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    UNIVERSIDAD NACIONAL

    AUTÓNOMA DE MÉXICO
    Facultad de Estudios Superiores Cuautitlán
    Ingeniería en Telecomunicaciones, Sistemas y
    Electrón ica

    Departamento de Ingeniería
    Sección Electrónica

    ALUMNA: Aguirre Salinas Joseline Estephania

    PROFESOR: Ernesto Aguilar Rodríguez

    LABORATORIO: Dispositivos y Circuitos Electrónicos

    GRUPO: 2509-E SEMESTRE: 2024-II

    PREVIO PRÁCTICA 6. “PARÁMETROS HÍBRIDOS π”


    PARÁMETROS HÍBRIDOS π

    ACTIVIDADES PREVIAS
    1. El alumno deberá leer la práctica de laboratorio.
    2. Calcule y dibuje el circuito equivalente π del transistor, para una I B = 40A, T = 25ºC y  =
    180, para los diferentes valores de VCE de la tabla 7.1. Aplicando las fórmulas necesarias
    proporcionadas en la introducción.

    3. Realizar la simulación de todos los circuitos de la práctica

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