Tme 9-10

Tecnología de los
Materiales Electrónicos
Unidad 9: Dispositivos fotovoltaicos y

electroluminiscentes basados en
semiconductores.
Unidad 10:
Fibra Óptica.
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Historia y fundamentos
La Optoelectrónica es una parte de la fotónica relacionada con el estudio y aplicación de

dispositivos electrónicos que interactúan con la luz, sistemas en los que los electrones y los
fotones coexisten. Los dispositivos optoelectrónicos operan como transductores eléctrico-
ópticos o ópticos-eléctricos.
Algunos aspectos destacados de la historia de la optoelectrónica son los siguientes:
• Primera observación de electroluminiscencia de cristales de SiC en el año 1907 por el

capitán Henry Joseph Round (Inglaterra).
• Algunas décadas más tarde, en 1927, Oleg Vladimirovich Losev (Rusia imperial) observó
la emisión de luz a partir de óxido de zinc y diodos rectificadores de cristal de carburo de
silicio utilizado en receptores de radio cuando eran atravesados por una corriente
eléctrica.
• En 1961 Ali Javan (Bell Labs) inventó el primer láser de gas de neón o helio. Un año más
tarde, Robert Hall inventó el láser de inyección de semiconductores.
• Nick Holonyak (USA) inventó el primer LED (light emission diode) visible en 1962.
• Primera transmisión utilizando fibras de vidrio inventada por Corning Glass e instalada
por AT&T en 1983, desde New York a Washington, D. C., a 45 megabits por segundo.
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Hoy en día la Optoelectrónica se ha convertido en una nueva tecnología

emergente. El mercado de la optoelectrónica está creciendo cada año en todo el
mundo, con un crecimiento del 30% anual desde 1992.
La Optoelectrónica permite generar, transportar y manipular datos a muy alta

velocidad. Las principales aplicaciones de la optoelectrónica se centran en el
campo de las comunicaciones, incluyendo comunicaciones de fibra óptica y
sistemas láser.
Sin embargo, las aplicaciones de la optoelectrónica se extienden a nuestra vida

cotidiana, incluyendo los campos de la informática, la comunicación, el
entretenimiento, los sistemas de información óptica, la educación, el comercio
electrónico, la vigilancia del medio ambiente, la salud y el transporte.
Los dispositivos optoelectrónicos también son importantes en aplicaciones de

defensa que incluyen el tratamiento de imágenes de infrarrojos, radar, sensores
de aviación y armas guiadas ópticamente.
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λ
H
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RESISTENCIAS FOTOCONDUCTIVAS, LDR.

La sigla LDR significa “componente resistivo de luz”, es
decir que su propiedad resistiva se modifica con la luz,
están compuestas de una pequeña célula foto eléctrica,
herméticamente cerrada en resina sintética con dos
terminales de conexión. Hay tres tipos de materiales de
construcción, las de juntura PN, de germanio y de
silicio; las primeras son ideales a baja frecuencia, las de
silicio pueden utilizarse como baterías solares y trabajan
en forma muy útil en el rango infrarrojo, las de sulfuro
se caracterizan por su elevada sensibilidad y por exigir
el empleo auxiliar de una fuente de corriente.
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Las foto resistencias de sulfuro de cadmio son dopadas con materiales como el cloro o el cobre,
para aumentar la sensibilidad, los electrodos se forman por evaporación de metal a través de una
mascara; los metales mas utilizados son estaño, indio, oro y platino.
La respuesta de variación es reversible y de gran velocidad alcanzando rangos de trabajo de muy
pocos omhs a megaohms, con mucha sensibilidad a la luz, se utilizan como controles
automáticos de iluminación, opto acoplamiento, como así también en sistemas de seguridad,
alarmas, detectores de movimiento, etc.
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El diodo emisor de luz (LED)
La operación básica del diodo emisor de luz (LED) es cuando el dispositivo está
polarizado en directa, los electrones atraviesan la unión p-n desde el material tipo n y se
recombina con huecos en el material tipo p.
Recuerde que estos electrones libres están en la banda de conducción y a una energía más
alta que los huecos en la banda de valencia.
Cuando ocurre la recombinación, los electrones recombinantes liberan energía en la
forma de fotones. Una gran área expuesta en una capa del material semiconductor
permite que los fotones sean emitidos como luz visible. Este proceso es llamado
electroluminiscencia.
Se agregan varias impurezas durante el proceso de dopado para establecer la longitud de
onda de la luz emitida. La longitud de onda determina el color la luz visible. Algunos
LED emiten fotones con longitudes onda más largas que no forman parte del espectro
visible y localizados en la parte infrarroja (IR) del espectro.
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Materiales semiconductores utilizados en los LED

