REDES RESONANTES

COMPONENTES Y SISTEMAS
Los componentes, esos fragmentos que componen un circuito de
radiofrecuencia (RF), a veces parecen darse por aceptado. Después de todo,
un condensador es un condensador, ¿no es así?. Una resistencia de 1
megaohmio presenta una impedancia de al menos 1 megaohmio, ¿no es
así?. La reactancia de un inductor siempre aumenta con la frecuencia,
¿bien?. Bueno, como veremos más adelante en esta discusión, las cosas no
siempre son lo que parecen.

Los capacitores a ciertas frecuencias pueden no ser capacitores en absoluto,

pero pueden parecer inductivos, mientras que los inductores pueden parecer
capacitores y las resistencias pueden tender a ser un poco de ambos.
Analizaremos las propiedades de resistencias, capacitores e inductores en
radiofrecuencias en relación con el diseño de circuitos. Pero primero,
echemos un vistazo al componente más simple de cualquier sistema y
examinemos sus problemas en las frecuencias de radio.

CABLE
El cable en un circuito de RF puede adoptar muchas formas. Las
resistencias bobinadas, los inductores y los condensadores con terminales
axiales y radiales utilizan un cable de cierto tamaño y longitud, ya sea en
sus conductores, en el cuerpo real del componente, o en ambos. El cable
también se utiliza en muchas aplicaciones de interconexión en el espectro
de RF inferior.
El comportamiento de un cable en el espectro de RF depende en gran
medida del diámetro y la longitud del cable. La Tabla 1-1 enumera, en el
sistema American Wire Gauge (AWG), cada calibre de cable, su diámetro
correspondiente y otras características de interés para el diseñador de
circuitos de RF.

En el sistema AWG, el diámetro de un cable aproximadamente se duplicará

cada seis calibres de cable. Por lo tanto, si los últimos seis calibres y sus
diámetros correspondientes se memorizan de la tabla, todos los demás
diámetros de alambre se pueden determinar sin la ayuda de una tabla.
Skin Effect (Efecto piel)
Un conductor, a bajas frecuencias, utiliza toda su sección transversal como
medio de transporte para portadores de carga. A medida que aumenta la
frecuencia, un campo magnético aumentado en el centro del conductor
presenta una impedancia a los portadores de carga, disminuyendo así la
densidad de corriente en el centro del conductor y aumentando la densidad
de corriente alrededor de su perímetro.

Este aumento de la densidad de corriente cerca del borde del conductor se

conoce como efecto piel. Ocurre en todos los conductores, incluidos los
cables de resistencia, los cables de condensador y los cables de inductor.
La profundidad dentro del conductor a la que llega la corriente del
portador de carga, la densidad cae a 37% de su valor a lo largo de la
superficie, se conoce como profundidad de la piel y es función de la
frecuencia y la permeabilidad y conductividad del medio. Así, diferentes
conductores, como la plata, el aluminio y el cobre, tienen diferentes
profundidades de piel.

El resultado neto del efecto superficial es una disminución efectiva en el

área de la sección transversal del conductor y, por lo tanto, un aumento
neto en la resistencia de CA del cable, como se muestra en la figura 1-1.
Para el cobre, la profundidad de la piel es de aproximadamente 0,85 cm a
60 Hz y 0,007 cm a 1 MHz. O, para decirlo de otra manera: el 63% de la
corriente de RF que fluye por un cable de cobre fluirá dentro de una
distancia de 0,007 cm del borde exterior del cable.
Inductores de alambre recto
En el medio que rodea a cualquier conductor por el que circula corriente
existe un campo magnético. Si la corriente en el conductor es corriente
alterna, este campo magnético se expande y contrae alternativamente y,
por lo tanto, produce un voltaje en el cable que se opone a cualquier
cambio en el flujo de corriente.

Esta oposición al cambio se llama autoinductancia y llamamos inductor a

todo lo que posee esta cualidad. La inductancia de alambre recto puede
parecer trivial, pero como se verá más adelante en este capítulo, cuanto
más alta sea la infrecuencia, más importante se vuelve.
Fig. 1-1. Área de profundidad de la piel de un conductor.
La inductancia de un alambre recto depende tanto de su longitud como
de su diámetro y se calcula mediante:

dónde,
L = la inductancia en μH,
l = la longitud del cable en cm,
d = el diámetro del alambre en cm.
El concepto de inductancia es importante porque todos y cada uno de los
conductores en radiofrecuencias (incluidos los cables de conexión, los
cables de los condensadores, etc.) tienden a exhibir la propiedad de la
inductancia.

RESISTENCIAS
La resistencia es la propiedad de un material que determina la velocidad a
la que la energía eléctrica se convierte en energía térmica para una
determinada corriente eléctrica.
Por definición:
1 voltio a través de 1 ohmio = 1 culombio por segundo= 1 amperio
La disipación térmica en esta circunstancia es de 1 vatio.
P= EI = 1 volt × 1 ampere = 1 watt
Las resistencias se utilizan en todos los circuitos, como redes de
polarización de transistores, almohadillas y combinadores de señales. Sin
embargo, muy rara vez se piensa en cómo se comporta realmente una
resistencia una vez que abandonamos el mundo de la corriente continua
(CC). En algunos casos, como en las redes de polarización de transistores,
la resistencia seguirá realizando su función de circuito de CC, pero
también puede alterar el punto de funcionamiento de RF del circuito.

Circuito equivalente de resistencia

El circuito equivalente de una resistencia en radiofrecuencias se muestra
en la Fig. 1-2. R es el valor de la resistencia en sí, L es la inductancia
principal y C es una combinación de capacitancias parásitas que varía de
una resistencia a otra dependiendo de la estructura de la resistencia.
Las resistencias de composición de carbono tienen un rendimiento
notoriamente pobre en alta frecuencia. Una resistencia de composición de
carbono consta de partículas dieléctricas o gránulos de carbono
densamente empaquetados. Entre cada par de gránulos de carbono hay un
condensador parásito muy pequeño. Sin embargo, estos parásitos, en
conjunto, no son insignificantes y son el componente principal del circuito
equivalente del dispositivo.

Fig. 1.2 Circuito equivalente de resistencia.

Las resistencias bobinadas también tienen problemas en las frecuencias de
radio. Como es de esperar, estas resistencias tienden a exhibir impedancias
muy variables en diversas frecuencias. Esto es especialmente cierto para los
valores de resistencia bajos en el rango de frecuencia de 10 MHz a 200
MHz. El inductor L, que se muestra en el circuito equivalente de la figura 1-
2, es mucho más grande para una resistencia bobinada que para una
resistencia de composición de carbono.

Su valor se puede calcular utilizando la fórmula de aproximación de la

inductancia del núcleo de aire de una sola capa. Esta fórmula se analiza
más adelante en este capítulo. Debido a que los resistores bobinados
parecen inductores, sus impedancias aumentarán primero a medida que
aumenta la frecuencia.
Sin embargo, a cierta frecuencia (Fr), la inductancia (L) resonará con la
capacitancia en derivación (C), produciendo un pico de impedancia.
Cualquier aumento adicional en la frecuencia hará que la impedancia del
resistor disminuya como se muestra en la Fig. 1-3.

Fig. 1-3. Característica de impedancia de una resistencia bobinada.

Una resistencia de película metálica parece exhibir las mejores
características en cuanto a frecuencia. Su circuito equivalente es la
resistencia bobinada y de composición de carbono, pero los valores de los
elementos parásitos individuales en el circuito equivalente disminuyen.

La impedancia de una resistencia de película metálica tiende a disminuir

con una frecuencia superior a aproximadamente 10 MHz, como se muestra
en la figura 1-4. Esto se debe a la capacitancia en derivación en el circuito
equivalente. A frecuencias muy altas y con resistencias de bajo valor (menos
de 50Ω), la inductancia del cable y el efecto piel pueden llegar a ser
perceptibles. La inductancia del cable produce un pico de resonancia, como
se muestra para la resistencia 5 en la figura 1-4, y el efecto piel disminuye la
pendiente de la curva a medida que disminuye con la frecuencia.
Fig. 1.4: Características de frecuencia de resistencias de
película metálica frente a resistencias de composición de
carbono.
Muchos fabricantes proporcionarán datos sobre el comportamiento de
las resistencias en radiofrecuencias, pero a menudo pueden resultar
engañosos. Sin embargo, una vez que se comprendan los mecanismos
implicados en el comportamiento de una resistencia, no importará en qué
forma se suministren los datos. Ejemplo 1-3 ilustra ese hecho.

La tendencia reciente en la tecnología de resistencias ha sido eliminar o

reducir en gran medida las reactancias parásitas asociadas con las
resistencias. Esto ha llevado al desarrollo de resistencias en chip de
película delgada, como
EJEMPLO 1-3: En la figura 1-2, las longitudes de los cables de la resistencia
de película metálica son de 1,27 cm (0,5 pulgadas) y están compuestas por
un cable número 14. La capacitancia total de la derivación parásita (C) es
0,3 pF. Si el valor de la resistencia es de 10 000 ohmios, ¿cuál es su
impedancia de RF equivalente a 200 MHz?
Solución
De la Tabla 1-1, el diámetro del cable No. 14 AWG es 64,1 mils (0,1628
cm). Por lo tanto, usando la Ecuación 1-1:

= 8.7 nanohenries

Esto presenta una reactancia equivalente a 200 MHz de:

El condensador (C) presenta una reactancia equivalente de:

El circuito equivalente combinado para esta resistencia, a 200 MHz, se

muestra en la figura 1-5.
 Fig. 1-5. Valores de circuito equivalentes para el ejemplo 1-3.

En este esquema podemos ver que, en este caso, la inductancia del cable es
insignificante en comparación con la resistencia de la serie 10K y puede
despreciarse. Por otra parte, no se puede despreciar la capacitancia
parásita. Lo que tenemos ahora, en efecto, es una reactancia de 2653 Ω en
paralelo con una resistencia de 10 000 Ω. La magnitud de la impedancia
combinada es:
Por lo tanto, nuestra resistencia de 10K parece de 2564 ohmios en 200 MHz.

Los que se muestran en la Fig. 1-6, por lo general, se producen sobre

sustratos de alúmina o berilio y ofrecen muy poca reactancia parásita en
frecuencias de CC a 2 GHz.
Fig. 1.6: Resistencias de película delgada. (Cortesía de
Vishay Intertechnology)
CONDENSADORES
Los condensadores se utilizan ampliamente en aplicaciones de RF, como
derivación, acoplamiento entre etapas y en circuitos y filtros resonantes.
Es importante recordar, sin embargo, que no todos los condensadores se
adaptan igual de bien a cada una de las aplicaciones mencionadas
anteriormente. La tarea principal del diseñador de circuitos de RF, con
respecto a los capacitores, es elegir el mejor capacitor para su aplicación
particular. La rentabilidad suele ser un factor importante en el proceso de
selección y, por lo tanto, se producen muchas compensaciones. En esta
sección, veremos el circuito equivalente del capacitor y examinaremos
algunos de los diversos tipos de capacitores utilizados en radiofrecuencias
para ver cuáles son los más adecuados para determinadas aplicaciones.
Pero primero, un pequeño repaso.
Condensador de placas paralelas
Un condensador es cualquier dispositivo que consta de dos superficies
conductoras separadas por un material aislante o dieléctrico. El dieléctrico
suele ser cerámica, aire, papel, mica, plástico, película, vidrio o aceite. La
capacitancia de un capacitor es aquella propiedad que permite almacenar
una carga cuando existe una diferencia de potencial entre los conductores.
La capacitancia se mide en unidades de faradios. El potencial de un
capacitor de 1 faradio aumenta en 1 voltio cuando recibe una carga de 1
culombio.
C=Q/V
dónde,
C = capacitancia en faradios,
Q = carga en culombios,
V = voltaje en voltios
Sin embargo, el faradio es demasiado poco práctico para trabajar, por lo
que se idearon unidades más pequeñas.

Como se indicó anteriormente, un capacitor en su forma fundamental

consta de dos placas metálicas separadas por algún tipo de material
dieléctrico. Si conocemos el área (A) de cada placa metálica, la distancia (d)
entre la placa (en pulgadas) y la permitividad (ε) del material dieléctrico en
faradios/metro (f/m), la capacitancia de una El condensador de placas
paralelas se puede encontrar mediante:
Dónde
ε0 = permitividad en el espacio libre = 8,854 × 10− 12 f/m.
En la Ecuación 1-2, el área (A) debe ser grande con respecto a la distancia
(d). La relación entre ε y ε0 se conoce como constante dieléctrica (k) del
material. La constante dieléctrica es un número que proporciona una
comparación del dieléctrico dado con el aire (ver Fig.1-7). La relación ε/ε0
para el aire es, por supuesto, 1. Si la constante dieléctrica de un material es
mayor que 1, su uso en un capacitor como dieléctrico permitirá una mayor
cantidad de capacitancia para el mismo espesor dieléctrico que el aire.

Por lo tanto, si la constante dieléctrica de un material es 3, producirá un

capacitor que tendrá tres veces la capacitancia de uno que tiene aire como
dieléctrico.
Entonces, para un valor dado de capacitancia, los materiales con constante
dieléctrica más alta producirán capacitores físicamente más pequeños.
Pero, debido a que el dieléctrico juega un papel tan importante en la
determinación de la capacitancia de un capacitor, se deduce que la
influencia de un dieléctrico en el funcionamiento del capacitor, sobre la
frecuencia y la temperatura, a menudo es importante.

Fig. 1.7: Constantes dieléctricas de algunos materiales comunes.

Condensadores del mundo real
El uso de un condensador depende principalmente de las características de
su dieléctrico. Las características del dieléctrico también determinan los
niveles de voltaje y las temperaturas extremas a las que se puede utilizar
el dispositivo. Por tanto, cualquier pérdida o imperfección en el dieléctrico
tiene un efecto enorme en el funcionamiento del circuito.

El circuito equivalente de un capacitor se muestra en la figura 1-8, donde C

es igual a la capacitancia, Rs es la pérdida por disipación de calor
expresada ya sea como factor de potencia (PF) o como factor de disipación
(DF), Rp es la resistencia de aislamiento y L es la inductancia de los cables
y placas. Se necesitan algunas definiciones ahora.
 Fig. 1.8: Circuito equivalente de condensadores.

Factor de potencia:
En un condensador perfecto, la corriente alterna se adelantará al voltaje
aplicado en 90°. Este ángulo de fase (φ) será menor en un capacitor real
debido a la resistencia total en serie (Rs + Rp) que se muestra en el
circuito equivalente.
De este modo,
PF = cos φ
El factor de potencia es función de la temperatura, la frecuencia y el
material dieléctrico.

Resistencia de aislamiento: es una medida de la cantidad de corriente

continua que fluye a través del dieléctrico de un condensador con un
voltaje aplicado. Ningún material es un aislante perfecto; por lo tanto,
debe fluir algo de corriente de fuga. Esta ruta de corriente está
representada por Rp en el circuito equivalente y, normalmente, tiene un
valor de 100.000 megaohmios o más.
Resistencia efectiva en serie: ESR abreviada. Esta resistencia es el
equivalente combinado de Rs y Rp, y es la resistencia de CA de un
capacitor.

Donde: ω = 2πf
Factor de disipación: el DF es la relación entre la resistencia de CA y la
reactancia de un capacitor y viene dada por la fórmula:
Q – El Q de un circuito es el recíproco de DF y se define como el factor de
calidad de un condensador.

Por tanto, cuanto mayor sea Q, mejor será el condensador. El efecto de

estas imperfecciones en el capacitor se puede ver en el gráfico de la Fig. 1-
9. Aquí, la característica de impedancia de un capacitor ideal se compara
con la de un capacitor del mundo real. Como se muestra, a medida que
aumenta la frecuencia de operación, la inductancia principal se vuelve
importante. Finalmente, en Fr, la inductancia se vuelve resonante en serie
con el capacitor. Entonces, por encima de Fr, el condensador actúa como
un inductor.
En general, los condensadores de mayor valor tienden a exhibir más
inductancia interna que los condensadores de menor valor. Por lo tanto,
dependiendo de su estructura interna,

Fig. 1.9:
Característica de
impedancia versus
frecuencia.
un condensador de 0,1 μF puede no ser tan bueno como un condensador
de 300 pF en una aplicación de derivación a 250 MHz. En otras palabras, la
fórmula clásica para la reactancia capacitiva, Xc = 1 / ωC, podría parecer
indicar que los capacitores de mayor valor tienen menos reactancia que los
capacitores de menor valor a una frecuencia dada. Sin embargo, en
frecuencias de RF, puede ocurrir lo contrario. En ciertas frecuencias más
altas, un capacitor de 0.1 μF podría presentar una impedancia a la señal
más alta que un capacitor de 330 pF.

Esto es algo que debe tenerse en cuenta al diseñar circuitos a frecuencias

superiores a 100 MHz. Idealmente, cada componente que se vaya a utilizar
en cualquier diseño VHF, o de frecuencia superior, debería examinarse en
un analizador de red similar al que se muestra en la figura 1-10.
Esto permitirá al diseñador saber exactamente con qué está trabajando
antes de que entre en el circuito.

FIG. 1-10. Agilent E5071C Network Analyzer

Tipos de condensadores
Se utilizan muchos materiales dieléctricos diferentes en la fabricación de
condensadores, como papel, plástico, cerámica, mica, poliestireno,
policarbonato, teflón, aceite, vidrio y aire. Cada material tiene sus ventajas
y desventajas. El diseñador de RF se queda con una gran variedad de tipos
de capacitores que podría usar en cualquier aplicación particular y la
decisión final de usar un capacitor en particular a menudo se basa en la
conveniencia más que en un buen criterio.

En muchas aplicaciones, este enfoque simplemente no puede tolerarse.

Esto es especialmente cierto en entornos de fabricación donde se va a
construir más de una unidad y donde deben funcionar de manera confiable
en temperaturas extremas variables.
A menudo se dice en el mundo de la ingeniería que cualquiera puede
diseñar algo y hacerlo funcionar una vez, pero se necesita un buen
diseñador para desarrollar una unidad que pueda producirse en cantidad
y aún así funcionar como debería en ambientes de diferentes
temperaturas.

Condensadores cerámicos
Los condensadores dieléctricos cerámicos varían ampliamente tanto en la
constante dieléctrica (k = 5 a 10.000) como en las características de
temperatura. Una buena regla general es: "Cuanto mayor sea k, peor
será su característica de temperatura". Esto se muestra claramente en la
figura 1-11.
Fig. 1-11. Características de
temperatura para condensadores
dieléctricos cerámicos.
Como se ilustra, los condensadores cerámicos de baja k tienden a tener
características de temperatura lineales. Estos condensadores generalmente
se fabrican utilizando titanato de magnesio, que tiene un coeficiente de
temperatura (TC) positivo, y titanato de calcio, que tiene un TC negativo.
Combinando los dos materiales en proporciones variables, se puede
generar una gama de coeficientes de temperatura controlados.

Estos condensadores a veces se denominan condensadores de

compensación de temperatura o NPO (cero positivo negativo).cerámica.
Pueden tener CT que oscilan entre +150 y −4700 ppm/◦C (partes por millón
por grado Celsius) con tolerancias tan pequeñas como ±15 ppm/◦C. Debido
a su excelente estabilidad de temperatura, las cerámicas NPO son muy
adecuadas para aplicaciones de osciladores, circuitos resonantes o filtros.
Los capacitores cerámicos moderadamente estables (Fig. 1-11)
generalmente varían ±15% de su capacitancia nominal en su rango de
temperatura. Sin embargo, esta variación suele ser no lineal y se debe
tener cuidado al utilizarla en circuitos o filtros resonantes donde la
estabilidad es importante. Estas cerámicas se utilizan generalmente en
circuitos de conmutación. Su principal ventaja es que generalmente son
más pequeños que los condensadores cerámicos NPO y, por supuesto,
cuestan menos.

Los condensadores cerámicos de alto K suelen denominarse

condensadores de uso general. Sus características de temperatura son
muy pobres y su capacitancia puede variar hasta un 80% en varios rangos
de temperatura (Fig. 1-11). Se utilizan comúnmente sólo en aplicaciones
de derivación en radiofrecuencias.
Hay condensadores cerámicos disponibles en el mercado que son diseñados
específicamente para aplicaciones de RF. Estos condensadores suelen ser
dispositivos de alta Q (baja ESR) con cables planos o sin ningún cable. El
material del plomo suele ser plata maciza o chapado en plata y, por tanto,
contiene pérdidas resistivas muy bajas.

