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Examen Galindo

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COLULA LEMUS CRISTIAN

1. Para el transistor BJT tipo NPN (0.5 puntos)

a) Dibuje su símbolo (representación esquemática) y su estructura de bloques NP.

R=

2. Idealmente, una recta de carga de cd es una recta trazada sobre las curvas características del
colector entre (0.5 puntos)

a) El punto Q y el corte

b) El punto Q y saturación

c) VCE (corte) e IC (sat)

R= c) VCE (corte) e IC (sat)

3. Dibuje el conjunto de curvas IC vs VCE y muestre las tres regiones de operación del transistor

(0.5 puntos)

R= IC

| _______ Corte

| /

| /

| /

| / _______ Saturación

|/

|-------------------> VCE

|
COLULA LEMUS CRISTIAN

1. Región de corte (Cutoff): Cuando IB es cero, el transistor está en la región


de corte y no conduce, independientemente de cuánto voltaje se aplique al
colector. Cualquier corriente del colector es debido a fugas, es muy
pequeña y es despreciable.
2. Región de saturación (Saturation): Cuando ambas uniones están
polarizadas directamente, el transistor está en la región de saturación de su
operación. La saturación es el estado de un BJT en el que la corriente del
colector ha alcanzado un máximo y es independiente de la corriente
base. IC aumenta a medida que se aumenta VCC porque VCE permanece
menos de 0.7 V debido a la unión base-colector polarizada directamente.
3. Región activa o lineal (Active): Idealmente, cuando VCE excede 0.7 V, la
unión base-colector se polariza inversamente y el transistor entra en la
región activa, o lineal, de su operación. Una vez que la unión base-colector
está polarizada inversamente, IC se nivela y permanece esencialmente
constante para un valor dado de IB a medida que VCE continúa aumentando

4. Dibuje y explique el modelo hibrido para el transistor BJT aplicado a un amplificador de voltaje

en polarización de emisor común (0.5 puntos)

R= El modelo híbrido para un transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) es una


representación que se utiliza para analizar el comportamiento de un transistor en un
circuito, especialmente cuando se utiliza como un amplificador de voltaje en la
configuración de emisor común.

En un amplificador de transistores bipolares, aparecen dos tipos de corrientes y tensiones:


continua (DC) y alterna (AC). La componente en continua polariza al transistor en un punto
de trabajo localizado en la región lineal. Este punto está definido por tres parámetros: I CQ,
I BQ y V CEQ.

La componente en alterna, generalmente de pequeña señal, introduce pequeñas variaciones


en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de trabajo

El transistor para las componentes en alterna se comporta como un circuito lineal que puede
ser caracterizado por el modelo híbrido o modelo de parámetros {H}. Los parámetros h de
un transistor se obtienen analizando su comportamiento a variaciones incrementales en las
corrientes (i b, i c) y tensiones (v be, v ce) en sus terminales.

El modelo híbrido de pequeña señal en E-C de un transistor NPN y PNP se indican en las
figuras 2.6.b y 2.6.c respectivamente. Ambos modelos son equivalentes y únicamente
difieren en el sentido de las corrientes y tensiones para dar coherencia al sentido de esas
mismas corrientes y tensiones en continua.

Las expresiones de ganancia en corriente, ganancia en tensión, impedancia de entrada e


impedancia de salida correspondientes a las ecuaciones 2.6, 2.7, 2.8 y 2.9 son idénticas para
ambos transistores.
COLULA LEMUS CRISTIAN

1. El transistor del siguiente circuito tiene una β=120, calcular: (2 puntos)

a) IC, IB e IE

b) VC, VE y VCE

Para calcular la corriente de base (IB), puedes usar la siguiente fórmula:


𝑉𝑐𝑐
𝐼𝐵 =
(𝑅1 + (𝛽 + 1) ∗ 𝑅2)

Dado que β = 120, R1 = 170 Kω, R2 = 80 Kω y VCC = 2.5 V, puedes sustituir estos valores
en la fórmula:

2.5𝑉
𝐼𝐵 =
(170𝑘Ω + (120 + 1) ∗ 80𝑘Ω)

IB=0.25 𝜇𝐴
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Para calcular la corriente del colector (IC), puedes usar la siguiente fórmula:

IC=β∗IB

Dado que β = 120 y IB = 0.25 μA, puedes sustituir estos valores en la fórmula:

IC=120∗0.25 𝜇𝐴

IC=0.030 mA

IE = IC + IB = 0.030+0.25

IE= 0.28

Para calcular el voltaje en el colector (VC), puedes usar la siguiente fórmula:

VC=VCC−(IC∗RC)

Dado que VCC = 2.5 V, IC = 0.030 mA y RC = 5 kΩ, puedes sustituir estos valores en la
fórmula:

VC=2.5V−(0.030mA∗5kΩ)

VC=2.35V

VE puede asumirse que es aproximadamente cero ya que está directamente a tierra en


esta configuración.

Y VCE es simplemente: [ VCE = VC - VE ] Que en este caso será igual a VC ya que VE es


aproximadamente cero.

VCE= 2.35V

2. Determine el punto de operación Q para el siguiente circuito. (2 puntos)


COLULA LEMUS CRISTIAN

SACAMOS VB
𝑅2
𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 ×
𝑅1 + 𝑅2

VB=
5600
𝑉𝐵 = 15𝑉 ×
4700 + 5600

VB=8.15V

Calcular la corriente de base (I_B)

𝑉𝐵 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
𝑅1

IB=
8.15 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 =
4700
IB=1585.10 𝜇𝐴

IC=β∗IB

Dado que β = 100 y IB = 1585.10 μA, puedes sustituir estos valores en la fórmula:

IC=100∗1585.10 𝜇𝐴

IC=158.510 mA

Calcular el voltaje colector-emisor (V_CE): Finalmente, podemos calcular el voltaje


colector-emisor (V_CE) usando la ley de Kirchhoff para la ley de voltajes (KVL).

VCE=VCC−IC×(RE+RL)

VCE= 15-158.510*(1+10)

VCE=-1728.61 V

Si V_CE es negativo, entonces el transistor está en la región de saturación y


necesitarás ajustar los valores de los componentes del circuito para mover el
transistor a la región activa.
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3. En el siguiente circuito amplificador de voltaje, tenemos una señal senoidal Vs=10mVpp


y un BJT 2N3904 cuya β=200. (4 puntos)

a) Determine y dibuje la señal de salida en los puntos VB y VC.

b) Determine la ganancia de voltaje a circuito abierto Avo.

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