introducir ésta en un vaso de agua. Las moléculas de tinta tienden a distribuirse de un
modo uniforme por todo el líquido.

FIGURA 1.12 GRADIENTE DE CONCENTRACIÓN

Si consideramos un semiconductor en el que la concentración p de huecos varía con la

distancia x, tal como se indica en la Figura 1.12, existiendo por tanto un gradiente de
concentración dp/dx, la densidad de corriente de difusión de huecos Jp es proporcional a este
gradiente y toma el valor de:

Siendo Dp la constante de difusión de los huecos. De forma análoga se obtiene para los
electrones:

Por tanto, la densidad de corriente de difusión total será:

Como en los semiconductores pueden existir simultáneamente corrientes de conducción y

de difusión, la densidad de corriente total será la suma de la densidad de conducción y la de
difusión.

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 Debido a que el gradiente de concentración de portadores disminuye rápidamente con el
tiempo, la corriente de difusión se hace cero, permanecido únicamente la corriente de
conducción.

2. Unión PN abierta

En este caso ambas zonas son neutras. No se conectan a ninguna fuente de tensión. La carga en
un material se mueve por dos razones: Por la corriente de difusión y la corriente de
conducción. El material no está conectado a nada por lo que no hay corriente de conducción.
Sin embargo, la distribución de carga del material no es homogénea. En la zona P hay muchos
huecos y en la zona N hay muchos electrones. Por lo que debido a la tendencia de la carga a
homogeneizarse se formarán corrientes de difusión. A este efecto se le denomina
recombinación.

Vamos a ver qué sucede si se cogiesen una zona P y una zona N y se juntasen.

FIGURA 1.13 U NIÓN PN NEUTRA

La recombinación es el fenómeno por el cual los electrones tienden a ocupar los huecos por
atracción de la diferencia de cargas.

Si esto es así, se obtiene una zona neutra a la que se le quitan electrones, la cual
denominaremos zona N que quedará cargada positivamente. Por otro lado, la zona en la que se
recombinan los huecos recibe el nombre de zona P, que quedará cargada negativamente. Entre
estas dos zonas se formará una barrera de potencial causada por la diferencia de carga entre
ellas. (Figura 2.2) Esta barrera de potencial generará un campo eléctrico de sentido negativo y
positivo. Dicha barrera de potencial suele representarse con una batería e impedirá el paso de
corriente, es decir, el paso de electrones.

FIGURA 1.14 B ARRERA DE POTENCIAL EN UNIÓN PN

A medida que se va produciendo el cambio de electrones y huecos (homogenización del
material) la barrera de potencial va aumentando y esto a su vez hace que el paso de electrones
se dificulte.

Esto se quedaría así si solo hubiese elementos mayoritarios. Sin embargo, tenemos elementos
minoritarios. El campo eléctrico hace que los electrones que se encontraban en la zona P pasen
a la zona N debido a la influencia del campo. Dicho campo hace que los huecos pasen con
facilidad de la zona N a la zona P. Este fenómeno hace que la barrera de potencial disminuya y
así se vuelve a posibilitar las corrientes de difusión. Este fenómeno se repite hasta llegar a un
equilibrio, donde la barrera de potencial será denominada barrera de potencial de equilibrio.

2.1 Unión PN en inversa

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona P y el polo positivo a la zona N,
lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y a su vez aumenta la tensión en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensión de la fuente de alimentación. Al aumentar la barrera
de potencial se convierte en imposible que los mayoritarios pasen de una zona a otra.

Los minoritarios, sin embargo, se ven favorecidos por la aparición de un gran campo eléctrico
de manera que pasaran fácilmente de una zona a otra. Si esto es así, los electrones minoritarios
que pasan a la zona N se moverán en el sentido de la tensión que habíamos creado, es decir, la
barrera de potencial crecerá. Es por esto por lo que se formará una corriente de electrones.

Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el
mismo potencial eléctrico que la batería.

El diodo en inversa se caracteriza por estar conectado a la fuente de tensión de la manera

descrita en la figura 2.3 y porque la corriente que ofrece es muy pequeña.

FIGURA 1.15 E SQUEMA DE UNIÓN PN EN

INVERSA

2.2 Unión PN en directa

En este caso, la fuente de tensión disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es decir, el
diodo polarizado directamente conduce la electricidad.

