Taller Investigación - Electrónica Analógica y Digital
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FACULTAD DE INGENIERÍA
CORPORACIÓN UNIVERSITARIA DE LA COSTA, C.U.C.
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TALLER #1
INVESTIGACIÓN
TEMAS:
INTEGRANTES:
PROFESOR:
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TALLER #1 – INVESTIGACIÓN
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Un diodo es un componente electrónico con dos terminales que solo permite que la corriente fluya en una
dirección y bloquea el paso si la corriente fluye en la dirección opuesta, no solo funciona como un flujo de corriente,
sino también como un dispositivo. Toma el control y contra ella. Esto da como resultado dos posiciones posibles
para el diodo: una directa (con polarización directa) y otra contra la corriente directa (con polarización inversa).
Un diodo rectificador es un dispositivo semiconductor utilizado para convertir corriente alterna en corriente
continua. Tiene una conductividad unidireccional evidente y puede fabricarse con materiales semiconductores como
el germanio o el silicio. Muchos tipos de diodos tienen una amplia variedad de aplicaciones. Los diodos
rectificadores son componentes importantes en las fuentes de alimentación que convierten el voltaje de CA en voltaje
de CC.
Se utilizan en las fuentes de alimentación para convertir la corriente alterna en corriente continua, un proceso
llamado rectificación. También se utilizan en otros circuitos en los que debe pasar una gran corriente a través del
diodo.
Los diodos rectificadores más típicos están hechos de silicio (cristal semiconductor). Son capaces de conducir
altos valores de corriente eléctrica, y eso se puede clasificar como su característica básica.
También hay diodos semiconductores menos populares, pero que aún se usan, hechos de germanio o arseniuro
de galio. Los diodos de germanio tienen un voltaje inverso permisible mucho más bajo y una temperatura de unión
permisible más pequeña (Tu = 75° C para diodos de germanio y Tu = 150° C para un diodo de silicio).
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Señales obtenidas entrada y salida:
La función básica del circuito rectificador en una fuente de alimentación es convertir una señal alterna en una
continua de la transformación en un voltaje de cc pulsante, el cual tiene una polaridad única.
Ecuación relacionada:
𝐼 = 𝐼s (ℯ 𝑉𝐷/(𝑛𝑉𝑇) − 1
Donde:
Ejercicio:
Determine el factor de rizo para el rectificador de puente filtrado con una carga como se indica en la figura.
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Solución:
La relación de vueltas del transformador es n=0.1. El voltaje pico del primario es
La frecuencia de un voltaje rectificado de onda completa es de 120 Hz. El voltaje de rizo pico a pico aproximado a
la salida es
1 1
𝑉𝑟(𝑝𝑝) ≅ ( ) 𝑉𝑝(𝑟𝑒𝑐𝑡) = ( ) 15.6𝑉 = 0.591𝑉
𝐹𝑅𝐿 𝐶 (120𝐻𝑧)(220Ω)(1000𝜇𝐹)
1 1
𝑉𝐶𝐷 = (1 − ) 𝑉𝑝(𝑟𝑒𝑐𝑡) = (1 − ) 15.6𝑉 = 15.3𝑉
2𝑓𝑅𝐿 𝐶 (240𝐻𝑧)(220Ω)(1000𝜇𝐹)
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1.2. DIODO COMO SUJETADOR.
Un circuito sujetador se utiliza para desplazar o alterar el pico positivo o negativo de una señal de entrada a un
nivel deseado. Este circuito también se denomina desplazador de nivel o restaurador de CC.
Hay dos tipos de sujetadores, los de nivel positivo y los de nivel negativo.
Sujetador Positivo:
Durante los semiciclos negativos el diodo esta polarizado en directa permitiendo que el capacitor C se cargué
aproximadamente a VP (in) – 0.7V donde VP (in) es el voltaje pico de la señal de entrada. Después del pico negativo
el diodo queda polarizado en inversa y esto es porque la carga positiva adquirida por el condensador bloquea al
cátodo del diodo y busca descargarse a través de R.
Sujetador Negativo:
Si invertimos la polaridad del diodo y la del capacitor obtenemos un Sujetador de nivel negativo.
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Ejercicio:
¿Cuál es el voltaje de salida que esperaría observar a través de 𝑅𝐿 en el circuito de sujeción de la figura a
continuación?, suponga que RC es suficientemente grande para impedir una descarga significativa del capacitor.
