FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA, ELECTRONICA

INFORMATICA Y MECANICA

ESCUELA PROFESIONAL DE

INGENIERÍA
ELÉCTRICA

CURSO : Circuitos Analógicos e Integrados

DOCENTE : Dr. Basilio Salas Alarcón

INTEGRANTES :

GONZALO IVANOV ORIHUELA CONDORI 170383

ALFREDO COLLANTE CARRASCO 170950
+

Presentación

Para la aplicación de conocimientos obtenidos durante nuestro semestre académico,

elaboramos el siguiente proyecto que desarrolla una aplicación del curso de circuitos
analógicos e integrados en un contexto practico, haciendo mención de los conceptos
aprendidos en dicho curso, agradeciendo al docente encargado por los conocimientos
adquiridos en el trascurso del semestre.

INTRODUCCIÓN
En presente proyecto de investigación vamos a ver en detalle como diseñar un
amplificador de múltiples etapas usando diferentes transistores. Mediante el cual
amplificaremos la señal de un reproductor mp3 convencional y amplificar a unos
parlantes.
Usando conocimientos previos sobre el uso de transistores bjt y fet , para la aplicación
de dicha función , que es amplificar
OBJETIVO

Amplificar la señal de entrada con el objetivo de verificar si la función de nuestro

circuito es o no es correcta. Por medio de un circuito electrónico se pueda aumentar o
disminuir el volumen con el que sale el sonido a un parlante, sin alterar la calidez ni
distorsionar el audio.

MARCO TEÓRICO

Un amplificador de audio es un dispositivo utilizado para aumentar el volumen del

sonido con baja potencia para que pueda ser utilizado en un altavoz. En generales el
paso final de una cadena de retro alimentación de audio, o el movimiento del sonido
desde una entrada de audio a una salida.

Avance de los Amplificadores Electrónicos: El problema a solucionar por los científicos

era la distorsión del sonido. Repetidas modificaciones de la tecnología de los
amplificadores de audio permitieron finalmente controlar la fidelidad mediante la
ganancia y respuesta a la frecuencia.

APLICACIONES
 amplificadores de radio AM-FM.
 amplificadores para reproductores de cintas portátiles.
 Intercomunicadores.
 Sistemas de sonido Y TV.
 Controladores lineales (se usa típicamente para impulsar salidas de señal
analógica de nivel de línea, por ejemplo, para conectar un reproductor de CD a
un sistema de altavoces amplificado).
 Controladores ultrasónicos.
 Convertidores de potencia.

Transformador

El trasformador de entrada reduce la tensión de red (generalmente 220 o 120 V) a

otra tensión más adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar con
corrientes alternas. esto quiere decir que la tensión de entrada será alterna y la de
salida también.
Interior
Consta de dos arroyamientos sobre un mismo núcleo de hierro, ambos
arroyamientos, primario y secundario, son completamente independientes y la
energía eléctrica se transmite del primario al secundario en forma de energía
magnética a través del núcleo.

La corriente que circula por el arrollamiento primario el cual está conectado a la

red genera una circulación de corriente magnética por el núcleo del
transformador. Esta corriente magnética será más fuerte cuantas más espiras
vueltas tenga el arroyamiento primario. Si acercas un imán a un transformador en
funcionamiento notarás que el imán vibra, esto es debido a que la corriente
magnética del núcleo es alterna, igual que la corriente por los arroyamientos del
transformador.

En el arroyamiento secundario ocurre el proceso inverso, la corriente magnética

que circula por el núcleo genera una tensión que será tanto mayor cuanto mayor
sea el número de espiras del secundario y cuanto mayor sea la corriente
magnética que circula por el núcleo (la cual depende del número de espiras del
primario).

