Capítulo V

Generación, recombinación, fenómenos de transporte y

ecuación de continuidad

Para desarrollar un estudio más riguroso respecto a la obtención de la ecuación de Shockley

es necesario retomar el estudio de algunos aspectos que se presentan en los
semiconductores.
Uno de estos efectos es, el proceso de generación y recombinación de pares electrón-hueco.
Un aspecto para destacar es la modificación de los portadores minoritarios en los
semiconductores por causa del proceso doble mencionado. Se arribará a una ecuación
diferencial cuyo resultado es uno de los pilares en los que se fundamenta la electrónica de
semiconductores y que permite a su vez, arribar a la mencionada ecuación de Shockley.
En el presente apartado, por lo tanto, se estudiará el fenómeno de la generación y
recombinación de pares electrón-hueco. Posteriormente se desarrollará la ecuación de
continuidad de un semiconductor y de la unión PN, para desembocar en la obtención de la
ecuación de Shockley o ecuación característica del diodo de unión.

Procesos de generación y recombinación electrón-hueco

La existencia de electrones en la banda de conducción y huecos en la banda de valencia son

la base para establecer las características eléctricas de los semiconductores. Así una banda de
conducción cargada de electrones (para decirlo de algún modo) permitirá que el
semiconductor tenga un importante desempeño eléctrico y pueda actuar prácticamente
como un conductor, del mismo modo una ausencia de portadores en cualquiera de las dos
bandas mostrará una característica de aislante del dispositivo.
En un semiconductor puro, la existencia de electrones en la banda de conducción y huecos
en la banda de valencia puede explicarse del siguiente modo:

Generación y recombinación térmica de pares electrón-hueco

Cuando la temperatura supera los 0o K, existe cierta probabilidad de que algunos
electrones de la banda de valencia “pasen” a la banda de conducción, generando de esta
manera, automáticamente pares electrón-hueco.

BC BC

Ec Ec

Ev Ev

BV BV

Generación Recombinación
térmica térmica

El fenómeno contrario es la recombinación del par electrón-hueco, es decir, el “regreso”

de un electrón a la banda de valencia.

Generación y recombinación óptica de pares electrón-hueco

La luz interactuará con el semiconductor cuando un electrón de la banda de valencia

absorba un fotón de energía ℎ𝜈 mayor que 𝐸𝑔 que le permita “superar” esta barrera
energética y pasar a la banda de conducción.

BC BC

Ec Ec

hν hν
Eg Eg

Ev Ev

BV BV

Generación Recombinación
óptica óptica
Cuando un electrón pierde la energía mediante la emisión de un fotón, retorna a la banda
de valencia produciéndose la recombinación del par electrón-hueco.

Procesos de generación y recombinación de pares electrón-hueco

directos

El proceso de generación se lleva a cabo cuando un electrón es excitado y pasa directamente

desde la banda de valencia a la banda de conducción, dando lugar a un par electrón-hueco.
La recombinación es el proceso contrario. Ocurre cuando un electrón vuelve a la banda de
valencia tapando un hueco, de esa manera, dejan de existir, tanto el electrón como el hueco.
Los procesos de generación y recombinación de pares electrón-hueco directos se dan entre
los portadores que están en la banda de conducción y la banda de valencia, nada más.

Proceso de generación y recombinación pares electrón - hueco

BC BC

Ec Ec

GTh RTh GL GTh RTh

hν

Ev Ev

BV BV

Con iluminación adicional

En equilibrio térmico

Si denominamos 𝐺𝑇ℎ a la concentración de pares electrón-hueco generados térmicamente

1
por unidad de tiempo: 𝐺𝑇ℎ [𝑐𝑚3 ∙𝑠] y 𝑅𝑇ℎ a la concentración de pares electrón-hueco
1
recombinados térmicamente por unidad de tiempo: 𝑅𝑇ℎ [𝑐𝑚3 ∙𝑠], se debe cumplir que en
equilibrio térmico ambas cantidades sean iguales, de forma que la ley de acción de masas se
cumpla. Son medidas de la velocidad de generación o recombinación de los pares electrón-
hueco.
Cuando se introducen portadores adicionales (huecos y/o electrones) es lógico pensar que
se dará lugar a un proceso de recombinación. La velocidad del proceso será proporcional a
la concentración de huecos y a la concentración de electrones, es decir:

𝑅 = 𝛽∙𝑛∙𝑝
1
Siendo 𝛽 una constante de proporcionalidad cuya magnitud deberá ser 𝛽 [ 𝑠 ].
Obviamente en equilibrio térmico, las velocidades de generación y regeneración son iguales,
se tiene entonces:
𝑅𝑇ℎ = 𝐺𝑇ℎ = 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ 𝑝𝑝𝑜

Donde, por supuesto, 𝑛𝑛𝑜 y 𝑝𝑝𝑜 son las concentraciones de electrones y huecos,
respectivamente, en equilibrio térmico. Vamos a suponer para el análisis un material
semiconductor tipo N. Posteriormente, de forma análoga, se pueden hacer similares
consideraciones para un semiconductor tipo P.
Cuando se agrega una fuente energética, óptica por ejemplo, habrá una generación mayor de
pares electrón-hueco:

𝐺 = 𝐺𝑇ℎ + 𝐺𝐿

Se va a producir un exceso de portadores, la concentración de electrones será ahora

𝑛𝑛 = 𝑛𝑛𝑜 + ∆𝑛,

y la concentración de huecos, siendo el material tipo N, como se dijo:

𝑝𝑛 = 𝑝𝑛𝑜 + ∆𝑝

Para mantener el equilibrio de cargas, necesariamente se debe cumplir que:

∆𝑛 = ∆𝑝

La velocidad de recombinación será ahora:

𝑅 = 𝛽 ∙ (𝑛𝑛𝑜 + ∆𝑛) ∙ (𝑝𝑝𝑜 + ∆𝑝)

En un material tipo N, si se supone que tiene inyección débil, la concentración de electrones
apenas se verá afecta por la presencia de la energía luminosa que genera pares electrón-hueco.
Por tanto, la afectación mayor será en los portadores minoritarios y la atención debe estar
centrada en esa concentración.

El cambio neto de la concentración de huecos será:

𝑑𝑝
= 𝐺 − 𝑅 = 𝐺𝑇ℎ + 𝐺𝐿 − 𝑅
𝑑𝑡

De hecho 𝑅 ≠ 𝑅𝑇ℎ por la presencia de la energía luminosa.

Cuando el proceso llega a un nuevo punto de equilibrio, las concentraciones tanto de huecos
como de electrones, serán mayores. Al llegar al nuevo equilibrio la velocidad de cambio en
la concentración se hace cero.

𝑑𝑝
= 𝐺 − 𝑅 = 𝐺𝑇ℎ + 𝐺𝐿 − 𝑅 = 0
𝑑𝑡

En este punto
𝐺𝐿 = 𝑅 − 𝐺𝑇ℎ = 𝑅 − 𝑅𝑇ℎ = 𝑈

La cantidad 𝑈 recibe el nombre de velocidad de recombinación neta.

Haciendo los reemplazos correspondientes, se tiene:

𝑈 = 𝑅 − 𝑅𝑇ℎ = 𝛽 ∙ (𝑛𝑛𝑜 + ∆𝑛) ∙ (𝑝𝑝𝑜 + ∆𝑝) − 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ 𝑝𝑝𝑜

𝑈 = 𝛽 ∙ (𝑛𝑛𝑜 ∙ 𝑝𝑝𝑜 + ∆𝑛 ∙ 𝑝𝑝𝑜 + 𝑛𝑛𝑜 ∙ ∆𝑝 + ∆𝑛 ∙ ∆𝑝) − 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ 𝑝𝑝𝑜

𝑈 = 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ 𝑝𝑝𝑜 + 𝛽 ∙ ∆𝑛 ∙ 𝑝𝑝𝑜 + 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ ∆𝑝 + 𝛽 ∙ ∆𝑛 ∙ ∆𝑝 − 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ 𝑝𝑝𝑜