En frecuencias VHF y superiores, estos condensadores exhiben una

inductancia de cable muy baja debido a los cables planos. Estos dispositivos
son, por supuesto, más caros y requieren áreas especiales de placa de
circuito impreso para su montaje. Los condensadores que no tienen cables
se denominan condensadores en chip. Estos condensadores se utilizan
normalmente por encima de 500 MHz, donde no se puede tolerar la
inductancia del cable. Los capacitores de chip y los capacitores de cinta
plana se muestran en la figura 1-12.
Fig. 1.12: Condensadores de chip y cerámicos. (Cortesía de Wikipedia)
Condensadores de mica
Los condensadores de mica suelen tener una constante dieléctrica de
aproximadamente 6, lo que indica que para un valor de capacitancia
particular, los condensadores de mica suelen ser grandes. Sin embargo, su
bajo k también produce una característica de temperatura
extremadamente buena. Por tanto, los condensadores de mica se utilizan
ampliamente en circuitos resonantes y en filtros donde el área de la placa
de PC no es motivo de preocupación.
Los condensadores de mica plateada son aún más estables. Los
condensadores de mica comunes tienen placas de lámina presionadas
contra el dieléctrico de mica. En las micas plateadas, las placas de plata
se aplican mediante un proceso llamado evaporación al vacío, que es un
proceso mucho más exigente.
Esto produce una estabilidad aún mejor con tolerancias muy estrictas y
reproducibles de típicamente +20 ppm/◦C en un rango de −60◦C a +89◦C.El
problema con las micas, sin embargo, es que se están volviendo cada vez
menos rentables que los tipos cerámicos.

Por lo tanto, si tienes una aplicación en la que parecería un condensador

de mica para que funcione bien, es probable que pueda encontrar un
condensador cerámico NPO menos costoso que funcione igual de bien.
Condensadores de película metalizada
La “película metalizada” es una categoría amplia de condensadores que
abarca la mayoría de los demás condensadores enumerados
anteriormente y que aún no hemos analizado. Esto incluye teflón,
poliestireno, policarbonato y dieléctricos de papel. Los condensadores de
película metalizada se utilizan en diversas aplicaciones, incluidas
filtración, derivación y acoplamiento. La mayoría de los estilos de
policarbonato, poliestireno y teflón están disponibles en tolerancias de
capacitancia muy ajustadas (±2%) en todo su rango de temperatura. Sin
embargo, el poliestireno normalmente no se puede utilizar por encima de
+85 ◦C ya que es muy sensible a la temperatura por encima de este punto.
La mayoría de los condensadores de esta categoría suelen ser más
grandes que los tipos cerámicos de valor equivalente y se utilizan en
aplicaciones donde el espacio no es una limitación.
INDUCTORES
Un inductor no es más que un alambre enrollado o enrollado de tal
manera que aumente el enlace de flujo magnético entre las vueltas de la
bobina (ver Fig. 1-13). Este mayor enlace de flujo aumenta la
autoinductancia del cable (o simplemente la inductancia simple) más allá
de lo que de otro modo habría sido. Los inductores son

Fig. 1-13. Inductores simples.

(Cortesía de Wikipedia)
Se utilizan ampliamente en el diseño de RF en circuitos resonantes, filtros,
redes de cambio de fase y retardo, y como choques de RF utilizados para
prevenir, o al menos reducir, el flujo de energía de RF a lo largo de un
camino determinado.

Inductores del mundo real

Como hemos descubierto en secciones anteriores de este capítulo, No
existe ningún componente “perfecto” y los inductores ciertamente no son
una excepción. De hecho, de los componentes que hemos analizado, el
inductor es probablemente el componente más propenso a cambios muy
drásticos en la frecuencia. La figura 1-14 muestra cómo se ve realmente
un inductor en frecuencias de RF..
Como se analizó anteriormente, siempre que acercamos dos conductores
pero separados por un dieléctrico y colocamos un diferencial de voltaje
entre los dos, formamos un capacitor. Por lo tanto, si existe alguna
resistencia en el cable, se producirá una caída de voltaje (aunque sea
muy pequeña) entre los devanados y se formarán pequeños capacitores.

Este efecto se muestra en la figura 1-14 y se denomina capacitancia

distribuida (Cd). Luego, en la Fig. 1-15, la capacitancia (Cd) es un
agregado de las capacitancias parásitas distribuidas individuales de la
bobina que se muestra en la Fig. 1-14
 Fig. 1.15: Circuito equivalente del inductor

Fig. 1-14. Capacitancia distribuida y resistencia en serie

en un inductor.
El efecto del Cd sobre la reactancia de un inductor se muestra en la Figura
1-16. Inicialmente, a frecuencias más bajas, la reactancia del inductor es
paralela a la de un inductor ideal. Sin embargo, pronto su reactancia se
aparta de la curva ideal y aumenta a un ritmo mucho más rápido hasta
que alcanza un pico en la frecuencia de resonancia paralela del inductor
(Fr). Por encima de Fr, la reactancia del inductor comienza a disminuir con
la frecuencia y, por tanto, el inductor comienza a parecerse a un
condensador. Teóricamente, el pico de resonancia ocurriría en una
reactancia infinita (ver Ejemplo 1-4). Sin embargo, debido a la resistencia
en serie de la bobina, se ve cierta impedancia finita en resonancia. Los
avances recientes en la tecnología de inductores han llevado al desarrollo
de inductores de chip fijo microminiatura.
Un tipo se muestra en la Fig. 1-17. Estos inductores cuentan con un
sustrato cerámico con conexiones inferiores envolventes soldables
chapadas en oro. Vienen en valores de 0,01 μH a 1,0 mH, con Q típicos
que oscilan entre 40 y 60 a 200 MHz.
Se mencionó anteriormente que la resistencia en serie de una bobina es el
mecanismo que mantiene finita la impedancia de la bobina en
resonancia. Otro efecto que tiene es ampliar el pico de resonancia de la
curva de impedancia de la bobina. Esta característica de los circuitos
resonantes es importante y se discutirá en detalle en Capítulo 3.
Fig. 1-16. Característica de impedancia versus frecuencia para
un inductor práctico e ideal
EJEMPLO 1-4: Para demostrar que la impedancia de un inductor sin
pérdidas en resonancia es infinita, podemos escribir lo siguiente:

Dónde:
Z = la impedancia del circuito paralelo,
XL = la reactancia inductiva (jωL),
XC = la reactancia capacitiva 1/jωC
Por lo tanto,
Multiplicando numerador y denominador por jωC obtenemos:

Del álgebra, j 2 = −1; luego, reordenando:

Si el término ω 2 LC, en la ecuación 1-6, alguna vez llega a ser igual a 1,

entonces el denominador será igual a cero y la impedancia Z se volverá
infinita. La frecuencia en la cual ω 2 LC se vuelve igual a 1 es:
Fig. 11.7: Inductores de chips. (Cortesía de Wikipedia)
 Fig. 1-18. La variación Q de un inductor frente a la frecuencia.

La relación entre la reactancia de un inductor y su resistencia en serie se

utiliza a menudo como medida de la calidad del inductor. Cuanto mayor
sea la relación, mejor será el inductor. Este factor de calidad se conoce
como Q del inductor.
Si el inductor estuviera enrollado con un conductor perfecto, su Q sería
infinito y tendríamos un inductor sin pérdidas. Por supuesto, no existe un
conductor perfecto y, por tanto, un inductor siempre tiene un Q finito. A
bajas frecuencias, la Q de un inductor es muy buena porque la única
resistencia en los devanados es la resistencia de CC del alambre, que es
muy pequeño.

Pero a medida que aumenta la frecuencia, el efecto superficial y la

capacitancia del devanado comienzan a degradar la calidad del inductor.
Esto se muestra en el gráfico de la Fig. 1-18.
A bajas frecuencias, Q aumentará directamente con la frecuencia porque
su reactancia está aumentando y el efecto piel aún no se ha vuelto
perceptible. Sin embargo, pronto el efecto piel se convierte en un factor. Q
sigue aumentando, pero a un ritmo menor, y obtenemos una pendiente
decreciente gradualmente en la curva. La porción plana de la curva en la
figura 1-18 ocurre cuando la resistencia en serie y la reactancia cambian a
la misma velocidad.

Por encima de este punto, la capacitancia en derivación y el efecto

superficial de los devanados se combinan para disminuir el Q del inductor
a cero en su frecuencia de resonancia.
Algunos métodos para aumentar la Q de un inductor y ampliar su rango
de frecuencia útil son:
1. Utilice un alambre de mayor diámetro. Esto disminuye la resistencia
CA y CC de los devanados.
2. Separe los devanados. El aire tiene una constante dieléctrica más baja
que la mayoría de los aislantes. Por tanto, un entrehierro entre los
devanados disminuye la capacitancia entre devanados.
3. Aumentar la permeabilidad de la ruta de enlace del flujo. La mayoría
de las veces se realiza enrollando el inductor alrededor de un material
de núcleo magnético, como hierro o ferrita. Una bobina hecha de esta
manera también tendrá menos vueltas para una inductancia
determinada.
Diseño de inductor de núcleo de aire de una sola capa
Todo diseñador de circuitos de RF necesita saber cómo diseñar inductores.
Puede que a veces resulte tedioso, pero vale la pena el esfuerzo. La
fórmula que se utiliza generalmente para diseñar un núcleo de aire de una
sola capa. Los inductores se dan en la ecuación 1-8 y se diagraman en la
figura 1-19.

Dónde:
r = el radio de la bobina en cm,
l = longitud de la bobina en cm,
L = la inductancia en microhenrios.
Fig. 1.19: Requisitos del inductor de núcleo de aire de una sola capa
Sin embargo, la longitud de la bobina l debe ser mayor que 0,67r.
EJEMPLO 1-5: Diseñe un inductor de núcleo de aire de 100 nH (0,1 μH) en
una forma de bobina de 1/4 de pulgada (0,635 cm).
Solución:
Para un Q óptimo, la longitud de la bobina debe ser igual a su diámetro.
Por tanto, l = 0,635 cm, r = 0,317 cm y L = 0,1 μH.
Usando la ecuación 1-8 y resolviendo N se obtiene:
donde hemos tomado l = 2r, para Q óptimo. Sustituyendo y resolviendo:

Por lo tanto, necesitamos 4,8 vueltas de alambre en una longitud de

0,635 cm. Una mirada a la Tabla 1-1 revela que el cable recubierto de
esmalte de mayor diámetro que permitirá 4,8 vueltas en una longitud de
0,635 cm es el cable número 18 AWG que tiene un diámetro de 42,4 mils
(0,107 cm).
TABLA 1-1. Tabla
de cables AWG

∗ 1 mil = 2.54 × 10−3 cm

Tenga en cuenta que aunque el Q óptimo se alcanza cuando la longitud de
la bobina (l) es igual a su diámetro (2r), esto a veces no es práctico y, en
muchos casos, la longitud es mucho mayor que el diámetro. En el ejemplo
1-5, calculamos la necesidad de 4,8vueltas de alambre en una longitud de
0.635 cm y decidió que el alambre No. 18AWG encajaría. El único
problema con este enfoque es que cuando el diseño está terminado,
terminamos con una bobina muy apretada.

Esto aumenta la capacitancia distribuida entre las espiras y, por lo tanto,

reduce el rango de frecuencia útil del inductor al reducir su frecuencia de
resonancia. Podríamos adoptar cualquiera de las siguientes soluciones de
compromiso para este dilema:
1. Utilice el siguiente tamaño de cable AWG más pequeño para enrollar el
inductor manteniendo la misma longitud (l). Este enfoque permitirá un
pequeño espacio de aire entre los devanados y, por lo tanto, disminuirá
la capacitancia entre devanados. Sin embargo, también aumenta la
resistencia de los devanados al disminuir el diámetro del conductor y,
por tanto, reduce el Q.
2. Extienda la longitud del inductor (mientras conserva el uso de cable No.
18 AWG) lo suficiente para dejar un pequeño espacio de aire entre los
devanados. Este método producirá el mismo efecto que el Método No.
1. Reduce un poco el Q pero disminuye considerablemente la
capacitancia entre devanados.
Materiales de núcleo magnético
En muchas aplicaciones de RF, donde se necesitan grandes valores de
inductancia en áreas pequeñas, los inductores de núcleo de aire no se
pueden utilizar debido a su tamaño. Un método para disminuir el tamaño
de una bobina mientras que mantener una inductancia dada es disminuir
el número de vueltas y al mismo tiempo aumentar su densidad de flujo
magnético. La densidad de flujo se puede aumentar disminuyendo la
“reluctancia” o trayectoria de resistencia magnética que une los
devanados del inductor. Hacemos esto agregando un material de núcleo
magnético, como hierro o ferrita, al inductor. La permeabilidad (μ) de este
material es mucho mayor que la del aire y, por tanto, el flujo magnético
no es tan “reacio” a fluir entre los devanados.
El resultado neto de agregar un núcleo de alta permeabilidad a un
inductor es la obtención de la capacidad de enrollar una inductancia
determinada con menos vueltas de las que se requerirían para un
inductor de núcleo de aire. De este modo, se pueden obtener varias
ventajas.
1. Tamaño más pequeño: debido al menor número de vueltas
necesarias para una inductancia determinada.
2. Mayor Q: menos vueltas significan menos resistencia del cable.
3. Variabilidad: se obtiene moviendo el núcleo magnético dentro y fuera
de los devanados.
Hay algunos problemas importantes que se introducen por el uso de
núcleos magnéticos, sin embargo, se debe tener cuidado para garantizar
que el núcleo elegido sea el adecuado para el trabajo. Algunos de los
problemas son:
1. Cada núcleo tiende a introducir sus propias pérdidas. Por lo tanto,
agregar un núcleo magnético a un inductor de núcleo de aire podría
posiblemente disminuir la Q del inductor, dependiendo del material
utilizado y la frecuencia de operación.
2. La permeabilidad de todos los núcleos magnéticos cambia con la
frecuencia y generalmente disminuye a un valor muy pequeño en el
extremo superior de su rango operativo. Con el tiempo se acerca a la
permeabilidad del aire y se vuelve “invisible” para el circuito.
3. Cuanto mayor sea la permeabilidad del núcleo, más sensible será a las
variaciones de temperatura. Por tanto, en amplios rangos de temperatura,
la inductancia de la bobina puede variar apreciablemente.
4. La permeabilidad del núcleo magnético cambia con el nivel de señal
aplicado. Si se aplica una excitación demasiado grande, se producirá la
saturación del núcleo.

Estos problemas pueden superarse si se tiene cuidado, en el proceso de

diseño, para elegir los núcleos sabiamente. Los fabricantes ahora
proporcionan excelente literatura sobre los tamaños y tipos de núcleos
disponibles, junto con sus características importantes.
TOROIDES
Un toroide, en pocas palabras, es un material magnético con forma de
anillo o rosquilla que se utiliza ampliamente para enrollar inductores y
transformadores de RF. Los toroides suelen estar hechos de hierro o ferrita.
Vienen en varias formas y tamaños (Fig. 1-20) con características muy
variables. Cuando se utilizan como núcleos para inductores, normalmente
pueden producir Q muy altos. Son autoprotectores, compactos y, lo mejor
de todo, fáciles de usar.
La Q de un inductor toroidal suele ser alta porque el toroide se puede
fabricar con una permeabilidad extremadamente alta. Como se analizó en
una sección anterior, los núcleos de alta permeabilidad permiten al
diseñador construir un inductor con una inductancia determinada (por
ejemplo, 35 μH) con menos vueltas de las que es posible con un diseño de
núcleo de aire.
La figura 1-21 indica los ahorros potenciales obtenidos en el número de
vueltas de alambre cuando el diseño de la bobina se cambia de inductores
con núcleo de aire a inductores con núcleo toroidal. El inductor de núcleo
de aire, si se enrolla para obtener un Q óptimo, necesitaría 90 vueltas de un
cable muy pequeño (para que quepan todas las vueltas dentro de una
longitud de 1/4 de pulgada) para alcanzar 35 μH; sin embargo, el inductor
toroidal sólo necesitaría 8 vueltas para alcanzar el objetivo de diseño.

Obviamente, este es un caso extremo, pero tiene un propósito útil e ilustra

el punto. El núcleo toroidal requiere menos vueltas para una inductancia
determinada que un diseño de núcleo de aire. Por lo tanto, hay menos
resistencia de CA y la Q se puede aumentar dramáticamente.
Fig. 1-20. Inductor de núcleo toroidal. (A) Inductor toroidal (B) Inductor de núcleo de aire
(Cortesía de Allied Electronics)
Fig. 1-21. Comparación de vueltas entre inductores para la
misma inductancia.
Las propiedades de autoprotección de un toroide se hacen evidentes
cuando se examina la figura 1-22. En un inductor típico de núcleo de aire,
las líneas de flujo magnético que unen las espiras del inductor toman la
forma que se muestra en la figura 1-22A. El esquema indica claramente
que el aire que rodea al inductor es definitivamente parte de la trayectoria
del flujo magnético. Por lo tanto, este inductor tiende a irradiar las señales
de RF que fluyen en su interior.
Por otra parte, un toroide (figura 1-22B) contiene completamente el flujo
magnético dentro del propio material; por tanto, no se produce radiación.
En la práctica real, por supuesto, se producirá algo de radiación, pero se
minimizará. Esta característica de los toroides elimina la necesidad de
escudos voluminosos que rodeen el inductor. Los blindajes no sólo tienden
a reducir el espacio disponible, sino que también reducen el Q del inductor
que protegen.
Fig. 1-22. Efecto de blindaje de un inductor toroidal.
Características principales
Anteriormente analizamos, en términos generales, las ventajas y
desventajas relativas del uso de núcleos magnéticos. La siguiente discusión
sobre las características típicas de los núcleos toroidales lo ayudará a
especificar el núcleo que necesita para su aplicación particular. La figura 1-
23 es una curva de magnetización típica para un núcleo magnético. La
curva simplemente indica la densidad de flujo magnético (B) que ocurre en
el inductor con una intensidad de campo magnético específica (H) aplicada.
A medida que la intensidad del campo magnético aumenta desde cero (al
aumentar el voltaje de la señal aplicada), la densidad de flujo magnético
que une las vueltas del inductor aumenta de manera bastante lineal. La
relación entre la densidad del flujo magnético y la intensidad del campo
magnético se denomina permeabilidad del material. Esto ya se ha
mencionado en numerosas ocasiones.
Así, la permeabilidad de un material es simplemente una medida de qué
tan bien transforma una excitación eléctrica en un flujo magnético.
Cuanto mejor sea en esta transformación, mayor será supermeabilidad.
Como se mencionó anteriormente, inicialmente la curva de magnetización
es lineal.

Es durante esta porción lineal de la curva que generalmente se especifica

la permeabilidad y, por lo tanto, a veces se la denomina permeabilidad
inicial (μi) en diversas publicaciones básicas. Sin embargo, a medida que
aumenta la excitación eléctrica, se alcanza un punto en el que la intensidad
del flujo magnético no continúa aumentando al mismo ritmo que la
excitación y la pendiente de la curva comienza a disminuir.
Cualquier aumento adicional en la excitación puede provocar que se
produzca saturación. Hsat es el punto de excitación por encima del cual no
se produce ningún aumento adicional en la densidad de flujo magnético
(Bsat). La permeabilidad incremental por encima de este punto es la
misma que la del aire. Normalmente, en aplicaciones de circuitos de RF,
mantenemos la excitación lo suficientemente pequeña como para
mantener el funcionamiento lineal. Bsat varía sustancialmente de un
núcleo a otro, dependiendo del tamaño y la forma del material. Por lo
tanto, es necesario leer y comprender la literatura del fabricante que
describe el núcleo particular que está utilizando. Una vez que se conoce el
núcleo de Bsat, es muy sencillo determinar si su uso en una aplicación de
circuito particular causará que se sature o no. La densidad de flujo
operativa (Bop) en el circuito del núcleo viene dada por la fórmula:
dónde,
Bop = densidad de flujo magnético en gauss,
E = el voltaje rms máximo a través del inductor en voltios,
f = la frecuencia en hercios,
N = el número de vueltas,
Ae = área de la sección transversal efectiva del núcleo en cm2

Por lo tanto, si el Bop calculado para una aplicación particular es menor

que la especificación publicada para Bsat, entonces el núcleo no se
saturará y su funcionamiento será algo lineal.
Otra característica de los núcleos magnéticos que es muy importante
comprender es la pérdida interna. Se ha mencionado anteriormente que la
adición descuidada de un núcleo magnético a un inductor de núcleo de
aire podría posiblemente reducir el Q del inductor. Este concepto puede
parecer contrario a lo que hemos estudiado hasta ahora, así que
examinémoslo un poco más de cerca. El circuito equivalente de un inductor
de núcleo de aire (figura 1-15) se reproduce en la figura 1-24A para su
comodidad. La Q de este inductor es

Dónde
XL = ωL,
Rs = la resistencia de los devanados.
 (A) Núcleo de aire (B) Núcleo magnético

Fig. 1-24. Circuitos equivalentes para inductores de núcleo de aire y de

núcleo magnético.
Si añadimos un núcleo magnético al inductor, el circuito equivalente se
vuelve como el que se muestra en la figura 1-24B. Hemos añadido la
resistencia Rp para representar las pérdidas que tienen lugar en el propio
núcleo. Estas pérdidas se presentan en forma de histéresis. La histéresis
es la potencia perdida en el núcleo debido a la realineación de las
partículas magnéticas dentro del material con cambios en la excitación y
las corrientes parásitas que fluyen en el núcleo debido a los voltajes
inducidos en su interior.