Solución:
Idealmente el circuito sujetador inserta un valor de cd negativo igual al pico de entrada menos la caída del
diodo.
En realidad, el capacitor se descargará un poco entre picos y, en consecuencia, el voltaje de salida tendrá un
valor promedio un poco menor que el valor antes calculado. La forma de onda de salida se va aproximadamente
+0.7V, como se muestra en la figura.
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Existen dos categorías generales de recortadores: en serie y en paralelo. La configuración en serie es donde el
diodo está en serie con la carga, mientras que en paralelo tiene un diodo en una trayectoria paralela con la carga.
Limitador Positivo:
Un limitador positivo recorta o limita la parte superior de una señal, Esto significa que recorta porciones de
Tensión en los semiciclos positivos.
El circuito funciona de la siguiente manera: El diodo es polarizado en directa durante los semiciclos positivos
y en inversa durante los semiciclos negativos. Cuando el diodo esta polarizado en directa se produce un corto que
ocasiona una caída de tensión en la resistencia RL que se aprecia como un recorte en el semiciclo positivo,
Idealmente dicha caída debería recortar totalmente el semiciclo, en la practica el diodo no es ideal y el recorte termina
en 0.7V.
Limitador Negativo:
Un limitador negativo recorta o limita la parte inferior de una señal, Esto significa que recorta porciones de
Tensión en los semiciclos negativos.
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El circuito funciona de la siguiente manera: El diodo es polarizado en directa durante los semiciclos negativos
y en inversa durante los semiciclos positivos. Cuando el diodo esta polarizado en directa se produce un corto que
ocasiona una caída de tensión en la resistencia RL que se aprecia como un recorte en el semiciclo negativo,
Idealmente dicha caída debería recortar totalmente el semiciclo, en la practica el diodo no es ideal y el recorte termina
en −0.7V.
Limitadores Polarizados:
El nivel del voltaje que se limita se puede ajustar añadiendo una fuente de tensión (VCC) en serie con el diodo.
De esta forma el circuito limitador recorta toda entrada de tensión por encima de:
Para que un limitador funcione correctamente se debe tener en cuenta la siguiente regla:
La regla dice que la resistencia en serie debe ser 100 veces mayor que la resistencia interna del diodo y 100
veces menor que la resistencia de carga.
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Ejercicio:
¿Qué esperaría ver en la pantalla de un osciloscopio conectado entre las terminales de RL en el limitador mostrado
en la figura a continuación?
Solución:
Idealmente el circuito sujetador inserta un valor de cd negativo igual al pico de entrada menos la caída del
diodo.
𝑅𝐿 100 𝑘Ω
𝑉𝑝(𝑠𝑎𝑙) = ( ) 𝑉𝑝(𝑒𝑛𝑡) = ( ) 10 𝑉 = 9.9𝑉
𝑅1 + 𝑅𝐿 110 𝑘Ω
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2. DIODO ZENER
Un Diodo Zener es un dispositivo de silicio con unión pn diseñado para operar en la región de ruptura en
inversa. El voltaje de ruptura de un diodo zener se ajusta controlando cuidadosamente el nivel de dopado durante su
fabricación; cuando un diodo alcanza la ruptura en inversa su voltaje permanece casi constante aun cuando la
corriente cambie drásticamente: ésta es la clave para la operación de un diodo zener. El diodo zener es un tipo de
diodo que polarizado inversamente se comporta como un estabilizador de corriente, es decir, puede mantener una
tensión prácticamente constante entre sus terminales. Básicamente, lo que se ha conseguido es modificar una unión
semiconductora de un diodo corriente, de forma que se puede aprovechar la tensión de ruptura de éste para conseguir
una estabilización de tensión, conocida como tensión zener, sin que el diodo se destruya.
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2.2 CARACTERÍSTICAS GENERALES.
Ruptura zener: Los diodos zener se diseñan para operar en condición de ruptura en inversa; en un diodo tal,
los dos tipos de ruptura en inversa son la de avalancha y zener. El efecto de avalancha ocurre tanto en diodos
rectificadores como en los zener a un voltaje inverso suficientemente alto. La ruptura zener ocurre en un diodo zener
a voltajes en inversa bajos. Un diodo zener se dopa en exceso para reducir el voltaje de ruptura; esto crea una región
de empobrecimiento muy estrecha. En consecuencia, existe un intenso campo eléctrico adentro de la región de
empobrecimiento. Cerca del voltaje de ruptura zener (Vz), el campo es suficientemente intenso para jalar electrones
de sus bandas de valencia y crear corriente. Los diodos zener con voltajes de ruptura de menos 5 V operan
predominantemente en ruptura zener. Aquellos con voltajes de más de 5 V operan predominantemente en ruptura de
avalancha. Ambos tipos, sin embargo, se conocen como diodos zener. Los diodos zener están comercialmente
disponibles con voltajes de ruptura de menos de 1 V hasta más de 250 V, con tolerancias especificadas de 1 a 20 por
ciento.