𝑈 = 𝛽 ∙ ∆𝑛 ∙ 𝑝𝑝𝑜 + 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ ∆𝑝 + 𝛽 ∙ ∆𝑛 ∙ ∆𝑝

𝑈 = 𝛽 ∙ ∆𝑝 ∙ 𝑝𝑝𝑜 + 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ ∆𝑝 + 𝛽 ∙ ∆𝑝 ∙ ∆𝑝 = 𝛽 ∙ ∆𝑝 ∙ (𝑝𝑝𝑜 + 𝑛𝑛𝑜 + ∆𝑝)

Como los portadores mayoritarios son los electrones y el semiconductor es de inyección
débil, podemos suponer que:
𝑛𝑛𝑜 ≫ (𝑝𝑝𝑜 + ∆𝑝)
Entonces se tiene:

𝑈 = 𝛽 ∙ ∆𝑝 ∙ 𝑛𝑛𝑜

𝑈 = 𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜 ∙ (𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 )

𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜
𝑈= =
1 𝜏𝑝
𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜

Donde:
1
𝜏𝑝 =
𝛽 ∙ 𝑛𝑛𝑜

A esta constante, 𝜏𝑝 , se le denomina tiempo de vida medio de los portadores minoritarios

en exceso. Esta variable tiene que ver con el tiempo medio que un portador minoritario
permanece libre antes de recombinarse. La velocidad de recombinación
La velocidad de recombinación neta representa la velocidad a la que los portadores
minoritarios en exceso se recombinan para restablecer las concentraciones de portadores
de carga existentes inicialmente en equilibrio térmico.

Se puede escribir de la siguiente forma también:

𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜
𝑈 = 𝐺𝐿 =
𝜏𝑝

La relación, ordenando los términos tendrá las siguiente forma:

𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜 − 𝜏𝑝 ∙ 𝐺𝐿 = 0

Una variación de la concentración ante un transitorio, con las características mostradas:

 𝑑𝑝𝑛 1 𝑝𝑛𝑜
+ 𝑝𝑛 − = 0
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝜏𝑝

Se requieren dos condiciones de frontera para resolver el problema:

En el caso presente en el tiempo t=0 vamos a suponer que se quita la fuente de excitación
adicional, por ejemplo se quita la señal de luz. Por tanto:
i) 𝑡 = 0 𝑝𝑛 (0) = 𝑝𝑛𝑜 + 𝜏𝑝 𝐺𝐿
ii) 𝑡 → ∞ 𝑝𝑛 (∞) = 𝑝𝑛𝑜

Imponiendo estas condiciones, la solución del problema es:

𝑡
−𝜏
𝑝𝑛 (𝑡 ) = 𝑃𝑛𝑜 + 𝜏𝑝 ∙ 𝐺𝐿 ∙ 𝑒 𝑝

Gráficamente tendremos:

Pn(t)

Pn(0)

Pno

Ecuación diferencial generada en el proceso de generación recombinación directa:

El gráfico muestra como los portadores minoritarios se recombinan con los mayoritarios
decayendo exponencialmente en función del tiempo. Además que gráficamente muestra
cómo se considera 𝜏𝑝 (vida media de los portadores de carga).
Procesos de generación y recombinación de pares electrón-hueco
indirecta

Este proceso tiene lugar por efecto de imperfecciones en la fabricación de los cristales
semiconductores o por la introducción de impurezas, resultando en materiales extrínsecos.
Como se sabe, se crean niveles de energía situados en la banda prohibida del material
intrínseco. Un material puro no puede establecer ningún nivel de energía en la zona prohibida
pero la presencia de las impurezas ocasiona esta situación. Sabemos que cuando se introduce
un material pentavalente se crea un nivel de energía cerca a 𝐸𝑐 ; del mismo modo, si las
impurezas son trivalentes, se establecerá un nivel de energía cerca a 𝐸𝑣 . Sin embargo, para la
creación de los procesos de generación-recombinación se usan otros materiales que eviten
que el nivel creado se aleje mucho del centro de la zona prohibida, es decir, 𝐸𝑖 . Este efecto
también se produce (en menor medida) por las imperfecciones en los cristales.

