Lab 11

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMP0
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Laboratorio N°11
TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Curso: Dispositivos y Circuitos Electrónicos Sección: C5
Mesa 2
Lab. Nro.: 11
Nro.:
Transistores de efecto de campo 04\11\22
Tema: Fecha:
Observaciones:
Participantes
Nro. Apellidos Nombres
1 Canaza Pari Nelson Fabricio
2 Quispe Llave Yorguen
3 Palomino Hurtado Reymundo
2021
1
“TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO”
Objetivos
- Identificar los terminales de un FET.

- Probar el estado de un FET
- Mostrar y medir el efecto del voltaje de drenaje con polarización cero en la
compuerta y determinar el voltaje de estrangulamiento para producir una
corriente de drenaje constante.
- Medir el valor del voltaje de polarización inversa compuerta-fuente requerido
para producir estrangulamiento para un valor dado de voltaje de fuente a
drenador.
- Implementar un circuito básico de polarización con FET.
- Dibujar los diagramas y medir los valores DC en un circuito básico con FET.
Introducción
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material
p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unión p-n.
Son componentes semiconductores, que se basan en el manejo de tensión y
corriente de salida bajo el control del Campo Eléctrico (V / mm), es decir, su entrada
no toma corriente, en la práctica esa corriente es extremadamente baja, comparable
a la I de fuga en un capacitor debido al dieléctrico.
La conducción en esta tecnología, depende únicamente del flujo de portadores
mayoritarios, por eso son unipolares, (un solo tipo de portadores N o P).
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.
2
Símbolos gráficos para un FET
CANAL N CANAL P
3
LA INTERPRETACIÓN DE LA CARACTERÍSTICA DE SALIDA
Tiene 3 zonas: VDS (aumenta)

1- Zona lineal. Ley de Ohm ID= VDS canal (cte.)
2- Zona alineal o de codo.
3- Zona de saturación, es la utilización como amplificador
PRUEBA DE UN TRANSISTOR FET
Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N

y un diodo NP para el canal P.
La tensión VGS se debe polarizar en forma inversa y en directa siempre y cuando
en forma no se sobrepase la tensión de arranque V (= 0,6V, Si). AL sobrepasar
0,6 V el diodo conduce y se destruye, porque está fabricado para baja corriente
directa. En síntesis, es una barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal
es N, e impurezas P para el de canal P, que tiene cierta resistencia
4
VENTAJAS DEL FET

1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (10 7
a 1012 W).Ya que la impedancia de entrada es mayor que la de los BJT, se
prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un amplificador
multietapa.
2. Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Son más estables con la temperatura que el BJT.
4. Se comportan como resistores variables controlados por tensión para
valores pequeños de tensión drenaje a fuente.
5. Puede ser utilizado como conmutador y como almacenador de carga (Tao
de entrada grande T=R.C).
6. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
7. Tamaño mucho más pequeño que los bipolares.
DESVENTAJAS DEL FET
1. Exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.
Preparación
Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar ls

apuntes de clase el texto base, el manual de componentes electrónicos, asimismo
realizar sus diseños previos utilizando el software de diseño electrónico del curso.
Equipos y Materiales
01 Osciloscopio 01 FET de canal N. 2N5433 o

01 Generador de Funciones. 2N3819 o k170
01 Multimetro digital. 01 Resistencia de 100
01 Fuente doble de DC 01 Diodo 1N4002GP
01 Protoboard.
01 Pelacables.
01 Resistencia de 1M, ½ W.
01 Resistencia de 47, 1/2W.
5
PRIMERA PARTE: RECONOCIMIENTO FÍSICO
- El Transistor JFET:
Símbolo:
El símbolo de JFET es el mostrado; en él identifique y nombre sus terminales:
Forma Física:
DRENADOR FUENTE
PUERTA
CANAL: N
DRENADOR FUENTE
PUERTA
CANAL: P
A continuación se muestran las diversas formas físicas que presentan los JFETs;
con la ayuda del manual ECG identifique sus terminales y anótelos en cada uno de
ellos así como su tipo de encapsulado (Nota: Si no sabe usar el manual ECG pida
ayuda a su profesor de laboratorio)
A) Tipo de empaquetamiento. TO-92
SURTIDOS
PUERTA
DRENAJE
6
B) Tipo de empaquetamiento= TO-5
COLECTOR
BASE
EMISOR
C) Tipo de empaquetamiento= TO-220
BASE
COLECTOR
EMISOR
............................................................................................................................. .......
SEGUNDA PARTE: CIRCUITO DE PRUEBA
Objetivo 1: Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador en la corriente ID