Característica de ruptura: Conforme se incrementa el voltaje en inversa (VR), la corriente en inversa (IR)
permanece extremadamente pequeña hasta la “inflexión” de la curva. La corriente en inversa también se llama
corriente zener, Iz. En este punto, se inicia el efecto de ruptura: la resistencia Zener interna, también llamada
impedancia zener (Zz), comienza a reducirse a medida que la corriente se incrementa rápidamente. Desde la parte
inferior de la inflexión, el voltaje de ruptura zener (Vz) permanece esencialmente constante, aunque se incrementa
un poco a medida que se incrementa la corriente zener, Iz.
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Circuito equivalente ideal de un zener: Modelo ideal (primera aproximación) de un diodo Zener en ruptura
y su curva característica ideal. Experimenta una caída de voltaje igual al voltaje nominal del zener. Esta caída de
voltaje a través del diodo zener producida por la ruptura en inversa está representada por un símbolo de un voltaje
de cd aun cuando el diodo zener no produce.
Circuito equivalente práctico de un zener: Modelo práctico (segunda aproximación) de un diodo zener,
donde la impedancia zener (resistencia) Zz está incluida. Como la curva de voltaje real no es idealmente vertical, un
cambio en la corriente del zener (ΔIz) produce un pequeño cambio del voltaje zener (ΔVz). Según la ley de Ohm, la
relación de ΔVz a ΔIz es la impedancia, tal como la siguiente ecuación lo expresa:
Δ𝑉z
𝑍𝑧 =
Δ𝐼z
Normalmente, Zz se especifica en la corriente de prueba zener. En la mayoría de los casos puede suponerse que
Zz es una constante pequeña dentro del intervalo completo de valores de corriente zener y es puramente resistiva.
Es mejor no operar un diodo zener cerca de la inflexión de la curva porque la impedancia cambia dramáticamente
en dicha área.
Figura 17. Modelo. Figura 18. Curva característica (la pendiente está exagerada
práctico. para ilustración).
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Para la mayoría de los análisis de circuitos y tareas de solución de fallas, el modelo ideal dará
muy buenos resultados y es mucho más fácil de utilizar que modelos más complicados. Cuando un diodo zener opera
normalmente, estará en ruptura inversa y se deberá observar el voltaje de ruptura nominal a través de él. La mayoría
de los esquemas indicarán en el dibujo cual debe ser este voltaje.
Δ𝑉z 50mV
Solución: 𝑍𝑧 = = = 10 Ω
Δ𝐼z 5 mA
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3. TRANSISTOR BJT
La invención del transistor fue el inicio de una revolución que aún continúa. Todos los sistemas y dispositivos
electrónicos complejos actuales son el resultado de los primeros desarrollos de transistores semiconductores. El
transistor fue inventado en 1947 por un equipo de científicos de Bell Laboratories. William Schochley, Walter
Brattain y John Bardeen desarrollaron el dispositivo de estado sólido que reemplazó al tubo de vacío y cada uno
recibió el premio Nobel en 1956. Se supone generalmente que el transistor es la invención más significativa del siglo
veinte. Dos tipos básicos de transistores son el transistor de unión bipolar (BJT, bipolar junction transistor) y el
transistor de efecto de campo (FET, field-effect transistor). El BJT se utiliza en dos áreas extensas: como
amplificador lineal para reforzar o amplificar una señal eléctrica y como interruptor electrónico. El BJT (transistor
de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn, las tres regiones se
llaman emisor, base y colector. El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un
dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de
funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso debido a que la estructura interna del transistor
está usualmente optimizada para funcionar en modo activo. El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como
de electrones como portadores de corriente en la estructura del transistor.
✓ Un transistor BJT se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta
de dos regiones p separadas por una región n (pnp).
✓ Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos.