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Este hecho se produce cuando se conecta el polo positivo de una batería a la parte P de la
unión P-N y el negativo a la N.

El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la unión p-n.

Por otro lado, el polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja los huecos hacia la unión p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de

potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia
la unión p-n.

Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga
espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p convirtiéndose en electrón de
valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es atraído por el polo positivo de la batería y se
desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el
hilo conductor y llega hasta la batería.

FIGURA 1.16 E SQUEMA DE UNIÓN PN EN DIRECTA

2.3 Curva tensión-corriente y ecuación del diodo

Se define como la representación gráfica de la curva I =f (V ). Siendo V la componente de las

abscisas y la corriente formada I la componente de las ordenadas, la cual es una variable
dependiente de V. La curva de tensión-corriente también es denominada como característica
estática.

FIGURA 1.17 C URVA TENSIÓN - CORRIENTE

Cuando el diodo está polarizado en directa, no hay una corriente significativa hasta que la
tensión en el diodo sea superior a la barrera de potencial, que suele ser aproximadamente de
unos 0.7 V.

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Cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa hasta que la tensión
del diodo alcanza la tensión de ruptura. Se produce entonces una avalancha de electrones
inversa que destruye al diodo.

Ecuación del diodo:

La ecuación del diodo es el modelo matemático más empleado para el estudio del diodo. La
ecuación permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayoría de las aplicaciones. La
ecuación que relaciona la intensidad de corriente y la diferencia de potencial en este dispositivo
es:

VD
n∗V T
I =I S∗(e −1)
Donde:

 I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo.

 VD es la diferencia de tensión entre sus extremos.
 IS es la corriente de saturación.
 n es el coeficiente de emisión, dependiente del proceso de fabricación del diodo y que
suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
El Voltaje térmico VT es aproximadamente 25.85 mV a 300 K, una temperatura cercana
a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulación de circuitos.
Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

KT
V T=
q

Como podemos observar VT depende de la temperatura nada más, ya que K es la constante de

Boltzmann y q es el valor de la carga, ambos valores conocidos.

2.4 Modelo de diodo

En el modelo de diodo se representa como la corriente es nula hasta llegar al potencial umbral
donde la corriente aumenta de golpe. Convirtiendo la gráfica en dos rectas. Se puede observar
en la Figura 2.6 que el diodo funciona de dos maneras distintas dependiendo de la tensión.

FIGURA 1.18 G RÁFICA DEL MODELO DE DIODO

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 Si V es menor que el potencial umbral el diodo equivale a un circuito abierto. Por tanto, nos
encontramos en la región inversa de la curva.

Sin embargo, si V es mayor que el potencial umbral el diodo se convierte en una fuente de
voltaje con un valor igual al del potencial umbral. Por tanto, nos encontramos en la región
directa de la curva.

3. Influencia de la temperatura en los diodos

La temperatura tiene una gran influencia en el rendimiento del diodo. Cuando la temperatura

aumenta respecto la temperatura ambiente, la corriente inversa aumentará
exponencialmente. Por ejemplo, cuando la temperatura del diodo de silicio aumenta en 8, la
corriente inversa aumentará aproximadamente dos veces; cuando la temperatura del diodo de
germanio aumenta en 12, la corriente inversa aumentará aproximadamente dos
veces; además, cuando la temperatura aumenta, la caída de tensión directa del diodo
disminuirá, y cuando la temperatura aumenta en 1 C, la caída de tensión directa V D disminuirá
aproximadamente 2 mV, es decir, el coeficiente de temperatura es negativo. Estos pueden
verse a partir de la curva característica de amperios de voltaje del diodo que se muestra en la
figura 2.7.

FIGURA 1.19 R EPRESENTACIÓN DE LA INFLUENCIA DE LA

TEMPERATURA

En lo que respecta la zona inversa, la cantidad de electrones minoritarios aumentará, con lo

que, a su vez, la corriente de pérdidas en inversa aumenta.

