Universidad de Área de Tecnología

Oviedo Electrónica

Introducción a la Electrónica de
Dispositivos

•Materiales semiconductores (Sem01.ppt)

•La unión PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
•Transistores (Trans01.ppt)

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de

Computadores y de Sistemas ATE-UO Trans 00
 Tipos de transistores
PNP
BJT
NPN
Canal P
JFET
Canal N
FET MESFET Canal N Canal P
Acumulación
Canal N
MOSFET
Canal P
Deplexión
Canal N
BJT:Transistores bipolares de unión.
FET: Transistores de efecto de campo.
JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-
semiconductor.
ATE-UO Trans 01
 Características comunes a todos los
transistores (I)
•Son dispositivos (típicamente) de 3 terminales.
•Dos de los tres terminales actúan como terminales de
entrada (control).
•Dos de los tres terminales actúan como terminales de
salida. Un terminal es común a entrada y salida.

ie is

+ +
Ve Vs
- -
Entrada Salida
Cuadripolo
ATE-UO Trans 02
 Características comunes a todos los
transistores (II)
ie is

•La potencia consumida en + +

la entrada es menor que la Ve Vs
controlada en la salida. - -
Entrada Salida
Cuadripolo

•La tensión entre los terminales de entrada determina el

comportamiento eléctrico de la salida.
•La salida se comporta como:
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación).
•Circuito abierto (corte).
ATE-UO Trans 03
 Características comunes a todos los
transistores (III)
is +
Zona Activa is
+ Vs
-
Vs = -

is is
Zona de +
Saturación
-
Vs = Vs=0

is is=0
Zona de +
+
Corte
-
Vs = Vs
- ATE-UO Trans 04
 Transistores bipolares de unión (I)
Transistor PNP: zona P, zona N y zona P
Transistor NPN: zona N, zona P y zona N

Colector (P) Colector (N)

Base Base
(N) (P)
PNP Emisor (P) NPN Emisor (N)
•El emisor debe estar mucho más
dopado que la base. Muy, muy
•La base debe ser mucho más importante
pequeña que la longitud de difusión
de los mayoritarios del emisor.
ATE-UO Trans 05
 Transistores bipolares de unión (II)
PNP Emisor y Colector Base
(Si) N =1015 atm/cm3 τ =100 ns NDB=1013 atm/cm3
AE p
NAC=1014 atm/cm3 Lp=0,01 mm τn=100 ns Ln=0,02 mm

E B C
P+ N- P
1016

pE =1015 nB =1013
Portad./cm3

1012 pC =1014
escala
logarítmica
108 pB =107
nC=106
nE =105
104
1µm ATE-UO Trans 06
 Polarización en Zona Activa (I)
Emisor (P) Colector (P)
Polarizamos las uniones:
•Emisor-Base, directamente
B (N)
•Base-Colector, inversamente
VEB VBC

iE VEB B iB VBC iC
E P+ N- P C
¿Cómo son las corrientes por los terminales
de un transistor?
Para contestar, hay que deducir cómo son las
corrientes por las uniones. Para ello, es preciso
conocer las concentraciones de los portadores.
ATE-UO Trans 07
 Polarización en Zona Activa (II)
Portadores en el emisor y en la unión emisor-base (I)
Esc. Emisor Unión emisor-base
Polarizamos log.
1016
directamente pE pB(0)

Portad./cm3
1012
∆pB(0)
Calculamos el exceso
de huecos en el
108 nE pB(0)s.p.
comienzo de la base 104
-0,3 -0,2
∆pB(0): -0,1 0
Longitud [mm]
•Partimos de pE = pB(0)s.p.·eVO/VT y de pE = pB(0)·e(VO-VEB)/VT

•Llegamos a: ∆pB(0) = pB(0)-pB(0)s.p.= (eVEB/VT-1)·pB(0)s.p.

•Y como pB(0)s.p.= ni2/NDB, queda:

∆pB(0)=(eVEB/VT-1)·ni2/NDB ATE-UO Trans 08

 Polarización en Zona Activa (III)
Portadores en el emisor y en la unión emisor-base (II)

Emisor Unión emisor-base

1016
pE
Esc. Portad./cm3 1012 nE(0)
log.
108 nE ∆nE(0)
104
-0,3 -0,2 -0,1 0
nE(0)s.p.
Longitud [mm]

Procediendo de igual forma con el exceso de concentración de

los electrones del final del emisor, ∆nE(0), obtenemos:

∆nE(0)=(eVEB/VT-1)·ni2/NAE
ATE-UO Trans 09
 Polarización en Zona Activa (IV)
Portadores en el colector y en la unión base-colector (I)
Colector 1016
Unión base- Esc.
Polarizamos colector pC log.

Portad./cm3
inversamente 1012
pB(WB )s.p. 108
-∆pB(WB) nC 104
pB(WB) 100
WB
0,3 mm
Procediendo de igual forma con el exceso
de concentración de los huecos del final de E (P) C (P)
la base, ∆pB(WB), obtenemos: B (N)
VCB
∆pB(WB) = (eVCB/VT-1)·ni2/NDB VEB - +

En zona activa, VCB< 0

ATE-UO Trans 10 VBC
 Polarización en Zona Activa (V)
Portadores en el colector y en la unión base-colector (II)
Colector
1016
Unión base- Esc.
colector pC log.

Portad./cm3
1012

nC(WB )s.p. 108

-∆nC(WB) nC 104

nC(WB) 100
WB
0,3 mm
Procediendo de igual forma con el exceso
de concentración de los electrones al E (P) C (P)
comienzo del colector, obtenemos: B (N)
VCB
∆nC(WB) = (eVCB/VT-1)·ni2/NAC VEB - +

ATE-UO Trans 11
VBC
 Polarización en Zona Activa (VI)
Portadores minoritarios a lo largo del transistor (I)
VEB VBC
E B C
P+ -+
N- + - P
Polarizamos WB
en zona activa -∆pB(WB-)
∆pB(0+) -∆nC(WB+)
nEs.p.= ni2/NAE nCs.p.= ni2/NAC

Escala lineal 0- 0+ WB- WB+ x

(no exacta)
∆nE(0-) pBs.p.= ni2/NDB
ATE-UO Trans 12 ¿Cómo es la concentración de los huecos en la base?
 Polarización en Zona Activa (VII)
Portadores minoritarios a lo largo del transistor (II)
La solución de la ecuación de continuidad es (ATE-UO PN136) :
senh((WB-x)/LP)
pB(x) = pB(WB + (pB
-) (0+) - pB(WB -))·
senh(WB/LP)
VEB VBC
Como WB<<Lp (base corta) se
B cumple que senh (a) ≈ a y,
por tanto:
-+
N- + - pB(x)=pB(WB-)+(pB(0+)-pB(WB-))·(WB-x)/WB=
pB(0+) WB =pB(WB-)+(∆pB(0+)-∆pB(WB-))·(WB-x)/WB

∆pB(0+) El gradiente de la concentración de

huecos en la base es:
pBs.p. d(pB(x))/dx = -(∆pB(0+)-∆pB(WB-))/WB
pB(WB-) -∆pB(WB-)
0+ WB- x
ATE-UO Trans 13
 Polarización en Zona Activa (VIII)
Portadores minoritarios a lo largo del transistor (III)
VEB VBC
E B C
P+ -+
N- + - P
WB
-∆pB(WB-)
∆pB(0+) -∆nC(WB+)
nEs.p.= ni2/NAE nCs.p.= ni2/NAC

Escala lineal 0- 0+ WB- WB+ x

(no exacta)
∆nE(0-)
Ahora se pueden calcular los gradientes en
ATE-UO Trans 14 los bordes de las dos zonas de transición
 Polarización en Zona Activa (IX)
Cálculo de los gradientes de los minoritarios
en los bordes de las zonas de transición
WB

∆pB(0+)-∆pB(WB-)

nEs.p.= ni2/NAE nCs.p.= ni2/NAC

∆nE(0-)
-∆nC(WB+)