El semiconductor arseniuro de galio (GaAs) se utilizó en los primeros LED y emite
radiación infrarroja, la cual es invisible. Los primeros LED rojos visibles se
produjeron utilizando fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) sobre un sustrato de GaAs.
La eficiencia se incrementó con el uso de un sustrato de fosfuro de galio (GaP) y se
obtuvieron LED rojos más brillantes y también LED naranjas.
Posteriormente, se utilizó GaP como emisor de luz para obtener luz verde pálida. Con
el uso de una porción de material rojo y una verde, los LED fueron capaces de
producir luz amarilla.
Los primeros LED rojos, amarillos y verdes súper brillantes se produjeron utilizando
fosfuro arseniuro de galio-aluminio (GaAlAsP). A principios de los años 90 estuvieron
disponibles LED ultra brillantes utilizando fosfuro de aluminio-galio-indio (InGaAlP)
en rojo, naranja, amarillo y verde.
Se obtuvieron LED azules utilizando carburo de silicio (SiC) y LED azules
ultrabrillantes hechos de nitruro de galio (GaN). Los LED de alta intensidad blancos
que producen luz de colores verde y azul también se hacen de nitruro de galio-indio
(InGaN). Los LED blancos de alta intensidad se forman con GaN azul ultra brillante
recubierto con fósforo fluorescente que absorbe la luz azul y la reemite como luz
blanca.
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Polarización de los LED

El voltaje de polarización en directa a través de un LED es considerablemente más
grande que a través de un diodo de silicio.
Típicamente, el VF máximo para LED varía entre 1.2 V y 3.2 V, según el material. La
ruptura en inversa para un LED es mucho menor que para un diodo de rectificador de
silicio (3 V a 10 V es típico).
El LED emite luz en respuesta a una corriente suficiente con polarización en directa,
como lo muestra la figura 3-30 (a). La cantidad de potencia de salida transformada en
luz es directamente proporcional a la corriente en polarización en directa, como la
figura 3-30 (b) lo ilustra. Un incremento de IF corresponden proporcionalmente a un
incremento de la salida de luz.
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Emisión de luz
Un LED emite luz dentro de un intervalo especificado de longitudes de onda, como lo
indican las curvas de salida espectral de la figura 3-31.
Las curvas en la parte (a) representan la salida de luz contra longitud de onda para LED
visibles típicos y la curva de la parte (b) para un LED infrarrojo típico.
La longitud de onda (λ) se expresa en nanómetros (nm).
La salida normalizada del LED rojo visible alcanza su valor máximo a 660 nm, el
amarillo a 590 nm, el verde a 540 nm y el azul a 460 nm. La salida del LED
infrarrojo alcanza su valor máximo a 940 nm.
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La gráfica en la figura 3-32 es el patrón de radiación de un LED típico. Muestra qué

tan direccional
es la luz emitida. El patrón de radiación depende del tipo de estructura de la lente del
LED. Mientras más angosto sea el patrón de radiación, más luz se concentrará en una
dirección particular. Además se utilizan lentes especiales para resaltar el color.
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Un ejemplo de cómo podría ser utilizado un LED IR en una aplicación industrial