Estos dos tipos de pérdidas internas, que son inherentes hasta cierto
punto a todo núcleo magnético y, por tanto, inevitables, se combinan
para reducir la eficiencia del inductor y, por tanto, aumentar su pérdida.
¿Pero qué pasa con la nueva Q para el inductor de núcleo magnético?
Esta pregunta no se responde tan fácilmente. Recuerde, cuando se inserta
un núcleo magnético en un inductor existente, el valor de la inductancia
aumenta. Por tanto, a cualquier frecuencia dada, su reactancia aumenta
proporcionalmente. La pregunta que se debe responder entonces, para
determinar el nuevo Q del inductor, es: ¿Por qué factores aumentaron la
inductancia y la pérdida? Evidentemente, si añadiendo un núcleo toroidal
la inductancia se multiplicara por dos y su pérdida total también
aumentara por dos, la Q permanecería sin cambios. Sin embargo, si la
pérdida total de la bobina aumentara a cuatro veces su valor anterior y
solo se duplicara la inductancia, la Q del inductor se reduciría en un factor
de dos.
Ahora bien, como si todo esto no fuera lo suficientemente confuso,
también debemos tener en cuenta que la pérdida adicional introducida por
el núcleo no es constante, sino que varía (normalmente aumenta) con la
frecuencia. Por lo tanto, el diseñador debe tener un juego completo de
hojas de datos del fabricante para cada núcleo con el que esté trabajando.

Los fabricantes de toroides suelen publicar hojas de datos que contienen

toda la información necesaria para diseñar inductores y transformadores
con un núcleo particular. (Algunas especificaciones y hojas de datos típicas
se dan en las Figs. 1-25 y 1-26). Sin embargo, en la mayoría de los casos,
cada fabricante presenta la información de una manera única y se debe
tener cuidado para extraer la información que se necesita. sin errores y en
una forma que pueda usarse en el proceso de diseño posterior.
Esto no siempre es tan simple como parece. Más adelante en este capítulo,
utilizaremos los datos presentados en las Figs. 1-25 y 1-26 para diseñar un
par de inductores toroidales para que podamos ver algunas de esas
diferencias. La Tabla 1-2 enumera algunos de los términos comúnmente
utilizados junto con sus símbolos y unidades.

Hierro en polvo frente a ferrita

En general, no existen reglas estrictas y rápidas que regulen el uso de
núcleos de ferrita versus núcleos de hierro en polvo en aplicaciones de
diseño de circuitos de RF. En muchos casos, dado el mismo tipo y
permeabilidad, cualquiera de los núcleos podría usarse sin muchos cambios
en el rendimiento del circuito real.
Sin embargo, existen aplicaciones especiales en las que un núcleo puede
superar a otro, y son esas aplicaciones las que abordaremos aquí. Los
núcleos de hierro en polvo, por ejemplo, normalmente pueden manejar
más potencia de RF sin saturación ni daños que un núcleo de ferrita del
mismo tamaño.

Por ejemplo, la ferrita, si se alimenta con una gran cantidad de potencia

de RF, tiende a retener su magnetismo de forma permanente. Esto
arruina el núcleo al cambiar su permeabilidad permanentemente. El
hierro en polvo, por otro lado, si se aplica demasiado, eventualmente
volverá a su permeabilidad inicial (μi). Por lo tanto, en cualquier
aplicación donde estén involucrados altos niveles de potencia de RF, los
núcleos de hierro pueden parecer la mejor opción.
En general, los núcleos de hierro en polvo tienden a producir inductores de
mayor Q, a frecuencias más altas, que un núcleo de ferrita de tamaño
equivalente. Esto se debe a las características inherentes de los núcleos de
hierro en polvo que producen muchas menos pérdidas internas que los
núcleos de ferrita. Esta característica del hierro en polvo lo hace muy útil
en aplicaciones de banda estrecha o circuito sintonizado. La Tabla 1-3
enumera algunos de los materiales comunes de núcleo de hierro en polvo
junto con sus aplicaciones típicas. En frecuencias muy bajas, o en circuitos
de banda ancha que abarcan el espectro desde VLF hasta VHF, la ferrita
parece ser la opción general. Esto es cierto porque, para un tamaño de
núcleo determinado, los núcleos de ferrita tienen una permeabilidad
mucho mayor.
Se necesita una mayor permeabilidad en el extremo inferior del rango de
frecuencia donde, para una inductancia determinada, se necesitarían
menos devanados con el núcleo de ferrita. Esto nos lleva a otro punto.
Dado que los núcleos de ferrita, en general, tienen una permeabilidad
mayor que los núcleos de hierro en polvo del mismo tamaño, una bobina
de una inductancia determinada generalmente puede enrollarse en un
núcleo de ferrita mucho más pequeño y con menos vueltas. Por lo tanto,
podemos ahorrar área de la placa de circuito.
Componentes ferrámicos clasificados de banda ancha
 HIERRO - MATERIAL DE POTENCIA VS. RANGO DE FRECUENCIA
Se obtendrá una Q más alta en la parte superior del rango de frecuencia de un material cuando se utilizan
núcleos más pequeños. Del mismo modo, en la porción inferior del rango de frecuencia de un material, se
puede lograr un Q más alto cuando se utilizan núcleos más grandes.
TABLA 1-2. Símbolos y definiciones de núcleo toroidal
TABLA 1-3. Materiales de hierro
en polvo
DISEÑO DE INDUCTOR TOROIDAL
Para un inductor toroidal que opera en la porción lineal (no saturante) de
su curva de magnetización, su inductancia viene dada por la siguiente
fórmula:

Dónde
L = la inductancia en nanohenrios,
N = el número de vueltas,
μi = permeabilidad inicial,
Ac = el área de la sección transversal del núcleo en cm2,
le = longitud efectiva del núcleo en cm.
Para facilitar los cálculos, la mayoría de los fabricantes han combinado μi,
Ac, le y otras constantes para un núcleo determinado en una única
cantidad llamada índice de inductancia, AL. El índice de inductancia
relaciona la inductancia con el número de vueltas de un núcleo en
particular. Esta simplificación reduce la Ecuación 1-12 a:

Dónde
L = la inductancia en nanohenrios,
N = el número de vueltas,
AL = índice de inductancia en nanohenrios/vuelta 2.
Por lo tanto, el número de vueltas que se deben enrollar en un núcleo
determinado para una inductancia específica viene dado por:

Esto se muestra en el Ejemplo 1-6.La Q del inductor no se puede calcular

con la información proporcionada en la figura 1-25. Si miramos el Xp/N2,
Rp/N2 vs. las curvas de frecuencia dadas para el BBR-7403, sin embargo,
podemos hacer una suposición calculada. En bajas frecuencias (100 kHz),
el Q de la bobina sería aproximadamente 54, donde
EJEMPLO 1-6: Utilizando los datos proporcionados en la figura 1-25, diseñe
un inductor toroidal con una inductancia de 50 μH. ¿Cuál es el cable AWG
más grande que podríamos usar manteniendo un devanado de una sola
capa? ¿Cuál es la Q del inductor a 100 MHz?
Solución:
Existen numerosas posibilidades en este diseño particular ya que no nos
pusieron limitaciones. La figura 1-25 es una hoja de datos de la serie
general Indiana de núcleos toroidales de ferrita. Este tipo de núcleo
normalmente se usaría en aplicaciones de transformadores de banda ancha
o de baja Q en lugar de en circuitos sintonizados de banda estrecha. Este
ejercicio revelará por qué. Las especificaciones mecánicas de esta serie de
núcleos indican un Tamaño bastante típico para los toroides utilizados en el
diseño de circuitos de RF de señal pequeña.
El núcleo más grande de esta serie tiene poco menos de un cuarto de
pulgada de diámetro. Dado que no se nos impusieron restricciones de
tamaño en el planteamiento del problema, utilizaremos el AA-03 que tiene
un diámetro exterior de 0,0230 pulgadas. Esto nos permitirá utilizar un
cable de mayor diámetro para enrollar el inductor.
El valor publicado de AL para el núcleo dado es 495 nH/vuelta2.Utilizando la
ecuación 1-14, el número de vueltas necesarias para este núcleo es:
Tenga en cuenta que la inductancia de 50 μH fue reemplazada por su
equivalente a 50.000 nH. El siguiente paso es determinar el Cable de mayor
diámetro que se puede utilizar para enrollar el transformador manteniendo
al mismo tiempo un devanado de una sola capa. En algunos casos, los datos
suministrados por el fabricante incluirán este tipo de información de
bobinado.

Por lo tanto, en esos casos, el diseñador sólo necesita consultar una tabla
para determinar el tamaño máximo de cable que se puede utilizar. En
nuestro caso no se dio esta información por lo que hay que hacer un cálculo
sencillo. La figura 1-27 ilustra la geometría del problema. Es obvio en el
diagrama que el radio interior (r1) del toroide es el factor limitante para
determinar el máximo número de vueltas para un diámetro de alambre dado
Fig. 1-27. Geometría del devanado de la bobina toroidal.
El diámetro máximo exacto del alambre para un número determinado de
vueltas se puede encontrar mediante:

Dónde
d = el diámetro del alambre en pulgadas,
r1 = el radio interior del núcleo en pulgadas,
N = el número de vueltas.

Para este ejemplo, obtenemos el valor de r1 de la figura 1-25.(d2 = 0,120

pulgadas).
Sin embargo, como regla práctica, teniendo en cuenta las variaciones del
espesor del aislamiento entre fabricantes, es mejor agregar un “factor de
manipulación” y tomar el 90% del valor calculado, o 25,82 mils. Por lo
tanto, el cable de mayor diámetro utilizado sería el siguiente tamaño por
debajo de 25,82 mils, que es el cable AWG No. 22.
En este capítulo, exploraremos el circuito resonante paralelo y sus
características en radiofrecuencias. Examinaremos el concepto de Q
cargado y cómo se relaciona con las impedancias de fuente y carga.
También veremos los efectos de las pérdidas de los componentes y cómo
afectan el funcionamiento del circuito. Finalmente, investigaremos algunos
métodos de acoplamiento de circuitos resonantes para aumentar su
selectividad.
ALGUNAS DEFINICIONES
El circuito resonante ciertamente no es nada nuevo en los circuitos de RF.
Se utiliza en prácticamente todos los transmisores, receptores o equipos
de prueba existentes para pasar selectivamente una determinada
frecuencia o grupo de frecuencias desde una fuente a una carga y al
mismo tiempo atenuar todas las demás frecuencias fuera de esta banda
de paso. La banda de paso perfecta del circuito resonante aparecería
como se muestra en la figura 2-1.

Aquí tenemos una banda de paso de forma rectangular perfecta con

atenuación infinita por encima y por debajo de la banda de frecuencia de
interés, al tiempo que permite que la señal deseada pase sin
perturbaciones.
La realización de este filtro es, por supuesto, imposible debido a las
características físicas de los componentes que componen un filtro. Como
aprendimos en el capítulo 1, no existe un componente perfecto y, por
tanto, no puede haber un filtro perfecto. Sin embargo, si entendemos la
mecánica de los circuitos resonantes, ciertamente podemos adaptar
perfectamente un circuito imperfecto a nuestras necesidades.

Fig. 2-1. La respuesta de filtro perfecta.

La figura 2-2 es un diagrama de cómo podría parecerse una respuesta de
filtro práctica. A continuación se presentan definiciones apropiadas:
1. Decibel: en radioelectrónica y telecomunicaciones, el decibelio (dB) se
utiliza para describir la relación entre dos mediciones de potencia
eléctrica. También se puede combinar con un sufijo para crear una unidad
absoluta de potencia eléctrica. Por ejemplo, se puede combinar con "m"
para "milivatios" para producir "dBm". Cero dBm es un milivatio y 1 dBm
es un decibelio mayor que 0 dBm, o aproximadamente 1,259 mW. Los
decibeles se utilizan para contabilizar las ganancias y pérdidas de una
señal desde un transmisor a un receptor a través de algún medio (por
ejemplo, espacio libre, guías de ondas, coaxial, fibra óptica, etc.)
utilizando un presupuesto de enlace.
2. Decibelios: el decibelio vatio (dBw) es una unidad para medir la
intensidad de una señal, expresada en decibeles en relación con un vatio.
Esta medida absoluta de potencia eléctrica se utiliza debido a su
capacidad para expresar valores de potencia muy grandes y muy
pequeños en un rango corto de números, por ejemplo, 10 vatios = 10
dBw y 1.000.000 W = 60 dBw.
3. Ancho de banda: el ancho de banda de cualquier circuito resonante se
define más comúnmente como la diferencia entre la frecuencia superior e
inferior (f2 - f1) del circuito en el que su respuesta de amplitud está 3 dB
por debajo de la banda de paso. A menudo se le llama ancho de banda
de media potencia.
Fig. 2-2. Una respuesta de filtro práctica
4. Q: la relación entre la frecuencia central del circuito resonante y su
ancho de banda se define como el circuito Q

Este Q no debe confundirse con el componente Q que se definió en el

Capítulo 1. El componente Q tiene un efecto en el circuito Q, pero lo
contrario no es cierto. El circuito Q es una medida de la selectividad de un
circuito resonante. Cuanto mayor sea su Q, más estrecho será su ancho
de banda y mayor será la selectividad de un circuito resonante.
5. Factor de forma: el factor de forma de un circuito resonante es
típicamente se define como la relación entre el ancho de banda de 60 dB y
el ancho de banda de 3 dB del circuito resonante. Por lo tanto, si el ancho
de banda de 60 dB (f4 − f3) fuera de 3 MHz y el ancho de banda de 3 dB (f2
− f1) era de 1,5 MHz, entonces el factor de forma sería:

El factor de forma es simplemente un grado de medida de la inclinación de

las f. Cuanto menor sea el número, más pronunciadas serán las faldas de
respuesta. Observe que nuestro filtro perfecto en la Fig. 2-1 tiene un factor
de forma de 1, que es el máximo. La banda de paso para un filtro con un
factor de forma menor que 1 debería ser similar a la que se muestra en la
Fig. 2-3. Obviamente, esto es una imposibilidad física.
Fig. 2-3. Un factor de forma imposible.
6. Atenuación máxima: la atenuación máxima, como su nombre lo indica,
es la atenuación mínima final que presenta el circuito resonante fuera de
la banda de paso especificada. Un circuito resonante perfecto
proporcionaría una atenuación infinita fuera de su banda de paso. Sin
embargo, debido a las imperfecciones de los componentes, es
infinitamente imposible conseguir una atenuación infinita. Tenga en
cuenta también que si el circuito presenta picos de respuesta fuera de la
banda de paso, como se muestra en la Fig. 2-2, entonces esto, por
supuesto, resta valor a la especificación de atenuación final de ese circuito
resonante.

7. Pérdida de inserción: siempre que un componente o grupo de los

componentes se insertan entre un generador y su carga,
parte de la señal del generador es absorbida en esos componentes debido
a sus pérdidas resistivas inherentes. Por lo tanto, no se transfiere tanta
señal transmitida a la carga como cuando la carga se conecta
directamente al generador. (Aquí supongo que no se está realizando
ninguna función de adaptación de impedancia). La atenuación resultante
se llama pérdida de inserción y es una característica muy importante de
los circuitos resonantes. Generalmente se expresa en decibelios (dB).
8. Ondulación: la ondulación es una medida de la planitud de la banda de
paso de un circuito resonante y también se expresa en decibelios.
Físicamente, se mide en las características de respuesta como la diferencia
entre la atenuación máxima en la banda de paso y la atenuación mínima
en la banda de paso.
RESONANCIA (COMPONENTES SIN PÉRDIDAS)
En el Capítulo 1, se mencionó brevemente el concepto de resonancia
cuando estudiamos los parásitos asociados con los elementos componentes
individuales. Ahora examinaremos en detalle el tema de la resonancia.
Determinaremos qué causa que se produzca la resonancia y cómo
podemos utilizarla para nuestro mejor beneficio. La regla de división de
voltaje (ilustrada en la figura 2-4) establece que siempre que se coloca un
elemento en derivación de impedancia Zp a través de la salida de un
generador con una resistencia interna Rs, el voltaje de salida máximo
disponible en este circuito es
Por tanto, Vout siempre será menor que Vin. Si Zp es una impedancia
dependiente de la frecuencia, como una reactancia capacitiva o inductiva,
entonces Vout también dependerá de la frecuencia y la relación entre Vout
y Vin, que es la ganancia (o, en este caso, la pérdida) del circuito. , también
dependerá de la frecuencia. Tomemos, por ejemplo, un capacitor de 25 pF
como elemento en derivación (figura 2-5A) y grafiquemos la función de
Vsal/Vin en dB versus frecuencia, donde tenemos
 Fig. 2-4. Regla de división de voltaje.

Dónde
Vout/Vin = la pérdida en dB,
Rs = la resistencia de la fuente,
Xc = la reactancia del condensador
y donde Xc = 1/jwC
La gráfica de esta ecuación se muestra en la gráfica de la figura 2-5B.
Observe que la pérdida de este circuito RC (resistencia-condensador)
aumenta a medida que aumenta la frecuencia; por lo tanto, hemos
formado un filtro de paso bajo simple (por ejemplo, un filtro que deja
pasar señales de baja frecuencia pero atenúa (o reduce la amplitud de
señales con frecuencias superiores a la frecuencia de corte).

Observe también que la pendiente de atenuación finalmente se establece

en una tasa de 6 dB por cada octava (duplicación) de aumento en la
frecuencia. Esto se debe al único elemento reactivo en el circuito. Como
veremos más adelante, esta pendiente de atenuación aumentará 6 dB
adicionales por cada elemento reactivo significativo que insertemos en el
circuito.
 Fig. 2-5. Respuesta de frecuencia de
un filtro de paso bajo RC (resistencia-
condensador) simple.

(B) Curva de respuesta

Si ahora eliminamos el condensador del circuito e insertamos en su lugar el
inductor, obtenemos el circuito de la figura 2-6A y el gráfico de la figura 2-
6B, donde estamos trazando:

Dónde
Vout/Vin = la pérdida en dB,
Rs = la resistencia de la fuente,
XL = la reactancia de la bobina.
Fig. 2-6. Filtro de paso alto simple.
y donde
XL = jωL
Aquí, hemos formado un filtro de paso alto simple (por ejemplo, un filtro
que pasa bien las frecuencias altas, pero atenúa (o reduce) las frecuencias
inferiores a la frecuencia de corte) con una pendiente de atenuación final de
6 dB/octava. Así, mediante cálculos simples que involucran la fórmula
básica de división de voltaje (Ecuación 2-2), pudimos trazar la respuesta de
frecuencia de dos componentes reactivos separados y opuestos.
Pero, ¿qué sucede si colocamos el inductor y el condensador
simultáneamente en el generador, creando así un circuito LC (inductor-
condensador)?. En realidad, este caso no es más difícil de analizar que los
dos circuitos anteriores. De hecho, a cualquier frecuencia, simplemente
podemos aplicar la regla básica de división de voltaje como antes.
La única diferencia aquí es que ahora tenemos dos componentes reactivos
con los que lidiar en lugar de uno y estos componentes están en paralelo
(Fig. 2-7). Si hacemos el cálculo para todas las frecuencias de interés,
obtendremos el gráfico que se muestra en la Fig. 2-8

Fig. 2-7. Circuito resonante con dos componentes reactivos.

