Grupo17 Fase2

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD
Curso
ELECTRONICA ANALOGA
Tutor:
PABLO ANDRES GUERRA GONZALEZ
Grupo: 243006_17
Realizado por:
Luz Adriana Barajas Cod. 1018407938

Diego Fernando Cubillos Rengifo Cod. 1030541845
Julián Andrés Moreno Bravo Cod. 79217712
ECBTI- INGENIERIA ELECTRONICA
Bogotá, Colombia
2019
Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja
señal con JFET
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es presentar
trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución llamada
amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar señales
débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de información
las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:
Señal de entrada: 300mV a 1Khz.
Referencia del JFET: J201
ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para este
diseño se trabajara IDSS=3mA.
Actividades a desarrollar
1. Fundamentación Teórica.
Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

Argumentación
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente

por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a
la trayectoria de la corriente. El FET está compuesto de una parte de silicio
tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas
compuerta (gate) y que están unidas entre sí.
De acuerdo al diagrama esquemático del amplificador tenemos un circuito

de un amplificador de baja señal la cual es de 300 mV a 1kh de frecuencia,
para la cual se una un transistor jfet de ref 2n3819 con sus respectivas
resistencias y condensadores de acople en cada pin, y sumado a ello una
batería de 20v como fuente de alimentación dc para nuestra amplificación.
Inicialmente Rg que es la resistencia de la compuerta debe ser muy alta
tratando de igualar la resistencia interna del transistor, y un condensador
de acople para filtrar nuestras señales y hacerla por decir mas limpias. Esta
tensión de entrada de 0.3v en ac será la tensión entre compuerta (gate) y
fuente (source) que regule el flujo de corriente entre drenaje (drain) y
fuente que es nuestra señal de salida, y esta señal está dada en el valor de
la tensión Vgs y su variación según la frecuencia de entrada. Es decir que
la señal de salida será de la misma frecuencia que la señal de entrada, pero
con una amplitud mayor dada por la alimentación de la batería y el flujo
Ids. Entonces decimos que la señal de salida seria la tensión Vds tomado
después del capacitor de acople que filtre las señales.
Dadas Las Fórmulas:
RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD
RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS
ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V
IDSS=3mA
1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado

realizando los siguientes cálculos.
-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
𝑅𝐷 = (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷 )/𝐼𝐷
𝑅𝐷 = (20𝑉 − 4,6𝑉)/327𝜇𝐴
𝑅𝐷 = (20𝑉 − 4,6𝑉)/327𝜇𝐴
𝑅𝐷 = 47,094801 𝑀Ω
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
De acuerdo con la ecuación: RS = VGS (off) / IDSS reemplazamos los

respectivos valores
𝑅𝑆 = -1.5V /3mA
𝑅𝑆 = -1.5V /3mA
𝑅𝑆 = -500Ω
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor

de RG debe ser alto?
Transistores unipolares JFET, se diferencian de los transistores bipolares

por que el bipolar es como una fuente de corriente controlada por corriente
de base, y el unipolar son fuentes de corriente que elevan la corriente por
tensión, funcionan como un interruptor y como amplificador, donde entra
un voltaje de compuerta fuente base, que controla la corriente que pasa
por el drenaje surtidor o fuente, lo componen D Drain =”drenaje” , G= gate
“puerta”, Y source que “fuente” su impedancia de entrada puede ser de
mas de 100M , su consumo de potencia es mucho mas pequeña que la
del BJT, su velocidad de comunicación es mucho mayor, es menos ruidos
ideal para amplificadores de alta fidelidad, su ganancia de voltaje es mucho
menor que el BJT, ancho de banda frecuencia menor que el BJT, la
polarización fija al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza
al JFET, en este caso la malla de compuerta. La corriente de reposo para el
JFET es fijada por el voltaje de compuerta, se está utilizando un JFET de
canal N, de auto polarización, la resistencia por lo general debe tener
valores mayores por la cantidad de tensión que va aumentando asegurando
que esta llegue a la compuerta,
Transistor NTe612 2N3819
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.
La reactancia capacitiva 𝑋𝐶 es la propiedad que tiene un capacitor para