En este caso, el proceso de generación-recombinación ocurre en dos etapas tal como muestra
la figura.

Ec Ec

ET ET

Ev Ev

Generación Recombinación

Existen cuatro procesos que dan lugar a la generación y recombinación indirecta en

semiconductores.

• El primer proceso, como muestra el gráfico corresponde a la Captura de un electrón

por el estado localizado.
• El Segundo proceso, ocurre cuando el electrón es llevado desde el estado localizado
a la banda de conducción y es conocido como emisión de un electrón.
 • El tercer proceso, conocido como captura de un hueco, corresponde a la transferencia
de un electrón desde el estado localizado hacia la banda de valencia.
• El cuarto proceso corresponde a la transición de un electrón desde la banda de
valencia hasta el estado localizado, dejando un hueco detrás y es llamado emisión de
un hueco.

Ec Ec Ec Ec

ET ET ET ET

Ev Ev Ev Ev

Antes Después Antes Después

Captura del electrón Emisión del electrón

Ec Ec Ec Ec

ET ET ET ET

Ev Ev Ev Ev

Antes Después Antes Después

Captura del hueco Emisión del hueco

Existen dos tipos de procesos de generación-recombinación indirecta son: en volumen y en

superficie.

En volumen
Los defectos e impurezas presentes en el semiconductor generan niveles de energía que
están ubicados muy cerca de la mitad de la zona prohibida. Estos niveles son los centros de
generación-recombinación que dan lugar a cuatro procesos (ya mencionados) cuando el
semiconductor está en equilibrio térmico.
 Ec Ec Ec Ec

A Ra Rb

n
ET ET ET ET
t
e Rc Rd
s
Ev Ev Ev Ev

D Ec Ec Ec Ec

e
s
ET ET ET ET
p
u
é
Ev Ev Ev Ev
s
Captura del electrón Emisión del electrón Captura del hueco Emisión del hueco

Existe evidentemente proporcionalidad entre la concentración de impurezas con la cantidad

de electrones capturados ya que si un electrón es capturado por el nivel ET, entonces ya
ningún electrón podrá ocupar ese lugar. En consecuencia, la velocidad de captura será
proporcional a la concentración de “centros” que todavía no estén ocupados.
La probabilidad de que un centro está ocupado se rige por la ecuación de Fermi_Dirac.
Dicho de otro modo, la probabilidad de que un estado esté ocupado es:

1
𝑓= 𝐸𝑇 −𝐸𝐹
1+𝑒 𝐾𝐵 𝑇

La probabilidad de que no esté ocupado es, obviamente: 1 − 𝐹

Denominaremos 𝑁𝑡 a la concentración de “centros” en el semiconductor.
Denominaremos 𝑁𝑡 (1 − 𝑓 ) a la concentración de “centros” no ocupados.

Señalado lo anterior, se explica cada uno de los cuatro procesos mostrados en el gráfico:

Proceso a, velocidad de captura de los electrones

Ra para este proceso es proporcional a la concentración de “centros” no ocupados (porque
los ocupados no cuentan) y también de la disponibilidad de electrones de la banda de
conducción. Por tanto,

𝑅𝑎 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑛 ∙ 𝑁𝑡 ∙ (1 − 𝑓)

Que resulta ser la velocidad de captura de los electrones.

Proceso b, velocidad de emisión de electrones

En este caso 𝑅𝑏 será proporcional simplemente a la concentración de centros ocupados, es
decir,

𝑅𝑏 = 𝐾𝑏 ∙ 𝑁𝑡 ∙ 𝑓

Sabemos que en equilibrio térmico:

𝑅𝑎 = 𝑅𝑏

Por tanto:
𝐾𝑎 ∙ 𝑛 ∙ 𝑁𝑡 ∙ (1 − 𝑓 ) = 𝐾𝑏 ∙ 𝑁𝑡 ∙ 𝑓

Queda entonces:
𝐾𝑎 ∙ 𝑛 ∙ (1 − 𝑓)
𝐾𝑏 =
𝑓

Recordando que:
(𝐸𝐹 −𝐸𝑖 )
𝑛 = 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇

Haciendo operaciones resultará:

(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 )
𝐾𝑏 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇

Proceso c, Captura de huecos.