Las matemáticas detrás de este cálculo son las siguientes:

Donde:

Por tanto, tenemos:

Multiplica el numerador y el denominador por jωC. (Recordar que j2 = −1.)

Así, sustituyendo y transponiendo en la Ecuación 2-5, tenemos:

Multiplicando el numerador y el denominador por1 − ω 2 LC produce:

Por tanto, la pérdida a cualquier frecuencia puede calcularse a partir de la
ecuación anterior o, si es necesario, en dB.

donde | | representa la magnitud de la cantidad entre paréntesis.

Obsérvese, en la figura 2-8, que a medida que nos acercamos a la

frecuencia de resonancia del circuito sintonizado, la pendiente de la curva
de resonancia aumenta a 12 dB/octava. Esto se debe al hecho de que ahora
tenemos presentes dos reactancias significativas y cada una cambia a una
velocidad de 6 dB/octava y tiene pendiente en direcciones opuestas.
Fig. 2-8. Respuesta de frecuencia de un circuito
resonante LC (inductor-condensador)
Sin embargo, a medida que nos alejamos de la resonancia en cualquier
dirección, la curva vuelve a establecerse en una pendiente de 6 dB/octava
porque, nuevamente, sólo una reactancia se vuelve significativa. La otra
reactancia presenta una impedancia muy alta al circuito a estas frecuencias
y el circuito se comporta como si la reactancia ya no estuviera allí.

A diferencia de los filtros de paso alto o de paso bajo que se analizan aquí, el
circuito RLC (también conocido como circuito resonante o sintonizado) hace
algo diferente. Como circuito eléctrico que consta de una resistencia (R), un
inductor (L) y un condensador (C), conectados en serie o en paralelo, el
circuito RLC tiene muchas aplicaciones, particularmente en ingeniería de
radio y comunicaciones.
Con ellos se puede, por ejemplo, seleccionar una gama estrecha de
frecuencias del espectro total de ondas de radio ambientales. En la siguiente
sección, veremos más de cerca lo que el circuito RLC puede hacer por el
ingeniero de RF.

Q CARGADO
La Q de un circuito resonante se definió anteriormente como igual a la
relación entre la frecuencia central del circuito y su ancho de banda de 3 dB
(Ecuación 2-1). A este “circuito Q”, como se le llamó, a menudo se le da la
etiqueta Q cargado porque describe las características de la banda de paso
del circuito resonante en condiciones reales en el circuito o cargadas.
La Q cargada de un circuito resonante depende de tres factores principales
(estos se ilustran en la figura 2-9).
1. La resistencia de la fuente (Rs).
2. La resistencia de carga (RL).
3. El componente Q definido en el Capítulo 1.

Fig. 2-9. Circuito para cálculos de Q cargado.

Efecto de Rs y RL en la Q cargada
Analicemos brevemente el papel que desempeñan las impedancias de fuente
y carga en la determinación de la Q cargada de un circuito resonante. Este
papel probablemente se ilustra mejor con un ejemplo. En la figura 2-8,
trazamos una curva de resonancia para un circuito que consta de una fuente
de 50 ohmios, un inductor sin pérdidas de 0,05 μH y un condensador sin
pérdidas de 25 pF.
La Q cargada de este circuito, según lo definido por la ecuación. 2-1 y
determinado a partir del gráfico, es aproximadamente 1,1. Obviamente, este
no es un diseño de banda muy estrecha o de alta calidad. Pero ahora,
reemplacemos la fuente de 50 ohmios con una fuente de 1000 ohmios y
grafiquemos nuevamente nuestros resultados usando la ecuación derivada
de la figura 2-7 (Ecuación 2-5).
Este nuevo gráfico se muestra en la Fig. 2-10. (La resonancia de la curva
para el circuito fuente de 50 ohmios se muestra con líneas discontinuas
para fines de comparación.) Observe que Q, o selectividad del circuito
resonante, ha aumentado dramáticamente a aproximadamente 22. Por lo
tanto, al aumentar la impedancia de la fuente, hemos aumentado la Q de
nuestro circuito resonante. Ninguno de estos gráficos aborda el efecto de
una impedancia de carga en la curva de resonancia.

Si se conectara una carga externa de algún tipo al circuito resonante, como

se muestra en la figura 2-11A, el efecto sería ampliar o "de Q" la curva de
respuesta en un grado que depende del valor de la resistencia de la carga. .
El circuito equivalente, para cálculos de resonancia, se muestra en la figura
2-11B.
Fig. 2-10. El efecto de Rs y RL sobre Q cargado
El circuito resonante ve una resistencia equivalente de Rs en paralelo con
RL, como su verdadera carga. Esta resistencia externa total es, por
definición, de valor menor que Rs o RL, y la Q cargada debe disminuir. Si
ponemos esta observación en forma de ecuación, se convierte (asumiendo
componentes sin pérdidas)

Dónde
Rp = la resistencia paralela equivalente de Rs y RL,
Xp = la reactancia inductiva o capacitiva. (Son iguales en resonancia.)
La ecuación 2-6 ilustra que una disminución de Rp disminuirá la Q del
circuito resonante y un aumento de Rp aumentará la Q del circuito, y
también ilustra otro punto muy importante. Se puede obtener el mismo
efecto manteniendo constante Rp y variando Xp.

Por lo tanto, para una fuente y una impedancia de carga dadas, la Q óptima
de un circuito resonante se obtiene cuando el inductor tiene un valor
pequeño y el capacitor tiene un valor grande. Por lo tanto, en cualquier
caso, Xp disminuye. Este efecto se muestra utilizando los circuitos de la Fig.
2-12 y las curvas características de la Fig. 2-13.
Por lo tanto, el diseñador de circuitos tiene dos enfoques que puede seguir
al diseñar un circuito resonante con una Q particular (Ejemplo 2-1).
1. Puede seleccionar un valor óptimo de impedancia de fuente y carga.
2. Puede seleccionar valores de componentes de L y C que optimicen Q.

Fig. 2-12. Effect de Q vs. Xp a 142.35 MHz.

A menudo no hay elección real al respecto porque, en muchos instancias, la
fuente y la carga están definidas y no tenemos control sobre ellos. Cuando
esto ocurre, Xp se define automáticamente para una Q dada y
generalmente terminamos con valores de componentes que, en el mejor de
los casos, no son prácticos. Más adelante en este capítulo, estudiaremos
algunos métodos para eliminar este problema.

Fig. 2-13. Gráfico de curvas Q cargadas para los

circuitos de la figura 2-12.
EJEMPLO 2-1: Diseñe un circuito resonante para operar entre una
resistencia de fuente de 150 ohmios y una resistencia de carga de 1000
ohmios. La Q cargada debe ser igual a 20 a la frecuencia de resonancia de
50 MHz. Suponga componentes sin pérdidas y sin adaptación de
impedancia.
Solución:
La resistencia paralela efectiva a través del circuito resonante es de 150
ohmios en paralelo con 1000 ohmios, o
Rp = 130 ohms

Así, utilizando la Ec. 2-6:

y

Por lo tanto, L = 20,7 nH y C = 489,7 pF.

El efecto del componente Q sobre el Q cargado
Hasta ahora en este capítulo, hemos asumido que los componentes
utilizados en los circuitos resonantes no tienen pérdidas y, por lo tanto, no
producen degradación en Q cargado. Sin embargo, en realidad, ese no es
el caso y se deben tener en cuenta los componentes individuales Q. . En un
circuito resonante sin pérdidas, la impedancia vista a través de los
terminales del circuito en resonancia es infinita.

Sin embargo, en un circuito práctico, debido a las pérdidas de los

componentes, existe una resistencia paralela finita equivalente. Esto se
ilustra en la figura 2-14. La resistencia (Rp) y su reactancia en derivación
asociada (Xp) se pueden encontrar en
RS = Pérdidas de componentes

Fig. 2-14. Una transformación de serie a paralelo.

las siguientes ecuaciones de transformación:

Dónde
Rp = la resistencia paralela equivalente,
Rs = la resistencia en serie del componente,
Q = Qs que es igual a Qp que es igual a la Q del componente

Si la Q del componente es mayor que 10, entonces

Estas transformaciones son válidas sólo en una frecuencia porque
involucran la reactancia del componente que depende de la frecuencia
(Ejemplo 2-2). El ejemplo 2-2 ilustra vívidamente los posibles efectos
drásticos que pueden ocurrir si se utilizan componentes de mala calidad
(bajo Q) en diseños de circuitos resonantes altamente selectivos. El
resultado neto de esta acción es que efectivamente colocamos una
resistencia en derivación de bajo valor directamente a través del circuito.
Como se mostró anteriormente, cualquier resistencia de bajo valor que
desvíe un circuito resonante reduce drásticamente su Q cargado y, por lo
tanto, aumenta su ancho de banda. En la mayoría de los casos, sólo
necesitamos involucrar el Q del inductor en los cálculos del Q cargado.
El Q de la mayoría de los capacitores es bastante alto en su rango de
frecuencia útil, y la resistencia en derivación equivalente que presentan al
circuito también es bastante alta y generalmente puede despreciarse. Sin
embargo, hay que tener cuidado para garantizar que este sea realmente el
caso.

PÉRDIDA DE INSERCIÓN
La pérdida de inserción (definida anteriormente en este capítulo) es otro
efecto directo del componente Q. Si los inductores y capacitores fueran
perfectos y no tuvieran pérdidas resistivas internas, entonces la pérdida de
inserción para los circuitos y filtros resonantes LC no existiría. Esto es, por
supuesto no es el caso y resulta que la pérdida de inserción es un
parámetro muy crítico en la especificación de cualquier circuito resonante.
La figura 2-16 ilustra el efecto de insertar un circuito resonante entre una
fuente y su carga. En la figura 2-16A, la fuente está conectada directamente
a la carga. Usando la regla de división de voltaje encontramos que:
V1 = 0.5 Vin
La figura 2-16B muestra que se ha colocado un circuito resonante entre la
fuente y la carga. Luego, la figura 2-16C ilustra el circuito equivalente en
resonancia. Observe que el uso de un inductor con una Q de 10 en la
frecuencia de resonancia crea una resistencia en derivación efectiva de
4500 ohmios en resonancia. Esta resistencia, combinada con RL, produce
una pérdida de voltaje de 0.9 dB en V1 en comparación con el punto
equivalente en el circuito de la figura 2-16A. Una pérdida de inserción de
0,9 dB no parece mucho, pero puede acumularse muy rápidamente si
conectamos en cascada varios circuitos resonantes.
Veremos algunos muy buenos ejemplos de esto más adelante en el Capítulo
3. Por ahora, examine el problema dado en el Ejemplo 2-3.
 C) Circuito equivalente en resonancia

Fig. 2-16. El efecto del componente Q sobre la pérdida de inserción.

EJEMPLO 2-2. Dada una bobina de 50 nH como la que se muestra en la figura 2-15A,
calcule su Q a 100 MHz. Luego, transforme el circuito en serie de la figura 2-15A en el
circuito de inductancia y resistencia en paralelo equivalente de la figura 2-15B.

Fig. 2-15. Ejemplo de transformación de serie a paralelo.

Solución
La Q de esta bobina a 100 MHz es, del Capítulo 1,

Luego, dado que Q es menor que 10, utilice la ecuación 2-7 para encontrar
Rp.
A continuación, encontramos Xp usando la Ecuación 2-8:

Por tanto, la inductancia paralela queda:

Estos valores se muestran en el circuito equivalente de la figura 2-15B.

TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA
Como hemos visto en secciones anteriores de este capítulo, los valores
bajos de impedancia de fuente y carga tienden a cargar un circuito
resonante dado y, por lo tanto, tienden a disminuir su Q cargado y
aumentar su ancho de banda. Esto hace que sea muy difícil diseñar un
circuito resonante LC de alta Q simple para usar entre dos valores muy
bajos de resistencia de fuente y carga.
De hecho, incluso si pudiéramos idear un diseño en papel, lo más
probable es que sería imposible construirlo debido a los valores de
inductor extremadamente pequeños (o negativos) que se requerirían. Un
método para solucionar este posible problema de diseño es utilizar uno
de los circuitos transformadores de impedancia que se muestran en la
figura 2-18.
Fig. 2-18. Dos métodos utilizados
para realizar una transformación
de impedancia.
Estos prácticos circuitos engañan al circuito resonante haciéndole ver una
fuente o resistencia de carga que es mucho mayor que la que realmente
está presente. Por ejemplo, un transformador de impedancia podría
presentar una impedancia (Rs) de 500 ohmios al circuito resonante,
cuando en realidad existe una impedancia (Rs) de 50 ohmios. En
consecuencia, al utilizar estos transformadores, se puede aumentar tanto
la Q del tanque resonante como su selectividad.

En muchos casos, estos métodos pueden hacer que un problema que

antes no era viable vuelva a ser viable, completo con valores realistas
para las bobinas y condensadores involucrados. Las ecuaciones de diseño
para cada uno de los transformadores se presentan en las siguientes
ecuaciones y son útiles para diseños que necesitan
Q cargadas que son mayores que 10 (Ejemplo 2-4). Para el transformador
C con derivación (figura 2-18A), utilizamos la fórmula

La capacitancia equivalente (CT) que resonará con el inductor es igual a C1

en serie con C2, o:

Para la red L roscada de la figura 2-18B, utilizamos la siguiente fórmula:

Como ejercicio, es posible que desees reelaborar el ejemplo 2-4 sin la

ayuda de un transformador de impedancia.
Descubrirá que el valor del inductor resultante es mucho más difícil de
obtener y controlar físicamente porque es muy pequeño.
EJEMPLO 2-4: Diseñe un circuito resonante con una Q cargada de 20 a una
frecuencia central de 100 MHz que funcionará entre una resistencia de
fuente de 50 ohmios y una resistencia de carga de 2000 ohmios. Utilice el
enfoque de C con derivación y suponga que el inductor Q es 100 a 100 MHz
Solución:
Usaremos el transformador C con derivación para aumentar la resistencia
de la fuente hasta 2000 ohmios para igualar la resistencia de carga y lograr
una transferencia de energía óptima. (La adaptación de impedancia se
tratará en detalle en el Capítulo 4). Por lo tanto,
R´s = 2000 ohmios y
de la Ecuación 2-13 tenemos:
o, C1 = 5.3C2 (Eq. 2-16)
Procediendo como lo hicimos en el ejemplo 2-3, sabemos que para el
inductor:

Por lo tanto, Rp = 100 Xp (Eq. 2-17)

También sabemos que la Q cargada del circuito resonante es igual a:
Dónde
Rtotal = la resistencia de derivación equivalente total

y, donde hemos tomado Rs y RL para que cada uno sea 2000 ohmios, en
paralelo. Por lo tanto, la Q cargada es

Sustituyendo la ecuación 2-17 (y el valor de la Q cargada deseada) en la

ecuación 2-18 y resolviendo Xp, se obtiene:
Xp = 40 ohmios
Y al sustituir este resultado en la ecuación 2-17 se obtiene
Rp = 4000 ohms

Ahora sabemos cuál debe ser la capacitancia total para resonar con el
inductor. También sabemos por la ecuación 2-16 que C1 es 5,3 veces mayor
que C2. Por lo tanto, si sustituimos la Ecuación 2-16 en la Ecuación 2-14 y
resolvemos las ecuaciones simultáneamente, obtenemos: El circuito final se
muestra en la figura 2-18D.
C2 = 47.3 pF
C1 = 250.6 pF
CIRCUITOS RESONANTES
Un diseñador de circuitos de comunicación frecuentemente requiere medios
para seleccionar (o rechazar) una banda de frecuencias de un amplio espectro
de señales. Los circuitos resonantes proporcionan dicho filtrado.

Existen metodologías sofisticadas y bien desarrolladas para cumplir

prácticamente con cualquier especificación. Sin embargo, en muchos casos un
circuito sencillo es suficiente.

Además, los circuitos resonantes son una parte integral del amplificador
selectivo en frecuencia, así como del diseño del oscilador. Estas redes también
se utilizan para su transformacion y adaptacion de su impedancia.

Se describirá el análisis y diseño de estos circuitos selectivos de frecuencia

simples y presentamos el comportamiento característico de los circuitos
resonantes en serie y paralelo.
Se introducen parámetros relacionados, como el factor de calidad, el ancho
de banda y la impedancia de entrada, que se utilizarán en varios temas
posteriores. A continuación se consideran las líneas de transmisión con un
circuito abierto o en cortocircuito en sus extremos y se establecen sus
relaciones con los circuitos resonantes.

Los circuitos resonantes paralelos acoplados a transformadores se analizan

brevemente debido a su importancia en el rango de radiofrecuencia.
5.1 CIRCUITOS RESONANTES EN SERIE
Considere el circuito en serie R – L – C que se muestra en la Figura 5.1.
Dado que la reactancia inductiva es directamente proporcional a la frecuencia
de la señal, intenta bloquear los contenidos de alta frecuencia de la señal.
Por otro lado, la reactancia capacitiva es inversamente proporcional a la
frecuencia. Por ello, intenta frenar sus frecuencias más bajas.

Figura 5.1 Circuito Serie R–L–C con terminales de entrada-salida.

Tenga en cuenta que el voltaje a través de un inductor ideal adelanta la
corriente en 90° (es decir, el ángulo de fase de una reactancia inductiva es 90°).
En el caso de un condensador, el voltaje a través de sus terminales está
retrasado con respecto a la corriente en 90° (es decir, el ángulo de fase de una
reactancia capacitiva es −90°).

Esto significa que es posible que la reactancia inductiva sea cancelada por la
reactancia capacitiva en alguna frecuencia intermedia. Esta frecuencia se llama
frecuencia resonante del circuito. Si la frecuencia de la señal de entrada es
igual a la frecuencia de resonancia, la corriente máxima fluirá a través de la
resistencia y estará en fase con el voltaje de entrada. En este caso, el voltaje
de salida Vo será igual al voltaje de entrada Vin. Se puede analizar de la
siguiente manera:
De la ley de voltaje de Kirchhoff

Tomando la transformada de Laplace de esta ecuación con condiciones

iniciales como cero (es decir, inicialmente sin almacenamiento de energía),
tenemos:

donde s es la frecuencia compleja (variable de Laplace). La función de

transferencia de este circuito, T(s), está dado por
Por lo tanto, la función de transferencia de este circuito tiene un cero en el
origen del plano s complejo y también tiene dos polos. La ubicación de
estos polos se puede determinar resolviendo la ecuación cuadrática

Dos posibles soluciones a esta ecuación son las siguientes:

La respuesta del circuito estará influenciada por la ubicación de estos polos.
Por lo tanto, estas redes se pueden caracterizar de la siguiente manera:

1. Si ambos polos serán reales y distinto, y el

circuito está sobreamortiguado.

2. Si la función de transferencia tendrá polos

dobles en El circuito está críticamente amortiguado.

3. Si los dos polos de T(s) serán

conjugados complejos entre sí. El circuito está subamortiguado.

Alternativamente, la función de transferencia se puede reorganizar de la

siguiente manera:
Donde:

ζ se llama relación de amortiguamiento y ωo es la frecuencia natural no

amortiguada. Los polos de T(s) se determinan resolviendo la ecuación
Para Como se muestra en la Figura 5.2,
los dos polos son conjugados complejos entre sí. La respuesta transitoria de
salida será oscilatorio con una frecuencia de y una decadencia
exponencial amplitud. Este circuito está subamortiguado.

Para ζ = 0, los dos polos se mueven sobre el eje imaginario. La respuesta

transitoria podría ser oscilatorio. Es un caso críticamente amortiguado.

Para ζ = 1, los polos están en el eje real negativo. La respuesta transitoria

decae exponencialmente. En este caso, el circuito está demasiado
sobreamortiguado.
Figura 5.2 Gráfico polo-cero de la función de transferencia.
Considere la función de paso unitario que se muestra en la Figura
5.3. Si representa el voltaje de entrada vin(t), la salida
correspondiente vo(t) se puede determinar mediante la técnica de
la transformada de Laplace.