reducir la corriente en un circuito de corriente alterna.
𝐶 = 10 µ𝐹
1
𝑋𝐶 =
2𝜋𝑓𝐶
1
𝑋𝐶 =
2(3.1416)(1000)(10 ∗ 10−6 )
𝑋𝐶 = 15,91 Ω
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −327𝜇𝐴 ∗ 500Ω
𝑉𝐺𝑆 = −163,5 𝑚𝑉
𝐺𝑚 = 𝐼𝐷 /𝑉𝐺𝑆
𝐺𝑚 = 327𝜇𝐴/−163,5 𝑚𝑉
𝐺𝑚 = −2𝑚𝑆
𝐴𝑉 = −𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷
𝐴𝑉 = 94,189
2. Solución.
2.1 Presentar la simulación del amplificador de baja señal con

JFET propuesto en la que se evidencie el correcto
funcionamiento y las siguientes mediciones.
Realice los siguientes cálculos para hacer la simulación:
RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD
RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS
ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V
IDSS=3mA
𝑅𝐷 = (𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷 )/𝐼𝐷
𝑅𝐷 = (20𝑉 − 4,6𝑉)/327𝜇𝐴
𝑅𝐷 = (20𝑉 − 4,6𝑉)/327𝜇𝐴
𝑅𝐷 = 47,094801 𝑘Ω
𝑅𝑆 = 𝑉𝐺𝑆𝑂𝐹𝐹 /𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑅𝑆 = −1,5 𝑉/3 𝑚𝐴
𝑅𝑆 = 500 Ω
𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −327𝜇𝐴 ∗ 500Ω
𝑉𝐺𝑆 = −163,5 𝑚𝑉
𝐺𝑚 = 𝐼𝐷 /𝑉𝐺𝑆
𝐺𝑚 = 327𝜇𝐴/−163,5 𝑚𝑉
𝐺𝑚 = −2𝑚𝑆
𝐴𝑉 = −𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷
𝐴𝑉 = 94,189
𝑅𝐺 = 2𝑀Ω
- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.
Realizando el análisis de la gráfica:
Canal A: 300 mV Amplitud
Canal B: 2 V ≈ Amplitud
Se obtiene una amplificación de 6,66 Veces
- Valor de VGS. (-132 mV)

- Valor de VDS. (2,69 V)
- Valor de VGD. (2,82 V)
- Valor de la corriente ID. (363 µA)
APORTES REALIZADOS
Luz Adriana Barajas

Diego Fernando Cubillos
Julián Andrés Moreno

BIBLIOGRAFIA
Datasheet J201, consultado en URL:

https://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/53142/FAIRCHILD
/J201.html
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para

Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=4
8&docID=10498503&tm=1482090196645
Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones

(pp.154-178). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=1
71&docID=10433916&tm=1482091898589

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Luz Adriana Barajas Cod. 1018407938

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Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: J201

ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente

De acuerdo al diagrama esquemático del amplificador tenemos un circuito

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado

a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.

b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.

De acuerdo con la ecuación: RS = VGS (off) / IDSS reemplazamos los

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor

Transistores unipolares JFET, se diferencian de los transistores bipolares

d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

La reactancia capacitiva 𝑋𝐶 es la propiedad que tiene un capacitor para

e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

𝑉𝐺𝑆 = −327𝜇𝐴 ∗ 500Ω

2.1 Presentar la simulación del amplificador de baja señal con

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V

𝑉𝐺𝑆 = −327𝜇𝐴 ∗ 500Ω

Realizando el análisis de la gráfica:

Canal A: 300 mV Amplitud

Se obtiene una amplificación de 6,66 Veces

- Valor de VGS. (-132 mV)

Luz Adriana Barajas

Julián Andrés Moreno

Datasheet J201, consultado en URL:

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones

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