0- 0+ WB- WB+ x
Emisor “largo”: Colector “largo”:
(dnE/dx)0- = ∆nE(0-)/LNE (dnC/dx)WB+ = -∆nC(WB+)/LNC
Base “corta”:
(dpB/dx)0+ = -(∆pB(0+)-∆pB(WB-))/WB
ATE-UO Trans 15
 Polarización en Zona Activa (X)
Resumen de los excesos de concentración de los
minoritarios en los bordes de las zonas de transición
∆nE(0-)=(eVEB/VT-1)·ni2/NAE ∆pB(WB-) = (eVCB/VT-1)·ni2/NDB
∆pB(0+)=(eVEB/VT-1)·ni2/NDB ∆nC(WB+) = (eVCB/VT-1)·ni2/NAC

Resumen de los valores de los gradientes de los

minoritarios en los bordes de las zonas de transición

(dnE/dx)0- = ∆nE(0-)/LNE = (eVEB/VT-1)·ni2/(NAE·LNE)

(dpB/dx)0+ = -(∆pB(0+)-∆pB(WB-))/WB =
= -((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))·ni2/(NDB·WB)

(dnC/dx)WB+ = -∆nC(WB+)/LNC = -(eVCB/VT-1)·ni2/(NAC·LNC)

ATE-UO Trans 16
 Polarización en Zona Activa (XI)
Cálculo de las corrientes por las uniones
VEB VBC
E B C
P+ -+
N- + - P
juEB WB juBC
juEB = q·DNE·∆nE(0-)/LNE + q·DPB·(∆pB(0+)-∆pB(WB-))/WB =
= q·DNE·(eVEB/VT-1)·ni2/(NAE·LNE) + q·DPB·((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))·ni2/(NDB·WB) =
=(eVEB/VT-1)·q·ni2·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))-(eVCB/VT-1)·q·ni2·DPB/(NDB·WB)

juBC = q·DPB·(∆pB(0+)-∆pB(WB-))/WB - q·DNC·∆nC(WB+)/LNC =

= q·DPB·((eVEB/VT-1)-(eVCB/VT-1))·ni2/(NDB·WB) - q·DNC·(eVCB/VT-1)·ni2/(NAC·LNC) =
=(eVEB/VT-1)·q·ni2·DPB/(NDB·WB)-(eVCB/VT-1)·q·ni2·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))

ATE-UO Trans 17
 Polarización en Zona Activa (XI)
Cálculo de las corrientes por los terminales
IE VEB VBC IC

VEB IB VCB
+ - B - +
P+ -+
N- + - P
E C
Sección A juEB WB
juBC
IE = A·juEB IC = -A·juBC IB = -IC -IE = A·(juBC- juEB)

IE =q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))-(eVCB/VT-1)·DPB/(NDB·WB))

IC=-q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·DPB/(NDB·WB)-(eVCB/VT-1)·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))

IB = -q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·DNE/(NAE·LNE)+(eVCB/VT-1)·DNC/(NAC·LNC))
ATE-UO Trans 18
 Polarización en Zona Activa (XII)
Cálculo de las corrientes en zona activa (I)
¡Muy importante!
Las ecuaciones anteriores valen E (P) C (P)
para cualquier zona de trabajo del B (N)
IB
transistor IE + VEB - - VCB +
Particularizamos para la zona activa:
IC
VEB>>VT, VCB<<-VT (ya que VCB<0, VCB>>VT) VBC
VEB
Por tanto:

eVEB/VT-1 ≈ eVEB/VT y eVCB/VT-1 ≈ -1

IE ≈ eVEB/VT·q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))
IC ≈ - eVEB/VT·q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)

IB ≈ - eVEB/VT·q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE)
ATE-UO Trans 19
 Polarización en Zona Activa (XIII)
Cálculo de las corrientes en zona activa (II)

-DPB/(NDB·WB) E (P) C (P)

IC/IE ≈ B (N)
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB) IB
IE +
VEB
- -
VCB
+ IC
Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s VEB VBC
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3
WB = 1 µm LNE = 20 µm

DPB/(NDB·WB)= 10-8 DNE/(NAE·LNE)= 2·10-11

IC/IE = -0,998 IB/IE = (-IE - IC)/IE= - 0,002

Vamos a interpretar estos resultados

ATE-UO Trans 20
 Polarización en Zona Activa (XIV)
Cálculo de las corrientes en zona activa (III)
0,998·IE
VEB VBC
IE
0,002·IE
VEB VCB
+ - B - +
E P+ -+ N- + - P C

•La corriente de emisor IE se relaciona con la tensión emisor-

base VEB como en cualquier unión PN polarizada directamente:
IE ≈ ISE·eVEB/VT.
•La corriente que sale por el colector es casi igual a la que
entra por el emisor.
•La corriente que sale por el colector no depende de la tensión
colector-base VCB. Por tanto, el colector se comporta como
una fuente (sumidero) de corriente.
Muy importante
ATE-UO Trans 21
 Polarización en Zona Activa (XV)
Interpretación con las escalas reales
VEB=0,3 VBC

E B C
P+ N- P
Portad./cm3 1µm
1012
VEBO=0,48V La posición vertical de
Escala
pB lineal este punto varía mucho
con VEB.
5·1011

Para cualquier VBC>0 (es

nE nC decir, VCB <0), la posición
0 vertical de este punto no
varía casi.
Gradiente muy pequeño
⇒ no hay casi corriente
de minoritarios del Gradiente constante
emisor (electrones) ATE-UO Trans 22
 Polarización en Zona Activa (XVI)
Corrientes por el transistor
Portad./cm3 Gradiente muy pequeño en
1012 el emisor ⇒ no hay casi
corriente de electrones.
Escala
pB lineal Gradiente muy grande en la
5·1011 base ⇒ hay mucha corriente
de huecos.

nE nC Calculamos la corriente total

0 de emisor.
Corriente mA Contacto de base
Calculamos la corriente de
3 huecos en el emisor.
IE -IC
Calculamos la corriente de
IpE IpB -IpC electrones en la base.
1,5
Gradiente casi nulo en el
colector ⇒ no hay casi
InE InB -InC corriente de electrones.
0
ATE-UO Trans 23
 Polarización en Zona Activa (XVII)
Corrientes por el transistor
Concentración

pB3 Escala IE -IC

lineal E C
pB2
B VBC
nE pB1 nC
0
Corriente Contacto de base
VEB1 < VEB2 < VEB3
IE3 -IC3

IE2 -IC2

IE1 -IC1
0
ATE-UO Trans 24
 Polarización en Zona Activa (XVIII)
Definición del parámetro “α” directo (I)
Expresión completa de las corrientes:
IE =q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))-(eVCB/VT-1)·DPB/(NDB·WB))

IC=-q·ni2·A·((eVEB/VT-1)·DPB/(NDB·WB)-(eVCB/VT-1)·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))

Salida en cortocircuito (VCB =0):

IE = q·ni2·A·(eVEB/VT-1)·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))
IC = -q·ni2·A·(eVEB/VT-1)·DPB/(NDB·WB)
Definimos α:
α = -IC/IE
IE -IC VCB=0
E C
DPB/(NDB·WB)
α=
B DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)

VEB Muy importante

ATE-UO Trans 25
 Polarización en Zona Activa (XIX)
Definición del parámetro “α” directo (II)
Ya habíamos obtenido antes (para VCB<0, ATE-UO Trans 20):

-DPB/(NDB·WB)
IC/IE ≈ = -α
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB)

IE -IC
Luego: E C

-IC ≈ α·IE VEB VBC

B
Típicamente:
α = 0,99-0,999
Muy, muy importante

ATE-UO Trans 26
 Polarización en Zona Activa (XX)
Definición del parámetro “β”
IE -IC
Partimos de : E C
-IC ≈ α·IE y IE = -IB -IC
Eliminando IE queda: VEB -I VBC
B B