La transformada de Laplace de un paso unitario en el origen es

igual a 1/s. Por tanto, la tensión de salida, vo(t), se obtiene de la
siguiente manera:
Figura 5.3 Tensión de entrada en escalón unitario.
 -1
donde L representa el operador de transformada de Laplace
inversa. Por lo tanto,

Esta respuesta se ilustra en la Figura 5.4 para tres factores de

amortiguamiento diferentes. Como se puede observar, el arranque
inicial dura más para un factor de amortiguación más bajo.

Una respuesta sinusoidal en estado estacionario del circuito se

puede determinar fácilmente después reemplazando s por jω,
como sigue:
o

El factor de calidad, Q, del circuito resonante es una medida de su

selectividad en frecuencia. Se define como
Q = ω0 energía promedio almacenada
(5.1.10)
pérdida de potencia
Por eso,
Figura 5.4 Respuesta de un circuito en serie R–L–C a una entrada de escalón unitario
para tres diferentes factores de amortiguamiento.
Desde

Por lo tanto,

Alternativamente,
La magnitud y el ángulo de fase de (5.1.13) se ilustran en las Figuras 5.5 y
5.6. respectivamente. La figura 5.5 muestra que el voltaje de salida es igual al
de entrada para una frecuencia de señal igual a la frecuencia de resonancia
del circuito. Además, los ángulos de fase de las dos señales de la figura 5.6
son los mismos a esta frecuencia, independientemente del factor de calidad
del circuito. A medida que la frecuencia de la señal se aleja de este punto en
cualquier lado, el voltaje de salida disminuye.

La tasa de disminución depende del factor de calidad del circuito. Para Q más
alto, la magnitud es más nítida, indicando una mayor selectividad del circuito.
Si la frecuencia de la señal está por debajo de la frecuencia de resonancia, el
voltaje de salida adelanta a la entrada. Para una frecuencia de señal muy por
debajo de la resonancia, la salida se adelanta a la entrada en
aproximadamente 90°.
Figura 5.5 Magnitud de A(jω) en función de ω.
Figura 5.6 Ángulo de fase de A(jω) en función de ω
Por otro lado, va por detrás de la entrada para frecuencias más altas.
Converge a −90◦ a medida que la frecuencia de la señal se mueve mucho
más allá de la frecuencia de resonancia. Por lo tanto, el ángulo de fase
cambia entre π/2 y −π/2, siguiendo un cambio más pronunciado alrededor
de la resonancia para circuitos de alta Q.

Tenga en cuenta que el voltaje a través del inductor y capacitor combinados

conectados en serie tiene características inversas a las del voltaje a través
de la resistencia. Matemáticamente,
donde VLC (jω) es el voltaje a través del inductor y capacitor combinados.
En este caso, la respuesta sinusoidal en estado estacionario se puede
obtener de la siguiente manera:

Por tanto, esta configuración del circuito representa un filtro de rechazo de

banda. Las frecuencias de media potencia ω1 y ω2 de un circuito de paso
de banda se pueden determinar de (5.1.13) como
Por lo tanto,

Suponiendo que ω1 < ω0 < ω2,

y
Por lo tanto,

o
Ejemplo 5.1: Determine los valores de los elementos de un circuito
resonante por el que pasan todas las señales sinusoidales de 9 a 11 MHz.
Este circuito debe conectarse entre una fuente de voltaje que tiene una
impedancia interna insignificante y un sistema de comunicación que tiene
una impedancia de entrada en 50 Ω . Grafique sus características en una
banda de frecuencia de 1 a 20 MHz.

SOLUCIÓN De (5.1.14),

De (5.1.11) y (5.1.15),
De (5.1.8),

La disposición del circuito se muestra en la Figura 5.7. Su magnitud y

características de fase se muestran en la Figura 5.8.
Figura 5.7 Disposición del circuito de
filtro para el ejemplo 5.1.
Figura 5.8 Gráficas de magnitud (a) y fase (b) de A(jω)
para el circuito de la Figura 5.7.
Impedancia de entrada
La impedancia entre los terminales de entrada de un circuito R – L – C en
serie se puede determinar de la siguiente manera:
En resonancia, la reactancia inductiva anula la reactancia capacitiva.
Por lo tanto, la impedancia de entrada se reduce a la resistencia total del
circuito. Si la frecuencia de la señal cambia desde la frecuencia resonante
en ±δω, la impedancia de entrada se puede aproximar como

Alternativamente,
Por lo tanto, un circuito resonante en serie se puede analizar con R como
cero (es decir, suponiendo que el circuito no tiene pérdidas). Las pérdidas
podrán incluirse posteriormente mediante la sustitución de la frecuencia de
resonancia real, ωo, por la frecuencia compleja, ωo[1 + j(1/2Q)].
En resonancia, la corriente que circula por el circuito, Ir, es

Por lo tanto, los voltajes a través del inductor, VL, y el capacitor, VC, son
Por lo tanto, la magnitud del voltaje a través del inductor es igual al factor de
calidad multiplicado por el voltaje de entrada, mientras que su fase se adelanta
90°. La magnitud del voltaje a través del capacitor es la misma que la del
inductor. Sin embargo, está desfasado 180° porque tiene un retraso de 90° con
respecto al voltaje de entrada.

5.2 CIRCUITOS RESONANTES EN PARALELO

Considere un circuito R–L–C en el que los tres componentes están conectados
en paralelo, como se muestra en la figura 5.9. Se utiliza un subíndice p para
diferenciar los elementos del circuito de los utilizados en los circuitos en serie
de la Sección 5.1. Una fuente de corriente, iin(t), está conectada a través de
sus terminales y io(t) pasa corriente a través de la resistencia Rp.
 Figura 5.9 Circuito paralelo R–L–C.

El voltaje a través de este circuito es vo(t). De la ley actual de Kirchhoff,

Suponiendo que inicialmente no se almacenó energía en el circuito, tomamos

la transformada de Laplace de (5.2.1). Da
Tenga en cuenta que esta ecuación es similar a (5.1.6). Cambia a T(s) si RC
reemplaza a Lp/Rp. Por lo tanto, los resultados del circuito resonante en
serie se pueden utilizar para este circuito resonante en paralelo, siempre
que

y
Por eso

El factor de calidad, Qp, y la impedancia, Zp, del circuito resonante en paralelo

se pueden determinar de la siguiente manera:
Admitancia de entrada
La admitancia a través de los terminales de entrada del circuito resonante
paralelo (es decir, la admitancia vista por la fuente de corriente) se puede
determinar de la siguiente manera:

Por tanto, la admitancia de entrada será igual a 1/Rp en la resonancia. Será

cero (es decir, la impedancia será infinita) para un circuito sin pérdidas. Puede
aproximarse alrededor de la resonancia, ω0 ± δω, como
La impedancia correspondiente es

La corriente que pasa por el condensador, Ic, está en resonancia.

Por lo tanto, la corriente que pasa por el inductor es igual en magnitud pero
opuesta en fase a la que pasa por el condensador. Además, estas corrientes
son mayores que la corriente de entrada en un factor de Q.
Factor de calidad de un circuito resonante
Si la resistencia R representa pérdidas en el circuito resonante, el Q dado
por las fórmulas anteriores se conoce como Q sin carga. Si la pérdida de
potencia debida al acoplamiento de carga externa se incluye a través de una
resistencia adicional RL, el Qe externo se define de la siguiente manera:

para circuito resonante en serie

para circuito resonante

paralelo
La carga Q, QL, de un circuito resonante incluye pérdidas internas así como
la potencia extraída por la carga externa. Se define de la siguiente manera:

para circuito resonante en serie

para circuito resonante paralelo

Donde,

Por tanto, la siguiente relación es válida para ambos tipos de circuito

resonante:
Ver Tabla 5.1.

Ejemplo 5.2 Considere el circuito resonante paralelo cargado en la Figura

5.10. Componga la frecuencia de resonancia en radianes por segundo, el Q
sin carga y el Q cargado de este circuito.
SOLUCIÓN
Figura 5.10 El circuito del ejemplo 5.2
Sin carga

Externo

Con carga
TABLA 5.1 ​Relaciones para circuitos resonantes en serie y en paralelo
 Circuito resonante con divisor capacitivo
Un circuito sencillo utilizado para adaptar impedancias de banda estrecha es
el circuito resonante con divisor capacitivo como el de la figura 1.

Figura 1. Circuito resonante con divisor capacitivo

Nota: El Factor de calidad (Q) es un parámetro que caracteriza el ancho de

banda relativo de un oscilador respecto a la frecuencia de resonancia
Por banda estrecha, el factor de calidad tiene que cumplir:

dadas una frecuencia de trabajo fo y un ancho de banda B.

Si se cumple:

donde ωo = 2πfo es la pulsación de trabajo.

Su comportamiento es equivalente al circuito de la figura 2.

 Figura 2. Circuito equivalente del divisor capacitivo

Con:

Igualando las impedancias de entrada a la derecha de la bobina de los

circuitos de las figuras 1 y 2:
De ahí se obtienen las expresiones que nos permiten calcular R y C de
manera aproximada:
El circuito de adaptación, además, hace un filtrado de la señal en la
frecuencia central con un ancho de banda B = fo/Q

Ejemplo de diseño
Para adaptar una antena de impedancia de salida Rout a un amplificador de
impedancia de entrada Rin utilizamos un circuito resonante con adaptador
capacitivo. Hacemos el cálculo de los valores de los componentes:

De donde obtenemos N:
Por otro lado, obtenemos C:

De las expresiones 2.9 y 2.11 llegamos a los valores de las capacidades:

y del inductor:
Ejemplo de una red que forma parte de un amplificador de RF. Queremos diseñar una
red que adapte una resistencia de carga Ro, a una impedancia Ri y que el Q del
circuito equivalente sea dato en una frecuencia dada.

Solución:

Conocemos entonces Ro, Q, Ri y w. Podemos hacer las transformaciones de las figuras,

donde aplicamos las siguientes relaciones:
Es fácil ver que es necesario que Ro sea menor que Ri. Esta es una red pero pueden
utilizarse muchas configuraciones similares.
5.3 CIRCUITOS ACOPLADOS A TRANSFORMADOR
Los transformadores se utilizan como medio de acoplamiento y de
transformación de impedancia en circuitos electrónicos. Los
transformadores con circuitos sintonizados en uno o ambos lados se
emplean en amplificadores de voltaje y osciladores que operan en
radiofrecuencias. En esta sección presentamos un modelo equivalente y un
procedimiento analitico para los circuitos acoplados por transformador.
Considere una impedancia de carga ZL que está acoplada a la fuente de
voltaje Vs mediante un transformador como se ilustra en la Figura 5.11. Se
supone que la impedancia de la fuente es Zs.
El transformador tiene una relación de vueltas de n: 1 entre sus lados
primario (la fuente) y secundario (la carga). Usando las notaciones
indicadas, las ecuaciones para varios voltajes y corrientes se pueden
escribir en forma fasorial de la siguiente manera:
donde M es la inductancia mutua entre los dos lados del transformador.
Se utiliza la convención estándar con un punto a cada lado. Por lo tanto, los
flujos magnéticos se refuerzan entre sí en el caso de corrientes que
ingresan a este terminal por ambos lados, y M es positivo.

Las siguientes relaciones son válidas para un transformador ideal que opera
a cualquier frecuencia:
Figura 5.11 Circuito acoplado por transformador.
y

Hay varios circuitos equivalentes disponibles para un transformador.

Consideramos uno de estos que es más útil para analizar los circuitos de
comunicación. Este circuito equivalente se ilustra en la figura 5.12. Las
siguientes ecuaciones para tensiones y corrientes fasoriales se pueden
formular utilizando las notaciones indicadas en la figura.
Figura 5.12 Modelo equivalente del circuito acoplado
por transformador que se muestra en la Figura 5.11.
y

Si el circuito que se muestra en la Figura 5.12 es equivalente al que se

muestra en la Figura 5.11, estas dos ecuaciones representan los mismos
voltajes que los de (5.3.1) y (5.3.2).
Por eso,

En otras palabras,
y

donde κ se llama coeficiente de acoplamiento. Es cercano a la unidad para un

transformador estrechamente acoplado y cercano a cero para un bajo
acoplamiento.

Ejemplo 5.3: Se utiliza un transformador estrechamente acoplado en el

circuito que se muestra en la Figura 5.13. Las inductancias de sus lados
primario y secundario son 320 y 20 nH, respectivamente. Encuentre el circuito
equivalente, la frecuencia de resonancia y la Q de este circuito.
Figura 5.13 Circuito resonante acoplado a transformador.
Figura 5.14 Modelo equivalente del circuito acoplado
por transformador que se muestra en la Figura 5.13.
SOLUCIÓN
Dado que el transformador está estrechamente acoplado, κ ≈ 1. Por lo
tanto, ξ ≈1, 1 − ξ ≈ 0, y su circuito equivalente se simplifica como se
muestra en la Figura 5.14. De (5.3.10),

y de (5.3.5),
Por lo tanto:
Ejemplo 5.4 En la figura 5.15 se muestra un circuito acoplado por
transformador. Dibuje su circuito equivalente utilizando un transformador
ideal.
(a) Si el transformador está sintonizado sólo en su lado secundario (es decir,
se eliminan R1 y C1), determine su frecuencia de resonancia y su
impedancia vista por la fuente de corriente.
(b) Determine la función de transferencia de corriente (I0/Is) para todo el
circuito (es decir, R1 y C1 están incluidos en el circuito). Si el transformador
está débilmente acoplado y ambos lados tienen factores de calidad y
frecuencias de resonancia idénticos, determine las ubicaciones de los polos
de la función de transferencia de corriente en el plano ω complejo.
Figura 5.15 Circuito acoplado por transformador de doble sintonización.
SOLUCIÓN Siguiendo el análisis anterior y la Figura 5.12, se puede dibujar
fácilmente el circuito equivalente, como se muestra en la Figura 5.16.
Usando notaciones como se indica en la figura, los voltajes y corrientes del
circuito se pueden encontrar de la siguiente manera:
Figura 5.16 Representación equivalente del circuito
mostrado en la Figura 5.15.
De (5.3.12), (5.3.13) y (5.3.10), encontramos que

Cuando R1 y C1 están ausentes, I1 será igual a Is y (5.3.15) representará las

características de transferencia actuales. Esta ecuación es similar a (5.2.2).
Por tanto, la frecuencia de resonancia se encuentra de la siguiente manera:
Tenga en cuenta que la frecuencia de resonancia en este caso depende
sólo de L2 y C2. Es independiente de la inductancia L1 del lado primario.
La impedancia vista por la fuente de corriente, con R1 y C1 eliminados, se
determina de la siguiente manera:

En resonancia,
y si el transformador está estrechamente acoplado, ξ ≈ 1,

Cuando R1 y C1 están incluidos en el circuito, se pueden resolver (5.3.12) a

(5.3.14) para obtener una relación entre Io e Is. La función de transferencia
de corriente deseada se puede obtener como
Tenga en cuenta que el denominador de esta ecuación ahora es un
polinomio de cuarto grado. Por tanto, esta relación de corriente tiene cuatro
polos en el plano ω complejo. Si el transformador está débilmente acoplado,
ξ será insignificante. En ese caso, el denominador de (5.3.20) se puede
aproximar de la siguiente manera:

Para ω1 = ω2 = ω0, y Q1 = Q2 = Q0,

Por tanto, (5.3.21) puede escribirse como

Los polos de (5.3.22) se determinan resolviendo la ecuación

Se encuentra que las raíces de esta ecuación son

Transformadores sintonizados simples
La fig. 4-20a muestra el esquema de un amplificador sintonizado simple
con acoplamiento inductivo. Esta configuración se llama de primario no
sintonizado-secundario sintonizado. El lado primario de T1 es sólo la
inductancia del devanado primario, mientras que hay un capacitor en
paralelo con el devanado secundario, y se forma un secundario
sintonizado. Los devanados del transformador no tienen tomas, porque
el efecto de carga del FET es insignificante.

La fig. 4-20b es la curva de respuesta de un transformador con primario

no sintonizado y secundario sintonizado. Es aumenta con la frecuencia
hasta que se llega a la frecuencia de resonancia del secundario, fo; en
adelante, Es comienza a disminuir al aumentar la frecuencia.
El máximo de la curva de respuesta en la frecuencia de resonancia se debe a
la impedancia reflejada. La impedancia del secundario se regresa al
primario, debido a la inductancia mutua entre los dos devanados. Para
frecuencias menores que la de resonancia, el aumento de M es mayor que la
disminución de Ip, y en consecuencia Es aumenta. Para frecuencias mayores
que la de resonancia, el aumento en M es menor que la disminución en Ip y
por consiguiente disminuye Es.

La fig. 4-20c muestra el efecto del acoplamiento sobre la curva de respuesta

de un transformador de primario no sintonizado y secundario sintonizado.
Con acoplamiento débil (bajo coeficiente de acoplamiento), el voltaje del
secundario es relativamente bajo, y el ancho de banda es reducido.
FIGURA 4-20 Transformador sintonizado simple: (a) diagrama; (b) curva de
respuesta; (c) efectos del acoplamiento; (d) primario sintonizado-secundario
no sintonizado
Al aumentar el grado de acoplamiento (aumenta el coeficiente de
acoplamiento), el voltaje inducido en el secundario aumenta y el ancho de
banda se amplía. Por lo anterior, para tener una selectividad alta, se desea
un acoplamiento débil; sin embargo, se sacrifica la amplitud de la señal.
Para una alta ganancia y un amplio ancho de banda, es necesario el
acoplamiento fuerte.

Otra configuración de amplificador sintonizado simple (de sintonía simple)

es la de primario sintonizado y secundario no sintonizado, que se ve en la
fig. 4-20d.
Transformadores de doble sintonía.
La fig. 4-21a muestra el esquema de un amplificador de acoplamiento
inductivo y doble sintonía, o doble resonancia. Esta configuración se llama
de primario sintonizado y secundario sintonizado, porque los devanados del
primario y del secundario del transformador T1 son circuitos tanque
sintonizados. La fig. 4-21b muestra el efecto del acoplamiento sobre la
curva de respuesta de un transformador de acoplamiento inductivo y doble
sintonía.
Esta curva se parece mucho a la de un circuito sintonizado simple para
valores de acoplamiento menores al de acoplamiento crítico, kc. El
acoplamiento crítico es el punto en el que la resistencia reflejada es igual a
la del primario, y la Q del circuito tanque primario disminuye a la mitad y el
ancho de banda sube al doble.
Si aumenta el coeficiente de acoplamiento más allá del punto crítico,
disminuye la respuesta en la frecuencia de resonancia, y se presentan dos
nuevos máximos, uno en cada lado de la frecuencia de resonancia. Este
doble máximo se debe al elemento reactivo de la impedancia reflejada,
que tiene la importancia suficiente como para cambiar la frecuencia de
resonancia del circuito primario sintonizado.

Si el coeficiente de acoplamiento aumenta más, la baja en la resonancia se

hace más pronunciada, y los dos máximos se apartan todavía más de la
frecuencia de resonancia. Al aumentar el acoplamiento fuera del valor
crítico se amplía la banda, pero al mismo tiempo se forma una ondulación
en la curva de respuesta.
FIGURA 4-21 Transformador sintonizado doble: (a)
diagrama; (b) curva de respuesta
Una curva de respuesta ideal tiene una forma rectangular: con meseta
plana y faldas verticales. Se puede ver en la fig. 4-21b que con un
coeficiente de acoplamiento más o menos 50% mayor que el valor crítico
proporciona un buen balance entre la respuesta plana y las faldas
verticales. Ese valor de acoplamiento se llama acoplamiento óptimo, kopt, y
se define como sigue
Reducción de ancho de banda.
Cuando se conectan en cascada varios amplificadores sintonizados, la
respuesta total es igual al producto de las frecuencias individuales de los
amplificadores. La fig. 4-22a muestra la curva de respuesta de un
amplificador sintonizado.

