Diodo Upn

CIRCUITOS ELECTRONICOS
El diodo

ING.FERNANDO HOYOS RIVAS
Componentes electrnicos: El diodo
Introduccin: representacin de componentes elctricos en
diagrama V-I
Caractersticas elctricas de un diodo semiconductor
Caracterstica real
Linealizacin de la caracterstica de un diodo
Interpretacin de los datos de un catlogo
Diodos especiales
Asociacin de diodos
Aplicaciones
Introduccin: Representacin del componentes elctricos en diagrama V-I
+
-
V
I I
V
Corto
(R = 0)
+
-
V
I I
V
Abierto
(R = )
+
-
V
I I
V
Batera
+
-
I I
V
Resistencia
(R)
V
I
+
-
V
V
Fuente
Corriente
I
+
-
V
I
P
N
I
V
CARACTERSTICA DEL DIODO
Idealmente, permite corriente directa (se comporta como un cable) y bloquea o
no permite la corriente inversa (se comporta como un cable roto)
PRESENTA UN
COMPORTAMIENTO
NO LINEAL !!
h
1
h
2
h
1
- h
2
Caudal
Funcionamiento de una vlvula anti-retorno
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco : TIPO N
Impurezas grupo V
300K
Electrones libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo N son
electrones libres
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Introduccin a la fsica de estado slido: semiconductores
Semiconductor extrnseco : TIPO P
300K
Huecos libres tomos de impurezas ionizados
Los portadores de carga en un semiconductor tipo P son huecos.
Actan como portadores de carga positiva.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
La unin P-N
La unin P-N en equilibrio
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
Semiconductor tipo P Semiconductor tipo N
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+ -
Zona de transicin
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de
carga espacial denominada zona de transicin. Que acta como una
barrera para el paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
La unin P-N
La unin P-N polarizada inversamente
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms grande. Con polarizacin inversa no hay
circulacin de corriente.
P
N
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La zona de transicin se hace ms pequea. La corriente comienza a
circular a partir de un cierto umbral de tensin directa.
P
N
+
La unin P-N
La unin P-N polarizada en directa
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
+
La recombinacin electrn-hueco hace que la concentracin de electrones
en la zona P disminuya al alejarse de la unin.
P
N
+
Concentracin de huecos
Concentracin de electrones
La unin P-N
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin
de corriente elctrica
P N
DIODO SEMICONDUCTOR
p n
nodo ctodo
A K
Smbolo
I
S
= Corriente Saturacin Inversa
K = Cte. Boltzman
V
D
= Tensin diodo
q = carga del electrn
T = temperatura (K)
I
D
= Corriente diodo

Silicio
Germanio
DIODO REAL
|
|
.
|
\
|
=

1
T K
q V
S D
D
e I I
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
V [Volt.]
0
1
0.25 -0.25
i [mA]
0.5
Ge
Si
0 1 -4
30
i [mA]
V [Volt.]
Ge
Si
DIODO REAL (Distintas escalas)
-0.8
-0.5
0
i [A]
V [Volt.]
-10
-0.5
0
i [pA]
V [Volt.]
Ge
Si
Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en bloqueo
DIODO: DISTINTAS APROXIMACIONES
I
V
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
I
V
Tensin de codo y
Resistencia directa
I
V
Ideal
I
V
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
DIODO: LIMITACIONES
I
V
Corriente mxima

Lmite trmico,
seccin del conductor
Tensin inversa
mxima

Ruptura de la Unin
por avalancha
600 V/6000 A
200 V /60 A
1000 V /1 A
V
R
= 1000V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 1A Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 50 nA Corriente inversa

V
R
= 100V Tensin inversa mxima
I
OMAX (AV)
= 150mA Corriente directa mxima
V
F
= 1V Cada de Tensin directa
I
R
= 25 nA Corriente inversa
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
V
d
i
d
i
S
V
R
I
Omax
NOTA:
Se sugiere con un buscador obtener las
hojas de caractersticas de un diodo (p.e.
1N4007). Normalmente aparecern varios
fabricantes para el mismo componente.
DIODO: Parmetros facilitados por fabricantes
Tiempo de recuperacin inversa
+
U
E R
i
S
U
E
Baja frecuencia
i
S
i
S
t
rr
= tiempo de recuperacin inversa
A alta frecuencia se aprecia un intervalo en el cual el diodo conduce
corriente inversa.
Alta frecuencia
DIODOS ESPECIALES
Diodo Zener (Zener diode)
La ruptura no es destructiva.
(Ruptura Zener).