IC ≈ IB·α/(1-α)
Definimos β:
β = α/(1-α) Valor de β en función de la
Luego: física del transistor:
IC ≈ β·IB β = DPB·NAE·LNE /(DNE·NDB·WB)

Típicamente:
β = 50-200 Muy, muy importante
ATE-UO Trans 27
 Polarización en Zona Activa (XXI)
Variación del parámetro “β”
Aunque α es muy poco variable, β (definida como β =
α/(1-α)) es bastante sensible a las pequeñas
variaciones de α.
Ejemplo:
α = 0,99 β = 0,99/(1-0,99) = 99
α = 0,999 β = 0,999/(1-0,999) = 999
βmax
β
βmin βtípica Los fabricantes usan el
término hFE en vez de β.
IC
ATE-UO Trans 28
 Polarización en Zona Activa (XXII)
Configuraciones “base común” y “emisor común”

IE -IC
E C VEC (> VEB)
IE
P P -IC
VEB -I VBC E N C
B B
VEB -IB B -
VEC-VEB>0
Configuración “base común” +
Configuración “emisor común”

Para controlar IC, la fuente Para controlar IC, la fuente

de tensión de entrada VEB de tensión de entrada VEB
tiene que aportar la tiene que aportar la
corriente IE ≈ -IC/α ≈ ≈ -IC. corriente IB ≈ IC/β << IC.
ATE-UO Trans 29
 Transistor “mal hecho” (con base ancha) (I)
VEB=0.3 VBC
IE E IB B C
IC
P+ N- P

Portad./cm3 WB>>LP
1012

Gradiente muy
pB pequeño ⇒ no hay
5·1011
casi corriente de
electrones.
nE nC
0

Gradiente grande ⇒ fuerte Gradiente muy pequeño ⇒ no

corriente de huecos. hay casi corriente de huecos.
ATE-UO Trans 30
Transistor “mal hecho” (con base ancha) (II)
Portad./cm3
1012

pB
5·1011

nE nC
0

Densidad de corriente [mA/cm2]

3
IE
IpE InB
1.5
-InC
IpB -IC -IpC
InE
0
ATE-UO Trans 31
Transistor “mal hecho” (con base ancha) (III)

IE ≈ -IB -IC ≈ 0
VEB=0.3 VBC
E -IB B C Circuito equivalente
con Base ancha.
P+ N- P
IE ≈ -IB VEB VBC -IC ≈ 0
WB>>LP
Densidad de corriente [mA/cm2]
3 -IB
IE E B C

IpE InB
1.5
-InC
IpB -IC -IpC
InE
0
ATE-UO Trans 32
 Polarización en Zona de Corte (I)
Cálculo de las corrientes en zona de corte

Particularizamos las ecuaciones del

E (P) C (P)
transistor para la zona de corte ( ver
B (N)
ATE-UO Trans 18): IB
VEB<<-VT y VCB<<-VT. Por tanto: IE +
VEB
- -
VCB
+ IC
eVEB/VT-1 ≈ -1 y eVCB/VT-1 ≈ -1
VBE VBC
Se obtiene:
Muy importante
IE ≈ -q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE)
Las tres corrientes
IC ≈ -q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC) son muy pequeñas
IB ≈ q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) + DNC/(NAC·LNC))

ATE-UO Trans 33
 Polarización en Zona de Corte (II)
Comparación entre las corrientes en zona
activa y en zona de corte
Zona de Corte Como VT ≈26mV, eVEB/VT
IE ≈ -q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE) es muy grande en
condiciones normales
IC ≈ -q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC) de uso. Por ejemplo, si
VEB = 400mV, entonces
IB ≈ q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) + DNC/(NAC·LNC)) eVEB/VT = 4,8·106

Zona Activa
IE ≈ eVEB/VT·q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))

IC ≈ - eVEB/VT·q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)

IB ≈ - eVEB/VT·q·ni2·A·DNE/(NAE·LNE)

ATE-UO Trans 34
 Polarización en Zona de Corte (III)
Comparación entre las concentraciones de
minoritarios en zona activa y corte
Concentración

Escala IE -IC
pB (activa) lineal E C

nE (activa) B VBC
nE (corte) pB (corte) nC
0
Corriente VEB
BE

IE (activa) -IC (activa)

IE (corte) -IC (corte)

0 ATE-UO Trans 35
 Resumen
Zona Activa Zona de Corte
-IC ≈ α·IE y -IB ≈ (1-α)·IE IC ≈ 0, IE ≈ 0 y IB ≈ 0
-IC ≈ -β·IB y IE ≈ -(1+β)·IB IE
E
-IC
C
IE -IC
E C
VBE -IB B VBC
VEB -IB B VBC
Base
Base común
común
VEC
VEC(> VEB) IE
IE -IC
-IC E C
E C VBE -IB Emisor
B
VEB -IB B
Emisor común
común
ATE-UO Trans 36
 Otras condiciones cercanas a las de corte (I)
Cortocircuito entre emisor y base
Particularizamos las ecuaciones del
transistor para la zona de corte ( ver IE -IC
E C
ATE-UO Trans 18):

VEB=0 y VCB<<-VT. Por tanto: VBC

-IB B
eVEB/VT-1 = 0 y eVCB/VT-1 ≈ -1
Base común y
emisor común
IE (VEB=0) =q·ni2·A·DPB/(NDB·WB))

IC (VEB=0) =-q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB) + DNC/(NAC·LNC))

IB (VEB=0) = q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC)
Corrientes muy pequeñas, aunque algo mayores que las que
teníamos estrictamente en corte. En general, son despreciables.
ATE-UO Trans 37
 Otras condiciones cercanas a las de corte (II)
Emisor en circuito abierto
-IC0
E C
La corriente de colector que circula es muy
pequeña. Es denominada “corriente inversa
de saturación de la unión base-colector con B VBC
el emisor en circuito abierto”, IC0.

Base en circuito abierto

La corriente de colector que circula es
pequeña, pero bastante mayor que la de VEC
IEC0
casos anteriores. Es denominada “corriente
inversa de saturación emisor-colector con la E C
base en circuito abierto”, IEC0.
B
Es aconsejable no dejar la base “al aire”,
siendo mejor cortocircuitarla al emisor o
conectarla a dicho terminal a través de una
resistencia.
ATE-UO Trans 38
 Polarización en Zona de Saturación (I)
Cálculo de las corrientes en zona de saturación
Particularizamos las ecuaciones del
transistor para la zona de saturación ( ver E (P) C (P)
ATE-UO Trans 18): B (N)
IB
VEB>>VT y VCB>>VT. Por tanto: VCB
IE + VEB
- - + IC
eVEB/VT-1 ≈ eVEB/VT y eVCB/VT-1 ≈ eVCB/VT
Se obtiene: VEB VCB
IE = q·ni2·A·(eVEB/VT·(DNE/(NAE·LNE) + DPB/(NDB·WB)) - eVCB/VT·DPB/(NDB·WB))

IC=-q·ni2·A·(eVEB/VT·DPB/(NDB·WB) - eVCB/VT·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))

IB = -q·ni2·A·(eVEB/VT·DNE/(NAE·LNE) + eVCB/VT·DNC/(NAC·LNC))

Corrientes de emisor y de colector muy dependientes

de las tensiones emisor base y colector base.
ATE-UO Trans 39
 Polarización en Zona de Saturación (II)
Caso habitual: una impedancia en el circuito de
colector y configuración en emisor común (I)
-IC
•Partimos de un valor “moderado” de -IB,
Emisor
común de forma que VCB = -V1 - IC·R + VEB < 0.
R Entonces estamos en zona activa.

VCB + •Hacemos crecer -IB, de forma que crece -IC.