La ganancia a f1 y f2 es 0.707 de la ganancia a fo. Si se conectan en

cascada dos amplificadores sintonizados idénticos, la ganancia a f1 y f2
se reduce a 0.5 (=0.707 x 0.707), y si se conectan en cascada tres
amplificadores sintonizados idénticos, la ganancia a f1 y f2 baja a 0.353.
En consecuencia, al agregar más amplificadores, la curva general de
respuesta se angosta y se reduce el ancho de banda.
Esta reducción de ancho de banda se ve en las figs. 4-22b y c. El ancho de
banda general con n etapas de sintonía simple es
FIGURA 4-22 Reducción de ancho de banda: (a) etapa de
sintonizado simple; (b) dos etapas en cascada; (c) tres etapas
en cascada
Ejemplo 4-7 Calcular el ancho de banda general para: (a) Dos
amplificadores de sintonía simple, cada uno con 10 kHz de ancho de
banda. (b) Tres amplificadores de sintonía simple, cada uno con 10 kHz de
ancho de banda. (c) Cuatro amplificadores de sintonía simple, cada uno
con 10 kHz de ancho de banda. (d) Un amplificador de doble sintonía con
acoplamiento óptimo, acoplamiento crítico de 0.02 y frecuencia de
resonancia de 1 MHz. (e) Repetir las partes a), b) y c) para el amplificador
de doble sintonía de la parte d)
Transformador doblemente equilibrado
Otro circuito de adaptación utilizado, pero de más complejidad, es el
transformador doblemente equilibrado, como el que se observa en la figura 3.
Supongamos que los circuitos primario (izquierda) y secundario (derecha) son
iguales.

Figura 3. Circuito transformador doblemente equilibrado

El transformador doblemente equilibrado es un circuito que se ha utilizado
mucho en frecuencias intermedias (F.I.). Tiene un ancho de banda más
grande y ajustable a partir de dos parámetros:
• el coeficiente de acoplamiento (k), que se define de la manera siguiente
(M es la inductancia mutua):

Inductancia mutua
La inductancia mutua (M) relaciona el voltaje inducido en el bobinado
secundario según la corriente en el bobinado primario del transformador. El
valor que tiene depende del número de vueltas del bobinado.
Figura 4. Respuesta en frecuencia según el coeficiente de acoplamiento (k)
• el coeficiente de acoplamiento crítico (kc) para la máxima transferencia de
potencia, por el cual se consigue un máximo en la frecuencia central:

En el gráfico de la figura 4 observamos la respuesta en frecuencia para

diferentes tipos de acoplamientos.
Observamos que si k > kc hay sobreacoplamiento y se produce un rizado dado
por la expresión que nos relaciona la ganancia máxima, Avm, con la ganancia a
la frecuencia central, Avo, tal como sigue:
ADAPTACION DE IMPEDANCIA
INTRODUCCION:
Los circuitos de adaptación de impedancias nos permiten solucionar un
problema habitual de los circuitos de alta frecuencia, que es la necesidad de
adaptar subsistemas de impedancia de salida baja con subsistemas con una
elevada impedancia de entrada, como es la conexión de una antena a una
etapa de amplificación.

Por otro lado, para hacer una adaptación correcta también hay que
seleccionar correctamente la banda de frecuencias de trabajo.
OBJETIVOS DE LA ADAPTACIÓN DE IMPEDANCIA
En radiocomunicaciones, lo que se pretende es transferir la máxima potencia
de una fuente de tensión VE, con una resistencia interna RG, a una carga de
valor RL.
El esquema simplificado de la figura 9.1 resume el enunciado del problema.
La tensión Vs en los bornes de la carga RL vale:

La potencia Ps suministrada a la carga RL vale:

Se pretende entonces hallar la relación entre RL y RG, tal que la potencia

sea máxima:
Cuando, la potencia Ps es máxima. Esta condición equivale a

la relación bien conocida RG =RL.

Cuando la resistencia de carga RL es igual a la resistencia interna del

generador RG, el circuito está adaptado en potencia. La potencia Ps
suministrada a la carga es máxima y vale:

Conviene destacar que este resultado no es idéntico al que se obtendría

si se buscara la máxima transferencia de tensión. El máximo de la función
de transferencia Vs/VE se obtiene cuando RG =0.
En el caso simple de la figura 9.1, las impedancias RG y RL son resistencias
puras. Ciertamente, puede darse este hecho concreto, pero no suele ser un
caso real muy frecuente. Generalmente, las impedancias ZG y ZL son
impedancias complejas.
Una impedancia compleja Z puede expresarse de la siguiente forma:

La impedancia se pone en forma de relación de dos polinomios función de p

=jω. La impedancia Z(p) está constituida por un número cualquiera de
elementos pasivos elementales, resistencias, bobinas y condensadores. Los
grados de los polinomios N(p) y D(p) difieren en 1, como máximo.
Redes de adaptación de impedancia
Las redes coincidentes que conectan una etapa con otra son partes muy
importantes de cualquier transmisor. En un transmisor típico, el oscilador genera
la señal portadora básica, que luego se amplifica, generalmente en varias
etapas, antes de que llegue a la antena.

Dado que la idea es aumentar la potencia de la señal, los circuitos de

acoplamiento entre etapas deben permitir una transferencia de potencia eficiente
de una etapa a la siguiente. Finalmente, se deben proporcionar algunos medios
para conectar la etapa final del amplificador a la antena, nuevamente con el
propósito de transferir la máxima cantidad de energía posible.

Los circuitos utilizados para conectar una etapa a otra se conocen como redes
de adaptación de impedancia. En la mayoría de los casos, son circuitos LC,
transformadores o alguna combinación.
La función básica de una red de coincidencia (o adaptacion) es proporcionar
una transferencia óptima de energía a través de técnicas de adaptación de
impedancia.

Las redes de adaptación también proporcionan filtrado y selectividad. Los

transmisores están diseñados para operar en una sola frecuencia o en
rangos estrechos de frecuencias seleccionables. Las diversas etapas del
amplificador en el transmisor deben confinar la RF generada a estas
frecuencias.

En los amplificadores de clase C, D y E se genera un número considerable

de armónicos de gran amplitud. Estos deben eliminarse para evitar la
radiación espuria del transmisor. Las redes de adaptación de impedancias
utilizadas para el acoplamiento entre etapas logran esto.
Figura 8-37 Adaptación de impedancia en circuitos de RF.
El problema básico del acoplamiento se ilustra en la figura 8-37(a). La etapa
de conducción aparece como una fuente de señal con una impedancia interna
de Zi. La etapa que se acciona representa una carga para el generador con su
resistencia interna de Zl. Idealmente, Zi y Zl son resistivos.

Recordar que la máxima transferencia de potencia en los circuitos de cd tiene

lugar cuando Zi es igual a Zl. Esta relación básica también es esencialmente
cierta en los circuitos de RF, pero es una relación mucho más compleja. En
circuitos de RF, Zi y Zl rara vez son puramente resistivos y, de hecho,
generalmente incluyen un componente reactivo de algún tipo.

Además, no siempre es necesario transferir la máxima potencia de una etapa

a la siguiente. El objetivo es transferir una cantidad suficiente de energía a la
siguiente etapa para que pueda proporcionar el máximo rendimiento del que
es capaz.
En la mayoría de los casos, las dos impedancias implicadas son
considerablemente diferentes entre sí y, por lo tanto, se produce una
transferencia de potencia muy ineficiente.

Para superar este problema, se introduce una red de adaptación de

impedancias entre los dos, como se ilustra en la figura 8-37(b). Hay tres tipos
básicos de redes de adaptación de impedancia LC:
• la red L,
• la red T
• y la red π.
Redes
Las redes en L constan de un inductor y un capacitor conectados en varias
configuraciones en forma de L, como se muestra en la figura 8-38. Los
circuitos de la figura 8-38(a) y (b) son filtros de paso bajo; los de la figura 8-
38(c) y (d) son filtros de paso alto. Por lo general, se prefieren las redes de
paso bajo para filtrar las frecuencias armónicas.

La red de adaptación L está diseñada para que la impedancia de carga

coincida (adapte) con la impedancia de la fuente. Por ejemplo, la red de la
figura 8-38(a) hace que la resistencia de carga parezca mayor de lo que
realmente es. La resistencia de carga ZL aparece en serie con el inductor de
la red L. El inductor y el capacitor se eligen para resonar a la frecuencia del
transmisor.
Figura 8-38 Cuatro redes de adaptación de impedancia tipo L.
(a) ZL, Zi. (b) ZL. Zi. (c) ZL, Zi. (d) ZL. Zi.
Cuando el circuito está en resonancia, XL es igual a XC. Para la impedancia
del generador Zi, el circuito completo aparece como un circuito resonante
paralelo.

En resonancia, la impedancia representada por el circuito es muy alta. El valor

actual de la impedancia depende de los valores de L y C y de la Q del circuito.
Cuanto mayor sea la Q, mayor será la impedancia. La Q en este circuito está
determinada básicamente por el valor de la impedancia de carga.

Mediante la selección adecuada de los valores del circuito, se puede hacer que
la impedancia de carga aparezca como cualquier valor deseado para la
impedancia de la fuente siempre que Zi sea mayor que ZL.
Al utilizar la red L que se muestra en la figura 8-39(b), la impedancia se
puede reducir o hacer que parezca mucho más pequeña de lo que
realmente es. Con esta disposición, el condensador se conecta en paralelo
a la impedancia de carga.

La combinación en paralelo de C y ZL tiene una combinación RC en serie

equivalente. Tanto C como ZL aparecen como valores de serie equivalentes
Ceq y Zeq. El resultado es que la red general aparece como un circuito
resonante en serie, con Ceq y L resonantes.

Recuerde que un circuito resonante en serie tiene una impedancia muy

baja en resonancia. La impedancia es, de hecho, la impedancia de carga
equivalente Zeq, que es resistiva.
Figura 8-39 Las ecuaciones de diseño de la red L.
Las ecuaciones de diseño para redes L se dan en la figura 8-39. Suponiendo
que la fuente interna y las impedancias de carga son resistivas, Zi = Ri y ZL =
RL. La red de la figura 8-39(a) asume RL < Ri, y la red de la figura 8-39(b)
asume Ri < RL.

Ejercicio: Suponga que deseamos la adaptacion de la impedancia de un

amplificador de transistor de 6 Ω con una carga de antena de 50 Ω a 155 MHz.
En este caso, Ri < RL, por lo que usamos las fórmulas de la figura 8-39 (b).
Para encontrar los valores de L y C a 155 MHz, reorganizamos las
fórmulas básicas de reactancia de la siguiente manera:
En la mayoría de los casos, las reactancias internas y dispersas hacen que la
impedancia interna y las impedancias de carga sean complejas, en lugar de
puramente resistivas.

La figura 8-40 muestra un ejemplo usando las figuras dadas arriba. Aquí la
resistencia interna es de 6 Ω, pero incluye una inductancia interna Li de 8 nH.
Hay una capacitancia parásita CL de 8.65 pF a través de la carga.

La forma de lidiar con estas reactancias es simplemente combinarlas con los

valores de la red L.
En el ejemplo anterior, el cálculo requiere una inductancia de 16,7 nH. Dado
que la inductancia parásita está en serie con la inductancia de red L en la
figura 8-40, los valores se sumarán.
Como resultado, la inductancia de la red L debe ser menor que el valor
calculado en una cantidad igual a la inductancia parásita de 8 nH, o L = 16,7
- 8 = 8,7 nH. Si se hace que la inductancia de la red L sea de 8,7 nH, la
inductancia total del circuito será correcta cuando se suma a la inductancia
parásita.
Algo similar ocurre con la capacitancia. Los cálculos del circuito anteriores
requieren un total de 55,65 pF. La capacitancia de red L y la capacitancia
parásita se suman, porque están en paralelo.

Por lo tanto, la capacitancia de la red L puede ser menor que el valor

calculado por la cantidad de capacitancia parásita, o C = 55,65 - 8,65 = 47
pF. Hacer que la capacitancia de la red L sea 47 pF da la capacitancia
correcta total cuando se suma a la capacitancia parásita.
Figura 8-40 Incorporación de reactancias internas y dispersas en una red de adaptación.
Ejercicio: Consideremos que se desea acoplar la impedancia de 5Ω de un
amplificador de transistor a una carga de antena de 50Ω a 120 MHz. En este
caso, Ri < RI, por lo que se usan las fórmulas de la figura 11-3b).

Figura 11-3 Ecuaciones de diseño para una red L.

La figura 11-3 presenta las ecuaciones de diseño para redes L. Se supone
que la impedancia de la fuente interna y la de la carga son resistivas, donde
Zi = Ri y Z1 = R1. En la red de la figura 11-3a) se considera que RL < Ri
mientras que en la red de la figura 11-3b) se supone que Ri < RL.
Para encontrar los valores de L y C a 120 MHz, se reordenan las fórmulas
básicas de la reactancia

XL= 15 Ω
XC= 16.67 Ω
En la mayoría de los casos, la impedancia interna y las impedancias de
carga no son puramente resistivas.
Las reactancias interna y parásitas hacen complejas las impedancias. La
figura 11-4 presenta un ejemplo.
Aquí la resistencia interna es de 5Ω, pero incluye una inductancia interna Li
de 8 nH. Hay asimismo una capacitancia parásita CI de 12 pF en la carga.
Para tratar estas reactancias basta combinarlas con los valores de la red L.
En el ejemplo anterior, el cálculo requiere una inductancia de 20 nH. Puesto
que en la figura 11-4 la inductancia parásita está en serie con la inductancia
de la red L, es obvio que los valores se sumarán.
Por ello, la inductancia de la red L puede ser menor que el valor calculado
con una cantidad igual a la inductancia parásita de 8 nH.
Figura 11-4 Incorporación de las reactancias interna y parásita a la red de acoplamiento.
L = 20 - 8 = 12 nH
Al hacer la inductancia de la red L igual a 12 nH, la inductancia total de
circuito se corregirá cuando se sume a la inductancia parásita.

Algo similar ocurre con la capacitancia. Los cálculos del circuito anterior
requieren en total 80 pF. La capacitancia de la red L y la capacitancia
parásita se sumarán, ya que están en paralelo. Por lo tanto, la capacitancia
de la red L puede ser menor que el valor calculado con la cantidad de la
capacitancia parásita, es decir
C = 80 — 12 = 68 pF
Al hacer la capacitancia de la red L igual a 68 pF, la capacitancia total
correcta se obtiene cuando se suma a la capacitancia parásita.
Redes T y π
Cuando uno está diseñando redes L, hay muy poco control sobre la Q del
circuito, que está determinada por los valores de las impedancias interna y
de la carga y puede que no siempre sea lo que se necesita para lograr la
selectividad deseada.

Para superar este problema, se pueden utilizar redes coincidentes que

utilizan tres elementos reactivos. Las tres redes de adaptación de
impedancia más utilizadas que contienen tres componentes reactivos se
ilustran en la figura 8-41.

La red de la figura 8-41(a) se conoce como red π porque su configuración

se asemeja a la letra griega π. El circuito de la figura 8-41(b) se conoce
como red en T porque los elementos del circuito se parecen a la letra T.
Figura 8-41 Redes coincidentes de tres elementos. (a) red π. (b) Red en T. (c) Red T de dos
capacitores.
El circuito de la figura 8-41(c) también es una red en T, pero utiliza dos
capacitores. Tenga en cuenta que todos son filtros de paso bajo que
proporcionan la máxima atenuación de armónicos. Las redes π y T se pueden
diseñar para aumentar o reducir la impedancia según lo requiera el circuito.

Los condensadores generalmente se hacen variables para que el circuito pueda

sintonizarse en resonancia y ajustarse para obtener la máxima potencia de
salida.

El más utilizado de estos circuitos es la red en T de la figura 8-41(c). A menudo

llamada red LCC, se utiliza para igualar la baja impedancia de salida de un
transistor de amplificador de potencia a la mayor impedancia de otro
amplificador o una antena.
El proceso de diseño y las fórmulas se dan en la figura 8-42. Suponga una vez
más que una fuente Ri de 6 Ω es adaptada con una carga RL de 50 Ω a 155
MHz. Suponga un Q de 10.

(Para la operación de clase C, donde se deben atenuar muchos armónicos, se

ha determinado en la práctica que un Q de 10 es el mínimo absoluto necesario
para la supresión satisfactoria de los armónicos). Para configurar la red LCC,
primero se calcula la inductancia:
A continuación, C2 es calculado:

Finalmente, C1 es calculado
Ejercicio: Utilizando el ejemplo anterior para acoplar una fuente Ri de 5 Ω a
una carga RI de 50 Ω a 120 MHz, se calculará la red LCC. Considere un Q de
10. Primero se calcula la inductancia.
XL=QRi =10(5)=50Ω

Después se obtiene el valor de Cl

Figura 11-5 Redes de acoplamiento de tres elementos
Por último, se calcula C2.
Acoplamiento de impedancias por transformador
Uno de los mejores dispositivos para acoplamiento de impedancias es el
transformador.

Recuerde que es muy común el uso de transformadores con núcleo de

hierro a frecuencias bajas para igualar (acoplar) una impedancia a otra. Es
posible hacer que una impedancia aparezca como la impedancia de carga
deseada si se selecciona el valor correcto de la relación de vueltas del
transformador.

Consideremos la figura 11-7. La relación entre la razón de espiras o de

vueltas y las impedancias de entrada y salida es
Lo que dice esta fórmula es que el cociente de la impedancia de entrada, Zi y
la impedancia de la carga, Zl es igual al cuadrado del cociente del número de
vueltas en el primario, Np, y el número de vueltas en el secundario, Ns.
Como ejemplo, para acoplar la impedancia de un generador de 5 ohm a una
impedancia de carga de 50 ohm, la razón o relación de vueltas sería

Figura 11-7 Acoplamiento de

impedancias con transformador con
núcleo de hierro.
Esta relación es válida sólo para transformadores con núcleo de hierro.
Cuando se usan transformadores con núcleo de aire, el acoplamiento entre
los devanados primario y secundario no es completo y, por consiguiente, la
relación de impedancia no es como se indica. Aun cuando los
transformadores de núcleo de aire son de uso generalizado en frecuencias de
RF, y pueden usarse para acoplar impedancias, son menos eficientes que los
transformadores con núcleo de hierro.

Se han creado tipos especiales de materiales para núcleos de esa clase, a fin
de usarlos en frecuencias muy altas. El material del núcleo es una ferrita o
hierro pulverizado. Tanto el devanado primario como el secundario se arrollan
en un núcleo de este material.
El núcleo para transformadores de RF de uso más común es el de forma
toroidal. Un toroide es, en geometría, un cuerpo de sección circular que tiene
la forma de dona. El toroide metálico se fabrica, en general, con un tipo
especial de hierro pulverizado. En el toroide se arrolla alambre de cobre para
conformar los devanados primario y secundario. Una configuración típica es
la que muestra la figura 11-8.

Figura 11-8 Transformador

toroidal
También se usan bobinados primarios con derivaciones para tener el
llamado autotransformador, que permite acoplar impedancias entre
etapas de RF. La figura 11-9 describe las configuraciones para aumentar y
reducir la impedancia. Por lo común se usan toroides.
A diferencia de los transformadores con núcleo de aire, los transformadores
toroidales hacen que el campo magnético que produce el devanado
primario esté por completo dentro del propio núcleo. Esto aporta varias
ventajas importantes.
Primera, un toroide no radiará energía de RF. Los inductores con núcleo de
aire radian porque el campo magnético que se produce alrededor del
devanado primario no está contenido fijamente. Los circuitos de los
transmisores y receptores que usan inductores con núcleo de aire deben
estar cubiertos por blindajes magnéticos para impedir que interfieran con
otros circuitos. El toroide, por otra parte, confina el campo magnético por
completo y, por lo tanto, no requiere blindajes.
Otro beneficio es que la mayor parte del campo magnético que produce el
devanado primario corta las vueltas del devanado secundario. Por ello, las
fórmulas básicas para relación de vueltas, voltajes de entrada-salida y las de
impedancia para transformadores de baja frecuencia estándares también se
aplican a los transformadores de alta frecuencia toroidales.

En la mayoría de los nuevos diseños de RF se usan transformadores con

núcleo de toroide para acoplar las impedancias de RF entre las etapas.
Además, en ocasiones los devanados primario y secundario se emplean como
inductores en circuitos sintonizados. De manera alternativa, también pueden
construirse inductores toroidales. Estos elementos tienen una ventaja sobre los
inductores con núcleo de aire para aplicaciones de RF, la cual consiste en que
la mayor permeabilidad magnética del núcleo hace que la inductancia sea alta.
Recuerde que cuando se inserta un núcleo de hierro en un arrollamiento de
alambre, la inductancia aumenta en forma notable. Para aplicaciones en RF,
ello significa que se pueden obtener valores deseados de inductancia
utilizando menos vueltas de alambre. El resultado es inductores de menor
tamaño. Además, un número menor de vueltas produce menos resistencia,
dando al inductor un Q más alto que el que es posible obtener con inductores
de núcleo de aire.

