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    Practica 3 Dispositivos

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    Ortega Martinez Diego Eduardo
    El documento describe una práctica de laboratorio sobre el comportamiento de diodos semiconductores durante la transición de polarización directa a inversa. Los objetivos son medir y comparar los tiempos de almacenamiento, decaimiento y recuperación inversa de varios diodos, y analizar cómo estos tiempos se ven afectados por la tensión aplicada, la corriente y la temperatura. Se miden los tiempos para cuatro diodos usando una señal cuadrada de 10V y 100kHz, y luego se repite la medición con una señal de

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    El documento describe una práctica de laboratorio sobre el comportamiento de diodos semiconductores durante la transición de polarización directa a inversa. Los objetivos son medir y comparar los tiempos de almacenamiento, decaimiento y recuperación inversa de varios diodos, y analizar cómo estos tiempos se ven afectados por la tensión aplicada, la corriente y la temperatura. Se miden los tiempos para cuatro diodos usando una señal cuadrada de 10V y 100kHz, y luego se repite la medición con una señal de

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    El documento describe una práctica de laboratorio sobre el comportamiento de diodos semiconductores durante la transición de polarización directa a inversa. Los objetivos son medir y comparar los tiempos de almacenamiento, decaimiento y recuperación inversa de varios diodos, y analizar cómo estos tiempos se ven afectados por la tensión aplicada, la corriente y la temperatura. Se miden los tiempos para cuatro diodos usando una señal cuadrada de 10V y 100kHz, y luego se repite la medición con una señal de

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    El documento describe una práctica de laboratorio sobre el comportamiento de diodos semiconductores durante la transición de polarización directa a inversa. Los objetivos son medir y comparar los tiempos de almacenamiento, decaimiento y recuperación inversa de varios diodos, y analizar cómo estos tiempos se ven afectados por la tensión aplicada, la corriente y la temperatura. Se miden los tiempos para cuatro diodos usando una señal cuadrada de 10V y 100kHz, y luego se repite la medición con una señal de

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    de 6

    INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

    ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

    DISPOSITIVOS

    PRÁCTICA 3
    COMPORTAMIENTO DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES EN LA TRANSICIÓN DE
    POLARIZACIÓN DIRECTA A INVERSA

    PROFESOR: VELAZQUEZ GARCIA JUANA

    Ortega Martinez Diego Eduardo


    5CV5

    1
    OBJETIVOS.− El alumno deberá:

    3.1. Obtener, medir y comparar los tiempos de almacenamiento "t",. Y de decaimiento "tr" para distintos
    diodos semiconductores.

    3.2. Obtener y medir las variaciones en los tiempos de almacenamiento y decaimiento, por efectos de
    temperatura y de la relación de corriente directa e inversa.

    3.3. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y mediciones
    llevadas a cabo durante la realización de esta practica.

    EQUIPO PROPORCIONADO POR EL LABORATORIO:

    OSCILOSCOPIO DE DOBLE TRAZO Y PUNTAS DE PRUEBA

    GENERADOR DE SEÑALES

    MULTÍMETRO ANALÓGICO Y/O DIGITAL

    MATERIAL REQUERIDO QUE DEBE DE TRAER EL ALUMNO:

    1 Diodo 1N4004 (Si)

    1 Diodo OA81 (Ge)

    1 LED rojo (Arsenuro de Galio)

    1 Diodo 1N914 (Diodo de Silicio de alta velocidad de conmutación)

    1 Resistor de 1 K a½W

    Pinzas de punta, Pinzas de corte y Desarmador.

    Cables: 6 caimán − caimán, 6 caimán − banana, 8 banana − banana, mínimo de 50cm de longitud.

    Tablilla de conexiones (protoboard).

    4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminación BNC y en el otro caimanes.

    DESARROLLO EXPERIMENTAL

    2
    Para el buen desarrollo experimental de esta practica y la obtención de los objetivos de la misma, será
    requisito indispensable que el alumno presente por escrito, en forma concisa y breve, la teoría básica y su
    interpretación en lo que se refiere a los tiempos de almacenamiento y decaimiento en diodos semiconductores.

    3.1. Obtener, medir y comparar los tiempos de almacenamiento ts y decaimiento tf para distintos
    diodos semiconductores.

     Armar el circuito de la figura 3.1., colocar el canal X y el canal Y del osciloscopio tal como se muestra en
    la figura (usar el osciloscopio con base de tiempo interna). Usando el generador aplicar al circuito una señal
    cuadrada de 10V pico y 100KHz.

    Figura 3.1

    Colocar uno a uno los diodos, en el orden indicado en la taba 3.1. y medir en cada caso, los tiempos de
    almacenamiento, decaimiento y de recuperación inversa, así. como la corriente directa a inversa
    respectivamente.

    TIEMPOS DE ALMACENAMIENTO Y DECAIMIENTO PARA DISTINTOS DIODOS

    (APLICANDO SEÑAL CUADRADA DE 10 V. Y 100 khZ.)


    DIODO ts ( s) tf ( s) trr = ts + tf ( s) I0 (mA) If (mA)
    1N4001 2 2.8 4.8 9 9
    0AB1 0 0 0 0 0
    LED ROJO 0 0 0 0 0
    1N914 0 0 0 0 0

    3.1.3. Reportar en la figura las gráficas que se observan en la señal del circuito de la figura 3.1 (Canal Y).

    Figura 3.2 Gráficas que muestran los tiempos de almacenamiento y decaimiento para distintos diodos
    semiconductores.

    Diodo 1N4004 LED rojo

    Diodo OA81 Diodo 1N914

    3.2. Obtener y medir las variaciones en los tiempos de almacenamiento y decaimiento, por efecto de
    temperatura y de la relación de corriente directa e inversa.