P Llega un momento que VCB >0 e incluso
- VCB>>VT.
N •Si llamamos DB y DC:
VEB P
V1 DB = q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)
-IB DC = q·ni2·A·DNC/(NAC·LNC)
V1 >VEB
•La corriente de colector será:
-IC = eVEB/VT·DB - e (-V1 - IC·R + VEB)/VT·(DB+DC)
ATE-UO Trans 40
 Polarización en Zona de Saturación (III)
Caso habitual: Una impedancia en el circuito de
colector y configuración en emisor común (II)
Por tanto:
(-IC) = eVEB/VT·(DB - e (-V1 +(- IC)·R)/VT·(DB+DC))
-IC
Emisor Si VEB/VT >>1, eVEB/VT → ∞.
común
R Entonces:
VCB + (-IC)·R = V1 + VT·ln(DB/(DB+DC))
P
- y, como DB>>DC:
N
VEB P (-IC)·R ≈ V1
V1 Muy, muy importante
El transistor se
-IB comporta como
V1 >VEB un cortocircuito
ATE-UO Trans 41
 Polarización en Zona de Saturación (IV)
Comparación entre las concentraciones de
minoritarios en zona activa y saturación
Concentración

Escala
pB (lim.) pB (sat.) lineal

nE pB (activa) nC Misma pendiente, ya

0 que la corriente de
colector es más o
Corriente menos constante.

IIEE (límite)
(satur.) -IC (satur.)
(límite)
V1/R
IE (activa) -IC (activa)

0
ATE-UO Trans 41
 Resumen
Zona Activa Zona de Corte Zona de Saturación
-IC -IC -IC

R R R
VCB + VCB + VCB +
P P P
-IB - -IB - -IB -
N N N
P P P
VEB VBE VEB
IE V1 IE V1 IE V1

VCB < 0
IC ≈ 0, IE ≈ 0 VCB > 0 (VCE ≈ 0)
-IC ≈ α·IE y -IB ≈ (1-α)·IE
y IB ≈ 0 -IC ≈ V1/R
-IC ≈ -β·IB y IE ≈ -(1+β)·IB

Muy, muy importante

ATE-UO Trans 43
Polarización en Zona Transistor Inverso (I)
Estamos usando el emisor como si fuera un
colector y el colector como si fuera un emisor

IE VBE VCB IC

VEB IB VCB
+ - B - +
P+ -+
N- + - P
E C
Particularizamos las ecuaciones del transistor para
la zona de transistor inverso ( ver ATE-UO Trans 18):
VEB<<-VT y VCB>>VT. Por tanto:

eVEB/VT-1 ≈ -1 y eVCB/VT-1 ≈ eVCB/VT

ATE-UO Trans 44
Polarización en Zona Transistor Inverso (II)
Queda:
IE ≈ -q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) + DPB/(NDB·WB) + eVCB/VT·DPB/(NDB·WB))

IC ≈ q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB) + eVCB/VT·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC)))

IB ≈ q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE) - eVCB/VT·DNC/(NAC·LNC))

Finalmente, despreciando los términos no afectados por

eVCB/VT, obtenemos:
IE ≈ -q·ni2·A·eVCB/VT·DPB/(NDB·WB)

IC ≈ q·ni2·A·eVCB/VT·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))

IB ≈ -q·ni2·A·eVCB/VT·DNC/(NAC·LNC)

Estas ecuaciones son como las de zona activa si hacemos los

siguientes cambios: VEB → VCB, VCB → VEB, IE → IC, IC → IE,
DNC/(NAC·LNC) → DNE/(NAE·LNE) y DNE/(NAE·LNE) → DNC/(NAC·LNC).
ATE-UO Trans 45
Polarización en Zona Transistor Inverso (III)
Conclusión:
Existe cierta reversibilidad en el comportamiento del
emisor y del colector. La gran diferencia es que las
características físicas del emisor, DNE/(NAE·LNE), y del
colector, DNC/(NAC·LNC), son distintas.

Definición del parámetro “α” inverso, “αR”

αR = -IE/IC -IE
E C
IC
VEB=0

DPB/(NDB·WB) -IB B VCB

αR =
DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)

Para distinguir ambos parámetros “α” vamos a llamar

“αF” al directo, definido en ATE-UO Trans 25.
ATE-UO Trans 46
 Comparación de “αF” y “αR”
IE -IC -IE IC
E C E C

B -IB B VCB

VEB αF = -IC/IE αR = -IE/IC

VCB=0 VEB=0

DPB/(NDB·WB) DPB/(NDB·WB)
αF = αR =
DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB) DNC/(NAC·LNC)+DPB/(NDB·WB)

Ejemplo:
DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s DNC = 40 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3 NAC = 1014 atom./cm3
WB = 1 µm LNE = 20 µm LNC = 20 µm

DPB/(NDB·WB)= 10-8 DNE/(NAE·LNE)= 2·10-11 DNC/(NAC·LNC)= 2·10-10

αF = 0,998 αR = 0,98
ATE-UO Trans 47
 Definición de “βF” y “βR”
Definimos βF: Definimos βR:
βF = αF/(1-αF) βR = αR/(1-αR)
Valor de βF en función de la Valor de βR en función de la
física del transistor: física del transistor:
βF=DPB·NAE·LNE /(DNE·NDB·WB) βR=DPB·NAC·LNC /(DNC·NDB·WB)

Ejemplo anterior:
DPB = 10 cm2/s DNE = 40 cm2/s DNC = 40 cm2/s
NDB = 1013 atom./cm3 NAE = 1015 atom./cm3 NAC = 1014 atom./cm3
WB = 1 µm LNE = 20 µm LNC = 20 µm

βF = 500 βR = 50
En la realidad, estos valores suelen ser menores por
la influencia de otros fenómenos no contemplados.
ATE-UO Trans 48
Modelo de Ebers-Moll de un transistor (I)
E (P) Principal idea: buscar un
C (P)
B (N) circuito equivalente a un
IB
VCB transistor que sea válido en
IE + VEB
- - + IC cualquier región de trabajo.

Volvemos a escribir las ecuaciones del transistor:

IE = q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))·(eVEB/VT-1) -

ISE·(eVEB/VT-1) = IF
- q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVCB/VT-1)

IC = -q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVEB/VT-1) +
+ q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))·(eVCB/VT-1)

ISC·(eVCB/VT-1) = IR
ATE-UO Trans 49
Modelo de Ebers-Moll de un transistor (II)
Por tanto:

IE = IF - q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVCB/VT-1)
siendo: IR·αR
IF = q·ni2·A·(DNE/(NAE·LNE)+DPB/(NDB·WB))·(eVEB/VT-1)
y también:

IC = IR -q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVEB/VT-1)
siendo: IF·αF
IR = q·ni2·A·(DPB/(NDB·WB)+DNC/(NAC·LNC))·(eVCB/VT-1)

Por tanto, en resumen:

IE = IF - IR·αR IC = IR - IF·αF
IF = ISE·(eVEB/VT-1) IR = ISC·(eVCB/VT-1)
ATE-UO Trans 50
 Modelo de Ebers-Moll de un transistor (III)
Resumen:
IE = IF - IR·αR IC = IR - IF·αF
IF = ISE·(eVEB/VT-1) IR = ISC·(eVCB/VT-1)

IE VEB VCB IC
+ - - +
E (P) C (P)
B (N) E IF IR C
IB
IE + VEB VCB
- - + IC
αR·IR IB B αF·IF

Muy, muy importante

ATE-UO Trans 51
Modelo de Ebers-Moll de un transistor (IV)
IE VEB VCB IC
IE = IF - IR·αR + - - +

IC = IR - IF·αF E IF IR C
IF = ISE·(eVEB/VT-1)
IR = ISC·(eVCB/VT-1) αR·IR IB B αF·IF

De las ecuaciones anteriores se deduce:

q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVCB/VT-1) = ISC·αR·(eVCB/VT-1)
q·ni2·A·DPB/(NDB·WB)·(eVEB/VT-1) = ISE·αF ·(eVEB/VT-1)
Por tanto: ISC·αR = ISE·αF = IS
Consecuencia:
Sólo hacen falta tres parámetros para definir el
modelo de Ebers-Moll de un transistor: IS, αF y αR.
ATE-UO Trans 52
 -IC0
E
Cálculo de IC0 C