Estabilizador

Un estabilizador o regulador es un circuito que se encarga de reducir el rizado y

de proporcionar una tensión de salida de la tensión exacta que queramos. En esta
sección nos centraremos en los reguladores integrados de tres terminales que son
los más sencillos y baratos que hay, en la mayoría de los casos son la mejor
opción.
Las ideas básicas de funcionamiento de un regulador de este tipo son:

La tensión entre los terminales Vout y GND es de un valor fijo, no

variable, que dependerá del modelo de regulador que se utilice.
La corriente que entra o sale por el terminal GND es prácticamente nula
y no se tiene en cuenta para analizar el circuito de forma aproximada.
Funciona simplemente como referencia para el regulador.
3. La tensión de entrada Vin deberá ser siempre unos 2 o 3 V superior a la
de Vout para asegurarnos el correcto funcionamiento.

Regulador ajustable LM317

Este regulador de tensión proporciona una tensión de salida variable sin más que
añadir una resistencia y un potenciómetro. Se puede usar el mismo esquema para
un regulador de la serie 78XX pero el LM317 tiene mejores características
eléctricas. El aspecto es el mismo que los anteriores, pero este soporta 1,5A. el
esquema a seguir es el siguiente:

En este regulador, como es ajustable, al terminal GND se le llama ADJ, es lo mismo.

Disipación de potencia en los reguladores

Cuando un regulador está funcionando se calienta. Esto es debido a que parte de

la potencia tomada del rectificador es disipada en el regulador. La potencia
disipada depende de la corriente que se esté entregando a la carga y de la caída de
tensión que haya en el regulado
La corriente que lo atraviesa es la corriente de la carga IL. Recordemos también
que para que un regulador funcione correctamente la tensión de entrada Vin tenía
que ser mayor que la tensión de salida Vout

Rectificador

El rectificador es el que se encarga de convertir la tensión alterna que sale del

transformador en tensión continua. Para ello se utilizan diodos. Un diodo conduce
cuando la tensión de su ánodo es mayor que la de su cátodo. Es como un
interruptor que se abre y se cierra según la tensión de sus terminales
El rectificador se conecta después del transformador, por lo tanto, le entra tensión
alterna y tendrá que sacar tensión continua, es decir, un polo positivo y otro
negativo:
Rectificador a un diodo

El rectificador más sencillo es el que utiliza solamente un diodo, su esquema es este:

Cuando Vi sea positiva la tensión del ánodo será mayor que la del cátodo, por
lo que el diodo conducirá: en Vo veremos lo mismo que en Vi

Mientras que cuando Vi sea negativa la tensión del ánodo será menor que la
del cátodo y el diodo no podrá conducir, la tensión Vo será cero. La tensión
Vo tendrá esta forma:

Como se puede comprobar la tensión que obtenemos con este rectificador no se

parece mucho a la de una batería, pero hemos conseguido rectificar la tensión de
entrada ya que Vo es siempre positiva. Aunque posteriormente podamos filtrar
esta señal y conseguir mejor calidad este esquema no se suele usar demasiado.

Rectificador en puente

El rectificador más usado es el llamado rectificador en puente, su esquema es el

siguiente:

Cuando Vi es positiva los diodos D2 y D3 conducen, siendo la salida Vo

igual que la entrada Vi

Cuando Vi es negativa los diodos D1 y D4 conducen, de tal forma que se

invierte la tensión de entrada Vi haciendo que la salida vuelva a ser
positiva.Vemos en la figura que todavía no hemos conseguido una tensión de
salida demasiado estable, por ello, será necesario filtrarla después.
Rectificador a dos diodos

Es idéntica a la del rectificador en puente, sin embargo, este rectificador precisa

de un transformador con toma media en el secundario. Un transformador de este
tipo tiene una conexión suplementaria en la mitad del arrollamiento secundario:

Tal y como son las tensiones en A y en B nunca podrán conducir ambos diodos
a la vez. Cuando A sea positiva (B negativa) el ánodo de D1 estará a mayor
tensión que su cátodo, provocando que D1 conduzca. Cuando B sea positiva (A
negativa) el ánodo de D2 estará a mayor tensión que su cátodo, provocando que
D2 conduzca.
 TRANSISTOR FET

TRANSISTOR FET (Introducción).