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Los materiales electroluminiscentes son aquellos que contienen una cierta cantidad
de material fósforo y emiten una luz al paso de una corriente eléctrica. Cabe aclarar
que no debe confundirse el término fósforo -en inglés phosphor– con el elemento
fósforo -en inglés phosphorus-; los fósforos se refieren a compuestos que tienen una
naturaleza electroluminisciente y no porque estén compuestos con el
elemento fósforo. Estos materiales fósforos usualmente contienen un material
portador que puede ser óxidos, nitruros, oxinitruros, silicatos, sulfuros,
seleniuros, haluros u oxihaluros, dopados con pequeñas cantidades de iones
activadores de tierras raras o iones de metales de transición.
Los iones activadores actúan como emisores o centros luminiscentes y poseen niveles
energéticos que pueden ser activados por excitación directa o indirecta por
transferencia de energía a través de algún lugar de la estructura del material
portador para que la emisión de luz ocurra, por lo que un fósforo adecuado debe
absorber la energía de excitación y después emitir luz rápida y eficientemente como
sea posible.
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La estructura del cable EL (EL Wire) consiste en un núcleo conductor de cobre que
funciona como electrodo y éste está cubierto con un material fósforo que a su vez está
cubierta por un forro de plástico transparente. Unos cables muy pequeños se
encuentran alrededor del forro de plástico transparente en espiral, con espacios entre
sí; éstos cables funcionan como un segundo electrodo. Finalmente ese forro de
plástico transparente está cubierto por un forro de color de PVC.
Cuando se aplica una diferencia de potencial, la capa fósforo emite luz entre los
espacios de los cables al crearse un campo eléctrico. Una de las ventajas de estos
cables es que requieren un voltaje pequeño para poder funcionar; algunos funcionan a
partir de 1.5 V hasta 18 V.
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El LED Orgánico (OLED)

Un OLED es un dispositivo que consiste en dos o tres capas de materiales compuestos
de moléculas o polímeros orgánicos que emiten luz con la aplicación de voltaje. Los
OLED producen luz mediante el proceso de electrofosforescencia. El color de la luz
depende del tipo de molécula orgánica presente en la capa emisora.
La estructura básica de un OLED

de 2 capas:
Los OLEDs emplean dos capas muy delgadas que funcionan como electrodos y entre
ellas hay más películas delgadas de material fosforo, por lo que puede emitir más luz. El
adjetivo orgánico se deriva por la presencia en dichas películas de moléculas que en su
estructura contienen carbono e hidrógeno y que en general no contienen metales
pesados.
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Se proveen electrones a la capa emisora y remueven de la capa conductora cuando existe

corriente entre el ánodo y el cátodo. Esta remoción de electrones de la capa conductora deja
huecos. Los electrones provenientes de la capa emisora se recombinan con los huecos de la capa
conductora cerca de la unión de dos capas. Cuando ocurre esta recombinación se libera energía
en la forma de luz que atraviesa el material del cátodo transparente. Si el ánodo y el sustrato
también están hechos de materiales transparentes, se emite luz en ambas direcciones, lo que hace
que los OLED sean útiles en aplicaciones tales como pantallas elevadas.
Las películas semiconductoras se subdividen en pixeles y cada una funciona como un LED,
mientras que otra capa posee una matriz de conductores para direccionar a cada pixel.
Además, existen dos tipo tipos de matrices las cuales se mencionan a continuación:
Matrices activas. En este tipo de matrices, cada pixel está apoyado en una película de
transistores que almacenan los estados de cada pixel mientras hay transiciones de voltaje cuando
se energizan.
Matrices pasivas. Cada par de conductores simplemente proporcionan corriente al pixel, por lo
que es más barato y relativamente más fácil de fabricar.
Además del tipo de matriz que contengan los OLEDs, hay dos tipos de OLEDs dependiendo del
color que emitan:
OLEDs monocromáticos. En estos los caracteres desplegados en los colores blanco y negro.
Superficialmente son similares a los módulos LCD.
OLEDs policromáticos. Son OLEDs que despliegan una gran variedad de colores y se
encuentran en los teléfonos inteligentes, en las pantallas de las cámaras.
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Los OLED pueden ser rociados en sustratos del mismo modo que las tintas son
rociadas en papel cuando se realizan impresiones. La tecnología de chorro de tinta
reduce en gran medida el costo de fabricación de OLED y permite imprimir OLED en
películas muy grandes para grandes pantallas tales como pantallas de televisión de 80
pulgadas o carteleras electrónicas.
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El diodo láser
El termino láser proviene de “light amplification by stimulated emisión of