✓ La operación del pnp es la misma que para el npn excepto en que los roles de los electrones y huecos,
las polaridades del voltaje de polarización y las direcciones de la corriente se invierten.
✓ En un transistor BJT la región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación
con las regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada.
✓ El BJT que no está en saturación puede ser considerado un dispositivo con una corriente en el circuito
de entrada y una fuente de corriente dependiente en el circuito de salida.
✓ Cuando se conecta un transistor tanto tipo npn como pnp a voltaje de polarización de cd, VBB polariza
en directa la unión base-emisor y VCC polariza en inversa la unión base-colector.
✓ El BJT como amplificador se caracteriza por ser un proceso de incrementar linealmente la amplitud de
una señal eléctrica y es una de las propiedades importantes de un transistor.
✓ Cuando se polariza un BJT en la región activa o lineal, la unión BE tiene baja resistencia debido a la
polarización en directa y la unión BC tiene una alta resistencia debido a la polarización en inversa.
✓ El BJT tiene tres terminales, estos terminales se conocen como Colector Emisor y Base.
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Un transistor en cierto modo puede ser considerado como la mínima expresión de un amplificador. Un transistor
provee ganancia o amplificación, si se tiene en cuenta que en cualquier amplificador se debe definir una entrada y
una salida, obteniendo, en la salida, la señal de la entrada amplificada. En un transistor se puede hacer la misma
analogía, esto es, terminal de entrada, terminal de salida y terminal común a la entrada y la salida. Teniendo en
cuenta, estos se pueden distinguir en tres tipos de configuraciones: emisor común (EC), colector común (CC) y
base común (BC).
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Emisor Común (EC): Es una de las configuraciones más utilizadas, en este caso el terminal del emisor es
común a la entrada y a la salida. La resistencia de entrada en este tipo de configuraciones es baja, mientras que la
resistencia de salida es alta. La ganancia tanto de corriente como de tensión es elevada. La configuración en EC es
la mostrada en la siguiente figura.
Colector Común (CC): En este caso, el terminal de colector es común a la entrada y a la salida. Dicha
configuración también es conocida como seguidor de emisor. La resistencia de entrada en este tipo de configuración
es alta, mientras que la resistencia de salida es baja. La ganancia de corriente es elevada, mientras que la ganancia
de tensión es inferior a la unidad. La configuración en CC es la mostrada en la siguiente figura.
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Base Común (BC): En este caso, el terminal de base es común a la entrada y a la salida. La resistencia de
entrada en esta configuración es muy baja, mientras que la resistencia de salida es muy alta. La ganancia de corriente
es inferior a la unidad, así como la ganancia de tensión es de carácter medio. La configuración en BC es la mostrada
en la siguiente figura.
Dos parámetros importantes, βCD (ganancia de corriente de cd) y αCD, estos se introducen y se utilizan para analizar
un circuito BJT.
La ganancia de corriente de cd de un transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente
de cd de la base (IB) y se expresa como beta de cd (βCD).
𝐼C
𝛽CD = 𝐼B
Los valores típicos de βCD van desde 20 hasta 200 o más, βCD normalmente se expresa como un parámetro híbrido
(h) equivalente, hFE en hojas de datos de los transistores. Los parámetros h se estudian en el capítulo 6. Todo lo que
se tiene que saber hasta ahora es que
ℎFE = βCD
El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor ( IE) es el alfa de cd (αCD). La
alfa es un parámetro menos utilizado que la beta en circuitos con transistores.
𝐼C
αCD = 𝐼E
En general, los valores de αCD van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque αCD siempre es menor que 1. La razón es
que IC siempre es un poco menor que IE en una cantidad de IB. Por ejemplo, si IE = 100 mA e IB = 1 mA, entonces
IC = 99 mA y αCD = 0.99.B
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Un transistor BJT se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn y las tres regiones
se llaman emisor, base y colector.
Base: Una de las regiones semiconductoras de un BJT. La base es muy delgada y está levemente dopada en
comparación con las demás regiones.
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BIBLIOGRAFÍA
[1] FLOYD, THOMAS L, Dispositivos electrónicos Octava edición, IEEE Trans. PEARSON EDUCACIÓN, México,
2008.
[2] Gomez Gomez, Electrónica General, Ra-Ma S.A. Editorial Y Publicaciones,2006.
[3] Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, editor Dave Garza, traductor Juan Pusón Mier y Terán, Electrónica, 6ª. edición.
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