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados
así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se
encuentra su impedancia de entrada bastante baja. 

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que

pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

2) Explicación de la combinación de portadores.

            Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los
electrones fluirán desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración
del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable
entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión
canal – puerta, esta polarizado inversamente.

            En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los

huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material
N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma.

            Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando

se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado,

así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que
conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no
debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia
disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que
esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a
veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos
valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de
los distintos dispositivos.
 3) Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de
material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro
tipo de material que forma con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada
puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra  el croquis de un FET con canal N

 Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente

con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.
Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de

tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión
afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende
de la tensión inversa (tensión de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una

resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta
el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds
on), y distintos valores de VGS.
 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se
comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se
trata de un dispositivo simétrico).
 La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un
FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes
son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada alta Uso general, equipo de medida,
(buffer) y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo para
Amplificador de RF Bajo ruido
comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos
Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar
Receptores, generadores de señales
CAG ganancia
Instrumentos de medición, equipos
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
voltaje
tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
Oscilador
frecuencia receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única

variable que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la
tensión de puerta.

Ecuación de Shockley:

ID=IDSS(1-VGS/Vp)
2

Donde:

 Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transist

 TRANSISTORES BJT
POSTED ON 11/10/2019  BY FABIAN AYALA

11
Oct
TRANSISTORES BJT

Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten controlar el
paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.

UTILIZACION LOS TRANSISTORES BJT

Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero

comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de señales o
como conmutadores de baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar motores,
accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos transistores son muy comunes
y de uso general los cueles pueden encontrarse en cualquiera de los aparatos de uso
cotidiano como en radios, alarmas, automóviles, ordenadores, etc.

ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT

Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos
diodos semiconductores.

Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP. Las letras hacen referencia
a las capas de material semiconductor que están construidos.

1-Transistor tipo NPN: Esta formado por dos capas de material tipo “N” y separadas por
una capa tipo “P”.

2-Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y separadas por
una capa tipo “N”.

Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona central
se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se representan por la
inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C (colector).

– La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada de

“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
-La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la
de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.

-La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores inyectados

que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es la zona con un nivel
de dopado inferior de las tres.

Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar la
terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección. En las
imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN – PNP y te darás
cuenta que lo único que lo diferencia es la orientación de la flecha.

Los transistores BJT son fabricados en distintos materiales como Si (Silicio), Ge

(Germanio) y GasAs (Arseniuro de galio) los cuales son recubiertos en diferentes
encapsulados los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23. Por lo general, se
utiliza el encapsulado TO-92. En las imágenes 3, 4, 5 se muestran los encapsulados más
usados y el pinout de cada uno de ellos.
PARAMETROS PRINCIPALES DE LOS TRANSISTORES BJT

POL: Polaridad PNP- NPN (POLARITY) – Es la condición de voltaje y de corriente

que se establece en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para mantener el
transistor en la región activa directa.

VCE: Voltaje Colector Emisor (VOLTAGE COLLECTOR EMITTER).

IC: Corriente de colector, medida en amperios (COLLECTOR CURRENT).

PD: Potencia de disipación, medidas en watts (POWER DISIPATION).

FT: Frecuencia de trabajo, medida en kilohertz (FRECUENCY).

HFE: Ganancia de corriente (CURRENT GAIN O BETA) – Este parámetro de modelo

Hibrido “H” de corriente alterna, el cual se usa para el diseño de circuitos con
transistores, “F” proviene de los términos (FORWARD CURRENT) amplificación con
polarización directa y “E” de (COMMON EMITTER) configuración de emisor común.

REGIÓN DE SATURACIÓN: Las uniones colector-base y base emisor están

polarizadas directamente, el voltaje colector-emisor es pequeño y la corriente es muy
grande.

REGIÓN DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi cero para
cualquier valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-base y base emisor están
inversamente polarizadas.

REGIÓN ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta

polarizada en inversa y la unión base-emisor esta polarizada en directa. Esta región nos
permite utilizar al transistor como amplificador de voltaje, de corriente o de potencia.