Los toroides de hierro pulverizado son tan efectivos que de hecho han
reemplazado a los inductores con núcleo de aire en la mayoría de los diseños
de transmisores modernos. Están disponibles en tamaños con diámetros
desde una fracción de pulgada hasta varias pulgadas. En la mayoría de las
aplicaciones se requiere un número mínimo de vueltas para crear la
inductancia deseada.
Figura 11-9 Acoplamiento de impedancias con un auto- transformador.
Figura 11-10 Utilización de transformadores toroidales para el acoplamiento e
igualación de impedancias en las etapas de un amplificador clase C.
La figura 11-10 muestra un transformador de tipo toroidal que se usa para el
acoplamiento entre etapas entre dos amplificadores clase C. El primario del
transformador de excitación se sintoniza a la resonancia con el capacitor C1.

El capacitor es ajustable, por lo que puede fijarse a la frecuencia de operación

exacta. La impedancia de salida más o menos alta del transistor se acopla a la
impedancia de entrada baja de la etapa siguiente clase C con un transformador
reductor que proporciona los efectos de acoplamiento de impedancia deseados.

En general, el secundario tiene sólo unas cuantas vueltas de alambre y no se

sintoniza. El circuito de la figura 11-10 también muestra un transformador similar
al que se usa para acoplar la salida con la antena.
Balunes para acoplamiento de impedancias
Un balun es un transformador de línea de transmisión conectado para realizar
el acoplamiento de impedancias en un amplio intervalo de frecuencias. La
figura 11-11 muestra una de las configuraciones más utilizada. Este
transformador suele estar arrollado en un toroide, y los números de vueltas de
los devanados primario y secundario son iguales, originando así una relación
de vueltas de 1:1 y una relación de acoplamiento de impedancias de 1:1. Los
puntos indican la fase de los devanados.

Observe la manera inusual en que se conectan los devanados (bobinados). A

un transformador conectado de este modo se le llama "balun", término que se
deriva de las primeras letras de las palabras en inglés BALanced y
UNbalanced que corresponden a "balanceado y "no balanceado",
respectivamente ya que estos transformadores por lo común se usan para
conectar una fuente balanceada con una carga no balanceada, o viceversa.
En el circuito de la figura 11-11a), un generador balanceado se conecta a una
carga (conectada a tierra) no balanceada. En b), un generador (conectado a
tierra) no balanceado puede conectarse a una carga balanceada.

La figura 11-12 ilustra cómo usar un balun con relación de vueltas 1:1 para
acoplamiento de impedancias. Con la configuración que se muestra en a) se
obtiene un aumento de impedancia. Una impedancia de carga de cuatro
veces la impedancia de la fuente Zi proporciona el acoplamiento correcto. El
balun hace que la carga "parezca" de Z1/4 para acoplarse a Zi. En la figura
11-12b) se indica cómo obtener una reducción de impedancia. El balun hace
que la carga Zl "parezca" igual a 4Zi.
Figura 11-11 Transformadores balun utilizados para conectar
cargas o generadores balanceados y no balanceados
Existen muchas otras configuraciones de balunes con diferentes relaciones
de impedancia. Es posible interconectar varios balunes comunes 1:1 para
obtener razones de transformación de impedancia de 9:1 y 16:1. Además,
los balunes también pueden conectarse en cascada de modo que la salida
de uno aparezca como la entrada de otro, en forma sucesiva. Al conectar los
balunes en cascada, las impedancias pueden aumentar o disminuir según
relaciones mayores.

Un punto importante que cabe destacar es que los devanados de un balun

no se hacen resonar a una frecuencia particular con capacitores. Por lo
tanto, operan en un amplio intervalo de frecuencias. Las inductancias de los
devanados se hacen tales que las reactancias de los inductores son cuatro
o más veces superiores a la impedancia más alta que se está acoplando.
De esta manera, el transformador proporcionará el acoplamiento de
impedancia designada en un gran intervalo de frecuencias.
Esta característica de banda ancha de los transformadores tipo balun
permite a los diseñadores crear amplificadores de potencia de RF de banda
ancha. Estos dispositivos proporcionan una magnitud específica de
amplificación de potencia en un ancho de banda extenso y se prefieren en
particular en equipo de comunicaciones que debe operar en más de un
intervalo de frecuencias.

En vez de tener un transmisor para cada banda deseada, se puede usar un

solo transmisor. Cuando se emplean amplificadores sintonizados
convencionales, es necesario proporcionar un método para conmutar al
circuito sintonizado correcto. Estas redes de conmutación son complejas y
costosas, además, de que introducen problemas, en particular en
frecuencias altas.
Para hacer su acción eficaz, los interruptores se deben localizar muy cerca de los
circuitos sintonizados para que no se introduzcan inductancias y capacitancias
parásitas por el interruptor y los conductores de interconexión.

Una forma de resolver el problema de conmutación consiste simplemente en usar

un amplificador de banda ancha. No se necesita conmutación ni sintonización. El
amplificador de banda ancha proporciona amplificación y el acoplamiento de
impedancia necesarios.

El problema principal con el amplificador de banda ancha es que no proporciona

el filtrado necesario para deshacerse de las armónicas. Un medio para solucionar
este problema es generar la frecuencia deseada a un nivel de potencia más bajo,
dejando que circuitos sintonizados eliminen las armónicas, y proporcionando la
amplificación de potencia final con el circuito de banda ancha.
El amplificador de potencia de banda ancha opera como amplificador lineal
clase A o clase B en push-pull, por lo que el contenido inherente de armónicas
de la salida es muy bajo.

La figura 11-13 muestra un amplificador lineal de banda ancha típico. Observe

que dos transformadores balun 4:1 se conectan en cascada en la entrada para
que la baja impedancia de entrada en la base aparezca como una impedancia
16 veces más alta que la de entrada. La salida usa un balun 1:4 que aumenta
la muy baja impedancia de salida del amplificador final, a una impedancia
cuatro veces mayor para igualar la impedancia de carga de la antena. En
algunos transmisores, los amplificadores de banda ancha pueden estar
seguidos de filtros pasabajos o filtros Pi.
Figura 11-13 Amplificador de potencia lineal clase A de
banda ancha
EJERCICIOS RESUELTOS ADAPTACION DE IMPEDANCIAS
REDES DE DOS PUERTOS
Con frecuencia se necesitan circuitos electrónicos para procesar una señal
eléctrica determinada y extraer la información o características deseadas.
Esto incluye aumentar la intensidad de una señal débil o filtrar ciertas
bandas de frecuencia, etc.

La mayoría de estos circuitos se pueden modelar como una caja negra que
contiene una red lineal que comprende resistencias, inductores,
condensadores y fuentes dependientes. Por tanto, puede incluir
dispositivos electrónicos pero no fuentes independientes.

Además, dispone de cuatro terminales, dos de entrada y otros dos de

salida de la señal. Es posible que haya algunos terminales más para
suministrar el voltaje de polarización a los dispositivos electrónicos.
Sin embargo, estas condiciones de sesgo están implícitas en fuentes
dependientes equivalentes. Por tanto, una gran clase de circuitos
electrónicos pueden modelarse como redes de dos puertos. Los
parámetros de los dos puertos describen completamente su
comportamiento en términos de voltaje y corriente en cada puerto. Estos
parámetros simplifican la descripción de su funcionamiento cuando la red
de dos puertos está conectada a un sistema más grande.

La Figura 7.1 muestra una red de dos puertos junto con los voltajes y
corrientes apropiados en sus terminales. A veces, el puerto 1 se denomina
entrada, mientras que el puerto 2 es el puerto de salida. Habitualmente se
supone que el terminal superior es positivo con respecto al inferior en cada
lado. Además, las corrientes ingresan a los terminales positivos de cada
puerto.
Figura 8.1: Red de dos puertos
Dado que la red lineal no contiene fuentes independientes, las mismas
corrientes salen de los respectivos terminales negativos. Hay varias formas
de caracterizar esta red.

Algunos de estos parámetros y las relaciones entre ellos se presentan en

este capítulo, incluidos los parámetros de impedancia, los parámetros de
admitancia, los parámetros híbridos y los parámetros de transmisión. Los
parámetros de dispersión se introducen más adelante en el capítulo para
caracterizar los circuitos de microondas y de alta frecuencia.
PARÁMETROS DE IMPEDANCIA
Considere la red de dos puertos que se muestra en la Figura 7.1. Como la
red es lineal, se puede aplicar el principio de superposición. Suponiendo
que no contiene fuentes independientes, el voltaje V1 en el puerto 1 se
puede expresar en términos de dos corrientes de la siguiente manera:

Dado que V1 está en voltios y I1 e I2 en amperios, los parámetros Z11 y

Z12 deben estar en ohmios. Por lo tanto, estos se denominan parámetros
de impedancia. De manera similar, podemos escribir V2 en términos de I1
e I2 de la siguiente manera:
Usando la representación matricial, podemos escribir

donde [Z] se denomina matriz de impedancia de una red de dos puertos. Si

el puerto 2 de esta red se deja abierto, I2 será cero. En esta condición,
(7.1.1) y (7.1.2) dan
 y

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 mientras el

puerto 1 está en circuito abierto, encontramos que
y

Las ecuaciones (7.1.5) a (7.1.8) definen los parámetros de impedancia de

una red de dos puertos.
Ejemplo 7.1: Encuentre parámetros de impedancia para la red de dos
puertos que se muestra aquí.

Si I2 es cero, entonces V1 y V2 se pueden encontrar según la ley de Ohm

como 6 I1. Por tanto, de (7.1.5) y (7.1.6),
y

De manera similar, cuando la fuente está conectada en el puerto 2 y el

puerto 1 tiene un circuito abierto, encontramos que
Por tanto, de (7.1.7) y (7.1.8),

Por lo tanto
Ejemplo 7.2: Encuentre los parámetros de impedancia de la red de dos
puertos que se muestra aquí.

Como antes, supongamos que la fuente está conectada en el puerto 1

mientras el puerto 2 está abierto. En esta condición, V1 =12 I1 y V2 = 0.
Por lo tanto,
 y

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 mientras el

puerto 1 tiene un circuito abierto, encontramos que

Por tanto, de (7.1.7) y (7.1.8),

y
Por lo tanto,

Ejemplo 7.3: Encuentre parámetros de impedancia para la red de dos

puertos que se muestra aquí.
Suponiendo que la fuente está conectada en el puerto 1 mientras el puerto
2 está abierto, encontramos que,

Tenga en cuenta que no fluye corriente a través de una resistencia 3 Ω

porque el puerto 2 está abierto. Por lo tanto,

De manera similar, con una fuente en el puerto 2 y el puerto 1 en circuito

abierto,​
Esta vez, no fluye corriente a través de una resistencia de 12 Ω porque el
puerto 1 está abierto. Por tanto, de (7.1.7) y (7.1.8),

Por lo tanto,
Un análisis de los resultados obtenidos en los Ejemplos 7.1, 7.3 indica
que Z12 y Z21 son iguales para los tres circuitos. De hecho, es una
característica inherente a estas redes. Se mantendrá para cualquier
circuito recíproco. Si un circuito dado es simétrico, entonces Z11 también
será igual a Z22.

Además, los parámetros de impedancia obtenidos en el Ejemplo 7.3 son

iguales a la suma de los resultados correspondientes encontrados en los
Ejemplos 7.1 y 7.2. Esto sucede porque si los circuitos de estos dos
ejemplos se conectan en serie terminamos con el circuito del ejemplo 7.3.
Está ilustrado aquí.
Ejemplo 7.4: Encuentre los parámetros de impedancia para
una red de líneas de transmisión que se muestra aquí
PARÁMETROS DE ADMITANCIA
Consideremos nuevamente la red de dos puertos que se muestra en la
Figura 7.1. Como la red es lineal, se puede aplicar el principio de
superposición. Suponiendo que no contiene fuentes independientes, la
corriente I1 en el puerto 1 se puede expresar en términos de dos voltajes
de la siguiente manera:

Como I1 está en amperios y V1 y V2 están en voltios, los parámetros Y11 e

Y12 deben estar en siemens. Por lo tanto, estos se denominan parámetros
de admitancia. De manera similar, podemos escribir I2 en términos de V1
y V2 de la siguiente manera:
Usando la representación matricial, podemos escribir

donde [Y] se denomina matriz de admitancia de la red de dos puertos. Si

el puerto 2 de esta red tiene un cortocircuito, entonces V2 será cero. En
esta condición, (7.2.1) y (7.2.2) dan
y

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 y un

cortocircuito en el puerto 1,

y
Las ecuaciones (7.2.5) a (7.2.8) definen los parámetros de admitancia de
una red de dos puertos.

Ejemplo 7.5: Encuentre los parámetros de admitancia del circuito que se

muestra aquí.

Si V2 es cero, entonces I1 es igual a 0,05 V1 e I2 es – 0,05 V1. Por lo tanto,

de (7.2.5) y (7.2.6),
y

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 y el puerto 1

que tiene un cortocircuito,

Por tanto, de (7.2.7) y (7.2.8),

Nuevamente encontramos que Y11 es igual a Y22 porque este circuito es
simétrico. De manera similar, Y12 es igual a Y21 porque es recíproco.
Ejemplo 7.6: Encuentre los parámetros de admitancia para la red de dos
puertos que se muestra aquí.
Suponiendo que una fuente está conectada en el puerto 1 mientras que el
puerto 2 tiene un cortocircuito, encuentra eso

y si el voltaje en 0.2 S es VN, entonces

Por tanto, de (7.2.5) y (7.2.6),

y
De manera similar, con una fuente en el puerto 2 y el puerto 1 que tiene
un cortocircuito,

y si el voltaje en 0.1 S es VM, entonces

Por lo tanto,
Por tanto, de (7.2.7) y (7.2.8),

Por lo tanto,
Como se esperaba, Y12 = Y21 pero Y11 ≠ Y22. Esto se debe a que el
circuito dado es recíproco pero no simétrico.
Ejemplo 7.7: Encuentre los parámetros de admitancia de la red de dos
puertos que se muestra aquí.
Suponiendo que una fuente está conectada en el puerto 1 mientras que el
puerto 2 tiene un cortocircuito, encuentra eso

y si la corriente a través de 0,05 S es IN, entonces

 La corriente a través de 0,1 S es I1 - IN = 0.0692V1. Utilizando la regla de
división actual, el IM actual hasta 0,2 S se calcula de la siguiente manera:

Por lo tanto, I2 = −(IN + IM) = −0,1115 V1 A. Ahora, de (8.2.5) y (8.2.6),

y
De manera similar, si una fuente en el puerto 2 y el puerto 1 tienen un
cortocircuito, la corriente I2 en el puerto 2 es​

y la corriente IN hasta 0,05 S se puede encontrar de la siguiente manera:

Figura 8.10 Circuito para el ejemplo 8.7.
La corriente a través de 0,2 S es I2 − IN = 0,0769 V2. Usando la regla de
división de corriente una vez más, el IM actual hasta 0,1 S se encuentra de
la siguiente manera:

Por lo tanto, I1 = −(IN + IM) = −0.1115 V2 A. Por lo tanto, de (8.2.7) y

(8.2.8),

y
Por lo tanto,

Como se esperaba, Y12 = Y21 pero Y11 ≠ Y22. Esto se debe a que el
circuito dado es recíproco pero no simétrico. Además, encontramos que
los parámetros de admitancia obtenidos en el ejemplo 8.7 son iguales a la
suma de los parámetros de impedancia correspondientes de los ejemplos
8.5 y 8.6. Esto se debe a que cuando los circuitos de estos dos ejemplos se
conectan en paralelo, terminamos con el circuito del ejemplo 8.7, que se
muestra en la figura 8.10.
PARÁMETROS HÍBRIDOS
Reconsidere la red de dos puertos de la Figura 8.1. Como la red es lineal, se
puede aplicar el principio de superposición. Suponiendo que no contiene
fuentes independientes, el voltaje V1 en el puerto 1 se puede expresar en
términos de corriente I1 en el puerto 1 y voltaje V2 en el puerto 2:

De manera similar, podemos escribir I2 en términos de I1 y V2:

Dado que V1 y V2 están en voltios mientras que I1 e I2 están en amperios,
el parámetro h11 debe estar en ohmios, h12 y h21 deben ser
adimensionales y h22 debe estar en siemens. Por lo tanto, estos se
denominan parámetros híbridos. Usando la representación matricial,
podemos escribir

Los parámetros híbridos son especialmente importantes en el análisis de

circuitos de transistores. Estos parámetros se determinan de la siguiente
manera. Si el puerto 2 tiene un cortocircuito, V2 será cero. En esta
condición, (8.3.1) y (8.3.2) dan
y

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 mientras el puerto 1 está
abierto,

y
Por lo tanto, los parámetros h11 y h21 representan la impedancia de
entrada y la ganancia de corriente directa, respectivamente, cuando hay un
cortocircuito en el puerto 2. De manera similar, h12 y h22 representan la
ganancia de voltaje inverso y la admitancia de salida, respectivamente,
cuando el puerto 1 tiene un puerto abierto. circuito.

Debido a esta combinación, se denominan parámetros híbridos. En el

análisis de circuitos de transistores, estos generalmente se denotan por hi,
hf, hr y h0, respectivamente.
Ejemplo 8.9: Encuentre los parámetros híbridos de la red de dos puertos
que se muestra en la Figura 8.12.
SOLUCIÓN
Con un cortocircuito en el puerto 2,
y usando la regla del divisor de corriente, encontramos que

Por lo tanto, de (8.3.4) y (8.3.5),

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 mientras el
puerto 1 tiene un circuito abierto,

porque no fluye corriente a través de una resistencia de 12. Por lo tanto,

de (8.3.6)y (8.3.7),
Así.
PARÁMETROS DE TRANSMISIÓN
Reconsidere la red de dos puertos de la Figura 8.1. Como la red es lineal,
se puede aplicar el principio de superposición. Suponiendo que no
contiene fuentes independientes, el voltaje V1 y la corriente I1 en el puerto
1 se pueden expresar en términos de la corriente I2 y el voltaje V2 en el
puerto 2 de la siguiente manera:

V1 = AV2 − BI2 (8.4.1)

De manera similar, podemos escribir I1 en términos de I2 y V2 de la

siguiente manera:

I1 = CV2 − DI2 (8.4.2)

Dado que V1 y V2 están en voltios mientras que I1 e I2 están en amperios,
los parámetros A y D deben ser adimensionales, B debe estar en ohmios y
C debe estar en siemens. Usando la representación matricial, (8.4.2) se
puede escribir de la siguiente manera:

Los parámetros de transmisión (también conocidos como elementos de

matriz de cadena) son especialmente importantes para el análisis de
circuitos conectados en cascada. Estos parámetros se determinan de la
siguiente manera. Si el puerto 2 tiene un cortocircuito, V2 será cero. Bajo
esta condición, (8.4.1) y (8.4.2) dan​
De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el
puerto 2 está abierto, encontramos que
Ejemplo 8.10 Determine los parámetros de transmisión de la red que se
muestra en la Figura 8.13.
SOLUCIÓN Con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el puerto 2
tiene un cortocircuito (de modo que V2 es cero),​

Figura 8.13 Red para el ejemplo 8.10

Por lo tanto, de (8.4.4) y (8.4.5),

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el

puerto 2 está abierto (de modo que I2 sea cero),

V2 = V1 y I1 = 0
Ahora, de (8.4.6) y (8.4.7),
 y

Por lo tanto, la matriz de transmisión de esta red es

Ejemplo 8.11 Determine los parámetros de transmisión de la red que se

muestra en la Figura 8.14.
SOLUCIÓN Con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el puerto 2
tiene un cortocircuito (de modo que V2 es cero),
 y

Figura 8.14 Red para el ejemplo 8.11

Por lo tanto, de (8.4.4) y (8.4.5),

Y
 De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el
puerto 2 está abierto (de modo que I2es cero),

Ahora, de (8.4.6) y (8.4.7),

Por lo tanto, la matriz de transmisión de esta red es

Ejemplo 8.12 Determine los parámetros de transmisión de la red que se
muestra en la Figura 8.15.