4. Diodo Zener

El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado construido para que funcione en las

zonas de rupturas. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi
constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de
la resistencia de carga y temperatura.
Además, si el voltaje de la fuente es inferior a la del diodo este no puede hacer su regulación
característica.
Si a un diodo Zener se le aplica una tensión eléctrica positiva del ánodo respecto a negativa en
el cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador básico (la
mayoría de casos), pero si se le suministra tensión eléctrica positiva de cátodo a negativa en
el ánodo (polarización inversa), el diodo mantendrá una tensión constante. No actúa como
rectificador sino como un estabilizador de tensión.

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 En conclusión: el diodo Zener debe ser polarizado inversamente para que adopte su
característica de regulador de tensión. En la figura 2.8 se observa un circuito típico de su uso
como regulador de tensión:

FIGURA 1.20 E SQUEMA DE DIODO Z ENER

Variando la tensión V a valores mayores que la tensión de ruptura del Zener, V z se mantiene
constante.
Su símbolo es como el de un diodo normal, pero tiene dos terminales a los lados. Se deberá
tener presente que, el diodo Zener al igual que cualquier dispositivo electrónico, tiene
limitaciones y una de ellas es la disipación de potencia. Si no se toman en consideración sus
parámetros, el componente se quema.
Un diodo de estado sólido convencional permite una corriente significativa si está polarizado en
inversa por encima de su voltaje de ruptura inversa.
Cuando se excede el voltaje de ruptura de polarización inversa, un diodo convencional está
sujeto a alta corriente debido a la ruptura de avalancha. A menos que esta corriente esté
limitada por la circuitería, el diodo puede dañarse permanentemente debido al
sobrecalentamiento.
Un diodo Zener exhibe casi las mismas propiedades, excepto que el dispositivo está
especialmente diseñado para tener un voltaje de ruptura reducido, el denominado voltaje
Zener. En contraste con el dispositivo convencional, un diodo Zener con polarización inversa
exhibe una falla controlada y permite que la corriente mantenga el voltaje a través del diodo
Zener cerca del voltaje de ruptura de Zener.

En la figura 2.9 podemos apreciar la gráfica de voltaje-corriente de un diodo Zener con un

voltaje de ruptura de 17,1 voltios, teniendo en cuenta la diferencia de escala entre la parte
derecha y la izquierda de la gráfica.

FIGURA 1.21 G RÁFICA VOLTAJE - CORRIENTE

5. Aplicaciones típicas de los diodos

Transformar una señal en una señal distinta. Ejemplo: rectificador (Figura 2.10). Un circuito con
diodos que transforma una señal alterna en una señal continua.

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FIGURA 1.22 R ECTIFICADOR

Diodo LED (Figura 2.11): En un diodo en directa se rompe la barrera de potencial y los
electrones tienen libertad para recombinarse. Este proceso libera energía en forma de calor. Sin
embargo, existen aleaciones que emite este calor en forma de luz. GaP (verde), GaAsP (rojo).

Regulador Zener: tipo de circuito muy típico en electrónica. El diodo hace que a la resistencia 2
nunca le llegue una tensión mayorFIGURA
que la que
1.23nosotros
D IODO impongamos, de manera que la protege.
Cuando tenga tensiones menores de 6V LED el diodo entrara en corte y toda la tensión ira a la
resistencia. Si aplicamos tensiones mayores el diodo funciona como Zener y la tensión que le
llega a la resistencia nunca será mayor de 4V.

FIGURA 1.24 R EGULADOR Z ENER

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Problemas Tema 1

1. Hallar el valor de las tensiones y las corrientes señaladas en los circuitos de la figura.
a) Utilizando diodos ideales.
b) Repetir el problema suponiendo que los diodos tienen una tensión umbral de V u=0.7V.

2. a) Asumiendo que los diodos de la figura son ideales, hallar el valor de las tensiones y
corrientes señaladas.
b) Repetir el problema suponiendo que los diodos tienen Vu=0.7V.

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3. Halle la tensión V0 y la corriente I0 del circuito.

4. a) Asumiendo que los

diodos de la figura son
ideales, hallar los valores de
las tensiones y corrientes señaladas.
b) Repetir el problema suponiendo que los diodos tienen Vu=0.7V.

5. Suponga que el diodo Zener de la siguiente figura tiene una tensión Zener (V z0) de 10V.
¿Cuáles son las corrientes Zener máxima y mínima? Suponer diodo ideal: r z=0Ω.

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