¿COMO FUNCIONAN LOS TRANSISTORES BJT?

Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como interruptor electrónico y

como amplificador con ganancia variable.

FUNCIONAMIENTO COMO INTERRUPTOR

Para que los transistores BJT funcionen como interruptores electrónicos se debe operar
en la zona de corte y saturación para impedir o permitir el paso de corriente en un
circuito.

Si se polariza en la región de corte se impide el paso de corriente, cuando se polariza en

la región de saturación se permite el paso de la corriente, de esta manera los transistores
BJT funcionan como interruptores electrónicos donde solo hay dos estados lógicos 0 y
1.

FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR

Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe
aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una corriente
de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los transistores BJT
como amplificadores, tienes que tener en cuenta que hay distintos tipos de transistores
BJT los cuales tienen diferentes características técnicas, cada uno de ellos tiene una
ganancia de corriente conocida como beta del transistor, dependiendo del tipo de
amplificación que requieras verificar la beta del transistor para obtener la amplificación
de corriente deseada.

Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La

corriente del colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la
«beta» del transistor.

Ic = (hFE)*(Ib)
Donde:

 Ic = Corriente de colector
 hFE = Beta del transistor
 Ib = Corriente en la base
Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede variar,
es por eso que no es recomendable el uso de transistores como amplificadores
electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores operacionales.

CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES BJT

CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN

La terminología en base común se deriva del hecho de que la base es común tanto para
la entrada como para la salida de la configuración. Además, la base por lo general es la
terminal más cercana a, o en, un potencial de tierra.

CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN

La configuración en colector común se utiliza sobre todo para igualar impedancias,

puesto que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo
contrario de las configuraciones en base común y en emisor común

CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es común o sirve de

referencia para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
características para describir plenamente el comportamiento de la configuración en
emisor común: uno para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de
salida o de colector-emisor.
DISEÑO
Diseño de amplificadores multietapa: acoplador de impedancias
con transistor BJT
Diseño de amplificadores multietapa: amplificación con
transistores JFET
Diseño de amplificadores multietapa: acoplador de impedancias con transistor BJT
Diseño de amplificadores multietapa: cálculo de capacitores
Diseño de amplificadores multietapa: rango dinámico
SIMULACIÓN
Diseño de amplificadores multietapa: simulación del
amplificador
CONCULSIONES

Para presentar un mejor desempeño en cuanto a calidad de energía y factor de

potencia, se debe modificar la topología del convertidor AC/DC, adicionando una
inductancia de línea a la entrada del rectificador y/o variando el puente
rectificador usando diferentes dispositivos como IGBTs, BJts, tiristores, etc.

Se comprueba que el uso de controladores en la electrónica de potencia es de

suma importancia, mediante el control no lineal en modos deslizantes se logra
una mejora del factor de potencia y se logra estabilizar la tensión en la carga en
un valor cercano a una referencia establecida, este tipo de situaciones son
necesarias, y más aún, si se puede realizar en tiempo real.

Mediante la selección de la corriente como la superficie de deslizamiento más

adecuada para el convertidor, se comprueba que es la solución más simple,
manteniendo el sistema de forma estable e involucrando una mejora en la tensión.
BIBLIOGRAFÍA

http://todoamplificadores.blogspot.com/

https://www.neoteo.com/electronica-basica-amplificador-de-audio/

ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS

ELECTRONICOS; Robert L.Boylestad,
Louis Nashelsky; Edit. Pearson Education, Inc., publicada como PRENTICE
HALL INC.Décima edición;
México 2009
Maria Isabel Arteaga Orozco. Control no lineal de convertidores conmutados
CC/CC: Análisis de presentaciones y verificación experimental. PhD Thesis.
Universidad Politécnica de Cataluña. Noviembre del 2006.

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS; Floyd, Thomas L. Edit. Pearson Education,

Inc., publicada como
PRENTICE HALL INC; Décima edición; México 2008