Figura 8.15 Red para el ejemplo 8.12

SOLUCIÓN: Con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el puerto 2
tiene un cortocircuito (de modo que V2 es cero), encontramos que

Por lo tanto, de (8.4.4) y (8.4.5),

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 1 mientras el
puerto 2 está abierto (de modo que I2 sea cero),

Ahora, de (8.4.6) y (8.4.7),

Por eso,
Parámetros S o Scattering (dispersión)
Se utilizan para describir el comportamiento eléctrico de redes eléctricas lineales cuando se
someten a varios estímulos de régimen permanente por pequeñas señales. Son miembros
de una familia de parámetros similares usados en ingeniería electrónica, siendo otros
ejemplos: Parámetros-Y, Parámetros-Z, Parámetros-H, Parámetros-T.

A pesar de ser aplicables a cualquier frecuencia, los parámetros-S son usados

principalmente para redes que operan en radiofrecuencia (RF) y frecuencias
de microondas, ya que representan parámetros que son de utilidad particular en RF.

En general, para redes prácticas los parámetros-S cambian con la frecuencia a la que se
miden, razón por la cual ésta debe especificarse para cualquier medición de parámetros-S,
junto con la impedancia característica o la impedancia del sistema.
Los parámetros-S se representan en una matriz y por lo tanto obedecen las reglas del
algebra de matrices. Muchas propiedades eléctricas útiles de las redes o de
componentes pueden expresarse por medio de los parámetros-S, como por ejemplo
la ganancia, pérdida por retorno, relación de onda estacionaria de
tensión (ROEV), coeficiente de reflexión y estabilidad de amplificación. El término
'dispersión' (del ingles scattering) es probablemente más común en ingeniería
óptica que en ingeniería de RF, pues se refiere al efecto que se observa cuando
una onda electromagnética plana incide sobre una obstrucción o atraviesa
medios dieléctricos distintos. En el contexto de los parámetros-S, dispersión se refiere a
la forma en que las corrientes y tensiones que se desplazan en una línea de
transmisión son afectadas cuando se encuentran con una discontinuidad debida por la
introducción de una red en una línea de transmisión. Esto equivale a la onda
encontrándose con una impedancia diferente de la impedancia característica de la
línea.
Como se ilustra en las secciones anteriores, los parámetros Z son útiles
para analizar circuitos en serie, mientras que los parámetros Y
simplifican el análisis de circuitos conectados en paralelo (en derivación).
De manera similar, los parámetros de transmisión son útiles para
circuitos en cadena o en cascada.

Sin embargo, el procedimiento de caracterización de estos parámetros

requiere un circuito abierto o cortocircuito en el otro puerto. Esta
reflexión extrema hace que sea muy difícil (y en ciertos casos imposible)
determinar los parámetros de una red en frecuencias de radio y
microondas. Por tanto, se define una nueva representación basada en
ondas viajeras. Esto se conoce como matriz de dispersión de la red.
Los elementos de esta matriz se conocen como parámetros de dispersión.

La Figura 8.18 muestra una red junto con olas incidentes y reflejadas en
sus dos puertos. Adoptamos la convención de representar la onda
incidente mediante ai y la onda reflejada mediante bi en el puerto i. Por lo
tanto, a1 es una onda incidente, mientras que b1 es una onda reflejada en
el puerto 1. De manera similar, a2 y b2 representan olas incidentes y olas
reflejadas en el puerto 2, respectivamente. Supongamos que hay una
fuente conectada en el puerto 1 que produce la onda incidente a1.

Una parte de esta onda se refleja en la entrada (debido a un desajuste de

impedancia), mientras que la señal restante se transmite a través de la
red.
Figura 8.18 Red de dos puertos con olas incidentes y reflejadas asociadas.
Puede cambiar tanto en magnitud como en fase antes de emerger en el
puerto 2. Dependiendo de la terminación en este puerto, parte de la señal
se refleja como entrada al puerto 2. Por lo tanto, la onda reflejada b1
depende de las señales incidentes a1 y a2 en los dos puertos. De manera
similar, la onda emergente b2 también depende de a1 y a2.
Matemáticamente,
donde [S] se denomina matriz de dispersión de la red de dos puertos; Sij se
conocen como los parámetros de dispersión de esta red, y ai representa la
onda incidente en el iésimo puerto y bi representa la onda reflejada en el
iésimo puerto. Si el puerto 2 coincide y termina mientras a1 incide en el
puerto 1, a2 es cero. En esta condición, (8.6.1) y (8.6.2) dan

De manera similar, con una fuente conectada en el puerto 2 mientras el

puerto 1 termina con una carga coincidente, encontramos que​
Por lo tanto, Sii es el coeficiente de reflexión en el i- ésimo puerto cuando
el otro puerto tiene terminación coincidente. Sij es el coeficiente de
transmisión directa del puerto j- ésimo si i es mayor que j, mientras que
representa el coeficiente de transmisión inversa si i es menor que j con el
otro puerto terminado por una carga coincidente. Todavía no hemos
definido ai y bi en términos de voltaje, corriente o potencia. Con ese fin,
escribimos el voltaje y la corriente totales en estado estacionario en el
iésimo puerto de la siguiente manera:
donde los superíndices "in" y "ref" representan los voltajes incidente y
reflejado, respectivamente. Z0i es la impedancia característica en el iésimo
puerto. Las ecuaciones (8.6.9) y (8.6.10) se pueden resolver para encontrar
voltajes incidentes y reflejados en términos de voltaje y corriente totales en
el iésimo puerto. Por eso,​
Suponiendo que ambos puertos no tienen pérdidas, de modo que Z0i es
una cantidad real, el incidente de energía promedio en el i- ésimo puerto
es​

y la potencia promedio reflejada desde el iésimo puerto es

Los ai y bi se definen de tal manera que los cuadrados de sus magnitudes
representan la potencia que fluye en las direcciones respectivas. Por eso,

Por lo tanto, las unidades de ai y bi son

La energía disponible desde la fuente, Pavs, en el puerto 1 es​

La potencia reflejada desde el puerto 1, Pref, es

y la energía entregada al puerto (y por lo tanto a la red), Pd, es

Considere la disposición del circuito que se muestra en la figura 8.19. Hay
una fuente de voltaje VS1 conectada al puerto 1 mientras que el puerto 2
termina con la impedancia de carga ZL. La impedancia de la fuente es ZS.
En los dos puertos de esta red se muestran varios voltajes, corrientes y
ondas. Además, se supone que las impedancias características en el
puerto 1 y el puerto 2 son Z01 y Z02, respectivamente. La impedancia de
entrada Z1 en el puerto 1 de la red se define como la impedancia a través
de sus terminales cuando el puerto 2 termina con la carga ZL mientras
que la fuente VS1 junto con ZS están desconectadas. De manera similar,
la impedancia de salida Z2 en el puerto 2 de la red se define como la
impedancia a través de sus terminales con la carga ZL desconectada y la
fuente de voltaje VS1 reemplazada por un cortocircuito.
Figura 8.19 Red de dos puertos con una fuente de
voltaje conectada en el puerto 1 y el puerto 2 terminada​
Por lo tanto, la impedancia de la fuente ZS termina en el puerto 1 y el
puerto 2 termina en el puerto 1 de la red en este caso. La impedancia de
entrada Z1 y la impedancia de salida Z2 son responsables del coeficiente
de reflexión de entrada y del coeficiente de reflexión de salida ,
respectivamente. Por lo tanto, la relación de b1 a a1 representa
mientras que la de b2 a a2 es . Para la red de dos puertos, podemos
escribir

El coeficiente de reflexión de la carga L es

Tenga en cuenta que b2 sale del puerto 2 y, por lo tanto, incide en la
carga ZL. De manera similar, la onda reflejada desde la carga ingresa al
puerto 2 como a2. El coeficiente de reflexión de la fuente s se
encuentra como
Dado que b1 sale del puerto 1 de la red, es la onda incidente en ZS,
mientras que a1 es la onda reflejada. Los coeficientes de reflexión de
entrada y salida son​

Dividiendo (8.6.17) por a1 y luego usando (8.6.21), encontramos que

Ahora, dividiendo (8.6.18) por a2 y luego combinando con (8.6.19),
obtenemos

De (8.6.23) y (8.6.24),

Si una carga coincidente termina en el puerto 2, entonces L = 0 y (7.6.25)

se simplifica a 1 = S11.De manera similar, de (8.6.18) y (8.6.22),
De (8.6.17) y (8.6.20), tenemos

Sustituyendo (8.6.27) en (8.6.26), obtenemos

Si ZS es igual a Z01, el puerto 1 coincide y S = 0. Por lo tanto, (8.6.28) se

simplifica a
Por lo tanto, S11 y S22 se pueden encontrar evaluando los coeficientes de
reflexión en los puertos respectivos mientras el otro puerto coincide con la
terminación. Determinemos los otros dos parámetros, S21 y S12, de la red
de dos puertos. Comenzando con (8.6.6) para S21, tenemos

Ahora, a2 se encuentra a partir de (8.6.15) con i como 2 y forzándolo a

cero, obtenemos
Sustituyendo (8.6.29) en la expresión para b2 que se obtiene de (8.6.16) con
i como 2, encontramos que

Una expresión para a1 se obtiene de (8.6.15) con i = 1. Se simplifica para ZS

igual a Z01 de la siguiente manera:

S21 se obtiene sustituyendo (8.6.30) y (8.6.31) en (8.6.6) de la siguiente

manera:
Siguiendo un procedimiento similar, S12 se puede encontrar como

Un análisis de los parámetros S indica que

donde Pavs es la potencia disponible de la fuente y Pd es la potencia
entregada al puerto 1. Estas dos potencias serán iguales si la impedancia
de la fuente es conjugada de Z1; es decir, la fuente coincide con el puerto 1.
De manera similar, desde (8.6.32),

donde PAVN es la energía disponible en el puerto 2 de la red. Será igual a la

potencia entregada a una carga que coincida con el puerto. Esta relación
de potencia de (8.6.35) puede denominarse ganancia de potencia del
transductor.
Siguiendo un procedimiento similar, se puede encontrar que |S22|2
representa la relación entre la potencia reflejada desde el puerto 2 y la
potencia disponible desde la fuente en el puerto 2, mientras que el puerto
1 termina con una carga coincidente ZS y |S12| 2 representa una ganancia
de potencia del transductor inverso.
Cambiando los planos de referencia
Considere la red de dos puertos que se muestra en la Figura 8.20.
Supongamos que ai y bi son ondas incidentes y reflejadas,
respectivamente, en planos de referencia no preparados del iésimo puerto.

Figura 8.20 Red de dos puertos con dos planos de referencia a cada lado
Usamos parámetros S no preparados para este caso. A continuación,
considere que el plano A–A se desplaza una distancia l1 a A′ –A′. En este
plano, a ′ 1 y b ′ 1 representan ondas que viajan hacia adentro y hacia
afuera, respectivamente. De manera similar, a ′ 2 y b ′ 2 representan
ondas que viajan hacia adentro y hacia afuera, respectivamente, en el
plano B′ –B′. También denotamos los parámetros de dispersión en los
planos cebados mediante un primo en cada uno. Por eso,
La onda b1 se retrasa en fase por βl1 mientras viaja de A a A′. Esto
significa que b1 está adelantado en fase con respecto a b′1. Por eso,

La onda a1 viene de A′ al plano A. Por lo tanto, tiene un retraso de fase de

βl1 con respecto a a′1. Matemáticamente,

Sobre la base de consideraciones similares en el puerto 2, podemos escribir

Sustituyendo b1, a1, b2 y a1 de (8.6.38) a (8.6.41) en (8.6.36), obtenemos

Sustituyendo b1, a1, b2 y a1 de (8.6.38) a (8.6.41) en (8.6.36), obtenemos

Ahora, al comparar (8.6.43) con (8.6.37), encontramos que

Figura 8.21 Red para el ejemplo 8.14.
Siguiendo un procedimiento similar, se puede encontrar la otra relación
de la siguiente manera:

Ejemplo 8.14 Los voltajes y corrientes totales en dos puertos de una red
se encuentran de la siguiente manera: V1 = 10 ∠0°V, I1 = 0.1 ∠40°A, V2 =
12 ∠30°V e I2 = 0.15 ∠100°A . Determine los voltajes incidente y
reflejado, suponiendo que la impedancia característica es 50 en ambos
puertos (consulte la Figura 8.21).
SOLUCIÓN
De (8.6.11) y (8.6.12) con i = 1, encontramos que
De manera similar, con i = 2, se encuentra que los voltajes incidente y
reflejado en el puerto 2 son
Ejemplo 8.15 Encuentre los parámetros S de una impedancia en serie Z
conectada entre los dos puertos, como se muestra en la figura 8.22

Figura 8.22 Configuración para el ejemplo 8.15

SOLUCIÓN
De (8.6.25), con L = 0 (es decir, el puerto 2 termina con una carga
coincidente), encontramos que

De manera similar, de (8.6.28), con S = 0 (es decir, el puerto 1 termina

con una carga coincidente),
S21 y S12 se determinan a partir de (8.6.32) y (8.6.33), respectivamente.
Para evaluar S21, conectamos una fuente de voltaje VS1 en el puerto 1
mientras que el puerto 2 termina en Z0, como se muestra en la Figura
8.23. La impedancia de la fuente es Z0. Usando la fórmula del divisor de
voltaje, podemos escribir

Por tanto, de (8.6.32),

Para evaluar S12, conectamos una fuente de voltaje VS2 en el puerto 2
mientras que el puerto 1 termina en Z0, como se muestra en la Figura
8.24. La impedancia de la fuente es Z0. Usando nuevamente la regla del
divisor de voltaje, encontramos que

Figura 8.23 Configuración para determinar S21 para el ejemplo 8.15.

Figura 8.24 Configuración para determinar S12 para el ejemplo 8.15.
Ahora, desde (8.6.33),

Por lo tanto,

Donde,
Un análisis de los parámetros S indica que S11 es igual a S22. Esto se debe
a que la red de dos puertos dada es simétrica. Además, su S12 también es
igual a S21.Esto sucede porque esta red es recíproca. Considere un caso
especial donde la impedancia en serie Z es un elemento puramente
reactiva, lo que significa que Z es igual a jX. En ese caso, Ŵ1 se puede
escribir como

Por lo tanto,
 Similarmente,

Por otro lado,

Estas características de la matriz de dispersión se pueden resumir de la

siguiente manera:
Cuando los elementos de una matriz cumplen esta condición, se llama
matriz unitaria. Por tanto, la matriz de dispersión de un circuito de
reactancia es unitaria.
Ejemplo 8.16 Encuentre los parámetros S de una admitancia en derivación
Y conectada entre dos puertos, como se muestra en la Figura 8.25.

Figura 8.25 Red para el ejemplo 8.16.

SOLUCIÓN De (8.6.25),

De manera similar, de (8.6.28),

Para evaluar S21, la fuente de voltaje VS1 se conecta al puerto 1 y el
puerto 2 termina con una carga adaptada, como se muestra en la Figura
8.26. Usando la regla del divisor de voltaje,​

Ahora, desde (8.6.32),

Figura 8.26 Configuración para determinar S21 para el ejemplo 8.16​
De manera similar, cuando VS2 en serie con Z0 está conectado en el
puerto 2 mientras el puerto 1 tiene terminación coincidente, S12 se puede
encontrar en (8.6.33) de la siguiente manera:

Donde,

Como era de esperar, S11 = S22 y S12 = S21, porque este circuito es
simétrico además de recíproco. Además, para Y = jB, la red deja de tener
pérdidas. En ese caso,
y

Por tanto, con Y como jB, la matriz de dispersión es unitaria. De hecho,

se puede demostrar fácilmente que la matriz de dispersión de cualquier
red de dos puertos sin pérdidas es unitaria.
Ejemplo 8.17 Un transformador ideal está diseñado para funcionar a 500
MHz. Tiene 1000 vueltas en su lado primario y 100 vueltas en su lado
secundario. Suponiendo que tiene un conector de 50 en cada lado,
determine sus parámetros S (consulte la Figura 8.27).
Solución:
Para un transformador ideal,

Ahora, siguiendo el procedimiento utilizado en los ejemplos anteriores,

encontramos que
Figura 8.27 Transformador para el ejemplo 8.17
y el voltaje V1 en el lado primario del transformador debido a una fuente
de voltaje VS1 con su impedancia interna Z0 se puede determinar
mediante la regla del divisor de voltaje de la siguiente manera:

Por eso,

De manera similar, S22 y S12 se determinan después de conectar una

fuente de voltaje VS2 con su impedancia interna Z0 en el puerto 2. Esta
vez el puerto 1 termina con una carga adaptada. Por lo tanto,
y

Por lo tanto,
De este modo,

Esta vez, S11 es diferente de S22 porque la red no es simétrica. Sin

embargo, S12 es igual a S21 porque es recíproco. Además, un
transformador ideal no tiene pérdidas. Por tanto, su matriz de dispersión
debe ser unitaria. Verifiquemos si ese es el caso.
Por tanto, la matriz de dispersión es de hecho unitaria.
Ejemplo 8.18 Encuentre los parámetros de dispersión de la red de línea de
transmisión que se muestra en la Figura 8.28.

Figura 8.28 Red de líneas de transmisión para el ejemplo 8.18.

SOLUCIÓN Con el puerto 2 terminado en coincidencia, la onda a1 que
ingresa al puerto 1 emerge como a1 en el puerto 2. Esta onda es
absorbida por la terminación, haciendo que a2 sea cero. Además, b1
también es cero porque Z1 es igual a Z0 en este caso. Por eso,

De manera similar, cuando una fuente está conectada en el puerto 2

mientras el puerto 1 tiene terminación coincidente, encontramos que a1
y b2 son cero y

Por eso,
Como era de esperar, S11 = S22 y S12 = S21, porque este circuito es
simétrico además de recíproco. Además, para γ = jβ, la red deja de tener
pérdidas. En ese caso,

Obviamente, ahora es una matriz unitaria.

Ejemplo 8.19 Encuentre los parámetros de dispersión de la red de dos
puertos que se muestra en la Figura 8.29.
SOLUCIÓN Con el puerto 2 terminado con una carga de 50 Ω, la
impedancia Z1 en el puerto 1 es

Figura 8.29 Red de dos puertos para el ejemplo 8.19.

Por lo tanto,

de manera similar, la impedancia de salida Z2 en el puerto 2 cuando el

puerto 1 tiene una terminación coincidente mediante una carga de 50 Ω

y de (8.6.32),
Ahora, conectemos una fuente de voltaje VS1 con su impedancia en 50 Ω
en el puerto 1 mientras el puerto 2 coincide, como se muestra en la Figura
8.30. Usando la regla del divisor de voltaje encontramos que

Por lo tanto,
Figura 8.30 Configuración para determinar S21 para el ejemplo 8.19
Figura 8.31 Configuración para determinar S12 para el ejemplo 8.19.
Ahora conecte la fuente de voltaje en el puerto 2 mientras el puerto 1
tiene una terminación coincidente como se muestra en la Figura
8.31.Usando nuevamente la regla del divisor de voltaje, encontramos que

Utilizándolo una vez más, V1 se encuentra de la siguiente manera:

y ahora de (8.6.33), obtenemos

Por eso,

En este caso, S11 es diferente de S22 porque la red no es simétrica. Sin

embargo, S12 es igual a S21 porque la red es recíproca. Además, esta red
no tiene pérdidas. Por tanto, su matriz de dispersión debe ser unitaria. Se
puede verificar de la siguiente manera:
y
Por tanto, esta matriz de dispersión es efectivamente unitaria. La Tabla 8.2
resume las características de las matrices de parámetros de redes de dos
puertos recíprocas y simétricas. Las propiedades de los parámetros de
dispersión de uniones sin pérdidas se enumeran en la Tabla 8.3.
TABLA 8.2 Propiedades de los parámetros de
redes de dos puertos recíprocas y simétricas
TABLA 8.3 Propiedades de la matriz de dispersión de uniones sin pérdidas
Propiedades Explicación

La matriz [S] es simétrica. [S] t = [S], donde [S] t es la matriz

transpuesta de [S].Como consecuencia, Sij = Sji
a
La matriz [S] es unitaria. [S] = [S *] t = [S] -1, donde [S] a es la matriz
adjunta de [S], [S*] t es la conjugada de [S] t , y [S] -1es la matriz inversa de [S].
Consecuentemente,
GRACIAS