radiation” (amplificación de luz estimulada por la emisión de radiación). La luz
láser es monocromática, lo que significa que se compone de un solo color y no de
una mezcla de ellos. La luz láser también se conoce como luz coherente, de una sola
longitud de onda, en comparación con la luz incoherente, la que consiste en una
amplia banda de longitudes de onda. El diodo láser normalmente emite luz coherente,
en tanto que el LED emite luz incoherente
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La construcción básica de un diodo láser
Se forma una unión pn con dos capas de

arseniuro de galio dopado; la longitud
de la unión pn guarda relación precisa
con la longitud de onda de la luz que va
a ser emitida.
Existe una superficie altamente

reflejante en un extremo de la unión pn
y una parcialmente reflejante en el otro
extremo, por lo que se forma una
cavidad resonante para los fotones.
Unos conductores externos propor-

cionan las conexiones de ánodo y cátodo.
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Una fuente de voltaje externa polariza en directa el

diodo láser. Conforme los electrones se desplazan a
través de la unión, ocurre la recombinación del mis-
mo modo que un diodo ordinario. A medida que los
electrones ocupan huecos para recombinarse se
liberan fotones. Un fotón liberado puede chocar con
un átomo y provocar que otro fotón sea liberado.
A medida que la corriente de polarización en directa se incrementa, más electrones entran

a la región de empobrecimiento y hacen que se liberen más fotones. Con el tiempo algunos
de los fotones que se mueven al azar dentro de la región de empobrecimiento chocan con
las superficies reflejantes perpendicularmente.
Estos fotones reflejados se desplazan a lo largo de la región de empobrecimiento, chocan

con átomos y liberan más fotones debido al efecto de avalancha. Este movimiento de
vaivén de los fotones se incrementa a medida que la generación de fotones “crece como
una bola de nieve” hasta que los fotones que atraviesan el extremo parcialmente reflejante
de la unión pn forman un rayo de luz láser muy intenso. Cada fotón producido en este
proceso es idéntico a los otros fotones en cuanto a nivel de energía, relación de fase y
frecuencia. Así que una sola longitud de onda de luz intensa emerge del diodo láser. Los
diodos láser tienen un nivel de umbral de corriente por encima del cual ocurre la acción
láser y por debajo del cual el diodo se comporta esencialmente como un LED que emite
luz no coherente.
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Una aplicación
Se utilizan diodos láser y fotodiodos en el sistema de captación de reproductores de
discos compactos (CD). La información de audio (sonido) se graba digitalmente en
estéreo en la superficie de un disco compacto en la forma de “hoyos” y “planos”. Un
lente enfoca el rayo láser emitido por el diodo sobre la superficie del CD. A medida
que gira el CD, el lente y el rayo siguen la pista bajo el control de un servomotor. La
luz láser, la cual es modificada por los hoyos y planos a lo largo de la pista grabada,
es reflejada por la pista a través de un lente y sistema óptico hacia fotodiodos
infrarrojos. La señal de los fotodiodos luego se utiliza para reproducir el sonido
digitalmente grabado. También se utilizan diodos láser en impresoras láser y sistemas
de fibra óptica.
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El fotodiodo es un dispositivo que opera con polarización en inversa, donde I es la

corriente luminosa en inversa. El fotodiodo tiene una pequeña ventana
transparente que permite que la luz choque con la unión pn.
Recuerde que cuando se polariza en inversa, un diodo rectificador tiene una

corriente de fuga en inversa muy pequeña. Lo mismo se aplica a un fotodiodo: la
corriente de polarización en inversa es producida por pares de electrón-hueco
térmicamente generados en la región de empobrecimiento, los cuales son
arrastrados a través de la unión pn por el campo eléctrico creado por el voltaje en
inversa. En un diodo rectificador, la corriente de fuga en inversa se incrementa
con la temperatura debido al incremento del número de pares de electrón-hueco.
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Un fotodiodo difiere de un diodo rectificador en que cuando su unión pn se