B VBC
IE=0 + VEB - -
VCB
+ IC=IC0
E I IR C
F Partiendo de:
0 = IF - IR·αR
αR·IR IB B αF·IF IC0 = IR - IF·αF
VBC IF = ISE·(eVEB/VT-1)
IR = ISC·(eVCB/VT-1)

Se obtiene: IC0 = ISC·(eVCB/VT-1)·(1-αR·αF) y como VCB<<-VT,

IC0 = -ISC·(1-αR·αF) = -IS·(1-αR·αF)/αR

ATE-UO Trans 53
 Particularizando el modelo para
polarización en Zona Activa -IC0
Partiendo de:
E (P) C (P)
IE = IF - IR·αR B (N)
IC = IR - IF·αF IB
IE +
VEB
- -
VCB
+ -IC
IF = ISE·(eVEB/VT-1)
IR = ISC·(eVCB/VT-1)
VEB VBC
Se obtiene -IC = -IR·(1-αR·αF) + IE·αF y como VCB<<-VT, queda:
-IC = ISC·(1-αR·αF) + IE·αF = -IC0 + IE·αF
y como IB + Ic + IE = 0, se obtiene: Muy importante
IC = IC0·(1+βF) + IB·βF

Éstas son mejores aproximaciones que -IC ≈ αF·IE y IC ≈ βF·IB

ATE-UO Trans 54
 Comparación entre IC0, IC (corte), IC (VEB=0) y IEC0
-IC0 -IC (corte) -IC (VEB=0) IEC0
E C E E E C
C C

B VBC VBE B VBC B VBC B VEC

Partiendo del modelo de Ebers-Moll, se obtiene:

IC (corte) = -ISC·(1-αR) = -IS·(1-αR)/αR = IC0·(1-αR)/(1-αR·αF)

IC (VEB=0) = -ISC = -IS/αR = IC0/(1-αR·αF)
IEC0 = ISC·(1-αR·αF)/(1-αF) = IS·(1-αR·αF)/((1-αF)·αR) =- IC0/(1-αF)

En resumen:
IC (corte) ≈ IC0 IC (VEB=0) ≈ IC0·(1+βR) IEC0 = -IC0·(1+βF)

IC (corte)< IC0<  IC (VEB=0)< IEC0

ATE-UO Trans 55
 Efecto “Early”
Portad./cm3
1012
pB (VBC1) Escala E C
lineal
VEB
5·1011 B VBC

nE pB (VBC2) nC
0
W’B
VBC1 < VBC2
WB
Al aumentar la tensión Base-Colector VBC, el ancho de la zona de
transición también aumenta, por lo que el ancho efectivo de la
Base WB disminuye. Al disminuir el ancho efectivo de la base
aumenta la corriente de emisor (ya que aumenta el gradiente de
minoritarios de la base), y también disminuye la corriente de base
(ya que disminuyen las recombinaciones, ahora despreciadas, de
minoritarios en ella).
ATE-UO Trans 56
 Curvas características en base común (I)
Referencias normalizadas
IE [mA] VCB=-5V
E C
20
VCB=
B
Curvas de -10V
IB entrada VCB=0
IE +
VEB
- -
VCB
+ IC VEB [V]
0 0,6

•Para una determinada tensión VEB, la corriente de

emisor crece con la tensión inversa aplicada entre
colector y base (efecto “Early”). Este efecto no es muy
significativo.
•Cuando VEB=0 y VCB<<-VT, la corriente de emisor es
ligeramente positiva (ver ATE-UO Trans 37). Es un detalle
no muy importante.
ATE-UO Trans 57
 Curvas características en base común (II)
Referencias normalizadas
Curvas de salida
IC [mA]
E C
IE=50mA
B
IB IE=40mA
IE VEB VCB -40
+ - - + IC IE=30mA
IE=20mA
-20
IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0 -2 -4 -6
En polarización en zona IC0
activa, se comporta como
una fuente de corriente. Muy importante

ATE-UO Trans 58
 Curvas características en base común (III)
Zonas de trabajo
Referencias normalizadas
Curvas de salida
IC [mA]
E C
IE=50mA
B
IB IE=40mA
IE VEB VCB -40
+ - - + IC IE=30mA
IE=20mA
-20
Saturación IE=10mA
IE=0mA VCB [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
IC0
Muy importante Corte
ATE-UO Trans 59
 Curvas características en emisor común (I)
Referencias normalizadas IB[µA] VCE=-5V
IC VCE=0
+ -100
C
IB Curvas de
+ VCE VCE=-10V
B entrada
VBE - VBE[V]
E
-
0 -0,6
•Para una determinada tensión VBE, la corriente de base
decrece con la tensión inversa aplicada entre colector y
emisor (efecto “Early”). Este efecto no es muy
significativo.
•Cuando VBE=0 y VCB<<-VT, la corriente de base es
ligeramente positiva (ver ATE-UO Trans 37). Es un detalle
no muy importante.
ATE-UO Trans 60
 Curvas características en emisor común (II)
Referencias normalizadas Curvas de salida
IC IC [mA]
C
+ IB=-400µA
IB -40
+ VCE IB=-300µA
B
VBE - IB=-200µA
E
- -20
IB=-100µA
IB=0µA VCE [V]
0 -2 -4 -6
En zona activa, se comporta
como una fuente de corriente, -IEC0 =IC0·(1+βF)
como ocurría en base común,
pero con un comportamiento
algo menos ideal. Muy importante

ATE-UO Trans 61
 Curvas características en emisor común (III)
Zonas de trabajo
Referencias normalizadas Curvas de salida
IC IC [mA]
IB C
+ IB=-400µA
VCE -40
IB=-300µA
+
B
VBE -
- E IB=-200µA
-20
IB=-100µA
Saturación
IB=0µA VCE [V]
0 -2 -4 -6
Zona Activa
Corte
Muy, muy importante
ATE-UO Trans 62
 Análisis gráfico en emisor común
-IC -IC [mA]
-IB=400µA
R=200Ω 40
-IB=300µA
-IB
-
-IB=200µA
-VCE 20
-IB=100µA
V1 +
IB=0µA -VCE [V]
V2=6V
0 2 4 6
-IB = 0 ⇒ -IC ≈ 0 ⇒ -VCE ≈ 6V ⇒ Corte Recta de carga
-IB = 100µA ⇒ -IC ≈ 10mA ⇒ -VCE ≈ 4V ⇒ Zona activa
-IB = 200µA ⇒ -IC ≈ 20mA ⇒ -VCE ≈ 2V ⇒ Zona activa
-IB = 300µA ⇒ -IC ≈ 30mA ⇒ -VCE ≈ 0,4V ⇒ Saturación
-IB = 400µA ⇒ -IC ≈ 30mA ⇒ -VCE ≈ 0,4V ⇒ Saturación
ATE-UO Trans 63
 La corriente de colector como función de la
corriente de base.
IC Saturación

a
tiv Esta representación justifica
Ac
en término “saturación”.
Z.