Siguiendo la misma lógica que para los electrones, se tiene que la velocidad de captura de
huecos por parte del “centro” es:

𝑅𝑐 = 𝐾𝑐 ∙ 𝑝 ∙ 𝑁𝑡 ∙ 𝑓

Proceso d, Emisión de huecos.

La relación que permite obtener la emisión de huecos es:

𝑅𝑑 = 𝐾𝑑 ∙ 𝑁𝑡 ∙ (1 − 𝑓)

Del mismo modo que para los electrones, tendremos para los huecos:

(𝐸𝑖 −𝐸𝑡 )
𝐾𝑑 = 𝐾𝑐 ∙ 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇

Esto es que la probabilidad de emisión de un electrón de valencia aumenta a medida que el

nivel del “centro” esté más cercano a la banda de valencia.

Experimentalmente se puede obtener: 𝑁𝑡 , 𝐸𝑡 , 𝐾𝑐 , 𝐾𝑎

Ahora, cuando una fuente externa (digamos una fuente de luz) modifica la situación de
equilibrio térmico convirtiéndola en una situación denominada de “no equilibrio”.
Supongamos un semiconductor tipo N. Se produce entonces una velocidad de generación
adicional 𝐺𝐿 . Veamos la figura:

Procesos de generación-recombinación bajo condiciones de

iluminación.
 Ec Ec Ec Ec Ec
Ra Rb

GL ET ET ET ET

Rc Rd

Ev Ev Ev Ev Ev

Se ha añadido un proceso más que aparece como la generación GL.

Cuando se ha llegado en estas condiciones a una nueva situación y que ésta ha llegado a la
estabilidad, se tiene que la velocidad de abandono de los electrones de la banda de
conducción será igual a su incorporación a ésa banda.
Por tanto, se tiene que:

𝑑𝑛𝑛
= 𝐺𝐿 − (𝑅𝑎 − 𝑅𝑏 ) = 0
𝑑𝑡
Y

𝑑𝑝𝑛
= 𝐺𝐿 − (𝑅𝑐 − 𝑅𝑑 ) = 0
𝑑𝑡

Por tanto,
𝐺𝐿 = 𝑅𝑎 − 𝑅𝑏 = 𝑅𝑐 − 𝑅𝑑

Como
𝑅𝑎 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑛 ∙ 𝑁𝑡 ∙ (1 − 𝑓)
Y
𝑅𝑏 = 𝐾𝑏 ∙ 𝑁𝑡 ∙ 𝑓
Con
(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 )
𝐾𝑏 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇

Entonces:

(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 )
𝑅𝑏 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 ∙ 𝑁𝑡 ∙ 𝑓
Del mismo modo trabajamos para 𝑅𝑐 y 𝑅𝑑

Reemplazando en la relación establecida, se tiene entonces:

(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 )
𝐺𝐿 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑛𝑛 ∙ 𝑁𝑡 ∙ (1 − 𝑓) − 𝐾𝑎 ∙ 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 ∙ 𝑁𝑡 ∙ 𝑓

Ordenando:

(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 )
𝐺𝐿 = 𝐾𝑎 ∙ 𝑁𝑡 ∙ [𝑛𝑛 (1 − 𝑓) − 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 ]

Del mismo modo tendremos:

(𝐸𝑖 −𝐸𝑡 )
𝐺𝐿 = 𝐾𝑐 ∙ 𝑁𝑡 ∙ [𝑝𝑛 ∙ 𝑓 − 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 ∙ (1 − 𝑓)]

Entonces:

(𝐸𝑡 −𝐸𝑖 ) (𝐸𝑖 −𝐸𝑡 )

𝐾𝑎 ∙ 𝑁𝑡 ∙ [𝑛𝑛 (1 − 𝑓 ) − 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 ] = 𝐾𝑐 ∙ 𝑁𝑡 ∙ [𝑝𝑛 ∙ 𝑓 − 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇 ∙ (1 − 𝑓)]