expone a la luz, la corriente en inversa se incrementa con la intensidad de la luz.
Cuando no hay luz incidente, la corriente en inversa, I, es casi despreciable y se
llama corriente oscura. Un incremento de la intensidad de luz, expresado como
irradiancia (mW/cm2), produce un incremento de la corriente en Inversa.
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El fotodiodo PIN
El fotodiodo pin se compone de regiones p y n excesivamente dopadas separadas por
una región intrínseca (i). Cuando se polariza en inversa, el diodo pin actúa como una
capacitancia casi constante. Cuando se polariza en directa, actúa como resistencia
variable controlada por corriente. La baja resistencia en directa de la región intrínseca
se reduce conforme la corriente se incrementa.
Un importante modo de funcionamiento del diodo p-n (o p -i-n ) bajo iluminación

ocurre cuando el diodo se encuentra bajo condiciones de polarización inversa. Sin
embargo, la polarización inversa no es suficientemente fuerte para que haya efectos de
ruptura como en el fotodiodo de avalancha.
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Un esquema del perfil de bandas de un detector p-i-n.

Puesto que el dispositivo se encuentra en polarización inversa, la corriente de diodo en
la oscuridad es Io y es independiente de la polarización aplicada. La fotocorriente IL, se
debe esencialmente a los portadores generados en la región de agotamiento (región i)
que se recolectan. El diodo esta inversamente polarizado de modo que toda la región i
esta agotada y tiene un fuerte campo eléctrico. La respuesta del dispositivo es rápida ya
que la fotocorriente se debe principalmente a la fotocorriente inmediata.
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EL FOTODETECTOR DE AVALANCHA
Además del detector p-i-n analizado, una clase importante de detectores aplica la
ionización por impacto o proceso de avalancha para obtener dispositivos de ganancia
muy alta. Mientras en el detector p -i-n la ganancia del detector puede, al menos, ser
unitaria, en el fotodetector de avalancha (APD, por sus siglas en ingles) pueden
conseguirse ganancias muy grandes. El proceso de avalancha en el cual un electrón
(hueco) de alta energía crea un par electrón-hueco. Generalmente este proceso, que
ocurre para campos eléctricos intensos, limita el funcionamiento de alto poder de los
dispositivos electrónicos, pero en los APD es explotado para multiplicar los
portadores generados por un fotón.
Debe advertirse que el proceso de avalancha requiere que el electrón inicial tenga una
energía algo mayor que la energía de la banda de separación, puesto que tanto la
energía como el momento se conservan.
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En la actualidad se están desarrollando paneles fotovoltaicos de silicio con

películas de Perovskita, lo que se conoce como tándem silicio-perovskita. Esto
permitirá combinar distintos espectros de colores para lograr una eficiencia
conjunta mayor al 30%. A su vez, implica añadir sólo un paso extra al proceso
productivo actual de los paneles, reduciendo la incertidumbre para las empresas,
muchas veces reacias a tomar riesgos en un sector tan competitivo. La empresa
Oxford PV es pionera en este tipo de paneles, y planea lanzar su producción para
el año 2021.
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Una fibra óptica tiene una región central, principal o core, de mayor índice de
refracción n1 que el de la región del revestimiento circundante, que tiene un índice de
refracción n2. Si la luz incide en la interfaz en cualquier ángulo mayor que el ángulo
crítico, φ1c, no va a pasar a través del segundo medio y se refleja de nuevo en el
núcleo debido al proceso de TIR.
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La Optoelectrónica es una parte de la fotónica relacionada con el estudio y aplicación de

• Primera observación de electroluminiscencia de cristales de SiC en el año 1907 por el

Hoy en día la Optoelectrónica se ha convertido en una nueva tecnología

La Optoelectrónica permite generar, transportar y manipular datos a muy alta

Sin embargo, las aplicaciones de la optoelectrónica se extienden a nuestra vida

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RESISTENCIAS FOTOCONDUCTIVAS, LDR.

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Polarización de los LED

La gráfica en la figura 3-32 es el patrón de radiación de un LED típico. Muestra qué

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El LED Orgánico (OLED)

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Se forma una unión pn con dos capas de

Existe una superficie altamente

Unos conductores externos propor-

Una fuente de voltaje externa polariza en directa el

A medida que la corriente de polarización en directa se incrementa, más electrones entran

Estos fotones reflejados se desplazan a lo largo de la región de empobrecimiento, chocan

El fotodiodo es un dispositivo que opera con polarización en inversa, donde I es la

Recuerde que cuando se polariza en inversa, un diodo rectificador tiene una

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