Corte IB

Determinación
Determinacióndeldelestado
estadoen
enzona
zona
activa
activa ooen
ensaturación
saturaciónen
encircuitos
circuitos

Zona Activa: IICC ≈≈ IIBB·β

Zona Activa: ·βFF
Saturación:
Saturación: IICC<< IIBB·β
·βFF
ATE-UO Trans 64
 El transistor bipolar ideal
Curvas de salida
Curvas de entrada IC β= Cte.
IC4 IB4
Unión PN ideal
IC3 IB3
IC2 IB2
IC1 IB1
IB0
Circuito VCE
IE equivalente -IC
E C
-IB
Muy importante

B α·IE
-β·IB ATE-UO Trans 65
 Análisis gráfico en emisor común
con un transistor ideal
-IC [mA]
-IC 400µA
40
R=200Ω 300µA
30
-IB
-
200µA
20
-VCE -IB= 100µA
10
V1 + -IB=0
V2=6V 2 4 6
-VCE [V]
-IB = 0 ⇒ -IC = 0 ⇒ -VCE = 6V ⇒ Corte
-IB = 200µA ⇒ -IC = 20mA ⇒ -VCE = 2V ⇒ Z. activa
-IB = 300µA ⇒ -IC = 30mA ⇒ -VCE = 0V ⇒ Saturación
-IB = 400µA ⇒ -IC = 30mA ⇒ -VCE = 0V ⇒ Saturación
ATE-UO Trans 66
 Análisis del funcionamiento de un
transistor ideal en emisor común (I)
Zona activa
-IC
•Como VCB < 0, el diodo
R2 CB no puede conducir.
C
+ (P) •Por tanto:
VCB -β·IB IC = β·IB
-IB R1 - (N)
B V2

V1 (P)
E Muy importante

ATE-UO Trans 67
 Análisis del funcionamiento de un
transistor ideal en emisor común (II)
Corte •Como IB = 0, la fuente de
-IC
corriente no conduce
corriente.
R2
C •Como VCB < 0, el diodo
+ (P) CB no puede conducir.
VCB -β·IB
IB=0 R1 - (N) •Por tanto:
B V2 IC = 0

V1 (P)
E
Muy importante

ATE-UO Trans 68
 Análisis del funcionamiento de un
transistor ideal en emisor común (III)
Saturación
-IC •Como β·(-IB) >V2/R2, el
diodo CB conduce.
R2
C •Por tanto:
+ (P)
β·(-IB) VCB = 0, -IC = V2/R2
VCB
-IB R1 - (N)
B V2

V1 (P)
E Muy importante

ATE-UO Trans 69
 Transistores NPN
Todo lo dicho para transistores PNP se aplica a los NPN sin más que:
•Mantener todos los tipos de polarización (directa o inversa).
•Cambiar los sentidos de todas las fuentes de tensión que hemos
dibujado. Por convenio mantendremos los sentidos en los que
medimos las tensiones.
•Cambiar los sentidos de todas las circulaciones reales de corriente.
Por convenio mantendremos los sentidos en los que medimos las
corrientes.
-IC
PNP, z. NPN, z. IC
activa activa
R R
VCB < 0 VCB > 0
VCB + VCB +
P -IC ≈ α·IE N IC ≈ α·(-IE)
-IB - IB -
N IC ≈ β·IB P IC ≈ β·IB
P N
VEB
VBE -IE
IE V1 V1
ATE-UO Trans 70
 Resumen con transistores NPN
IC IC NPN, IC
NPN, z. NPN,
saturación
activa corte
R R R
VCB + VCB + VCB +
N N N
IB - IB - IB -
P P P
N N N
VBE -IE VEB -IE VBE -IE
V1 V1 V1

VCB > 0 IC ≈ 0, IE ≈ 0 VCB < 0 (VCE ≈ 0)

IC ≈ α·(-IE)
y IB ≈ 0 IC ≈ V1/R
IC ≈ β·IB

Muy, muy importante

ATE-UO Trans 71
Curvas características en emisor común en un
transistor NPN
Referencias IC
normalizadas + IB[µA] VCE=5V
C
IB 100 VCE=0
+ VCE
B Curvas de
VBE VCE=10V
- E - entrada
VBE[V]

IC [mA] 0 0,6
IB= 400µA
40
IB= 300µA
IB= 200µA Curvas de
20 salida
IB= 100µA
Todas las magnitudes
IB=0µA VCE [V] importantes son positivas
0 2 4 6
ATE-UO Trans 72
Circuitos equivalentes para un transistor NPN

VBE VBC
IE = -IF + IR·αR IE - + + - IC
IC = -IR + IF·αF E IF IR C
IF = ISE·(eVBE/VT-1)
IR = ISC·(eVBC/VT-1) αR·IR IB B αF·IF
Circuito Modelo de
-IE equivalente ideal Ebers-Moll
IC
E C
IB

B α·(-IE)
β·IB ATE-UO Trans 73
 Encapsulado de transistores
Encapsulado Encapsulado
Encapsulado
TO-126 (SOT-32) TO-220
TO-92

BC548 (NPN)
BC558 (PNP)

Encapsulado BD135 (NPN)

TO-3 BD136 (PNP) MJE13008 (NPN)
IRF840 (MOSFET, N)
BDX53C (Darlington)

2N3055 (NPN)
BU326 (NPN)
ATE-UO Trans 74
 Forma real de los transistores

Antiguo transistor Transistor NPN plano

PNP de aleación de doble difusión
N- B
SiO2 E
E C
P+ N+ P-
P N

N+
B

ATE-UO Trans 75
 Resistencia de base
Parte que realmente
B E actúa como transistor

Existe una resistencia

P+ N- relativamente alta al estar
P la base poco dopada. La
llamamos RB.
VEB VCB
IE + - - + IC
P+
E IF IR C

C αR·IR IB B’ αF·IF

Modelo de Ebers-Moll modificado RB

B
ATE-UO Trans 76
 Efectos dinámicos en los transistores (I)
Como en el caso de las uniones PN en general, se
caracterizan como:
•Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
•Tiempos de conmutación (en conmutación)
El tiempo más largo es el de retraso por el almacenamiento de
portadores minoritarios en la base, tS.

Concentración Transistor saturado

P+ N-
pB (sat.) P Para cortar el
transistor hay que
eliminar todo este
exceso de portadores.
nE pB corte nC Transistor cortado
0
ATE-UO Trans 77
 Efectos dinámicos en los transistores (II)
¿Cómo disminuir el de retraso por el almacenamiento
de portadores minoritarios en la base, tS?
a) No dejando que el transistor se sature muy
intensamente (que quede en el límite zona activa-
saturación).
b) Extrayendo los minoritarios de la base polarizando
inversamente la unión base emisor.

Situación menos
pB (sat.) deseable (muy saturado)
pB (lim.)
Situación más deseable
(en el límite)

(desde en punto de vista de la rapidez).

ATE-UO Trans 78
 Efectos dinámicos en los transistores (III)

Circuitos de “antisaturación”:
R2
El transistor se queda en el
límite entre saturación y zona
VCB + V2 activa.
R1 N
-
P R2
N
V1
VCB +
Con diodo Schottky R1 N
- V2
P
Estos diodos impiden la N
polarización directa de la V1
unión CB.
Con 3 diodos
ATE-UO Trans 79
 Efectos dinámicos en los transistores (IV)

Circuito con extracción lenta

R2 de los minoritarios de la base.