Haciendo operaciones y sabiendo que 𝑈 ≡ 𝑅𝑎 − 𝑅𝑏 , se puede obtener la expresión:

(𝑃𝑛 − 𝑃𝑛𝑜 )
𝑈 = 𝐾𝑐 ∙ 𝑁𝑉 ∙ (𝑃𝑛 − 𝑃𝑛𝑜 ) =
𝜏𝑝
Donde se supone que:
1
𝜏𝑝 =
𝐾𝑐 ∙ 𝑁𝑡

Además prevalece la condición de baja inyección. Entonces:

𝑛𝑛 ≫ 𝑝𝑛
Y
(𝐸𝑖 −𝐸𝑡 )
𝑛𝑛 ≫ 𝑛𝑖 ∙ 𝑒 𝐾𝐵 𝑇
Y, obviamente, 𝜏𝑝 es el tiempo de vida media para los huecos en el semiconductor tipo N.

El tiempo de vida media es independiente de los portadores mayoritarios.

En superficie:
Hay semiconductores que presentan una superficie bastante irregular y que pueden ser
considerados los procesos de generación – recombinación.

La ecuación de continuidad.

Se juntan en un sistema único, los efectos de arrastre, difusión y también de generación-

recombinación (tanto directa como indirectamente).

Área

dx

Jn(x) Rn Jn(x+dx)

Gn

x x+dx

La llamada ecuación de continuidad junta los efectos que producen la variación dinámica
de portadores. Entonces, además de considerar las corrientes de arrastre y difusión se
considera las velocidades de generación y recombinación de pares electrón-hueco.
Otro elemento a considerar es considerar lo que se denomina el régimen estático o el
régimen dinámico de los procesos de variación de las concentraciones tanto de huecos
como de electrones. El régimen estático se denomina así porque considera dos situaciones
ya estudiadas:
 i) El sistema está en equilibrio térmico y el proceso de generación de electrón-
hueco ha establecido los valores de concentración iguales para electrones y
huecos.
ii) El sistema sufre una perturbación óptica, por ejemplo, y se produce un
transitorio que se ha estudiado y cuyo resultado analítico es, por ejemplo para
los portadores minoritarios huecos en un obvio semiconductor tipo N:

𝑡
−
𝜏𝑝
𝑝𝑛 (𝑡) = 𝑝𝑛𝑜 + 𝜏𝑝 ∙ 𝐺𝐿 ∙ 𝑒

O en semiconductor tipo P, la concentración de electrones:

𝑡
−
𝑛𝑝 (𝑡) = 𝑛𝑝𝑜 + 𝜏𝑛 ∙ 𝐺𝐿 ∙ 𝑒 𝜏𝑛

Sin embargo, llega a una nueva situación de equilibrio, superado el transitorio,

que es distinto al caso en el que no existían elementos de excitación externos.

El régimen dinámico se produce cuando el elemento de excitación externo es variable. Es

una situación de no equilibrio.

Existen dos formas de variación de la concentración en un semiconductor, por ejemplo,

uno con el que hemos estado trabajando, un tipo N. La variación de la concentración de
los huecos (portadores minoritarios) en una unidad de volumen cualquiera del
semiconductor es causada por:

a) Por los procesos de generación y recombinación netas de pares electrón-hueco.

b) Por el flujo variable de portadores transportados a través del volumen (en otras
palabras, es por las corrientes de arrastre y difusión generadas).