En la zona Zener se comporta
como una fuente de tensin
(Tensin Zener).

Necesitamos, un lmite de
corriente inversa.

Podemos aadir al modelo lineal
la resistencia Zener.

Aplicaciones en pequeas
fuentes de tensin y referencias.
I
V
Tensin
Zener
(V
Z
)

Lmite mximo

Normalmente, lmite
de potencia mxima
DIODOS ESPECIALES
Diodo LED (LED diode) Diodo emisor de Luz = Light Emitter Diode
El semiconductor es un compuesto III-V (p.e. Ga As). Con la unin PN
polarizada directamente emiten fotones (luz) de una cierta longitud de
onda. (p.e. Luz roja)
A K A K
DIODOS ESPECIALES
Fotodiodos (Photodiode)
0
i
V
i
opt
Los diodos basados en compuestos III-V, presentan
una corriente de fugas proporcional a la luz incidente
(siendo sensibles a una determinada longitud de onda).

Estos fotodiodos se usan en el tercer cuadrante.
Siendo su aplicaciones principales:
Sensores de luz (fotmetros)
Comunicaciones
COMENTARIO
Los diodos normales presentan variaciones en la corriente
de fugas proporcionales a la Temperatura y pueden ser
usados como sensores trmicos
i
0
V
T
1
T
2
>T
1
El modelo puede ser una fuente de
corriente dependiente de la luz o de
la temperatura segn el caso
I = f(T)
DIODOS ESPECIALES
Clulas solares (Solar Cell)
i
V
V
CA
i
CC
Cuando incide luz en una unin PN, la
caracterstica del diodo se desplaza hacia el 4
cuadrante.

En este caso, el dispositivo puede usarse como
generador.
Paneles de clulas
solares
Zona
uso
DIODOS ESPECIALES
Diodo Schottky (Schottky diode)
Unin Metal-semiconductor N. Producindose el llamado efecto
schottky.

La zona N debe estar poco dopada.

Dispositivos muy rpidos (capacidades asociadas muy bajas).

Corriente de fugas significativamente mayor.

Menores tensiones de ruptura.

Cadas directas mas bajas (tensin de codo ~ 0.2 V).

Aplicaciones en Electrnica Digital y en Electrnica de Potencia

El efecto Schottky fue predicho tericamente en
1938 por Walter H. Schottky
ASOCIACIN DE DIODOS
DISPLAY
Diodo de alta tensin
(Diodos en serie)
Puente rectificador
+
-
+
-
Monofsico
Trifsico
APLICACIONES DE DIODOS
Detectores reflexin de objeto
Detectores de barrera
APLICACIONES DE DIODOS
Sensores de luz: Fotmetros
Sensor de lluvia en vehculos
Detectores de humo
Turbidmetros
Sensor de Color
LED
Fotodetector

LED azul

LED verde

LED rojo

Fotodiodo

Objetivo

LED

COMENTARIOS SOBRE CIRCUITOS
Los diodos (y el resto de dispositivos electrnicos) son dispositivos
no lineales.

Cuidado, no se puede aplicar el principio de superposicin!
V
E

V
S

V
E

R
V
MAX
MAX
V
EJ EMPLO TPICO:
RECTIFICADOR
+
-
I
D

V
D

V
E

t
t
V
S

t
TH
TH
R
V
TH
V
Caracterstica
del diodo
Caracterstica del
circuito lineal
(RECTA DE CARGA)
PUNTO DE
FUNCIONAMIENTO
I
V
RECTA DE CARGA Y PUNTO DE FUNCIONAMIENTO
+
-
I
D
V
D
V
TH

R
TH

CIRCUITO
LINEAL
I
D

V
D

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