V2 Circuito para la extracción

Saturación R1 N rápida de los minoritarios de la
V1 P base.
≈Corte + N
VBE -
R2
C1
+ - V2
Saturación R1/2 N
Esta corriente es la
V1 R1/2 P
de eliminación de + N
Corte
los minoritarios de VBE
-
la base
ATE-UO Trans 80
 Fototransistores y fotoacopladores
Un fototransistor es un transistor en el que la
incidencia de luz sobre la zona de la base
influye mucho en la corriente de colector. La
luz juega un papel semejante al de la
Símbolo corriente de base.
R2 IC
R2 IC
Optoacoplador

+ ILED F.T.
V2
N
V2 LED
P
N
IC/ILED ≈ 1-0,2

Muy importante
Fotodetector
ATE-UO Trans 81
 Estructura de los transistores de efecto de
campo de unión, JFET (canal N)

P+

N- Canal
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
D
D G
G Otros símbolos

G D G D JFET (canal P) S
JFET (canal N) S
Símbolo
Símbolo canal N S canal P S
ATE-UO Trans 82
 Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (I)

P+

N-
Fuente Drenador
(S) (D)
P+

Puerta (G)
Zona de transición en zona muy dopada ⇒ estrecha
Zona de transición en zona poco dopada ⇒ ancha
ATE-UO Trans 83
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (II)

P+
(D)
N-
(S)

P+
VV12
(G) V 1 < V2

Según aumenta la tensión drenador-fuente, aumenta

la resistencia del canal, ya que aumenta la zona de
transición, que es una zona de pocos portadores.
ATE-UO Trans 84
Principio de funcionamiento de los transistores
de efecto de campo de unión, JFET (III)

ID Evolución si la resistencia
D no cambiara con la tensión.
G +
VDS
- ID
S

VDS
Evolución real en un JFET V1 V2
(la resistencia cambia con
la tensión aplicada).
ATE-UO Trans 85
 Principio de funcionamiento de los JFET (IV)

P+
(D)
- VPO +
(S)
N- VDS
P+
(G) VDS=VPO > V2

Si se aumenta más la tensión drenador-fuente, la zona de transición

llega a dejar una parte del canal con muy pocos portadores. La
corriente de drenador no cesa (si cesara no se formaría el perfil de
zona de transición que provoca esta situación). La tensión VDS a la
que se produce la contracción total del canal recibe el nombre de
tensión de contracción (“pinch-off”), VPO.
ATE-UO Trans 86
 Principio de funcionamiento de los JFET (V)

P+
LZTC (D)
N- LC
(S)
VDS
P+
(G) VDS=V3 > VPO

Si se aumenta la tensión drenador-fuente por encima de VPO, va

aumentando la parte del canal que ha quedado con muy pocos
portadores, LZTC (longitud de la zona de transición en el canal). Sin
embargo, el aumento de LZTC al aumentar VDS es pequeño comparado
con la longitud del canal, LC.
ATE-UO Trans 87
 Principio de funcionamiento de los JFET (VI)

P+
- VPO LZTC
+ L’ZTC (D)
(S)
VDS
N-
P+
(G) VDS=V4 > V3

Si L’ZTC << LC (hipótesis de canal largo) y admitimos que el perfil de

portadores en la parte no contraída del canal no ha cambiado,
tenemos que admitir que la tensión en dicha parte es VPO.
Luego la corriente que circula es la necesaria para dar la misma caída
de tensión sobre el mismo perfil de canal ⇒ misma corriente que
cuando aplicábamos VPO ⇒ corriente constante por el canal cuando
VDS>VPO. ATE-UO Trans 88
Resumen del principio de funcionamiento de
los JFET cuando VGS = 0

VDS=0 Comportamiento
resistivo Comportamiento como
ID
fuente de corriente
VDS=V1

VDS=V2

VDS=VPO VDS

V1 V2 VPO V3 V4
VDS=V3

VDS=V4

ATE-UO Trans 89
 ¿Qué pasa si VGS ≠ 0?
P+
•Con VGS=0, la
(D)
≈VPO + contracción ocurre
(S) cuando VDS = VDSPO =VPO.
-
N-
P+ VDS=VPO

(G) •El canal es siempre

más estrecho, al estar
polarizado más
N- inversamente ⇒
P+
(D) mayor resistencia
≈VPO +
(S) + UA •La contracción se
- produce cuando:
P+ VDS VDS=VDSPO=VPO + VGS
(G) +
UB VGS Es decir:
- - VDSPO = UA = VPO - UB

Cuando VGS < 0, la corriente que circula es menor y la

contracción se produce a una VDS menor. ATE-UO Trans 90
 Curvas características de un JFET (canal N)

Referencias ID •Curvas de salida

normalizadas
D ID [mA]
+ VGS = 0V
G 4
+ VDS
- VGS = -0,5V
VGS S
- 2 VGS = -1V
VGS = -1,5V
•Curvas de entrada: VGS = -2V VDS [V]
No tienen interés
(unión polarizada 0 2 4 6
inversamente)
Contracción del canal
Contracción producida cuando:
Muy importante VDSPO=VPO + VGS

ATE-UO Trans 91
 La tensión VPO
P+
Cortocircuitamos el
(D)
N- drenador y la fuente y
(S) aplicamos tensión
entre puerta y fuente.
P+
(G) +
UB1 VGS
- Cuando la tensión VGS
alcanza un valor
P+
negativo
suficientemente
(D)
N- grande, la zona de
(S) transición invade
totalmente el canal.
P+
Este valor es el de
(G) + contracción del canal,
UB1< UB2 VGS = -VPO
- VPO.

ATE-UO Trans 92
 Análisis gráfico de un JFET en fuente común
ID [mA]
ID VGS = 0V
2,5KΩ 4
VGS = -0,5V
D
+ 2 VGS = -1V
G
+ VDS 10V VGS = -1,5V
-
VGS S
VGS = -2V
- 0 4 8 12 VDS [V]
VGS = -2,5V
VGS = 0V > -0,5V > -1V > -1,5V > -2V > -2,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 93
Cálculo de las corrientes en la zona de fuente
de corriente (canal contraído)
Partimos de conocer el valor de la corriente de drenador
cuando VGS = 0 y el canal está contraído, ID0PO.
ID [mA]
ID0PO VGS = 0V
4
IDPO VGS = -0,5V
También se conoce la
tensión de contracción 2 VGS = -1V
del canal, VPO VGS = -1,5V
VGS = -2V
Ecuación ya conocida:
0 4 8 12 VDS [V]
VDSPO = VPO + VGS
VGS = -VPO
Ecuación no demostrada:
IDPO ≈ ID0PO·(1 + VGS/VPO)2 Muy importante
ATE-UO Trans 94
 Comparación entre transistores bipolares y
IC JFET (I) I D

R Muy importante R
IB C (N) D
B (P) IG ≈ 0 G (P)
N V2
+ V2 +
V1
VBE E (N) VGS S
V1 - -

•En ambos casos, las tensiones de entrada (VBE y VGS) determinan

las corrientes de salida (IC e ID).
•En zona de comportamiento como fuente de corriente, es útil
relacionar corrientes de salida y entrada (transistor bipolar) o
corriente de salida con tensión de entrada (JFET).
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar es mucho más
pequeña en el caso del JFET (la corriente es casi cero, al estar
polarizada inversamente la unión puerta-canal).
ATE-UO Trans 95
 Comparación entre transistores bipolares y
JFET (II)
Corriente de electrones
en todo el dispositivo
N-
P+ (transistor unipolar)

(S) (D)
+
P+
UA
VDS
(G) + Muy
UB VGS importante
- -

•El JFET es más rápido al ser un dispositivo unipolar (conducción no

determinada por la concentración de minoritarios).
•El JFET puede usarse como resistencia controlada por tensión, ya
que tiene una zona de trabajo con característica resistiva.
•Para conseguir un comportamiento tipo “cortocircuito” hay que
colocar muchas celdas en paralelo.
ATE-UO Trans 96
 Estructura real de un JFET de canal N
SiO2
S G D

N+ P+ N+ Contactos metálicos
N-
P+ Canal N

G
Uso de un JFET de canal P
R -ID
Hay que invertir los sentidos reales
de tensiones y corrientes para operar I ≈ 0 D
G G (N) V2
en los mismas zonas de trabajo.
P
V1 +
VGS S
ATE-UO Trans 97
-
 Los transistores de efecto de campo de unión
metal-semiconductor MESFET
Contacto rectificador (Schottky)
ID VGS > 0
S G D
GaAs
VGS = 0
N+ N- N+ Contactos
óhmicos
GaAs aislante VGS<0

VDS
G G G G

Pequeña Tensión GS Polarización Polarización

polarización nula inversa GS, inversa GS, zona
directa GS zona resistiva f. de corriente
ATE-UO Trans 98
 Los transistores de efecto de campo de metal-
óxido-semiconductor, MOSFET
Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato Símbolo
Símbolo D
G
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento
G
de canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N ATE-UO Trans 99
 Principios de operación de los MOSFET (I)

G Zona de transición
S ++ ++ D
(con carga espacial)
- - - - N+
+ + + +
N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una
G capa de electrones
S +++
++ +++
++ D (minoritarios del substrato)

N+ -- -- -- -- N+
- -
V 2 > V1
P- - -
+
Substrato ATE-UO Trans 100
 Principios de operación de los MOSFET (II)

G Esta capa de minoritarios es

S ++++ ++++
D llamada “capa de inversión”

N+ -- -- - - - - N+
P- V3 = V TH > V2
+
Esta capa es una zona de
Substrato transición (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentración de los electrones en la capa formada es

igual a la concentración de los huecos de la zona del substrato
alejada de la puerta, diremos que empieza la inversión. Se ha creado
artificialmente una zona N tan dopada como la zona P del substrato.
La tensión a la que esto ocurre es llamada “tensión umbral”
(“threshold voltage”), VTH.
ATE-UO Trans 101
 Principios de operación de los MOSFET (III)

Situación con tensión G

mayor que la de umbral S +++++ +++++ D

N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato

G •Conectamos la fuente al
S +++++ +++++ D substrato.