En el caso de un semiconductor tipo N:

 𝜕𝑝 𝜕𝑝 𝜕𝑝
= | + |
𝜕𝑡 𝜕𝑡 𝑔𝑒𝑛𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛−𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝜕𝑡 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒

En el caso de un semiconductor tipo P

𝜕𝑛 𝜕𝑛 𝜕𝑛
= | + |
𝜕𝑡 𝜕𝑡 𝑔𝑒𝑛𝑒𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛−𝑟𝑒𝑐𝑜𝑚𝑏𝑖𝑛𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝜕𝑡 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑝𝑜𝑟𝑡𝑒

El gráfico muestra un semiconductor tipo P (para variar, la analogía con el tipo N, es

inmediata). La ecuación de continuidad generada será:

𝜕𝑛 𝐽𝑛 (𝑥) ∙ 𝐴 𝐽𝑛 (𝑥 + 𝑑𝑥)
∙ 𝐴 ∙ 𝑑𝑥 = [ − ] + (𝐺𝑛 − 𝑅𝑛 ) ∙ 𝐴 ∙ 𝑑𝑥
𝜕𝑡 −𝑞 −𝑞

Desarrollando 𝐽𝑛 (𝑥 + 𝑑𝑥) en series de Taylor y considerando sólo el primer y el segundo

término, se tiene:

𝜕𝐽𝑛 (𝑥)
𝐽𝑛 (𝑥 + 𝑑𝑥 ) = 𝐽𝑛 (𝑥 ) + 𝑑𝑥 ∙ +⋯
𝜕𝑥

Haciendo operaciones se tiene, entonces:

𝜕𝑛 1 𝜕𝐽𝑛
= 𝑑𝑥 ∙ + (𝐺𝑛 − 𝑅𝑛 )
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥
Para los huecos:

𝜕𝑝 1 𝜕𝐽𝑝
= − 𝑑𝑥 ∙ + (𝐺𝑝 − 𝑅𝑝 )
𝜕𝑡 𝑞 𝜕𝑥

Desarrollando las expresiones obtenidas para la corriente total de electrones o huecos

respectivamente se tiene:
 dn
J n = J a ,n + J d ,n = q n nE + qDn
dx
dp
J p = J a , p + J d , p = qp p E − qD p
dx

Ahora desarrollamos lo estudiado previamente respecto a la generación y/o

recombinación de pares electrón hueco:

Para un semiconductor tipo P:

𝑛𝑝 − 𝑛𝑝𝑜
𝑈 = 𝐺𝐿 =
𝜏𝑛

Para un semiconductor tipo N:

𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜
𝑈 = 𝐺𝐿 =
𝜏𝑝

Y como se ha estudiado:

𝐺 − 𝑅 = 𝐺𝑒𝑥𝑡𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟 + 𝐺𝑇ℎ − 𝑅 = 𝐺𝑒𝑥𝑡𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟 − (𝑅 − 𝐺𝑇ℎ ) = 𝐺𝑒𝑥𝑡𝑒𝑟𝑖𝑜𝑟 − 𝑈

Entonces las ecuaciones de continuidad para los portadores minoritarios sean P o N se

tiene:

Semiconductor tipo P:

𝜕𝑛𝑝 𝜕𝐸 (𝑥 ) 𝜕𝑛𝑝 𝜕 2 𝑛𝑝 𝑛𝑝 − 𝑛𝑝𝑜

= 𝑛𝑝 ∙ 𝜇𝑛 ∙ + 𝜇𝑛 ∙ 𝐸 ( 𝑥 ) ∙ + 𝐷𝑛 ∙ 2
+ 𝐺𝑛 −
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑛

Semiconductor tipo N:

𝜕𝑝𝑛 𝜕𝐸 (𝑥 ) 𝜕𝑛𝑝 𝜕 2 𝑝𝑛 𝑝𝑛 − 𝑝𝑛𝑜

= −𝑝𝑛 ∙ 𝜇𝑝 ∙ − 𝜇𝑝 ∙ 𝐸 (𝑥 ) ∙ + 𝐷𝑝 ∙ 2
+ 𝐺𝑝 −
𝜕𝑡 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝜏𝑝
Tanto 𝐺𝑛 como 𝐺𝑝 corresponde a la generación de portadores tanto electrones como
huecos que no se debe a la energía térmica.

El presente capítulo, está basado en gran medida en dos textos:

Càndid Reig y José Jordán de la Universidad de Valencia, en su texto de la asignatura

“Dispositivos electrónicos” y el texto “Complementos de física” de Francisco Mesa
Ledesma de la Universidad de Sevilla.

Todos los gráficos fueron desarrollados por el que subscribe el texto.