    3
    3.2.1. Usando el mismo circuito de la figura 3.1, disminuir el voltaje pico de la señal cuadrada del generador a
    3 Vp, conservando la misma frecuencia y medir nuevamente los tiempos de almacenamiento y decaimiento,
    así como las corrientes directa e inversa respectivamente, reportándolas en la tabla 3.2.

     Sólo para el diodo de 1N914, observe y reporte los resultados que se obtienen (en la misma tabla 3.2.),
    cuando se acerca un cerillo encendido por tiempo no mayor a 5s.

    TIEMPOS DE ALMACENAMIENTO Y DECAIMIENTO PARA DISTINTOS DIODOS

    (APLICANDO UNA SEÑAL CUADRADA DE 3 V Y 100KHZ)


    DIODO ts ( s) tf ( s) trr = ts + tf ( s) I0 (ma) IF (ma)
    1N4001 1.2 1.8 3 2.3 −2.3
    0A81 0 0 0 2.4 −2.4
    LED ROJO 0 0 0 1 −1
    1N914 (t − tA) 0 0 0 2.2 −2.2
    1N914 (t > tA) 0 0 0 2.4 0
    3.3. Contestar y entregar el cuestionario, hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y mediciones
    llevadas a cabo durante la realización de esta practica.

     De los cuatro diodos usados en esta practica, ¿cual de ellos presentó menor tiempo de almacenamiento y
    decaimiento?, en el caso en que se aplico la señal de 10 V y 100KHz.

    No se pudo observar alguna diferencia en las mediciones de los tiempos de decaimiento y almacenamiento en
    los cuatro diodos usados, suponemos que se debe a la calidad del equipo existente en el laboratorio. Será de
    suponerse que el diodo que presentará menores tiempos de almacenamiento y decaimiento es el 1N914,
    puesto que es descrito por ECG como un diodo Fast switching, 4nanosec, 100v PRV; esto indica que tendrá
    un tiempo máximo de recuperación entre el almacenamiento y el decaimiento de 4 nanosegundos.

    3.3.2. Para cada uno de los diodos usados, indique cual es el tiempo trr que especifica el fabricante

    1N4001= No especifica

    1N914 = 8 y 4nanosegundos, dependiendo de la corriente que por éste circule

    OA81 = No especifica

    LED = No especifica

    3.3.3. ¿Cómo se modifico el valor de los tiempos de almacenamiento y decaimiento, de todos los diodos,
    cuando se disminuyó el voltaje pico del generador a 3 V?. ¿Es este resultado congruente con la teoría?.
    Explique.

    Al disminuir el voltaje, disminuyen a su vez los tiempos de almacenamiento y decaimiento, esto es


    congruente porque el dido es sometido a una menor tensión y por tanto los portadores mayoritarios y
    minoritarios del semiconductor deben realizar menores cambios internos y por logica en menor tiempo para
    lograr la transición de conducción a rectificación.

    3.3.4. ¿Como afecta a los tiempos de almacenamiento y decaimiento, el aumento de la temperatura ambiente?.
    ¿Es este resultado congruente con lo esperado?. Explique.

    4
    Se espera siempre que un semiconductor modifique su comportamiento conductivo en relación a la temperatura , y al
    contrario de los conductores normales de metal, al calentar un semiconductor mejora la conducción, es decir,
    disminuye el voltaje de umbral en un diodo, esto nos lleva a un resultado ya obtenido y es que al disminuir el voltaje
    en un diodo, el voltaje que debe disipar la resistencia es mayor, y por tanto mayores son los tiempos de
    almacenamiento y decaimiento del diodo entre mayor sea la temperatura.

    3.3.5. ¿Porqué cuando el voltaje pico del generador se disminuye a 3 V, se observa que la corriente inversa es
    apreciablemente mayor que la corriente directa (aproximadamente del doble)?. Explique.

    Esto se debe a que al disminuir el voltaje, se aplica menos tensión a los portadores internos del semiconductor, y esto
    nos lleva a una mayor libertad para desplazarse internamente, así, al ocurrir un cambio en la polarización existe una
    menor resistencia al cambio de la corriente y se presenta en forma mayor entre menor sea el voltaje.

     Defina con palabras que se entiende como:

    Tiempo de almacenamiento, tiempo de decaimiento y tiempo de recuperación inverso.

    Tiempo de almacenamiento: Es el tiempo necesario después de un cambio de polaridad en el diodo para que los
    portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto.

    Tiempo de decaimiento: Una vez que la unión pn regresa a su estado normal de polarización inversa y terminando el
    tiempo de almacenamiento, ocurre un estado transitorio de conducción inversa de corriente hasta la rectificación del
    voltaje de polarización inversa, este tiempo necesario para que la corriente caiga en forma exponencial es el tiempo de
    decaimiento.

    Tiempo de recuperación inverso: Es la suma de los tiempos de almacenamiento y de decaimiento, y tal periodo de
    tiempo nos indica el tiempo total durante el cual, después de un cambio de polarización directa a inversa en un diodo, no
    obtenemos la respuesta ideal en el dispositivo, es decir, una señal rectificada.

    CONCLUSIONES

    La realización de la presente práctica, nos permitió conocer la importancia de las velocidades de operación en los
    diferentes tipos de diodos utilizados, puesto que una elección equivocada en el momento de diseñar o sustituir un
    diodo en algún circuito puede llevar a dañarlo por no poder operar a la velocidad requerida
    Instituto Politécnico Nacional
    Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Electrónica
    Plantel Zacatenco

    Ortega Martinez Diego Eduardo

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