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    Plantilla Evaluacion Desarrollo

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    eric paredes
    Este documento presenta una actividad evaluativa para un estudiante de ingeniería automatización y control. El estudiante debe identificar las partes de una sección transversal de un transistor FET, calcular valores en un circuito de polarización fija para un transistor FET, y explicar la diferencia principal entre un transistor MOSFET de empobrecimiento y uno de enriquecimiento.

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    eric paredes
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    Este documento presenta una actividad evaluativa para un estudiante de ingeniería automatización y control. El estudiante debe identificar las partes de una sección transversal de un transistor FET, calcular valores en un circuito de polarización fija para un transistor FET, y explicar la diferencia principal entre un transistor MOSFET de empobrecimiento y uno de enriquecimiento.

    Título original

    plantilla_evaluacion_desarrollo (48).docx

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    NOMBRE DE ASIGNATURA ELECTRONICA 1

    SEMANA 4

    Nombre del estudiante Eric Paredes Rivera


    Fecha de entrega
    Carrera ingeniería automatización y control
    INTRODUCCION
    DESARROLLO
    Lee atentamente la información que se presenta. Analízala de acuerdo con los contenidos revisados en la
    semana y desarrolla la actividad evaluativa.

    Has sido contratado en una empresa que se dedica a fabricar transistores FET de diferentes tipos, por lo
    cual tu jefe te ha pedido que puedas identificar algunos elementos característicos, detalles constructivos y
    otros elementos asociados, a fin de que en un futuro cercano puedas formar parte del equipo de diseño
    de circuitos que utilizan este tipo de transistor.

    Para ello, tu jefe te ha pedido explicar un conjunto de puntos que permitirán al personal ejercitar sus
    conocimientos al respecto, previo al diseño final del que se harán cargo.

    A continuación, responde:

    1-En primer lugar, durante el proceso de fabricación de los transistores en una oblea de silicio hubo un
    problema de identificación, por lo cual se ha tomado una muestra de la sección transversal de un
    transistor, para lo cual se te pide puedas identificar el tipo de transistor construido y sus diferentes
    partes, como se muestra en la figura 1.

    Tipo de transistor:
    2-A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores de ID,
    VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías que es la
    principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización por división de
    tensión?

    3. Finalmente, se te consulta cuál es la principal diferencia entre un transistor MOSFET de


    empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo al tipo de sustrato sobre el
    que se fabrica (tipo N o P)
    COMENTARIO FINAL
    REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

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