con polarización cero en la compuerta y determinar el valor del voltaje de
Drenador – Surtidor (estrangulamiento) requerido para producir una corriente
constante de drenador.
1. Implemente el circuito mostrado en la figura 1. utilizar un JFET de canal N en él

se comprobará su funcionamiento a través del control de la corriente del drenador
– surtidor por medio de un voltaje aplicado en terminal de compuerta (Nótese que
el valor de R1 implica una corriente muy pequeña a través del resistor).
7
Figura 1
2. Aumente el voltaje de la fuente VDD del Drenador hasta que la caída de voltaje
VDS indicada en el voltímetro sea 0.5 Vdc.
3. Mida la corriente Id del drenador y anote el resultado en la tabla 1
4. ¿Qué puede comentar de los datos obtenidos?
Que son bastante relevantes
8
5. Muestre los datos obtenidos en el siguiente gráfico ID Vs VDS.
6. En su curva, señale el punto donde termina el aumento rápido en I D y comienza

el flujo de corriente constante. Dibuje una línea vertical desde ese punto hasta la
escala VDS, registre el valor del voltaje en ese punto. Este es el voltaje de
estrangulamiento de Drenador- Surtidor: Vp
7. ¿Cómo se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?

La zona N.
8. ¿Cómo se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?

Se llama la zona óhmica.
9. ¿Qué pasa con la corriente en la zona Óhmica?

Esta se comporta como una resistencia cuyo valor lo denomina Vgs.
10. Baje el valor de la fuente VDD a cero voltios.

Deja de señalarnos un voltaje
9
Objetivo 2: Medir el valor del voltaje de polarización inversa Compuerta –

Surtidor (Fuente) requerido para producir estrangulamiento para un valor dado
de voltaje de fuente a Drenador.
11. Implemente el circuito mostrado en la figura 2
Figura 2
12. Ajuste el voltaje de la fuente de Drenador a 12 VDC.
13. Lentamente aumente el voltaje VGS de polarización de Compuerta – Fuente hasta

que la corriente ID de drenador llegue a cero y repita el proceso hasta asegurarse
de cual es el punto exacto donde Id cae a cero, observe en el voltímetro XMM2 el
valor de VGS el cual representa el valor de Vp de estrangulamiento de compuerta
– fuente, anote el valor.
Vp 78.181mV
10
I. OBSERVACIONES
-Antes de realizar las conexiones con un transistor verificar el datasheet del mismo
verificar con la ayuda del multímetro los terminales del mismo para así evitar dañar
al transistor.
-Poner resistencias altas para evitar el excesivo paso de corriente, de
ahí ir verificando y variando el valor de resistencias para obtener el 1Lógico
deseado.
II. CONCLUSIONES.
-Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mínima (prácticamente
igual a cero) y un voltaje colector emisor VCE) máximo, Vic, esto es lo que nos da el
Uno Lógico 1L.
-Interruptor abierto = transistor trabajando en corte.
-Interruptor cerrado = transistor trabajando en saturación.
-Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente débase

debe tener un valor para lograr que el transistor entre en corte y otro paraque entre
en saturación.
11
12

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“TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO”

- Identificar los terminales de un FET.

Símbolos gráficos para un FET

LA INTERPRETACIÓN DE LA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

Tiene 3 zonas: VDS (aumenta)

PRUEBA DE UN TRANSISTOR FET

Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N

VENTAJAS DEL FET

Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar ls

01 Osciloscopio 01 FET de canal N. 2N5433 o

PRIMERA PARTE: RECONOCIMIENTO FÍSICO

A) Tipo de empaquetamiento. TO-92

B) Tipo de empaquetamiento= TO-5

C) Tipo de empaquetamiento= TO-220

SEGUNDA PARTE: CIRCUITO DE PRUEBA

Objetivo 1: Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador en la corriente ID

1. Implemente el circuito mostrado en la figura 1. utilizar un JFET de canal N en él

4. ¿Qué puede comentar de los datos obtenidos?

Que son bastante relevantes

5. Muestre los datos obtenidos en el siguiente gráfico ID Vs VDS.

6. En su curva, señale el punto donde termina el aumento rápido en I D y comienza

7. ¿Cómo se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?

8. ¿Cómo se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?

9. ¿Qué pasa con la corriente en la zona Óhmica?

10. Baje el valor de la fuente VDD a cero voltios.

Objetivo 2: Medir el valor del voltaje de polarización inversa Compuerta –

11. Implemente el circuito mostrado en la figura 2

12. Ajuste el voltaje de la fuente de Drenador a 12 VDC.

13. Lentamente aumente el voltaje VGS de polarización de Compuerta – Fuente hasta

-Interruptor abierto = transistor trabajando en corte.

-Interruptor cerrado = transistor trabajando en saturación.

-Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente débase

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