VGS •Conectamos una fuente de

N+ -- - -- -- - -- N+ tensión entre los terminales
P- fuente y drenador.

¿Cómo es la corriente de
Substrato
drenador?
ATE-UO Trans 102
 VDS ≈ 0 ID ≈ 0 Principios de operación de
los MOSFET (IV)
G •Existe un canal entre drenador
S +++++ +++++ D y fuente constituido por la capa
VGS de inversión que se ha formado.
N+ -- - -- -- - -- N+ •Con tensiones VDS pequeñas
P- (<<VGS), el canal es uniforme.

Substrato VDS =VDS1 >0

ID

•El canal se empieza a contraer G

según aumenta la tensión VDS. S +++++ +++++ D
•La situación es semejante a la VGS
que se da en un JFET. N+ - - - - -
- - - - - N+
P-

ATE-UO Trans 103 Substrato

 VDS2=VDSPO >VDS1
Principios de operación
ID de los MOSFET (V)
G
S +++++ +++++ D •El canal formado se contrae
VGS totalmente cuando VDS = VDSPO.
- - -
N+ ------- N+
P-
VDS3 >VDSPO
Substrato ID

G
S +++++ +++++ D
•Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET
- - - VGS
se comporta como una fuente
N+ ------- N+
de corriente (como en el caso de
P-
los JFET).
Substrato
ATE-UO Trans 104
 Principios de operación de los MOSFET (VI)
VDS2 > VDS1
VDS1
ID≈ 0 ID≈ 0

G G
S D S D

N+ N+ N+ N+
P- P-

Substrato Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prácticamente

nula. En general, si VGS <VTH, no hay casi canal
formado y, por tanto, no hay casi corriente de
drenador.
ATE-UO Trans 105
 Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas
ID •Curvas de salida
D ID [mA]
+
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
•Curvas de entrada: VGS = 2,5V VDS [V]
No tienen interés 0
(puerta aislada del canal) 2 4 6
VGS < VTH = 2V

Muy importante

ATE-UO Trans 106

 Análisis gráfico de un MOSFET en fuente común
ID [mA]
ID VGS = 4,5V
2,5KΩ 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
+ S - 10V VGS = 3V
VGS = 2,5V
VGS
- 0 12 VDS [V]
4 8
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

ATE-UO Trans 107
Cálculo de las corrientes en la zona de fuente de
corriente (canal contraído) y de la tensión umbral
Ecuaciones no demostradas:

IDPO ≈ (VGS - VTH)2·Z·µn·Cox/2LC

VTH ≈ 2·φF + (εrs·xox/εrox)·(4·q·NA·φF/(εrs·ε0))1/2

Z = longitud en el eje perpendicular a la representación.

Cox = Capacidad del óxido por unidad de área de la
puerta.
εrs, εrox y ε0 = permitividades relativas del
semiconductor y del óxido y permitividad absoluta.
xox = grosor del óxido debajo de la puerta.
φF =VT·ln(NA/ni)
ATE-UO Trans 108
 Los MOSFET de deplexión (I)
G
S D
•Existe canal sin necesidad de aplicar
tensión a la puerta. Se podrá establecer
N+ N
-
N+ circulación de corriente entre drenador
P- y fuente sin necesidad de colocar
tensión positiva en la puerta.
Substrato +

+ •Modo ACUMULACIÓN:
G Al colocar tensión positiva
S +++ +++ D en la puerta con relación al
VGS=V1 canal, se refuerza el canal
- - - - - - con más electrones
N+ N- N+
P- V1 procedentes del substrato.
El canal podrá conducir
Substrato + - más.
ATE-UO Trans 109
 Los MOSFET de deplexión (II)

G +
S --- --- D
VGS=-V1
+ + + + + + V1
N+ N- N+
P-
Substrato + -

•Operación en modo DEPLEXIÓN:

Se debilita el canal al colocar tensión negativa en la
puerta con relación al substrato. El canal podrá
conducir menos corriente.

ATE-UO Trans 110

 Los MOSFET de deplexión (III)
•Cuando se aplica tensión entre drenador y fuente se
empieza a contraer el canal, como ocurre en los otros
tipos de FET ya estudiados. Esto ocurre en ambos
modos de operación.
VDS VDS
ID ID

G G
S +++ +++ D S --- --- D
- - - - + + + + + +
N+ N- N+ N+ N- + + N+ V1
P- - - P-
V1
Substrato + Substrato +

Modo acumulación Modo deplexión

ATE-UO Trans 111

 Comparación entre las curvas características de
los MOSFET de enriquecimiento y de deplexión
ID [mA] Enriquecimiento
VGS = 4,5V
4
Muy importante
VGS = 4V
2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
VGS = 2,5V
ID [mA] Deplexión
0 2 4 6 VDS [V]
VGS = 1V VGS < VTH = 2V
4
VGS = 0,5V Modo acumulación
2 VGS = 0V
VGS = -0,5V
Modo deplexión
VGS = -1V

0 2 4 6 VDS [V]
VGS < -1,5V ATE-UO Trans 112
Comparación entre los símbolos de los MOSFET
de enriquecimiento y de deplexión con ambos
tipos de canal
D D Canal N
G G
Tipo S Tipo S
enriquecimiento deplexión

D D Canal P
G G
S Tipo S
Tipo
enriquecimiento deplexión

ATE-UO Trans 113

 Comparación de los circuitos de polarización
para trabajar en zona resistiva o en zona de fuente
de corriente con MOSFET de ambos tipos de canal

ID -ID
R R
D
D
+ +
G VDS G VDS
V2 + S - V2
+ S -
VGS V1 VGS
V1 -
-
Canal N Canal P
Hay que invertir los sentidos reales de tensiones y
corrientes para operar en los mismas zonas de trabajo.
ATE-UO Trans 114
 Comparación entre transistores JFET y MOSFET
ID ID
R R
D
IG ≈ 0 D
IG = 0
G V2 G
+ + S V2
V1 VGS VGS
S V1
- -
JFET, canal N MOSFET, canal N
• La potencia que la fuente V1 tiene que suministrar estáticamente
en un MOSFET es cero. Por tanto, la corriente IG es más pequeña
aún que en el caso del JFET (que es casi cero, al estar polarizada
inversamente la unión puerta-canal).
• La tensiones V1 y V2 comparten terminales del mismo signo en el
caso del MOSFET. Esto facilita el control.
Muy importante
ATE-UO Trans 115
Precauciones en el uso de transistores MOSFET

S G D D

N+ N+
G
P-
S
+
Substrato
•El terminal puerta al aire es muy sensible a los ruidos.
•El óxido se puede llegar a perforar por la electricidad
estática de los dedos. A veces se integran diodos zener
de protección.
•Existe un diodo parásito entre fuente y drenador en los
MOSFET de enriquecimiento.
ATE-UO Trans 116